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什么是半导体器件常见的半导体器件有哪些半导体器件是指在半导体材料基础上制造的电子器件。
它具有介于导体与绝缘体之间的特性，既能够传导电流，又能够控制电流的大小和方向。
半导体器件广泛应用于电子、通信、计算机、光电等领域，是现代科技发展的基础之一。
半导体器件的种类繁多，涵盖了许多不同的功能和应用。
下面将介绍一些常见的半导体器件：1. 整流器件整流器件用于将交流电转换为直流电，常见的整流器件有二极管和整流桥。
二极管是最基础的半导体器件之一，通过正向电压使电流通路畅通，而反向电压则阻止电流流动。
整流桥由四个二极管组成，可以实现更高效的电流转换。
2. 放大器件放大器件可以将输入信号信号放大输出，常见的放大器件有晶体管和场效应晶体管（FET）。
晶体管通过控制输入电流，改变输出电流的放大倍数，广泛应用于各种放大和开关电路中。
FET则是利用场效应原理，通过控制栅极电压来调节输出电流。
3. 逻辑器件逻辑器件用于实现逻辑运算和数据处理，常见的逻辑器件有门电路、触发器和寄存器。
门电路包括与门、或门、非门等，用于实现与、或、非等逻辑运算。
触发器和寄存器则用于存储和传输数据，实现时序逻辑功能。
4. 可控器件可控器件可以通过控制信号来改变器件的电特性，常见的可控器件有可控硅（SCR）和可控开关。
可控硅是一种具有双向导电性的半导体器件，可以实现高压大电流的控制。
可控开关通过改变输入信号的状态，控制输出电路的导通和断开。
5. 光电器件光电器件将光信号转换为电信号，或将电信号转换为光信号。
常见的光电器件有光电二极管、光敏电阻和光电晶体管。
光电二极管具有较快的响应速度，可用于光电转换和光通信。
光敏电阻对光信号具有较大的灵敏度，常用于光控开关和光敏电路。
光电晶体管通过光控电流来控制电流的通断，常用于光电触发器和光电继电器。
除了以上提到的常见半导体器件，还有诸如二极管激光器、发光二极管（LED）、MOSFET、IGBT等。
这些器件在不同的应用领域发挥着重要的作用，推动着科技的不断进步和创新。
什么是半导体器件有哪些常见的半导体器件半导体器件是指由半导体材料制成的用于电子、光电子、光学和微波等领域的电子元器件。
它具有半导体材料固有的特性，可以在不同的电压和电流条件下改变其电子特性，从而实现电子器件的各种功能。
常见的半导体器件有以下几种：1. 二极管（Diode）：二极管是最简单的半导体器件之一。
它由一个P型半导体和一个N型半导体组成。
二极管具有单向导电性，可以将电流限制在一个方向。
常见的二极管应用包括整流器、稳压器和光电二极管等。
2. 晶体管（Transistor）：晶体管是一种电子放大器和开关器件，由三层或两层不同类型的半导体材料构成。
晶体管可分为双极型（BJT）和场效应型（FET）两种。
它广泛应用于放大器、开关电路和逻辑电路等领域。
3. MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）：MOSFET是一种常用的场效应晶体管。
它具有低功耗、高开关速度和可控性强等特点，被广泛应用于数字电路、功率放大器和片上系统等领域。
4. 整流器（Rectifier）：整流器是一种将交流电转换为直流电的器件。
它主要由二极管组成，可以实现电能的转换和电源的稳定。
整流器广泛应用于电源供电、电动机驱动和电子设备等领域。
5. 发光二极管（LED）：发光二极管是一种能够将电能转换为光能的器件。
它具有高亮度、低功耗和长寿命等特点，被广泛应用于照明、显示和通信等领域。
6. 激光二极管（LD）：激光二极管是一种能够产生相干光的器件。
它具有高亮度、窄光谱和调制速度快等特点，广泛应用于激光打印、激光切割和光纤通信等领域。
7. 三极管（Triode）：三极管是晶体管的前身，它由三层不同类型的半导体材料构成。
三极管可以放大电流和电压，被广泛应用于放大器、调制器和振荡器等领域。
