IRFS830A中文资料

P G 0~P G 2
2
November 29, 2000
元器件交易网
Pin Assignment
PB5 1 PB4 2 PA3 3 PA2 4 PA1 5 PA0 6 PB3 7 PB2 8 P B 1 /B Z 9 P B 0 /B Z 1 0 V S S 11 P G 0 /IN T 1 2
CMOS or schmitt trigger option of port A is controlled by 1-bit ROM code option.
Absolute Maximum Ratings
Supply Voltage ...............VSS-0.3V to VSS+5.5V Input Voltage .................VSS-0.3V to VDD+0.3V
HT48R30A-1
PB5 1 PB4 2 PA3 3 PA2 4 PA1 5 PA0 6 PB3 7 PB2 8 P B 1 /B Z 9 P B 0 /B Z 1 0 V S S 11 P G 0 /IN T 1 2 P C 0 /T M R 1 3 P C 1 14
28 P B 6 27 P B 7 26 P A 4 25 P A 5 24 P A 6 23 P A 7 2 2 O S C 2 /P G 2 2 1 O S C 1 /P G 1 20 V D D 19 R E S 18 P C 5 17 P C 4 16 P C 3 15 P C 2
cycles · 24/28-pin SKDIP/SOP package
remote controllers, fan/light controllers, washing machine controllers, scales, toys and various subsystem controllers. A HALT feature is included to reduce power consumption.

3. How to adjust the IF count output sensitivity
· The IF count output sensitivity (search sensitivity) Can be adjusted by varying the IF AMP gain for FM and varying the MIXER gain for AM. This setting is made by changing the value of external resistance R2 which is connected to pin(2).
· S curve characteristics of FM detection output in TA8132AN, TA8132AF and TA2012N, TA2012F are reverse to each other.
TA8132AN, TA8132AF: Reverse characteristic.
· The signal waveform is the rectangular wave, and the level is 500mVp-p (typ.)
2. How to control the divider of FM IF
Switch VCC: 10.7MHz output GND or OPEN: 1.3375MHz output (1 / 8 dividing)
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Pin No.
Item
7
AGC
8
IF OUT SW
9
IF OUT
10
TUN LED (tuning LED)
11
ST LED (stereo LED)

590 系列数字直流式调速器中文说明书
调速器概述
如何工作 用简单术语讲，调速器就是使用控制环（一个内部的电流环和一 个外部的速度环）来控制直流电机。这些控制环在应用框图里可以看 到。框图显示了调速器所有的软件接口关系。
使用操作平台，你能选择调速器所使用的控制环中的两者之一； ▲电流环 ▲速度环（默认） 为了调速器更有效的控制，通常提出一个电流和速度反馈信号给 一个相应的环。电流反馈传感器是内置式的，然而速度反馈直接是电 枢感应电路提供（默认），或有模拟测速发电机、编码器提供，或将 微测速器连接到相关的任选面板来进行。
LINK=LINK（链路）协议
*** 三位个字符规定了辅助电源
0=不同辅助电源 115 到 230V（正负 10%）
8
50/60HZ（只有大于 165A 的驱动器才可以） 115=110V 到 220V（正负 10%）50/60HZ
220=220V 到 240V（正负 10%）50/60HZ
590 系列数字直流式调速器中文说明书
电机通风扇电路断路 器
590 系列数字直流式调速器中文说明书 FI1 FI2 F+ F- M1 M2 M3
L N 3 4 TH1 TH2
励磁桥励磁桥 FI1 FI2L1 L2FI1 FI2L1 L2
有 配装针插头
配装针插头 跳线选择外部励磁跳线选择内部励磁
内部电机励磁（此板的“默认”配置）
当三相电源连接到 L1/L2/L3 时，电机励磁输出端子 F+和 F-被激 发。
590 系列数字直流式调速器中文说明书
单相变压器来进行。L1 必须接到 FL1，L2 必须接到 FL。
外部励磁电源现在可以连接，电源回复到驱动器。 电源板—PCB 基准 385851（180A＆270A） 这块电源板（印有上面的号码）能被改变作为内部电机励磁电源 或外部 的电机励磁应电源。

MS2008A使用手册深圳华仪仪表有限公司目录页安全要求 --------------------------------------- 1 安全标志 --------------------------------------- 1 注意事项 --------------------------------------- 1 保养 --------------------------------------- 2 概述 --------------------------------------- 3 仪表示意 --------------------------------------- 3 面板示意图 --------------------------------------- 5 使用说明 ------------------------------------- 6 技术指标 -------------------------------------- 8 自动电源关 ------------------------------------- 10 更换电池 ------------------------------------- 11 附件 -------------------------------------- 12安全要求MS2008A数字钳形表是根据电子测量仪器和手持式电流钳表的安全标准IEC61010-1IEC61010-2-032设计生产的。

