中南大学模电复习题

中南大学模拟电子技术试卷（第1套）一、一、填空题（20分，每空1分）1．双极型三极管是控制器件，当其工作在放大区时发射结需要加偏置，集电结需要加偏置。

场效应管是控制器件。

2．在有源滤波器中，运算放大器工作在区；在滞回比较器中，运算放大器工作在区。

3．在三极管多级放大电路中，已知A u1＝20，A u2＝－10，A u3＝1，则可知其接法分别为：A u1是放大器，A u2是放大器，A u3是放大器。

4．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极R e公共电阻对信号的放大作用无影响，对信号具有抑制作用。

差动放大器的共模抑制比K CMR ＝。

5．设某一阶有源滤波电路的电压放大倍数为2001200fjA+=&，则此滤波器为滤波器，其通带放大倍数为，截止频率为。

6．如图所示的功率放大电路处于类工作状态；其静态损耗为；电路的最大输出功率为；每个晶体管的管耗为最大输出功率的倍。

二、基本题：（每题5分，共25分）1．如图所示电路中D为理想元件，已知u i = 5sinωt V ，试对应u i画出u o的波形图。

2．测得电路中NPN型硅管的各级电位如图所示。

试分析管子的工作状态（截止、饱和、放大）。

3．已知BJT管子两个电极的电流如图所示。

求另一电极的电流，说明管子的类型（NPN 或PNP）并在圆圈中画出管子。

4．如图所示电路中，反馈元件R7构成级间负反馈，其组态为；其作用是使输入电阻、放大电路的通频带变。

三、如图所示电路中，β＝100，Ω='100b br，试计算：(15分)1．放大电路的静态工作点；（6分）。

模电复习题答案一、选择题1. 在模拟电路中，运算放大器的基本工作模式包括：A. 非线性区B. 线性区C. 饱和区D. 所有以上答案：B. 线性区2. 理想运算放大器的输入阻抗是：A. 有限的B. 无穷大C. 零D. 1欧姆答案：B. 无穷大3. 一个理想的运算放大器的输出阻抗是：A. 无穷大B. 零C. 有限的D. 1欧姆答案：B. 零4. 负反馈在放大器中的作用是：A. 增加增益B. 减少增益C. 提高稳定性D. 降低噪声答案：B、C、D5. 差分放大器的主要优点是：A. 提高增益B. 抑制共模信号C. 减少噪声D. 降低功耗答案：B. 抑制共模信号二、填空题1. 运算放大器的________特性使其在模拟电路设计中得到广泛应用。

答案：高输入阻抗，低输出阻抗2. 在设计放大器时，通常使用________来提高电路的稳定性和增益。

答案：负反馈3. 差分放大器能够有效地放大两个输入端之间的________，而抑制两个输入端共同的信号。

答案：差模信号4. 理想运算放大器的开环增益是一个非常大的数值，通常表示为________。

答案：无穷大5. 在模拟电路中，________是用来描述电路对信号进行线性或非线性处理的能力。

答案：放大能力三、简答题1. 简述运算放大器的基本组成及其工作原理。

答案：运算放大器通常由输入级、中间级和输出级组成。

输入级通常为差分放大器，用于接收两个输入信号并放大它们之间的差异。

中间级通常由多级放大器构成，用于提供增益。

输出级则将信号转换为适合负载的电压或电流。

运算放大器的工作原理基于负反馈原理，通过调整反馈网络，可以实现不同的放大功能。

2. 解释什么是负反馈，并说明它在放大器设计中的作用。

答案：负反馈是指将放大器的输出信号的一部分以相反相位反馈到输入端的过程。

在放大器设计中，负反馈可以减少增益，但同时可以提高电路的稳定性和线性度，降低非线性失真和噪声，改善频率响应。

四、计算题1. 假设有一个非理想的运算放大器，其开环增益为1000，输入阻抗为2MΩ，输出阻抗为100Ω。

中 南 大 学模拟电子技术试卷（第3套）一. 填空题 (每空1分,共20分) （注：同一题中可能只给出部分“空”的选项） 1. U GS = 0时，能够工作在恒流区的场效应管有： 。

A. JFET ；B.增强型MOSFET ；C.耗尽型MOSFET ；2. 测得放大电路中某BJT 各极直流电位V 1=12V ， V 2 =11.3V ， V 3 =0V ，则该BJT 的基极电位等于 ，由 材料制成，管型为 。

3. 现测得两个共射放大电路空载时的u A均为 –100，将它们连成两级放大电路后，其电压放大倍数应 10000，且与级间耦合方式 。

A.大于；B. 等于；C.小于； E. 有关； F. 无关；4. 差分放大电路的等效差模输入信号u d 等于两个输入信号u 1和u 2的 ， 等效共模输入信号u c 是两个输入u 1和u 2的 。