8. 可控硅（SCR）：可控硅是一种具有开关特性的器件。
它可以控制电流的导通和截止，广泛应用于交流电控制、功率调节和电能转换等领域。
9. 电压稳压器（Voltage Regulator）：电压稳压器是一种用于稳定输出电压的器件。
常用半导体器件原理
半导体器件是由半导体物质构成的一类特殊的电子元件，它们能够控
制电子电路中的电势。
它们主要应用于控制电流的开关，放大信号，调节
频率或连接电路的功能。
下面将介绍一些常用的半导体器件原理。
1、微处理器：
微处理器是一种基于数字技术的处理器，它可以处理复杂的数据。
它
可以控制、逻辑控制和数据处理，它能够在计算机系统中对输入数据进行
实时处理，它还可以对外输出控制信号。
微处理器通常由多个门、寄存器、状态寄存器、计算寄存器、累加器、指令寄存器和控制器等组成。
2、晶体管：
晶体管是最基本的半导体器件，它是由晶体管和三个极（正极、负极
和中间极）组成的电子器件，它有三个端子，它能控制电子电路的电流，
也可以放大输入的信号。
晶体管（通常简称为“管”）可以用来放大、限幅、滤波和截止信号、运算或抑制信号。
3、双极型晶体管：
双极型晶体管是一种两极电子器件，它是由两个晶体管组成的，它有
四个端子，它能够控制电子电路的电流。
双极型晶体管的两个极子之间电
势相反，信号由晶体管的一路传送到另一路。
双极型晶体管可以放大信号，也可以控制电子电路的开关，也可以实现反相输出功能。
半导体常用器件及应用半导体器件是一种能够在电子器件中控制电子流动的材料。
半导体器件通常使用的材料是半导体材料，如硅、锗等。
半导体器件具有控制电流的能力，可根据电流的变化来控制电子的行为，从而实现各种电子功能。
下面将介绍一些常用的半导体器件及其应用。
1. 二极管二极管是最简单的半导体器件之一，具有两个电极，即P型半导体和N型半导体。
它具有允许电流在一个方向上流动，而在另一个方向上阻止电流流动的特性。
二极管的主要应用包括整流器，用于将交流电转换为直流电，还可用于电压稳定器、电源等。
2. 晶体管晶体管是一种可以放大和开关电信号的半导体器件。
它由三个层次的半导体材料组成，分别是基极、射极和集电极。
晶体管的操作基于两种类型的电信号：输入信号和控制信号。
它广泛应用于放大器、开关、计算机存储器、微处理器等。
3. MOSFETMOSFET（金氧半场效应晶体管）是一种常见的半导体器件，用于放大或开关电信号。
它由四个区域构成，包括漏极、源极、栅极和绝缘层。
MOSFET的主要应用包括放大器、开关、电源开关等。
4. SCR（可控硅）可控硅是一种具有触发控制能力的半导体器件，可以在接通状态下保持导通状态，只有在触发条件满足时才能断开。
SCR主要应用于电力控制中，如温度控制、电炉、电焊机等。
5. LED（发光二极管）LED是一种能够将电能转换为光能的半导体器件。
当电流通过LED时，它会发射出可见光。
由于其高效能和长寿命的特性，LED广泛应用于照明、指示灯、电子设备显示等。
6. 激光二极管激光二极管是一种半导体器件，当电流通过它时，会发射出激光光束。
激光二极管具有小尺寸、低成本和高效能的特点，被广泛应用于光通信、激光打印、激光扫描等。
7. CCD（电荷耦合器件）CCD是一种半导体器件，用于将光能转换为电荷，并通过逐行读取电荷来捕捉图像。
CCD广泛应用于数码相机、摄像机、光谱仪等图像传感器领域。
8. 太阳能电池太阳能电池是一种能够将太阳能转化为电能的半导体器件。
半导体元件有哪些一、简介半导体元件是半导体材料制成的组件，广泛应用于电子和电力领域。
半导体元件的种类繁多，不同的元件具有不同的功能和特点，下面将介绍几种常见的半导体元件。
二、二极管（Diode）二极管是一种最简单的半导体元件，通常由P型半导体和N型半导体组合而成。
它具有导通方向和截止方向两种工作状态，能够将电流限制在一个方向上流动。
二极管被广泛用于整流和电源保护电路中。
三、晶体管（Transistor）晶体管是一种主要用于放大和开关电路的半导体元件。
