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南京信息工程大学《模拟电子技术基础》期末考试试卷(A卷)题目一二三总分核分人复查人得分题目部分（卷面共3大题，26小题，100分，各大题标有题量和总分）评卷人得分一、选择题（10小题，共20分）1．直接耦合与变压器耦合多级放大电路之间主要不同点是____。
A、所放大的信号不同，B、交流通路不同，C、直流通路不同2．直流负反馈是指________________。
A、只存在于直接耦合电路中的负反馈，B、放大直流信号时才有的负反馈，C、直流通路中的负反馈。
3．在整流电路中接入滤波电容后，其输出电压的平均值将；（A、升高 B、不变 C、减小）这时，二极管的导通角 将（A、增大 B、不变 C、减小）4.两级阻容耦合放大电路如图所示。
设输入一正弦信号时，输出电压波形出现了顶部失真。
1）若输出电压波形出现了顶部失真的原因是第一级静态工作点不合适，则第一级产生了____，（A、饱和失真，B、截止失真）为消除该失真，可调整Rb12，使其阻值____。
（C、增加，D、减小）2）若输出电压波形出现了顶部失真的原因是第二级静态工作点不合适，则第二级产生了____，（A、饱和失真，B、截止失真）为消除该失真，可调整Rb2，使其阻值____。
（C、增加，D、减小）5.试根据图示的反馈放大电路，试选择正确答案填空：1）若R7增大，则________。
(A、交流负反馈增强， B、交流负反馈减弱， C、不影响反馈深度， D、使静态工作点不稳定)2）在正常放大条件下，若R4增大，则_________。
( A、电压放大倍数增大， B、电压放大倍数减小， C、电压放大倍数变化不大)6.阻容耦合放大电路引入负反馈后________________。
A、只可能出现低频自激，B、只可能出现高频自激，C、低、高频自激均有可能出现。
7.在整流电路中接入滤波电容后，其输出电压的平均值将____ ；（A、升高 B、不变 C、减小）这时，二极管的导通角将____ 。
南京信息工程大学电力电子技术复习试题1、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR ；可关断晶闸管GTO ；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET 和 GTR 的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波波，输出电流波形为方波波。
5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为 800V 伏、额定有效电流为 100A 安。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120º导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_不同桥臂上的元件之间进行的。
7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。
在有环流逆变系统中，环流指的是只流经两组变流器之间而不流经负载的电流。
环流可在电路中加电抗器来限制。
为了减小环流一般采用控制角α = β的工作方式。
9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。
10、逆变器按直流侧提供的电源的性质来分，可分为电压型、型逆变器和电流型逆变器，电压型逆变器直流侧是电压源，通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧用电容器进行滤波，电压型三相桥式逆变电路的换流是在桥路的本桥元件之间换流，每只晶闸管导电的角度是180º度；而电流型逆变器直流侧是电流源，通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧是用电感滤波，电流型三相桥式逆变电路换流是在异桥元件之间换流，每只晶闸管导电的角度是120º度。
11、直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有降压斩波电路；升压斩波电路；升降压斩波电路。
1南京信息工程大学《模拟电子技术基础》期末考试试卷(A卷)题目一二三总分核分人复查人得分题目部分（卷面共3大题，26小题，100分，各大题标有题量和总分）评卷人得分一、选择题（10小题，共20分）1．直接耦合与变压器耦合多级放大电路之间主要不同点是____。
A、所放大的信号不同，B、交流通路不同，C、直流通路不同2．直流负反馈是指________________。
A、只存在于直接耦合电路中的负反馈，B、放大直流信号时才有的负反馈，C、直流通路中的负反馈。
3．在整流电路中接入滤波电容后，其输出电压的平均值将；（A、升高B、不变C、减小）这时，二极管的导通角 将（A、增大B、不变C、减小）4.两级阻容耦合放大电路如图所示。