符合双重绝缘CAT Ⅲ 600V和污染等级2的安全标准。

● 当仪表正在测量时，不要触及没有使用的输入端。

● 测量高于60V直流和30V交流以上的电压时，务必小心，切记手指不要超过表笔挡手部分。

● 在不能确定被测量的大小范围时，将功能量程开关置于最大量程位置。

切勿超过每个量程所规定的输入极限值。

● 不要测量高于允许输入值的电压。

● 在功能量程开关转换之前，应使表笔与被测电路处于开路状态。

产品概述经久耐用，防腐蚀性能卓越，专为防爆及严苛条件而设计。

其广泛应用于包括陆地及海洋石油天然气，远洋船舶，风力发电，化工等对于产品和持久使用的可靠性有着超高要求的领域。

灵巧的工业设计配备宽视场角镜头，额外的辅助光源，遵循ONVIF协议，以及支持多样安装支架，使得EACD-3021适用于最严苛的视频监控的应用。

产品特性• CNEx 认证• IP68• 网络高清• 工作温度-40ºC ~ +60ºC • 304或316L 不锈钢• 额外的辅助光源•轻便灵巧，快速安装EACD-3021系列防爆红外球型摄像机气体粉尘防爆双认证All specifications, dimensions, weights and tolerances are nominal (typical) and Eaton reserve the right to vary all data without prior notice.No liability is accepted for any consequence of use.EatonNo.189, Liuyanghe road Xinbei District Changzhou Jiangsu, China********************© 2023 EatonAll Rights Reserved Printed in UK PublicationNo.DSYH0032/ November 2023Eaton is a registered trademark.All other trademarks are property of their respective owners.摄像机选项 B 2.8~12mm电动变焦两百万像素图像传感器逐行扫描 CMOS 1/2.8"分辨率1920x1080 25fps 镜头 2.8~12mm电动变焦最小照度0.01lux(AGC ON，Color) 0lux with IR(AGC ON，Black/white)旋转范围水平：355°，垂直：90°旋转速度水平0~25°/s，垂直0~20°/s 预置位220图像自动翻转支持视频压缩H.265，H.264，MJPEG可选特性支持自动白平衡，3D降噪，宽动态，码率/帧率可调，手动调整快门值协议标准TCP/IP，HTTP， NTP，IGMP， DHCP，UDP，SMTP，RTP，RTSP，ARP，DDNS，DNS，PPPoE，P2P表面处理表面喷塑或抛光工作温度-40ºC ～ +60ºC 大气压强80～110KPa 湿度≤95%RH (+25°C)防护等级IP68净重 4.5Kg 毛重 5.5Kg 壁挂支架负载100Kg 输入电压12VDC 最大功率10W线缆引入 1 x M25x1.5红外距离≥15米信号传输标准数字以太网视频协议ONVIF电气连接3芯电缆连接电源，8芯网线连接以太网DSYH0032/ 11/23摄像机网络编码I热成像摄像机机芯无编码N护罩类型光学摄像机护罩编码V热成像镜头无编码 N雨刮无雨刮编码 N摄像机旋转水平355°旋转编码 2摄像机系统网络编码 I认证CNEx认证非防爆编码 X N温度-40˚C ~ +60˚C 编码2EACD-3021 A B V N I B N N I 6 2 D X 2 0 1材质类型不锈钢304不锈钢316L 编码A B输入电压 12VDC编码 6引出线长度3米非铠7米非铠10米非铠3米铠装7米铠装10米铠装特殊编码1231A 2A 3A S订购详情如下编码能帮助您找到合适的型号。

Value Units A V mJ A mJ V/ns A V TO-2201.Gate2. Drain3. Source32120095.73616297.25.030 +_TRADEMARKSACEx™CoolFET™CROSSVOLT™E 2CMOS TM FACT™FACT Quiet Series™FAST ®FASTr™GTO™HiSeC™The following are registered and unregistered trademarks Fairchild Semiconductor owns or is authorized to use and is not intended to be an exhaustive list of all such trademarks.LIFE SUPPORT POLICYFAIRCHILD’S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORTDEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROV AL OF FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORA TION.As used herein:ISOPLANAR™MICROWIRE™POP™PowerTrench™QS™Quiet Series™SuperSOT™-3SuperSOT™-6SuperSOT™-8TinyLogic™1. Life support devices or systems are devices or systems which, (a) are intended for surgical implant intothe body, or (b) support or sustain life, or (c) whosefailure to perform when properly used in accordancewith instructions for use provided in the labeling, can be reasonably expected to result in significant injury to the user.2. A critical component is any component of a lifesupport device or system whose failure to perform can be reasonably expected to cause the failure of the life support device or system, or to affect its safety or effectiveness.PRODUCT STATUS DEFINITIONS Definition of Terms Datasheet Identification Product Status DefinitionAdvance InformationPreliminary No Identification Needed Obsolete This datasheet contains the design specifications for product development. Specifications may change in any manner without notice.This datasheet contains preliminary data, andsupplementary data will be published at a later date.Fairchild Semiconductor reserves the right to make changes at any time without notice in order to improve design.This datasheet contains final specifications. Fairchild Semiconductor reserves the right to make changes at any time without notice in order to improve design.This datasheet contains specifications on a product that has been discontinued by Fairchild semiconductor.The datasheet is printed for reference information only.Formative or In DesignFirst ProductionFull ProductionNot In ProductionDISCLAIMERFAIRCHILD SEMICONDUCTOR RESERVES THE RIGHT TO MAKE CHANGES WITHOUT FURTHER NOTICE TO ANY PRODUCTS HEREIN TO IMPROVE RELIABILITY , FUNCTION OR DESIGN. FAIRCHILD DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING OUT OF THE APPLICATION OR USE OF ANY PRODUCT OR CIRCUIT DESCRIBED HEREIN; NEITHER DOES IT CONVEY ANY LICENSE UNDER ITS PATENT RIGHTS, NOR THE RIGHTS OF OTHERS.UHC™VCX™。

ATA系列自动电源转换装置出众的整体解决方案 ATA—执行机构IZM9系列ATA 系列自动电源转换装置ATA 系列自动电源转换装置ATA 系列概述 ...................................................................................4型号说明 ...............................................................................5主要技术数据及性能指标 .................................................................6控制器 .................................................................................7电气线缆 ..............................................................................16执行断路器IZM9系列型号说明 ..............................................................................17脱扣器技术参数 ........................................................................18系统概览 ..............................................................................19可选附件 ..............................................................................23外形及安装尺寸 ........................................................................24系统电气图 ............................................................................48选型与订货 ............................................................................69订购指南 (73)ATA 系列执行断路器IZM9系列目录3ATA系列自动电源转换装置概述ATA系列产品描述伊顿的ATA系列自动转换开关装置，满足额定电压AC400V以下电源的自动转换。

12
V = 100V
10
DS
V = 250V DS
VDS = VGS, ID = 250 µA
2.0 --
4.0
V
VGS = 10 V, ID = 2.25 A
-- 1.16 1.5
Ω
VDS = 40 V, ID = 2.25 A (Note 4) --
4.2
--
S
Dynamic Characteristics
Ciss
Input Capacitance
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, November 2001
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IRF830B/IRFS830B
Typical Characteristics
ID, Drain Current [A]
DS(ON) R [Ω ], Drain-Source On-Resistance
- Continuous (TC = 100°C)
IDM
Drain Current - Pulsed
(Note 1)
VGSS
Gate-Source Voltage
EAS
Single Pulsed Avalanche Energy
(Note 2)
IAR
Avalanche Current
(Note 1)
--
--
--
--
--
--
10 100 100 -100
V
V/°C
µA µA nA nA
On Characteristics
VGS(th) RDS(on)
Gate Threshold Voltage