它通常由三个掺杂不同的半导体材料层叠而成，包括发射极、基极和集电极。
晶体管可以放大电流和控制电路的开关，是现代电子设备中不可或缺的组成部分。
四、场效应管（FET）场效应管是一种利用电场调控电流的半导体元件，通常分为MOSFET和JFET两种类型。
它具有高输入阻抗、低输入电流、低功耗等特点，被广泛用于放大、开关和调制等电路中。
五、光电子器件（Photonic Device）光电子器件是一种能够在光和电信号之间相互转换的半导体元件，包括光电二极管、光伏电池、光发射二极管等。
它在通信、光纤传输、光储存等领域发挥着重要作用。
六、集成电路（Integrated Circuit）集成电路是将多个晶体管、二极管、电容器等元件集成在一块半导体芯片上的半导体元件。
它具有体积小、功耗低、成本低等优点，被广泛应用于电子产品中。
结语以上是几种常见的半导体元件，随着科技的发展，半导体元件的种类和应用领域将会不断扩展。
半导体元件的发展对电子、通信等行业起着至关重要的作用，带动了整个科技产业的发展和进步。
常见半导体器件常见半导体器件是指广泛应用于电子电路中的一类电子器件，它们都是利用半导体材料的特性，通过控制电场和电流来实现电子元件的功能。
这些器件的种类繁多，以下是其中一些常见的半导体器件。
1. 二极管二极管是最简单的半导体器件，它由一个p型半导体和一个n型半导体组成，通过正向电压和反向电压实现电流通路的阻截。
通常应用于整流、波形修整、振荡器等电路。
2. 功放管功放管是晶体管的一种，它的输出电流与控制电压成线性关系，通常应用于音频放大器、射频放大器、模拟计算等电路。
3. 晶体管晶体管是一种三端半导体器件，它包含一个发射极、一个基极和一个集电极，通常用作开关和放大器。
晶体管有各种类型，包括NPN、PNP、场效应晶体管等。
4. MOSFETMOSFET是MOS场效应晶体管的缩写，它由一个金属氧化物半导体结构组成。
MOSFET具有高输入阻抗、低输出电阻和低电源电流等特点，通常应用于数码电路中。
5. IGBTIGBT是晶闸管与MOSFET的融合产物，它继承了晶闸管的高电流承受能力和MOSFET的高输入阻抗和低输出电阻的特点。
IGBT通常应用于高电压、高电流开关电源和变频器等电路。
6. 二极管整流桥二极管整流桥是由四个二极管组成的整流电路，它能将交流电信号转换成直流电信号。
通常应用于电源电路中。
7. 三极管三极管是晶体管的一种，它比双极管多一个控制端，通过控制控制端电流来控制三极管的电流增益。
通常应用于放大器、振荡器、开关电源等电路。
8. 稳压二极管稳压二极管是一种特殊的二极管，它具有稳定的电压降，可以将电路中的电压稳定在一个固定的值。
通常应用于功率稳压器和稳压电源中。
9. 光电耦合器光电耦合器是一种集成了发光二极管和光敏二极管的器件，它能将电信号与光信号进行转换，通常应用于隔离、调制、解调、传输等电路。
10. 可控硅可控硅是一种电压控制的半导体器件，它的主要作用是将交流电信号变为直流电信号。
通常应用于电动机调速、焊接、电力电子等领域。
常见半导体器件一、二极管（Diode）二极管是一种常见的半导体器件，具有只允许电流在一个方向通过的特性。
它由P型半导体和N型半导体组成，通过P-N结的形成来实现电流的单向导通。
二极管在电子电路中有着广泛的应用，如整流器、稳压器、放大器等。
二、三极管（Transistor）三极管是一种具有放大作用的半导体器件，由P型半导体和N型半导体构成。
它有三个电极，分别是发射极、基极和集电极。
通过控制基极电流，可以调节集电极电流的大小，实现信号的放大功能。
三极管被广泛应用于放大器、开关、振荡器等电子设备中。
三、场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）场效应晶体管是一种常见的半导体器件，与三极管类似，也具有放大作用。
它由栅极、源极和漏极组成。
场效应晶体管通过栅极电压的变化来控制源漏极之间的电流。