设输入一正弦信号时，输出电压波形出现了顶部失真。
1）若输出电压波形出现了顶部失真的原因是第一级静态工作点不合适，则第一级产生了____，（A、饱和失真，B、截止失真）为消除该失真，可调整Rb12，使其阻值____。
（C、增加，D、减小）2）若输出电压波形出现了顶部失真的原因是第二级静态工作点不合适，则第二级产生了____，（A、饱和失真，B、截止失真）为消除该失真，可调整Rb2，使其阻值____。
（C、增加，D、减小）5.试根据图示的反馈放大电路，试选择正确答案填空：1）若R7增大，则________。
(A、交流负反馈增强，B、交流负反馈减弱，C、不影响反馈深度，D、使静态工作点不稳定)2）在正常放大条件下，若R4增大，则_________。
( A、电压放大倍数增大，B、电压放大倍数减小，C、电压放大倍数变化不大)6.阻容耦合放大电路引入负反馈后________________。
A、只可能出现低频自激，B、只可能出现高频自激，C、低、高频自激均有可能出现。
17. 在整流电路中接入滤波电容后，其输出电压的平均值将____ ；（A 、升高 B 、不变 C 、减小）这时，二极管的导通角将____ 。
南京信息工程大学期末考试试卷
数字电子技术基础
本卷选择题部分有30分共15题，比较简单，这里不提供，主要考查一些概念题和摩根定律公式推导，四种类型MOS管的N,P沟道符号图要回画和判断，JK触发器的特性方程，第十章施密特和单稳态触发器2选1，555定时器也会考一道选择题等等。
其余70分都是主观题，试卷中答案由于不是正确答案，用白色省略，并不影响阅读试题目，请大家自己完成，友情提醒：卷面分滨江学生最低要达到40分才能及格。
课本知识点大题目涉及：1.建立逻辑关系模型6分；2.化简卡诺图10分（一共两道，一道考查无关项，一道考查有关项）；3.显示译码器设计；4.JK触发器8分（要会画波形图）；5.时序逻辑电路计数器实验12分；6. CMOS门电路8分7. 最后一题是实验题18分，请大家要认真完成实验，否则此部分会失分较多；第一章的进制转换不单独出题。
电路如图所不，7cc=15V, 0 = 10(), ?；BE=0.7V O试问：(1) A b= 50k Q 时，«o= ?(2) 若T临界饱和・则R严?% -(2V)6一、一::1-解：(1 ) 7?b =50kQ 时，基极电流.集 电极电流和管压降分别为所以输出电J k 乙o =【；CE = 2 V °(2)设临界饱和时U c ^= L BE =0.7V,所以V -U=——=2&mAB=~^~ = 2&6“Av -U=BB CBE^45 4kQ4I c 二 p 二 2.6in A解；A八忌和儿的表达式分别为人=~Sm (-^D 〃RJ &二R3 + R、〃7?2 R严R DO路的解：写出表达式即可，不要求带入数据四、电路如图所示，已知01=旳=8尸100・各管的S E 均为0-7V, 试求Zc 的值解：分析估舁如下==^C\ = 1 —丁 El舄ng"五、请详细说明下图所示的滤波器是何种滤波器，T T J 口匸丄~~F Tb BE 】_ = ] 00 p A该滤波器9 + ^'c (+15 V)在信号处理中通常有何用途Vj o---- i t—~~ 一| ”R Q=2RR B=R答，属于带通滤波器，为LPF和HPF串联形成，第一个RC为LPF,第二个为HPF滤波器，在电路中通常用来选择信号。
六、现有220v/12v变压器，LM7805，以及，二极管、电容、电阻若干，要求设计一输出直流约为5V的直流电源，并说明设计原理解属设计性试题，只要设计正确并说明正确就得分。
七、在如图所示电路中，已知VCC=15V，输入电压为正弦波，晶体管的饱和压降为3V，电压放大倍数约为1,负载电阻为4欧。
（1）求解负载上可能获得的最大功率和效率；（2）若输入电压最大有效值为8V，则负载上能够获得的最大功率为多少？=（竺呼“则R1八、如图，已知R1 = 10K Q, R2 = 100 K Q, R3 = 2 K Q,RL = 5 K Q。
《电路原理》期末考试题注意事项： 1.本试卷共四大题，满分100分，考试时间120分钟，闭卷；2.考前请将密封线内各项信息填写清楚；3.所有答案请直接做在试卷上，做在草稿纸上无效；4.考试结束，试卷、草稿纸一并交回。
题号一二三四总分得分一、解答题（每小题4分，共40分）１.在下图电路中，Ｒ=２Ω，ＵＳ=９Ｖ，非线性电阻的伏安特性为若ｕＳ（ｔ）=ｃｏｓｔＶ，试求电流ｉ。
答：2. 电路如下图所示。
ｔ=０时，Ｋ闭合，ｕＣ（０＋）=Ｕｏ。
试求ｔ≥０时的ｕＣ（ｔ）。
答：3. 电路如下图（ａ）所示。
充电的电容Ｃ通过非线性电阻放电，非线性电阻的伏安特性如下图（ｂ）所示。
已知Ｃ=１Ｆ，ｕＣ（０_）=３Ｖ，试求ｕＣ（ｔ）。
答：4. 下图所示电路在换路前已工作了很长的时间，试求换路后３０Ω电阻支路电流的初始值。
答：0.25Ａ。
5. 下图所示电路在换路前已工作了很长的时间，试求电路的初始状态以及开关断开后电感电流和电容电压的一阶导数的初始值。
