电路分析基础-储能元件
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第六章 一阶电路◆ 重点:1. 电路微分方程的建立 2. 三要素法 3.阶跃响应◆ 难点:1. 冲激函数与冲激响应的求取 2.有跃变时的动态电路分析 含有动态元件(电容或电感等储能元件)的电路称为动态电路。
回忆储能元件的伏安关系为导数(积分)关系,因此根据克希霍夫定律列写出的电路方程为微积分方程。
所谓“一阶”、“二阶”电路是指电路方程为一阶或二阶微分方程的电路。
本章只讨论一阶电路,其中涉及一些基本概念,为进一步学习第十五章打下基础。
6.1 求解动态电路的方法6.1.1 求解动态电路的基本步骤在介绍本章其他具体内容之前,我们首先给出求解动态电路的基本步骤。
1.分析电路情况,得出待求电量的初始值; 2.根据克希霍夫定律列写电路方程; 3.解微分方程,得出待求量。
由上述步骤可见,无论电路的阶数如何,初始值的求取、电路方程的列写和微分方程的求解是解决动态电路的关键。
6.2.1 一阶微分方程的求解一、一阶微分方程的解的分析初始条件为)()0()()(t f t t f δ=δ的非齐次线性微分方程Bw Ax dtdx=- 的解)(t x 由两部分组成:)()()(t x t x t x p h +=。
其中)(t x h 为原方程对应的齐次方程的通解,)(t x p 为非齐次方程的一个特解。
二、)(t x h 的求解由齐次方程的特征方程,求出特征根p ,直接写出齐次方程的解pt h Ke t x =)(,根据初始值解得其中的待定系数K ,即可得出其通解。
三、)(t x p 的求解根据输入函数的形式假定特解的形式,不同的输入函数特解形式如下表。
由这些形式的特解代入原微分方程使用待定系数法,确定出方程中的常数Q 等。
四、一阶微分方程的解的求取)()()()(t x Ke t x t x t x p ptp h +=+=将初始条件00)(X t x =代入该式:000)()(0X t x Ke t x p pt =+=由此可以确定常数K ,从而得出非齐次方程的解。
第六章储能元件一、线性电容元件(capacitor)C +_i u 1. 线性电容元件定义(库伏特性)+q-q q /Cu /V图5.1-1 线性时不变电容元件在外电源作用下,电容器两极板上分别带上等量异号电荷,撤去电源,板上电荷仍可长久地集聚下去,其特性可用u ~q 平面上的一条曲线来描述,称为库伏特性。
电荷量q 与其端电压的关系为)()(t Cu t q 电容器是一种能储存电荷或者说储存电场能量的部件。
线性电容元件就是反映这种物理现象的电路模型。
(5.1-1)式中C 是电容元件的参数,称为电容元件的电容量,单位为法拉(F)。
C 是一个正实常数。
电容元件简称为电容,其符号C 既表示元件的参数,也表示电容元件。
2. 伏安特性(VCR ,voltage current relation )在电路分析中,关心的是元件的VCR 。
若电容端电压u 与通过的电流i 采用关联参考方向,如图5.1-1(a )所示,则有dt du C dt dq i ==(5.1-2)这是伏安特性的微分形式。
(1)伏安特性的微分形式:上式表明:1)任何时刻,通过电容元件的电流与该时刻的电压变化率成正比,与u的大小无关,称为动态元件。
如果电容两端加直流电压,则i=0,电容元件相当于开路。
故电容元件有隔断直流的作用。
2)在实际电路中,通过电容的电流i总是为有限值,这意味着d u/d t必须为有限值,也就是说,电容两端电压u必定是时间t的连续函数,而不能跃变。
这从数学上可以很好地理解,当函数的导数为有限值时,其函数必定连续。
将式(5.1-2)改写为dt t i Ct du )(1)(=可见,电容有“记忆”电流的作用,称为记忆元件。
(而电阻元件的电压仅与该瞬时的电流值有关,是无记忆元件,称为即时元件。
)(5.1-3)对上式从-∞到t 进行积分,并设u (-∞)=0,得1()()tu t i d C ξξ-∞=⎰(2)伏安特性的积分形式:设t 0为初始时刻。