100 dB to 10 kHz, decreasing by 6 dB/oct above 10 kHz >100 dB (without prefilters) <5 ppm/°C
参考通道
频率范围
0.001 Hz to 102.4 kHz
参考输入
TTL or sine (400 mVpp min.)
Aux 1 or Aux 2. The display can also be any of these quantities
by Aux 1 or Aux 2. 4½-digit LED display with 40-segment LED bar graph. Y, θ ,
Aux 3 or Aux 4. The display can also be any of these quantities
12 dB/oct)
相位漂移
<0.01°/°C below 10 kHz,
谐波检测
<0.1°/°C above 10 kHz 2F, 3F, ... nF to 102 kHz (n < 19,999)
收集时间 解调器
(2 cycles + 5 ms) or 40 ms,whichever is larger
SR830 数字锁相放大器中文说明书
锁相放大器是一种对交变信号进行相敏检波的放大器。它利用和被测信号有相同频 率和相位关系的参考信号作为比较基准，只对被测信号本身和那些与参考信号同频（或 者倍频）、同相的噪声分量有响应。因此，能大幅度抑制无用噪声，改善检测信噪比。 此外，锁相放大器有很高的检测灵敏度，信号处理比较简单，是弱光信号检测的一种有 效方法。美国 SRS公司的锁相放大器是世界上应用最为广泛的锁相放大器，以较其他 锁相放大器更大的精度，更高的稳定性，和更优良的噪声抑制比来测量信号。更值得推 荐的是其价格合理，性价比要比同类产品高。

ParameterMax.UnitsI D @ Tc = 25°C Continuous Drain Current, V GS @ -10 V -1.8I D @ Tc = 100°CContinuous Drain Current, V GS @ -10 V -1.1I DMPulsed Drain Current -14P D @Tc = 25°C Power Dissipation3.1P D @T A = 25°CPower Dissipation (PCB Mount)** 2.0WLinear Derating Factor0.025Linear Derating Factor (PCB Mount)**0.017W/°CV GS Gate-to-Source Voltage-/+20V E AS Single Pulse Avalanche Energy 140mJ I AR Avalanche Current-1.8A E AR Repetitive Avalanche Energy 0.31mJ dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt-4.5V/nsT J, T STGJunction and Storage Temperature Range -55 to + 150IRFL9014HEXFET ® Power MOSFETPD - 90863AThird Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.The SOT-223 package is designed for surface-mount using vapor phase, infra red, or wave soldering techniques. Its unique package design allows for easy automatic pick-and-place as with other SOT or SOIC packages but has the added advantage of improved thermal performance due to an enlarged tab for heatsinking. Power dissipation of grreater than 1.25W is possible in a typical surface mount application.2/1/99Descriptionl Surface Mountl Available in Tape & Reel l Dynamic dv/dt Ratingl Repetitive Avalanche Rated l P-Channel l Fast Switching lEase of ParallelingS O T -223** When mounted on 1'' SQUARE pcb (FR-4 or G-10 Material).For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994.ParameterTyp.Max.UnitsR θJC Junction-to-PCB–––40R θJAJunction-to-Ambient. (PCB Mount)**–––60Thermal Resistance°C/WAbsolute Maximum RatingsA 1Soldewring Temperature, for 10 seconds300 (1.6mm from case)°CIRFL9014IRFL9014IRFL9014IRFL9014IRFL9014IRFL9014IRFL9014。

开关电源驱动模块（PM40XXA）图1是为大功率开关电源设计的专业驱动模块，模块型号定义为：PM4020A和PM4060A两种，PM4020A最大驱动为（以MOS 管为例25A；MOS管）在应用驱动最老的MOS管是IRFP460内部电容大约6000P。

图2是PM4060A最大驱动能力为60A的MOS管或者IGBT管，两个电路图相同、不同的是所使用的驱动IC有区别，前面是使用的IR2101驱动IC、后面是使用IR2181驱动IC，两个驱动电路的脚列完全相同！可以直接代替使用。

上面两种模块的全部技术资料由（老铎）设计！所有出版在“电子制作网”上面。

并且由本网站提供完整的成品（如上图片）。

PM4020A每块30元；PM4060A每块 35元；具体订购方法请参考最后页。

采用该模块设计一个大功率1000W的开关电源是十分简单的事情，你不必花费更多的时间就可以完成，下面的设计是一个标准的开关电源电路图。

我们将连续出版模块的开发电路图和音响的开关电源，供爱好制作的朋友提供最大的方便。

电子制作网技术资料下载连接表凡是我们出版的制作技术资料的PDF文档，均在这里保留每个技术资料的PDF文档的连接。

发表技术问题到：我们的电子制作网 电子制作网提供关键套件 (电信站) (网通站)设计人：刘铎 实验人：老铎165v@ KA KB HOR VSRLOR DTHOL VSL LOL GND ISVCC 12345678910111213141516PIN16脚 标准单列直插全桥通用开关电源驱动模块IO GND 输入功率控制脉宽设置稳压控制（光耦K ）稳压控制（光耦A ）地右下驱动输出工作电压13V-18V输出电流控制(5V)右上驱动中点右上驱动输出地左下驱动输出左上驱动中点左上驱动输出工作频率 60KHz-80KHz-100KHz 误差2%最大能驱动65A 的MOS 管子VSL+HOL 和VSR+HOR 可工作在0V-600V如果没有特殊说明所有不同型号的半桥和半桥脚列相同及不同型号全桥和全桥脚列相同！不同型号半桥和半桥可以互相代换。