答：6. 将下图所示电路中电容端口左方的部分电路化成戴维南模型，然后求解电容电压的零状态响应ｕＣ（ｔ）答：7. 设下图（ａ）所示电路中电流源电流i S（t）的波形如图（ｂ）所示，试求零状态响应ｕ（ｔ），并画出它的曲线。
答：8.试求下图所示电路中的电流ｉ（ｔ），设换路前电路处于稳定状态。
答：9.在下图所示电路中，电容电压的初始值为-4Ｖ，试求开关闭合后的全响应ｕＣ（ｔ）和ｉ（ｔ），并画出它们的曲线。
答：10. 图７ ３７所示电路在换路前已建立稳定状态，试求开关闭合后的全响应ｕＣ（ｔ），并画出它的曲线。
答：二、判断题（每小题3分，共30分）1.下图所示电路在换路前已工作了很长时间，图中ＩＳ为一直流电源。
试求开关断开后的开关电压ｕＳ（ｔ）是（√）答案：2.下图所示电路将进行两次换路。
试用三要素法求出电路中电容的电压响应ｕＣ（ｔ）和电流响应ｉＣ（ｔ），并画出它们的曲线。
（√）答案：3.下图所示电路在开关断开前已处于稳定状态，试求开关断开后的零输入响应ｉＬ２（ｔ）是（×）答案：4.试求图所示电路的零状态响应ｕ（ｔ）是。
复习题二注意：1、先把书上知识点和做过的作业理解会做，然后再复习这部分内容。
2、期中考试前发的样卷里有很多第十章直流稳压电源相关的题目。
1、放大电路中的静态分量是指__________，动态分量是指____。
A 、直流电源所提供的电压、电流 ，B 、电压、电流中不随输入信号变化的部分，C 、电压、电流中随输入信号变化的部分 ，D 、正弦交流输入、输出信号2、NPN 和PNP 型晶体管的区别取决于____A 、半导体材料硅和锗的不同，B 、掺杂元素的不同 ，C 、掺杂浓度的不同，D 、P 区和N 区的位置不同。
N 沟道和P 沟道场效应管的区别在于____ A 、衬底材料前者为硅，后者为锗，B 、衬底材料前者为 N 型，后者为 P 型，C 、导电沟道中载流子前者为 电子，后者为空穴。
3、晶体管工作在放大区时，发射结为____，流过发射结的主要是____；集电结为____，流过集电结的主要是____。
A 、正向偏置，B 、反向偏置，C 、零偏置，D 、扩散电流，E 、漂移电流4、某硅二极管在正向电压V 6.0D =U 时，正向电流mA 10D =I 。
当D U 增加10％（即增大到0.66V ）时，则D I 约为____。
A 、10mA ，B 、11mA ，C 、20mA ，D 、100mA5、已知某二极管在温度为25℃时的伏安特性如图中实线所示，在温度为 T 1时的伏安特性如图中虚线所示。
1．在25℃时，该二极管的死区阈值电压、反向击穿电压和反向电流各是多大？ 2．温度T 1是大于25℃还是小于25℃？6、两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A 和B ，对同一个内阻等于零的信号源电压进行放大，并接有相同大小的负载电阻，测得A 的输出电压比B 的大。
这说明A 的________________。
输出电阻比B 的________________。
A 、输入电阻， B 、输出电阻 C 、大， D 、小7、有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A 和B ，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大，在负载开路的条件下测得A 的输出电压比B 的小，这说明A 的________________。
南京信息工程大学电力电子期末复习题第1章电力电子器件填空题：1.电力电子器件一般工作在________状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为________，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为________。
3.电力电子器件组成的系统，一般由________、________、________三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加________。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为________、________、________三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为________。
6.电力二极管的主要类型有________、________、________。
7.肖特基二极管的开关损耗________快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为____ 正向有触发则导通、反向截止____ 。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL________IH 。