与三极管相比，场效应晶体管具有输入阻抗高、功耗低、噪声小等特点，被广泛应用于放大器、开关、模拟电路等领域。
四、集成电路（Integrated Circuit，IC）集成电路是将大量的电子器件集成在一个芯片上的器件。
它由高度集成的晶体管、二极管、电阻、电容等元件组成，通过不同的连接方式实现各种电路功能。
集成电路具有体积小、功耗低、性能稳定等优点，被广泛应用于计算机、通信、消费电子等领域。
五、光电二极管（Photodiode）光电二极管是一种具有光电转换功能的半导体器件。
它具有二极管的结构，在光照条件下产生电流。
光电二极管常用于光电传感、光通信、光电测量等领域。
通过控制光照强度，可以实现对光信号的检测和转换。
六、发光二极管（Light Emitting Diode，LED）发光二极管是一种能够发出可见光的半导体器件。
它具有二极管的结构，在正向偏置电压下，通过复合效应产生光。
发光二极管具有发光效率高、寿命长、功耗低等特点，被广泛应用于照明、显示、指示等领域。
七、太阳能电池（Solar Cell）太阳能电池是一种将太阳能转化为电能的半导体器件。
第4章常用半导体器件本章要求了解PN结及其单向导电性，熟悉半导体二极管的伏安特性及其主要参数。
理解稳压二极管的稳压特性。
了解发光二极管、光电二极管、变容二极管。
掌握半导体三极管的伏安特性及其主要参数。
了解绝缘栅场效应晶体管的伏安特性及其主要参数。
本章内容目前使用得最广泛的是半导体器件——半导体二极管、稳压管、半导体三极管、绝缘栅场效应管等。
本章介绍常用半导体器件的结构、工作原理、伏安特性、主要参数及简单应用。
本章学时6学时4.1 PN结和半导体二极管本节学时2学时本节重点1、PN结的单向导电性；2、半导体二极管的伏安特性；3、半导体二极管的应用。
教学方法结合理论与实验，讲解PN结的单向导电性和半导体二极管的伏安特性，通过例题让学生掌握二半导体极管的应用。
4.1.1 PN结的单向导电性1. N型半导体和Ｐ型半导体在纯净的四价半导体晶体材料（主要是硅和锗）中掺入微量三价（例如硼）或五价（例如磷）元素，半导体的导电能力就会大大增强。
掺入五价元素的半导体中的多数载流子是自由电子，称为电子半导体或N型半导体。
而掺入三价元素的半导体中的多数载流子是空穴，称为空穴半导体或Ｐ型半导体。
在掺杂半导体中多数载流子（称多子）数目由掺杂浓度确定，而少数载流子（称少子）数目与温度有关，并且温度升高时，少数载流子数目会增加。
2.PN结的单向导电性当PN结加正向电压时，Ｐ端电位高于N端，PN结变窄,而当PN结加反向电压时，Ｎ端电位高于Ｐ端，PN结变宽,视为截止(不导通)。
4.1.2 半导体二极管1.结构半导体二极管就是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的。
由Ｐ区引出的电极称为阳极，Ｎ区引出的电极称为阴极。
因为PN结的单向导电性，二极管导通时电流方向是由阳极通过管子内部流向阴极。
2. 二极管的种类按材料来分，最常用的有硅管和锗管两种；按用途来分，有普通二极管、整流二极管、稳压二极管等多种；按结构来分，有点接触型，面接触型和硅平面型几种，点接触型二极管（一般为锗管）其特点是结面积小，因此结电容小，允许通过的电流也小，适用高频电路的检波或小电流的整流，也可用作数字电路里的开关元件；面接触型二极管（一般为硅管）其特点是结面积大，结电容大，允许通过的电流较大，适用于低频整流；硅平面型二极管，结面积大的可用于大功率整流，结面积小的，适用于脉冲数字电路作开关管。
（a ）符号 （b ）点接触型 （c ）面接触型 （d ）硅平面型 （e ）外形示意图常用二极管的符号、结构和外形示意图4.1.3 二极管的伏安特性1. 正向特性当外加正向电压很低时，正向电流几乎为零。