A.差； B.和； C.平均值；5. 互补输出级通常采用 接法，是为了提高 。

“互补”是指两个 类型三极管交替工作。

A. 负载能力；B.最大不失真输出电压；6. 通用型集成运放通常采用 耦合方式；适合于放大 频率信号；输入级一般为 放大器，其目的是为了 。

7. 恒流源在集成运放中有两个作用： 一是为各级提供 ， 二是作为有源负载用来提高 。

8. 信号处理电路中，为了避免50Hz 电网电压的干扰进入放大器， 应该选用 滤波器；欲从输入信号中取出低于20kHz 的信号，应该选用 滤波器。

9. 由FET 构成的放大电路也有三种接法，与BJT 的三种接法相比，共源放大器相当于 放大器。

二. 放大电路及晶体管的输出特性如图所示。

设U BEQ =U CES = 0.7V 。

(10分) 1．用图解法确定静态工作点I CQ ，U CEQ ；2．确定放大电路最大不失真输出电压的有效值U om 。

三. 电路如图所示，已知：BJT 的β= 80， r be =1k Ω，R L ＝3 k Ω。

1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N型半导体。

A.二B.三C.四D.五2、在N型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素，变成为P型半导体。

A.二B.三C.四D.五3、在本征半导体中，自由电子浓度 B空穴浓度。

A.大于B.等于C.小于4、在P型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。

A.大于B.等于C.小于5、本征半导体温度升高以后自由电子数和空穴数都增多，且数目相同6、空间电荷区是由 C 构成的。

A.电子B.空穴C.离子D.分子7、PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

变宽 D. 无法确定。

反向击穿、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

B. 前者正偏、后者反偏11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。

A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能12、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C 从1mA变为2mA，那么它的β约为 C 。

A. 83B. 91C. 100D. 1013、当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导g m将 A 。

A.增大B.不变C.减小D. 都有可能14、晶体管是 A 器件。

A.电流控制电流15、实践中，判别晶体管是否饱和，最简单的方法是测量U CE。

16、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。

图1为 D ；图2为 A 。

[基极电位总是处于中间]A.NPN硅管B.PNP硅管C.NPN锗管D.PNP锗管17、增强型PMOS管工作在放大状态时，其栅源电压 B ，耗尽型PMOS 管工作在放大状态时，其栅源电压 D 。

A.只能为正B.只能为负C.可正可负D.可正可负，也可为零18、在放大电路中，场效应管工作在漏极特性的 C 。

A.可变电阻（欧姆）区B.截止区C.饱和区 D.击穿区20、场效应管是 D 器件。

D.电压控制电流21、基本共射放大电路中，基极电阻R b的作用是 A 。

《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。

2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。

3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。

4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。

5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。

6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。

7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。

二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。

A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。

A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。

A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。

A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。

A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。

A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。

A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。

A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。

模拟电子技术基础复习题图 1图 2一、填空题1、现有基本放大电路：①共射放大电路 ④共源放大电路②共基放大电路 ③共集放大电路一般情况下，上述电路中输入电阻最大 的电路是 ③ ，输入电阻最 ，频带最宽 的电路是 ；只能放大电流，小 的电路是②，输出电阻最小 的电路是③② ；既能放大电流，又能放大电压 的电路是 ①不能放大电压 的电路是 ③；只能放大电压，不能放大电流 的电路是②。

2、如图 1所示电路中，已知晶体管静态时 B- E 间电压为 U ，电流放大系BEQ数为β，B- E 间动态电阻为 r 。

填空：beV CC U BEQ（ 1）静态时， I 的表达式为BQ， I 的表达式为CQI BQR BI CQ I BQ；，U 的表达式为CEQU CEQ V CC I R C CQR L （2）电压放大倍数 的表达式为A u，输入电阻 的表达式为r be，输出电阻 的表达式为R R // r be R R ；0 Ci B（3）若减小 R ，则 I 将 A ，r 将 C ，将 C ，R 将iC ，A B CQ bc u R 将 B 。

oA.增大B.不变C.减小当输入电压不变时， R 减小到一定程度，输出将产生 BA 失真。

A.饱和B.截止 3、如图 1所示电路中，（1）若测得输入电压有效值为 10mV ，输出电压有效值为 1.5V ，则其电压放 大倍数 = 150 ；若已知此时信号源电压有效值为 20mV ，信号源内阻A u为 1k Ω，则放大电路 的输入电阻 R = 1 。

i（2）若已知电路空载时输出电压有效值为 1V ，带 5 k Ω负载时变为 0.75V ， 则放大电路 的输出电阻 Ro（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将 R BRc 减小 的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生 1.67。

增大或将截止失真，则只有通过设置合适 的静态工作点 的方法才能消除失真。

---○---○------○---○---………… 评卷密封线 ……………… 密封线内不要答题，密封线外不准填写考生信息，违者考试成绩按0分处理 ……………… 评卷密封线 ………… 中南大学考试试卷 2011 ~2012 学年2学期 模电II 课程 时间100分钟 48 学时， 3 学分，闭卷，总分100分，占总评成绩 70 %—、填空题(10分，每空1分) 1.在本征半导体中加入__五价___元素可形成N 型半导体，加入__三价___元素可形成P 型半导体。