10.晶闸管断态不重复电压UDRM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDRM________Ubo。
11.逆导晶闸管是将________与晶闸管________（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的________结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为________。
14.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的________、前者的饱和区对应后者的________、前者的非饱和区对应后者的________。
15.电力MOSFET的通态电阻具有________温度系数。
16.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而________，开关速度________电力MOSFET 。
17.功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是________。
南京信息工程大学《模拟电子技术基础》期末考试试卷(A卷)题目一二三总分核分人复查人得分题目部分（卷面共 大题， 小题， 分，各大题标有题量和总分）评卷人得分一、选择题（ 小题，共 分）．直接耦合与变压器耦合多级放大电路之间主要不同点是♉♉♉♉。
✌、所放大的信号不同， 、交流通路不同， 、直流通路不同．直流负反馈是指♉♉♉♉♉♉♉♉♉♉♉♉♉♉♉♉。
✌、只存在于直接耦合电路中的负反馈， 、放大直流信号时才有的负反馈， 、直流通路中的负反馈。
．在整流电路中接入滤波电容后，其输出电压的平均值将 ；（✌、升高 、不变 、减小）这时，二极管的导通角 将 （✌、增大 、不变 、减小）两级阻容耦合放大电路如图所示。
设输入一正弦信号时，输出电压波形出现了顶部失真。
）若输出电压波形出现了顶部失真的原因是第一级静态工作点不合适，则第一级产生了♉♉♉♉，（✌、饱和失真， 、截止失真）为消除该失真，可调整 ♌，使其阻值♉♉♉♉。
（ 、增加， 、减小））若输出电压波形出现了顶部失真的原因是第二级静态工作点不合适，则第二级产生了♉♉♉♉，（✌、饱和失真， 、截止失真）为消除该失真，可调整 ♌，使其阻值♉♉♉♉。
（ 、增加， 、减小） 试根据图示的反馈放大电路，试选择正确答案填空：）若 增大，则♉♉♉♉♉♉♉♉。
☎✌、交流负反馈增强， 、交流负反馈减弱， 、不影响反馈深度， 、使静态工作点不稳定✆）在正常放大条件下，若 增大，则♉♉♉♉♉♉♉♉♉。
☎ ✌、电压放大倍数增大， 、电压放大倍数减小， 、电压放大倍数变化不大✆ 阻容耦合放大电路引入负反馈后♉♉♉♉♉♉♉♉♉♉♉♉♉♉♉♉。
✌、只可能出现低频自激，、只可能出现高频自激，、低、高频自激均有可能出现。
在整流电路中接入滤波电容后，其输出电压的平均值将♉♉♉♉ ；（✌、升高 、不变 、减小）这时，二极管的导通角将♉♉♉♉ 。
（✌、增大 、不变 、减小）功率放大电路的最大输出功率是（ ）；✌、负载获得的最大交流功率 、电源提供的最大功率、功放管的最大耗散功率功率放大电路与电流放大电路的共同之处是（ ）；✌、都放大电压 、都放大电流 、都放大功率 功放管的导通角最大的电路是（ ）。
一、单选题1、对电力系统的基本要求是（A）OA、保证对用户的供电可靠性和电能质量，提高电力系统运行的经济性，减少对环境的不良影响B、保证对用户的供电可靠性和电能质量C、保证对用户的供电可靠性，提高系统运行的经济性D、保证对用户的供电可靠性2、停电有可能导致人员伤亡或主要生产设备损坏的用户的用电设备属于（A）。
A、一级负荷B、二级负荷C、三级负荷D、特级负荷3、对于供电可靠性，下述说法中正确的是（D）。
A、所有负荷都应当做到在任何情况下不中断供电B、一级和二级负荷应当在任何情况下不中断供电C、除一级负荷不允许中断供电外，其它负荷随时可以中断供电D、一级负荷在任何情况下都不允许中断供电、二级负荷应尽可能不停电、三级负荷可以根据系统运行情况随时停电4、衡量电能质量的技术指标是（B）。
A、电压偏移、频率偏移、网损率B、电压偏移、频率偏移、电压畸变率C、厂用电率、燃料消耗率、网损率D、厂用电率、网损率、电压畸变率5、用于电能远距离输送的线路称为（C）A、配电线路B、直配线路C、输电线路D、输配电线路6、关于变压器，下述说法中错误的是（B）A、对电压进行变化，升高电压满足大容量远距离输电的需要，降低电压满足用电的需求B、变压器不仅可以对电压大小进行变换，也可以对功率大小进行变换C、当变压器原边绕组与发电机直接相连时（发电厂升压变压器的低压绕组），变压器原边绕组的额定电压应与发电机额定电压相同D、变压器的副边绕组额定电压一般应为用电设备额定电压的1.1倍7、衡量电力系统运行经济性的主要指标是（八）。