当正向电压超过一定数值时，才有明显的正向电流，这个电压值称为死区电压，通常硅管的死区电压约为0.5V ，锗管的死区电压约为0.2V ，当正向电压大于死区电压后，正向电流迅速增长，曲线接近上升直线，在伏安特性的这一部分，当电流迅速增加时，二极管的正向压降变化很小，硅管正向压降约为0.6～0.7V ，锗管的正向压降约为0.2～0.3V 。
二极管的伏安特性对温度很敏感，温度升高时，正向特性曲线向左移，这说明，对应同样大小的正向电流，正向压降随温升而减小。
研究表明，温度每升高10C ，正向压降减小2mV 。
2. 反向特性二极管加上反向电压时，形成很小的反向电流，且在一定温度下它的数量基本维持不变，因此，当反向电压在一定范围内增大时，反向电流的大小基本恒定，而与反向电压大小无关，故称为反向饱和电流，一般小功率锗管的反向电流可达几十μA ，而小功率硅管的反向电流要小得多，一般在0.1μA 以下，当温度升高时，少数载流子数目增加，使反向电流增大，特性曲线下移，研究表明，温度每升高100C ，反向电流近似增大一倍。
3.反向击穿特性当二极管的外加反向电压大于一定数值（反向击穿电压）时，反向电流突然急剧增加称为二极管反向击穿。
反向击穿电压一般在几十伏以上。
反向击穿后，电流的微小变化会引起电压很大变化。
4.1.4 二极管的主要参数１．最大整流电流I DM二极管长期工作时，允许通过的最大的正向平均电流。
２．反向工作峰值电压V RMU RM 是指管子不被击穿所允许的最大反向电压。
３．反向峰值电流I RM二极管加反向电压V RM 时的反向电流值，IRM 越小二极管的单向导电性愈好。
硅管的反向电流较小，一般在几微安以下，锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。
４．最高工作频率ƒM二极管在外加高频交流电压时，由于ＰＮ结的电容效应，单向导电作用退化。
ƒM 指的是二极管单向导电作用开始明显退化的交流信号的频率。
4.1.5 二极管的应用1．整流所谓整流，就是将交流电变成脉动直流电。
利用二极管的单向导电性可组成单相和三相整流电路，再经过滤波和稳压，就可以得到品平稳的直流电。
整流部分的具体应用在后面详述。
2．钳位利用二极管正向导通时压降很小的特性，可组成钳位电路，在图中，若A 点电位为零，则二极管导通，由于其压降很小，故F 点的电位也被钳制在A 点电位左右，即U F 约等于零。
3．限幅 利用二极管导通后压降很小且基本不变的特性，可以构成限幅电路，使输出电压幅度限制在某一电压值内。
设输入电压u i = U m sinωtV ，则输出电压的正向幅度被限制在U S 值内。
4．二极管门电路门电路是一种逻辑电路，在输入信号（条件）和输出信号（结果）之间存在着一定的因果关系即逻辑关系。
在逻辑电路中，通常用符号0和1来表示两种对立的逻辑状态。
用1表示高电平，用0表示低电平，称为正逻辑，反之为负逻辑。
4.2 特殊二极管二极管钳位电路本节学时 0.5学时本节重点 稳压二极管结构和伏安特性；教学方法 结合理论与实验，讲解稳压二极管伏安特性。
教学手段 以传统教学手段与电子课件相结合的手段，让学生在有限的时间内掌握更多的相关知识。
教学内容 4.2.1 稳压管 1.结构稳压管是一种特殊的面接触型半导体硅二极管，具有稳定电压的作用。
稳压管与普通二极管的主要区别在于，稳压管是工作在PN 结的反向击穿状态。
通过在制造过程中的工艺措施和使用时限制反向电流的大小，能保证稳压管在反向击穿状态下不会因过热而损坏，而一般二极管击穿后可能造成过热而损坏。
2. 伏安特性曲线从稳压管的反向特性曲线可以看出，当反向电压较小时，反向电流几乎为零，当反向电压增高到击穿电压U z （也是稳压管的工作电压）时，反向电流I z （稳压管的工作电流）会急剧增加，稳压管反向击穿。
在特性曲线ab 段，当I z 在较大范围内变化时，稳压管两端电压U z 基本不变，具有恒压特性，利用这一特性可以起到稳定电压的作用。
3.稳压管的主要参数（1）稳定电压U Z 稳压管正常工作时，管子两端的电压。
（2）动态电阻r z 稳压管在正常工作范围内，端电压的变化量与相应电流的变化量的比值。