DISCRETE SEMICONDUCTOR Transistors70 • Bipolar Transistors (continued)PartPin to PinCompatibilityPolarity РC max, W V CB max, V V CE max,V V EBmax,VI Cmax, m Аh FEV CE sat,VI CBO, μАF T, МHzNf, dB Package (Pads)KT6136A 2N3906 PNP 0.625 40 40 5 200 100…3000.40.05 250 TO-92KT6137A 2N3904 NPN 0.625 60 40 6 200 100…3000.30.05 300 TO-92 BC182BC182ABC182BNPN 0.5 60 50 6 100 120…450120…220200…4500.60.015 150 10 TO-92 BC183BC183ABC183BBC183CNPN 0.5 45 30 6 100 110…800110…220200…450420…8000.60.015 150 10 TO-92 КТ607А-4КТ607Б-42N4073 NPN 1.5 40 30 40 35 30 35 4 150 0.1 1000 700 TO-92 BC639 NPN 0.625 100 80 5 1500 ≥25 0.50.1 100 TO-92 BC640 PNP 0.625 100 80 5 1500 ≥250.50.1 100 TO-92 КТ646А КТ646БКТ646В2SC495 2CS496 NPN 1.0 60 40 40 60 40 40 4 1000 40…200 >150 150…3400.850.250.2510 10 0.05 250 TO-126 KT660A KT660Б BC337 BC338 NPN 0.5 50 30 45 30 5 800 110...220200 (450)0.5 1.0 200 TO-92КТ805АМ КТ805БМ КТ805ВМ КТ805ИМ KSD362 KSD773 NPN 30 300 45 30 5 5000 V KER >15>15>15 >252.53.0 1.0 TO-92 KT814AKT814БKT814BKT814ГBD136 BD138 BD140 PNP 10 40 50 70 100 5 1500 40…27540…27540…27530…2750.650 40 TO-126 KT815AKT815БKT815BKT815ГBD135 BD137 BD139 NPN 10 40 50 70 100 5 1500 40…27540…27540…27530…2750.650 40 TO-126 KT816AKT816БKT816BKT816ГBD234 BD236 BD238 PNP 25 40 45 60 100 5 3000 25…2750.6100 3.0 TO-126 KT817AKT817БKT817BKT817ГBD233 BD235 BD237 NPN 25 40 45 60 100 5 3000 25...2750.6100 3.0 TO-126 КТ8126А1 КТ8126Б1 MJE13007 MJE13006 NPN 80 700 600 400 300 9 8000 8...60 1.01000 4.0 TO-220 КТ8164А КТ8164Б MJE13005 MJE13004 NPN 75 700 600 400 300 9 4000 8...40 1.01000 TO-220 КТ8170А1 КТ8170Б1 MJE13003 MJE13002 NPN 40 700 600 400 300 9 9 1500 8 (40)1.01000 4.0 TO-126 КТ8176АКТ8176БКТ8176ВTIP31A TIP31B TIP31C NPN 40 60 80 100 60 80 100 5 3000 >25 1.2 3.0 TO-220DISCRETE SEMICONDUCTORTransistors71• Bipolar Transistors (continued)Part Pin to PinCompatibility Polarity РC max, W V CB max,V V CE max,V V EB max,V I Cmax,m А h FE V CE sat, VI CBO, μАF T, МHz Nf, dB Package (Pads) КТ8177АКТ8177БКТ8177ВTIP32A TIP32B TIP32C PNP 40 60 80 100 60 80 100 5 3000 >25 1.2 3.0 TO-220 КТ8212А КТ8212БКТ8212ВTIP41С TIP41B TIP41A NPN 65 60 80 100 60 80 100 5 6000 15…75 1.5 I CES =400 3.0 TO-220КТ8213А КТ8213БКТ8213ВTIP42C TIP42B TIP42A PNP 65 60 80 100 60 80 100 5 6000 15…75 1.5 I CES =400 3.0 TO-220MJE2955 PNP 75 70 60 5 1000020…100 1.1 1000 TO-220 MJE3055 NPN 75 70 60 5 1000020…100 1.1 1000 TO-220 КТ738А КТ739А TIP3055 TIP2955 NPN PNP 90 70 60 5 1500020…100 1.1 1000 TO-218 КТ732А КТ733А MJE4343 MJE4353 NPN PNP 125 160 160 7 160008…15 2.0 750 1.0 TO-218 КТ8224А КТ8224Б* BU2508A BU2508DNPN 100 1500700 7.5 8000 4…7 1.0 I ebo=1.0 100..187 TO-218КТ8225ABU941ZP NPN 155 350 5 15000>300 1.8 Veb=5.0V Iebo=20 TO-218 КТ8228А КТ8228Б* BU2525A BU2525DNPN 125 1500800 7.5 12000 5.0…9.5 5.0 I ebo=1.0 80…150 TO-218КТ8229А TIP35F NPN 125 180 180 5 2500015…75 1.8 I ceo = 1.0 3.0 TO-218 КТ8230А TIP36F PNP 125 180 180 5 2500015…75 1.8 1.0 3.0 TO-218 КТ8261А BUD44D2 NPN 25 700 400 9 2000 >10 0.65 0.1 TO-126 BUL44D2 NPN 40 700 400 9 5000 >10 0.65 0.1 TO-220 КТ8247А BUL45D2 NPN 75 700 400 12 5000 >22 0.5 100 TO-220КТ8248А BU2506F NPN 90 Vcek 1500700 7.5 5000 3.8…9.0 3.0 Icek, mA1.0TO-218 KT538A MJE13001 NPN 0.7 600 400 9 0.5 5…90 0.5 1000 4 TO-92 КТ8248А1 BU2506F NPN 90 Ucek 1500 700 7.5 5000 3.8…9.0 3.0 Icek,мА1.0 TO-218KT8290A BUH100 NPN 100 700 400 9 10000 >10 1.0 0.1 ТО-220 КТ8255А BU407 NPN 60 330 160 6 7000 >15 1.0 1.0 ТО-220 KT8270A MJE13001 NPN 0.7 600 400 9 0.5 5…90 0.5 1000 4 TO-126KT8296AKT8296БKT8296ВKT8296ГKSD882R KSD882O KSD882Y KSD882G NPN 10 40 30 5 3000 60…120100…200160…320200…4000.5 100 TO-126 KT8297AKT8297БKT8297ВKT8297ГKSB772R KSB772O KSB772Y KSB772G PNP 10 40 30 5 3000 60…120100…200160…320200…4000.5 100 TO-126KT872A KT872Б KT872B KT872Г* with clampingdiodeBU508А BU508 BU508DNPN1001500150012001500700 700 600 70061000>61.0 5.0 1.0 1.04.0TO-218KT928A 2N2218 NPN 0.5 60 60 5 0.8 20…100 1.0 5.0 250 TO-126KT928Б 2N2219 NPN 0.5 60 60 5 0.8 50…200 1.0 5.0 250 TO-126 KT928B 2N2219ANPN 0.5 75 75 5 0.8 100…300 1.0 1.0 250TO-126 KT940AKT940БKT940BBF459 BF458 NPN 10 300 250 160 3002501605 100 >25 1.0 0.05 TO-126 КТ969А BF469 NPN 6 300 250 5 100 50…250 1.0 0.05 60TO-126DISCRETE SEMICONDUCTOR Transistors72 • Power Bipolar Darlington TransistorsPart Pin to PinCompatibilityPolarityРC max, W V CB max, V V CE max, V V EB max, V I Cmax, m А h FE V CE sat, VICBO,μА F T, МHzPacka-ge KT8115AKT8115БKT8115BTIP127 TIP126 TIP125 PNP 65 100 80 60 100 80 60 5 5000 >1000 2.0 200 4 TO-220KT8116AKT8116БKT8116BTIP122 TIP121 TIP120 NPN 65 100 80 60 100 80 60 5 5000 >1000 2.0 200 4 TO-220КТ8214АКТ8214БКТ8214ВTIP110 TIP111 TIP112 NPN 50 60 80 100 60 80 100 5 2000 >500 2.5 1000 TO-220КТ8215АКТ8215БКТ8215ВTIP115 TIP116 TIP117 PNP 50 60 80 100 60 80 100 5 2000 >500 2.5 1000 TO-220KT8156A КТ8156Б BU807 NPN 60 330 150 2006 8000 >100 1.5 1000 TO-220KT8158AKT8158БKT8158BBDV65A BDV65B BDV65C NPN 125 60 80 100 60 80 100 5 12000>1000 2.0 400 TO-218KT8159AKT8159БKT8159ВBDV64A BDV64B BDV64C PNP 125 60 80 100 60 80 100 5 12000>1000 2.0 400 TO-218КТ8225А BU941ZP NPN 155 350 350 5 15000>300 2.7 100 TO-218КТ8251А BDV65F NPN 125 180 180 5 10000>100 2.0 0.4 TO-218KT972AKT972БKT972BKT972ГBD875 NPN 8.0 60 45 60 60 60 45 60 60 5 2000 >750 >750 750…5000 750…5000 1.5 1.5 1.5 0.95 200 TO-126KT973AKT973БKT973BBD876 PNP 8.0 60 45 60 60 45 60 5 2000 >750 >750 750…5000 1.5 1.5 1.5 200 TO-126• Unijunction TransistorsPart Pin to Pin Compatibility P max,W Vb, b2 max, V Ie pulse, A