A、燃料消耗率、厂用电率、网损率B、燃料消耗率、建设投资、网损率C、网损率、建设投资、电压畸变率D、网损率、占地面积、建设投资8、关于联合电力系统，下述说法中错误的是（D）。
A、联合电力系统可以更好地合理利用能源B、在满足负荷要求的情况下，联合电力系统的装机容量可以减少C、联合电力系统可以提高供电可靠性和电能质量D、联合电力系统不利于装设效率较高的大容量机组9、我国目前电力系统的最高电压等级是（D）A、交流500kv,直流50OkB、交流750kv,直流80OkVC、交流500kv,直流50OkVD、交流100Okv,直流800kv10、用于连接22OkV和IIokV两个电压等级的降压变压器，其两侧绕组的额定电压应为（D）OA、220kv、IlOkvB、220kv、115kvC、242Kv、121KvD、220kv、12lkv11、对于一级负荷比例比较大的电力用户，应采用的电力系统接线方式为（B）。
南京信息工程大学电力电子期末复习题第1章电力电子器件填空题：I. 电力电子器件一般工作在________ 状态。
2•在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为___________ ，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为_________ 。
3•电力电子器件组成的系统，一般由___________ 、_______ 、__________ 三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加 ___________ 。
4•按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为 ________ 、________ 、 __________ 三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为___________ 。
6•电力二极管的主要类型有_________ 、_________ 、________ 。
7.肖特基二极管的开关损耗_________ 快恢复二极管的开关损耗。
8•晶闸管的基本工作特性可概括为_______ 正向有触发则导通、反向截止 _______ 。
9•对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL _____________ IH。
10. 晶闸管断态不重复电压UDRM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDRM _______ U bo。
II. 逆导晶闸管是将_______ 与晶闸管_________ （如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12. GTO的_______ 结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13. _______________________________________________________________ 功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为_______________________________ 。
14. MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的 ____________ 、前者的饱和区对应后者的_________ 、前者的非饱和区对应后者的__________ 。
南京信息工程大学电力电子技术复习试题1、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR;可关断晶闸管GTO;功率场效应晶体管MOSFET绝缘栅双极型晶体管IGBT ；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波波，输出电流波形为方波波。
5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A 安。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120o导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_不同桥臂上的元件之间进行的。
7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。
在有环流逆变系统中，环流指的是只流经两组变流器之间而不流经负载的电流。
环流可在电路中加电抗器来限制。
为了减小环流一般米用控制角a = B的工作方式。
9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。