zzz I U r ∆∆=稳压管的反向特性愈陡，r Z 愈小，稳压性能就愈好。
（3）稳定电流I Z 稳压管正常工作时的参考电流值，只有I≥I Z ，才能保证稳压管有较好的稳压性能。
（4）最大稳定电流 I Zmax 允许通过的最大反向电流，I > I Zmax 管子会因过热而损坏。
（5）最大允许功耗P ZM 管子不致发生热击穿的最大功率损耗P ZM =U Z I Zmax（6）电压温度系数αV 温度变化10C 时，稳定电压变化的百分数定义为电压温度系数。
电压温度系数越小，温度稳定性越好，通常硅稳压管在V Z 低于4V 时具有负温度系数,高于6V 时具有正温度系数, U Z 在4～6V 之间，温度系数很小。
稳压管正常工作的条件有两条，一是工作在反向击穿状态,二是稳压管中的电流要在稳定电流和最大允许电流之间。
4.2.2 光电二极管光电二极管又称光敏二极管。
它的管壳上备有一个玻璃窗口，以便于接受光照。
其特点是，当光线照射于它的PN 结时，可以成对地产生自由电子和空穴，使半导体中少数载流子的浓度提高。
这些载流子在一定的反向偏置电压作用下可以产生漂移电流，使反向电流增加。
因此它的反向电流随光照强度的增加而线性增加，这时光电二极管等效于一个恒流源。
当无光照时，光电二极管的伏安特性与普通二极管一样。
光电二极管的主要参数有：暗电流、光电流、灵敏度、峰值波长、响应时间。
光电二极管作为光控元件可用于物体检测、光电控制、自动报警等方面。
大面积的光电二极管可作为一种绿色能源，称为光电池。
4.2.3 发光二极管发光二极管是一种将电能直接转换成光能的光发射器件，简称LED 它是由镓、砷、磷等元素的化合物制成。
这些材料构成的PN 加上正向电压时，就会发出光来，光的颜色取决于制造所用的材料。
发光二极管的伏安特性和普通二极管相似，死区电压为0.9~1.1V ，其正向工作电压为1.5~2.5V ,工作电流为5~15mA 。
反向击穿电压较低，一般小于10V 。
发光二极管的驱动电压低、工作电流小，具有很强的抗振动和冲击能力、体积小、可靠性高、耗电省和寿命长等优点，广泛用于信号指示等电路中。
4.3 半导体三极管本节学时 2学时本节重点 半导体三极管的伏安特性； 教学方法 结合理论与实验，讲解半导体三极管的伏安特性， 通过例题让学生掌握二半导体极管的应用。
教学手段 以传统教学手段与电子课件相结合的手段，让学生在有限的时间内掌握更多的相关知识。
教学内容4.3.1 三极管的基本结构和类型1. 类型按功率大小可分为大功率管和小功率管；按电路中的工作频率可分为高频管和低频管；按半导体材料不同可分为硅管和锗管；按结构不同可分为NPN 管和PNP 管。
2. 结构NPN PNP ，分别称为发射区、基区和集电区，由三个区各引出一个电极，分别称为发射极（E ）、基极（B）和集电极（C ），发射区和基区之间的PN 结称为发射结，集电区和基区之间的PN 结称为集电结。
在制造工艺上有如下三个特点：一是发射区掺杂浓度大于集电区掺杂浓度，集电区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度；二是基区很薄，一般只有几微米；三是集电区的截面积大，使的发射区与集电区不可互换。
正是这三个特点使三极管具有电流控制和放大作用。
4.3.2 三极管的电流分配关系和放大作用三极管的发射结加正向电压，集电结反向电压，只有这样才能保证三极管工作在放大状态。
结论：（1）基极电流I B 、集电极电流I C 与发射极电流I E 符合基尔霍夫电流定律，即： IE = I B + I C（2）发射极电流I E 和集电极电流I C 几乎相等，但远远大于基极电流I B ，即I E ≈ I C >>I B（3）三极管有电流放大作用，体现在基极电流的微小变化会引起集电极电流 较大的变化。
4.3.3 三极管的特性曲线1．输入特性曲线常数==CE )(BE B U U f I常用U CE ≥1V 的一条曲线来代表所有输入特性曲线。