Ie rev, μA Veb sat,V ηPackage KT132A KT132Б 2N2646 2N2647 0.3 35 2.0 12.0 0.2 3.5 0.56…0.75 0.68…0.82 Case 22A-01KT133A KT133Б 2N4870 2N4871 0.3 35 1.5 1.0 2.5 0.56…0.75 0.70…0.85TO-92• Logic Level N-Channel MOSFETsPart Pin to Pin Compatibility Vds max, V Rds (on) Ohm Id max, A Vgs max, VP max, W Vgs (th),VPackageКП723Г IRLZ44 60 0.028 50 ±10 150 1.0…2.0 TO-220 КП727В IRLZ34 60 0.05 30 ±10 88 1.0…2.0 TO-220 КП744Г IRL520 100 0.27 9.2 ±10 60 1.0…2.0 TO-220 КП745Г IRL530 100 0.22 15 ±10 88 1.0…2.0 TO-220 КП746Г IRL540 100 0.077 28 ±10 150 1.0…2.0 TO-220 КП737Г IRL630 200 0.4 18 ±10 50 1.0…2.0 TO-220 КП750Г IRL640 200 0.18 18 ±1050 1.0…2.0 TO-220КП775А КП775БКП775В2SK2498А-В 60 55 60 0.009 0.009 0.011 50 ±20150 1.0…2.01.0…2.0 1.0…2.0TO-220DISCRETE SEMICONDUCTORTransistors73• Low Power MOSFETsPartPin to Pin Compatibility P max, W Vgs max, V Vds max,V Vgs(off), V Rds(on), Ohm Id max, A g fs,A/VPackageКП501А КП501Б КП501ВZVN2120 0.5 ±202402002001.0…3.0 1.0…3.0 10 10 15 10 >0.1 TO-92 КП502А BSS124 1.0 ±10 400 1.5…2.5 28 0.12 0.1 TO-92 КП503А BSS129 1.0 ±10400 1.5…2.5 28 0.12 0.1 TO-92КП504А КП504БКП504ВКП504ГКП504ДКП504ЕBSS88 1.0 1.0 0.7 0.7 0.7 0.7 ±102502502001802002000.6…1.2 8 8 8 10 8 8 0.32 0.14 TO-92 КП505А КП505БКП505ВКП505ГBSS295 1.0 1.0 1.0 0.7 ±1050506080.8…2.0 0.8…2.0 0.8…2.0 0.4…0.8 0.3 0.3 0.3 1.2 1.4 0.5 0.5 0.5 TO-92 КП507A BSS315 1.0 ±20 -50 -0.8…-2.00.8 -1.1 TO-92 КП508A BSS92 1.0 ±20-240 -0.8…-2.020 -0.15 TO-92КП509А9 КП509Б9КП509В9BSS131 0.36 0.50 0.36 ±142402402000.8…-2.0 0.6…-1.2 0.8…-2.0 16 8 16 0.1 0.25 0.1 0.06 0.14 0.06 SOT-23 КП510A9 IRML2402 0.54 ±12 20 0.7…-1.6 0.25 1.2 1.3 SOT-23 КП511A КП511Б TN0535 TN0540 0.75 ±20 350 400 0.8…-2.0 22 0.14 0.125 TO-92 КП523А КП523Б BSS297 1.0 1.0 ±20 ±14 200 200 0.8…2.0 0.8…2.0 2.0 4.0 0.48 0.34 0.5 0.5TO-92 КП214А9 2N7002LT1 0.2 ±40 60 1.0…2.5 7.5 0.115 0.08 SOT-23• Power N-Channel MOSFETsPartPin to Pin Compatibility Vds max, V Rds (on), Ohm Id max, AVgs max,V P max, W Vgs (th),VPackageКП723АКП723БКП723ВIRFZ44 IRFZ45 IRFZ40 60 60 50 0.028 0.035 0.028 50 50 50 ±20 150 2.0…4.0 TO-220 КП726А КП726Б BUZ90A BUZ90 600 2.0 1.6 4.0 4.5 ±20 75 2.0…4.0 TO-220 КП727А КП727Б BUZ71 IRFZ34 50 60 0.1 0.05 14 30±20 75 2.0…4.0 TO-220 КП728Г1,Г2 КП728С1,С2КП728Е1,Е2BUZ80A 700650 600 5.0 4.0 3.0 3.0 ±20 75 2.0…4.0 TO-220 КП739АКП739БКП739ВIRFZ14 IRFZ10 IRFZ15 60 50 60 0.2 0.2 0.3 10 10 8.3 ±20 43 2.0…4.0 TO-220 КП740АКП740БКП740ВIRFZ24 IRFZ20 IRFZ25 60 50 60 0.1 0.1 0.12 17 17 14 ±20 60 2.0…4.0 TO-220 КП741А КП741Б IRFZ48 IRFZ46 60 50 0.018 0.024 50 ±20 190 1502.0…4.0 TO-220 КП742А КП742Б STH75N06 STH80N05 60 50 0.014 0.012 75 80±20200 2.0…4.0 TO-218DISCRETE SEMICONDUCTOR Transistors74 • Power N-Channel MOSFETs (continued)PartPin to Pin Compatibility Vds max, V Rds (on), Ohm Id max, A Vgs max, VP max, W Vgs (th),VPackageКП743А КП743БКП743ВIRF510 IRF511 IRF512 100 80 100 0.54 0.54 0.74 5.6 5.6 4.9 ± 20 43 2.0…4.0 TO-220TO-126 КП743А1 100 0.54 5.5 ±2040 2.0…4.0 TO-126 КП744А КП744БКП744ВIRF520 IRF521 IRF522 100 80 100 0.27 0.27 0.36 9.2 9.2 8.0 ±20 60 2.0…4.0 TO-220 КП745А КП745БКП745ВIRF530 IRF531 IRF532 100 80 100 0.16 0.16 0.23 14.0 14.0 12.0 ±20 88 2.0…4.0 TO-220 КП746А КП746БКП746ВIRF540 IRF541 IRF542 100 80 100 0.077 0.077 0.1 28.0 28.0 25.0 ±20 150 2.0…4.0 TO-220 КП747А IRFP150 100 0.055 41.0 ±20230 2.0…4.0 TO-218 КП748А КП748БКП748ВIRF610 IRF611 IRF612 200 150 200 1.5 1.5 2.4 3.3 3.3 2.6 ±20 36 2.0…4.0 TO-220 КП749А КП749БКП749ВIRF620 IRF621 IRF622 200 150 200 0.8 0.8 1.2 5.2 5.2 4.0 ±20 50 2.0…4.0 TO-220 КП737А КП737БКП737ВIRF630 IRF634 IRF635 200 250 200 0.4 0.45 0.68 9.0 8.1 6.5 ±20 74 2.0…4.0 TO-220 КП750А КП750БКП750ВIRF640 IRF641 IRF642 200 150 200 0.18 0.18 0.22 18.0 18.0 16.0 ±20 125 2.0…4.0 TO-220 КП731А КП731БКП731ВIRF710 IRF711 IRF712 400 350 400 3.6 3.6 5.0 2.0 2.0 1.7 ±20 36 2.0…4.0 TO-220 КП751А КП751БКП751ВIRF720 IRF721 IRF722 400 350 400 1.8 1.8 2.5 3.3 3.3 2.8 ±20 50 2.0…4.0 TO-220 КП752А КП752Б КП752В Pilot ProductionIRF730 IRF731IRF732400 350 400 1.0 1.0 1.5 5.5 5.5 4.5 ±20 74 2.0…4.0 TO-220КП753АКП753Б КП753ВPilot ProductionIRF830 IRF831 IRF832 500 450 500 1.5 1.5 2.0 4.5 4.5 4.0 ±20 74 2.0…4.0 TO-220КП771А STP40N10100 0.04 40 ±20150 2.0…4.0 TO-220 КП776А КП776Б КП776В КП776Г Pilot ProductionIRF740 IRF741 IRF742 IRF744400 350 400 4500.55 0.55 0.8 0.6310.0 10.0 8.3 8.8±20 125 2.0…4.0 TO-220DISCRETE SEMICONDUCTORTransistors75• Power N-Channel MOSFETs (continued)Part Pin to Pin Compatibility Vds max, VRds (on),Ohm Id max, A Vgs max,V P max, W Vgs (th),VPackageКП777А КП777Б КП777ВPilot ProductionIRF840IRF841IRF842 500 450 500 0.85 0.85 1.1 8.0 8.0 7.0±20 125 2.0…4.0 TO-220КП778А IRFP250 200 0.085 30.0 ±20190 2.0…4.0 TO-220КП779А Pilot ProductionIRFP450 500 0.4 14.0 ±20190 2.0…4.0 TO-220 КП780АКП780Б КП780В IRF820 IRF821IRF822500 450 500 3.0 3.0 4.0 2.5 2.5 2.2 ±20 50 2.0…4.0 TO-220 КП781АPilot ProductionIRFP350 400 0.3 16.0 ±20 190 2.0…4.0 TO-220 КП783АPilot Production IRF3205 55 0.008 70.0 ±20200 2.0…4.0 TO-220 КП786А Pilot ProductionBUZ80A 800 3.0 4.0 ±20100 2.0…4.0 TO-220 КП787А Pilot Production BUZ91A 600 0.9 8.0 ±20150 2.0…4.0 TO-220 КП789А Pilot ProductionBUZ111S 320 0.008 80.0 ±20250 2.1…4.0 TO-220• Power P-Channel MOSFETsPart Pin to Pin Compatibility Vds max, V Rds (on), Ohm Id max, A Vgs max, V P max, W Vgs (th),VPackageКП784A IRF9Z34 -60 0.14 -18.0 ±20 88 -2.0…-4.0 TO-220 КП785A IRF9540 -100 0.20 -19.0 ±20 150 -2.0…-4.0 TO-220 КП796АUnderDevelopmentIRF9634 -250 1.0 -4.3 ±20 74 -2.0…-4.0 TO-220。