10、逆变器按直流侧提供的电源的性质来分，可分为电压型、型逆变器和电流型逆变器，电压型逆变器直流侧是电压源，通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧用电容器进行滤波，电压型三相桥式逆变电路的换流是在桥路的本桥元件之间换流，每只晶闸管导电的角度是180。
度；而电流型逆变器直流侧是电流源，通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧是用电感滤波，电流型三相桥式逆变电路换流是在异桥元件之间换流，每只晶闸管导电的角度是120。
度。
11、直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有降压斩波电路；升压斩波电路；升降压斩波电路。
12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫换流。
模拟电路复习题三题目：1、在图示电路中，已知A 1、A 2均为理想运算放大器，其输出电压的两个极限值为±12V 。
试画出该电路的电压传输特性。
Ou I2、在图示电路中，已知A 1、A 2均为理想运算放大器，其输出电压的两个极限值为±12V 。
试画出该电路的电压传输特性。
Ou IU REF ( 3V)3、在图示电路中，已知A 1、A 2均为理想运算放大器，其输出电压的两个极限值为±12V 。
试画出该电路的电压传输特性。
Ou IU REF (+3V)4、微分运算电路如图（a ）所示，图（b ）为输入电压I u 波形，A 为理想运算放大器。
试画出输出电压O u 的波形图，并标明有关数值。
u It su I u O Vt s( b )( a )O5、微分运算电路如图（a ）所示，图（b ）为输入电压I u 波形，A 为理想运算放大器。
试画出输出电压O u 的波形图，并标明有关数值。
u Ou It su I u O Vt s30( b )( a )6、微分运算电路如图（a ）所示，图（b ）为输入电压I u 波形图，A 为理想运算放大器。
试画出输出电压O u 的波形，并标明有关数值。
u Ou It su I u O t s ( b )( a )17、微分运算电路如图（a ）所示，图（b ）为输入电压I u 波形，A 为理想运算放大器。
试画出输出电压O u 的波形图，并标明有关数值。
u Ou Iu I u O Vs( b )8、试判断图示两电路能否产生正弦波振荡，若能振荡，请写出振荡频率0f 的近似表达式若不能振荡，请简述理由，设A 均为理想集成运放。
( a )( b )9、试判断图示两个电路能否产生正弦波振荡，若不能，简述理由；若能，属于哪种类型电，并写出振荡频率0f 的近似表达式。
设A 均为理想集成运放。
( a )( b )Ou O10、试判断图示两个电路能否产生正弦波振荡，若不能，简述理由；若能，属于哪种类型电，并写出振荡频率0f 的近似表达式。
南京信息工程大学信息控制学院201-------学年一学期电路期末考试试卷班级:___________学号:___________姓名:___________得分:___________一、单项选择题(10小题,共20分)1．图中U BA=-1V，则（）A、A点电压比B点电压高B、A点电位比B点高C、B点电位比A点高D、不能比较两点电位2．电路如下左图所示，短路线中的电流I为（）A、10AB、30AC、10AD、无穷大3 电路如上右图示，已知R1>R2>R3，则消耗功率最大的电阻是（）A、R1B、R2C、R3D、不能确定4. 电路如下左图所示，I1等于（）A、0.5AB、-1AC、1.5AD、2A5．电路如上右图示，图示二端网络的输入电阻为（）A、3ΩB、6ΩC、5ΩD、-3Ω6 ．电路外部激励为零，而由初始储能引起的响应称为（）A、零输入响应B、零状态响应C、稳态响应D、暂态响应7. 电路如下左图所示，电压源幅值相量为4/30︒V，负载阻抗获得最大功率的条件以及负载最大功率分别为（）A、Z L=2Ω，P max=2WB、Z L=(2+j1)Ω，P max=2WC、Z L=(2-j1)Ω，P max=1WD、Z L=(2-j1)Ω，P max=2W8．电路如上右图示，当其发生谐振时，输入阻抗为（）A、RB、Z LC、Z CD、∞9．电路如下左图所示，电流源电流恒定，电路原先已稳定。
在开关S合上后瞬间，电流i(0+)的值为（）A、0AB、1AC、0.2AD、0.8A10. 电路如上右图示，电压u=90sin(ωt+140︒)V，电流i=3sin(ωt-10︒)A，则其复阻抗Z为（）A、30/150︒ΩB、30/30︒ΩC、30/-60︒ΩD、30/-30︒Ω二、填空题(每空1分,共20分)1.某线性电阻元件的电压为3V时，电流为0.5A，则其电阻为______Ω。
当电压改变为6V时，其电阻为_______Ω，电流为_______A2.图示网络A、B端的等效电阻R AB=________。