Referred to Full Scale
Referred to Full Scale
NTSC, PAL NTSC, PAL Input Tied to Common-Mode
DIGITAL INPUTS
Logic Family Convert Command High Level Input Current(5) (VIN = 5V) Low Level Input Current (VIN = 0V) High Level Input Voltage
ADS830E
PARAMETER
DIFFERENTIAL ANALOG INPUT q PROGRAMMABLE INPUT RANGE:
1Vp-p /2Vp-p q LOW POWER: 170mW q LOW DNL: 0.2LSB q SINGLE +5V SUPPLY OPERATION q 20-PIN SSOP PACKAGE
100 10 +2.4 +1.0 5
CMOS/TTL Compatible Straight Offset Binary
+0.1 +0.2 +4.9 +4.8 +0.1 +2.8 5
–2.5 –2.5
REFB + 0.8 1.25
±0.25 ±53 ±0.3 ±75 58 ±10 ±10 3.0
2.0
2Vp-p 1Vp-p 2Vp-p
–3dBFS
CONVERSION CHARACTERISTICS Sample Rate Data Latency
DYNAMIC CHARACTERISTICS Differential Linearity Error (Largest Code Error)

Hysteresis characteristics
5% typ.
Detection voltage
0.8 to 6.0 V (0.1 V step)
Nch open-drain active low and CMOS active low output SC-82AB Super-small plastic package TO-92 Plastic package SOT-89-3 Miniaturized power mold plastic package SOT-23-5 Very-small plastic package
Battery checker Power failure detector Power monitor for pagers, calculators,
organizers,
Constant voltage power monitor for cameras,
video equipment, communication devices
OUT VDD NC VSS
1 2 3
OUT VDD VSS
1 Bottom view
2
3
1
2
3
Figure 1
Seiko InstrALL PACKAGE HIGH-PRECISION VOLTAGE DETECTOR S-808 Series
2
Seiko Instruments Inc.
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SUPER-SMALL PACKAGE HIGH-PRECISION VOLTAGE DETECTOR S-808 Series
Table 1
Detection voltage range (V) 0.8V±2.0% 0.9V±2.0% 1.0V±2.0% 1.1V±2.0% 1.2V±2.0% 1.3V±2.0% 1.4V±2.0% 1.5V±2.0% 1.6V±2.0% 1.7V±2.0% 1.8V±2.0% 1.9V±2.0% 2.0V±2.0% 2.1V±2.0% 2.2V±2.0% 2.3V±2.0% 2.4V±2.0% 2.5V±2.0% 2.6V±2.0% 2.7V±2.0% 2.8V±2.0% 2.9V±2.0% 3.0V±2.0% 3.1V±2.0% 3.2V±2.0% 3.3V±2.0% 3.4V±2.0% 3.5V±2.0% 3.6V±2.0% 3.7V±2.0% 3.8V±2.0% 3.9V±2.0% 4.0V±2.0% 4.1V±2.0% 4.2V±2.0% 4.3V±2.0% 4.4V±2.0% 4.5V±2.0% 4.6V±2.0% 4.7V±2.0% 4.8V±2.0% 4.9V±2.0% 5.0V±2.0% 5.1V±2.0% 5.2V±2.0% 5.3V±2.0% 5.4V±2.0% 5.5V±2.0% 5.6V±2.0% 5.7V±2.0% 5.8V±2.0% 5.9V±2.0% 6.0V±2.0% Hysteresis width VHYS typ.(V) 0.034 0.044 0.054 0.064 0.073 0.083 0.093 0.075 0.080 0.085 0.090 0.095 0.100 0.105 0.110 0.115 0.120 0.125 0.130 0.135 0.140 0.145 0.150 0.155 0.160 0.165 0.170 0.175 0.180 0.185 0.190 0.195 0.200 0.205 0.210 0.215 0.220 0.225 0.230 0.235 0.240 0.245 0.250 0.255 0.260 0.265 0.270 0.275 0.280 0.285 0.290 0.295 0.300 Nch Open Drain(Low) SC-82AB S-80808ANNP-E7Y-T2 S-80809ANNP-E7Z-T2 S-80810ANNP-E70-T2 S-80811ANNP-E71-T2 S-80812ANNP-E72-T2 S-80813ANNP-EDA-T2 S-80814ANNP-EDB-T2 S-80815ANNP-EDC-T2 S-80816ANNP-EDD-T2 S-80817ANNP-EDE-T2 S-80818ANNP-EDF-T2 S-80819ANNP-EDG-T2 S-80820ANNP-EDH-T2 S-80821ANNP-EDJ-T2 S-80822ANNP-EDK-T2 S-80823ANNP-EDL-T2 S-80824ANNP-EDM-T2 S-80825ANNP-EDN-T2 S-80826ANNP-EDP-T2 S-80827ANNP-EDQ-T2 S-80828ANNP-EDR-T2 S-80829ANNP-EDS-T2 S-80830ANNP-EDT-T2 S-80831ANNP-EDV-T2 S-80832ANNP-EDW -T2 S-80833ANNP-EDX-T2 S-80834ANNP-EDY-T2 S-80835ANNP-EDZ-T2 S-80836ANNP-ED0-T2 S-80837ANNP-ED1-T2 S-80838ANNP-ED2-T2 S-80839ANNP-ED3-T2 S-80840ANNP-ED4-T2 S-80841ANNP-ED5-T2 S-80842ANNP-ED6-T2 S-80843ANNP-ED7-T2 S-80844ANNP-ED8-T2 S-80845ANNP-ED9-T2 S-80846ANNP-EJA-T2 S-80847ANNP-EJB-T2 S-80848ANNP-EJC-T2 S-80849ANNP-EJD-T2 S-80850ANNP-EJE-T2 S-80851ANNP-EJF-T2 S-80852ANNP-EJG-T2 S-80853ANNP-EJH-T2 S-80854ANNP-EJJ-T2 S-80855ANNP-EJK-T2 S-80856ANNP-EJL-T2 S-80857ANNP-EJM-T2 S-80858ANNP-EJN-T2 S-80859ANNP-EJP-T2 S-80860ANNP-EJQ-T2 TO-92 — — — — — — — S-80815ANY S-80816ANY S-80817ANY S-80818ANY S-80819ANY S-80820ANY S-80821ANY S-80822ANY S-80823ANY S-80824ANY S-80825ANY S-80826ANY S-80827ANY S-80828ANY S-80829ANY S-80830ANY S-80831ANY S-80832ANY S-80833ANY S-80834ANY S-80835ANY S-80836ANY S-80837ANY S-80838ANY S-80839ANY S-80840ANY S-80841ANY S-80842ANY S-80843ANY S-80844ANY S-80845ANY S-80846ANY S-80847ANY S-80848ANY S-80849ANY S-80850ANY S-80851ANY — S-80853ANY — — — — — — — SOT-89-3 — — — — — — — S-80815ANUP-EDC-T2 S-80816ANUP-EDD-T2 S-80818ANUP-EDF-T2 SOT-23-5 — — — — — — — — — S-80818ANMP-EDF-T2

远程速度控制
现场速度控制
速度设定点
远程启动/停止
远程控制
默认
速度设定点
现场启动/停止
现场控制
插上一个 MS 任选技术盒，调速器可以一个网络，并被 PLC/SCADA 或其它智能 设备所控制。
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控制特点
控制
控制线路
完全和动力线路隔离（SELV）
输出控制
● 三相全控晶闸管桥
● 微处理器实现相控扩展的触发 X 围
▲E
PROG
▼ M L/R
编程键
▼▲
▼
控制操作面板
◎
JOG
现场控制键
电源打开时，标准信息就显示在上面。很快被默认显的示产品描述和产品代码—（如 上图所示）的“欢迎屏幕所取代。这一屏幕在菜单系统的上部。
调速器可以用下面操作模式：
远程控制模式： 允许对应用程序的进行完全访问； 现场操作模式：提供驱动器的本地控制和监控。
组号 1 2
3 4
5
变量 **** ****
*** ***
** ***
描述
普通产品
590P：590+4Q DC Drive
591P：590+2Q DC Drive
四位数确定 DC 额定输出电流-最大值
这个值可作为每一型号产品校准值
0015=15A， 0035=35A
0040=40A， 0070=70A
电机励磁连接
警告
在转换到内部/外部电源之前断开调速器
“励磁控制”功能块控制电机励磁。“励磁控制模块”参数允许你选择电压或者电流控 制模式。 • 电压控制模式，“比例输出/输入”参数被用来换算电机励磁输出电压作为一个输入供应

irf830参数IRF830参数IRF830是一款N沟道MOSFET晶体管，属于TO-220封装，常用于开关电源、电机驱动等领域。

下面将对IRF830的参数进行详细介绍。

1. 电气特性1.1 静态特性静态特性是指在恒定条件下测量的特性。

以下是IRF830的静态特性：- 阈值电压：2V-4V- 最大漏极电流：4.5A- 最大漏极功率：75W- 漏极到源极电阻：0.77Ω- 端子电容：400pF1.2 动态特性动态特性是指在变化条件下测量的特性。

以下是IRF830的动态特性：- 输入电容：1800pF- 输出电容：270pF- 开通延迟时间：15ns- 关断延迟时间：50ns- 开通上升时间：20ns- 关断下降时间：55ns2. 尺寸参数以下是IRF830的尺寸参数：- TO220封装尺寸（mm）: 10 x 15 x 4.5 - 引脚间距（mm）: 2.543. 热学参数以下是IRF830的热学参数：- 热阻：62°C/W- 工作温度范围：-55°C ~ 175°C4. 应用IRF830常用于以下应用：- 电机驱动- 开关电源- 电子灯光控制器- 高速开关5. 注意事项使用IRF830时需要注意以下事项：- 静电保护：MOSFET晶体管非常敏感，需要注意静电保护。

- 热量散发：IRF830的热阻相对较高，需要注意热量散发问题。

- 正确接线：需要正确连接引脚，避免损坏晶体管。

结论IRF830是一款N沟道MOSFET晶体管，具有良好的静态和动态特性。

它广泛应用于电机驱动、开关电源、电子灯光控制器等领域。

在使用时需要注意静电保护、热量散发和正确接线等问题。

irf830参数及代换
IRF830是一款N沟道功率MOSFET，常用于开关电路和电源控制应用。

以下是IRF830的一些主要参数：
- 额定电源电压：500V
- 额定电流：4.5A
- 管脚电压：30V
- 引脚配置：D（Drain导体）-G（Gate栅极）-S（Source源极）
- 最大导通电阻：0.77Ω
- 最大功率耗散：2.0W
- 栅极电荷（最大）：48nC
- 栅极阈值电压（最小）：2.0V
- 开启延迟时间（最大）：10ns
- 关闭延迟时间（最大）：19ns
代换参数可以根据具体需求和应用来选择，以下是一些常用代换参数：
- 替代MOSFET型号：IRF840、IRF840A、IRF840B
- 替代PNP晶体管：MPSA42、MPSA92
- 替代NPN晶体管：MPSA14、MPSA44
- 替代功率开关：IRF520、IRF540、IRFZ44
请注意，在进行代换时应仔细核对引脚配置和应用需求，以确保选用的替代型号
适配您的设计。