2.集成运放的输入级采用差动放大电路的原因是__减小温漂__。

3.对于放大电路，所谓开环是指 _无反馈通路_，而所谓闭环是指 __存在反馈通路__。

4.交流负反馈是指__在交流通路中的负反馈___。

5.为了稳定静态工作点，应引入 直流负反馈 ；为了稳定放大倍数，应引入 交流负反馈 。

6.为了获得输入电压中的低频信号，应选用 低通滤波电路。

7.功率放大电路的转换效率是指__最大输出功率与电源提供的平均功率之比_。

二、已知稳压管的稳定电压U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA ，最大功耗P ZM =150mW 。

试求图所求电路中电阻R 的取值范围。

（10分） 解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为 Ω=-=k 8.136.0Z Z I ～I U U R三、电路如图所示，晶体管的β=60，r bb '=100Ω。

求解Q 点、u A 、R i 和R o ； (15分）解：Q 点：A R R U V I e b BEQ CC BQ μβ31)1(≈++-= mA I I BQ CQ 86.1≈=βV R R I V U e c EQ CC CEQ 56.4)(=+-≈ u A 、R i 和R o 的分析： Ω≈++=952mV 26)1(EQ bb'be I r r β Ω≈=952be b i r R R ∥95)(be L c -≈-=r R R A u ∥β Ω==k 3c o R R四、通用型集成运放一般由几部分电路组成？每一部分常采用哪种基本电路？通常对每一部分性能的要求分别是什么？ （10分）解： 通用型集成运放通常由输入级、中间级、输出级和偏置电路等四部分组成。

《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章）一、 选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。

A.二B.三C.四D.五2、在N 型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素，变成为P 型半导体。

A.二B.三C.四D.五3、在本征半导体中，自由电子浓度 B 空穴浓度。

A.大于B.等于C.小于4、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。

A.大于B.等于C.小于5、本征半导体温度升高以后， C 。

A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变6、空间电荷区是由 C 构成的。

A.电子B.空穴C.离子D.分子7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定 8、设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 C 。

UT U U I e C. )1e (S －T U U I D. I S 。

C.反向击穿、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。

A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能12、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 C 。

A. 83B. 91C. 100D. 1013、当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时，它的低频跨导g m 将 A 。

A.增大 B.不变 C.减小 D. 都有可能 14、晶体管是 A 器件。

A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流 15、实践中，判别晶体管是否饱和，最简单的方法是测量 D 。

A.I BB.I CC.U BED.U CE16、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。

中南大学电工技术II模拟试题第二套题目一描述某电路由R、L和C构成，其中R为10Ω，L为3H，C为5μF。

求该电路的单位阶跃响应。

分析首先，我们需要确定该电路的传递函数。

由于电路由R、L 和C构成，根据基本电路理论，我们可以得到该电路的传递函数为：H(s) = 1 / (sRC + 1)其中，s为复变量，R为电阻值，C为电容值。

将已知数值带入传递函数，得到：H(s) = 1 / (10Ω * 5μF * s + 1)接下来，我们需要将传递函数转换为单位阶跃响应。

通过拉普拉斯逆变换，我们可以求得单位阶跃响应的表达式为：h(t) = 1 - e^(-t / (RC))对于本题，R为10Ω，C为5μF，带入上述公式，即可得到单位阶跃响应的表达式。

结果单位阶跃响应的表达式为：h(t) = 1 - e^(-t / (10 * 5 * 10^-6))题目二描述某电路由R、L和C构成，其中R为20Ω，L为2H，C为10μF。

求该电路的频率响应曲线。

分析为了求得频率响应曲线，我们需要先确定电路的传递函数。

根据基本电路理论，该电路的传递函数为：H(s) = 1 / (sRC + 1)将已知数值带入传递函数，得到：H(s) = 1 / (20Ω * 10μF * s + 1)接下来，我们需要将传递函数转换为频率响应曲线。

通过将传递函数的复变量s替换为jω，其中ω为角频率，我们可以得到频率响应曲线的表达式为：H(jω) = 1 / (jωRC + 1)对于本题，R为20Ω，C为10μF，带入上述公式，即可得到频率响应曲线的表达式。

结果频率响应曲线的表达式为：H(jω) = 1 / (jω * 20Ω * 10μF + 1)题目三描述某电路由R、L和C构成，其中R为15Ω，L为1H，C为1μF。

求该电路的零极点分布。

分析为了求得电路的零极点分布，我们需要先确定电路的传递函数。

根据基本电路理论，该电路的传递函数为：H(s) = 1 / (sRC + 1)将已知数值带入传递函数，得到：H(s) = 1 / (15Ω * 1μF * s + 1)接下来，我们需要求得传递函数的零和极点。

第一章测试1.BJT管的输入电阻比MOSFET的输入电阻高。

A:错B:对答案:A2.稳压管的稳压作用是利用了PN结的反向截止特性。

A:错B:对答案:A3.要实现BJT的放大作用，对发射结与集电结的要求是（）。

A:发射结正偏，集电结反偏B:发射结反偏，集电结正偏C:发射结正偏，集电结正偏D:发射结反偏，集电结反偏答案:A4.工作在放大区的某晶体三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为（）。

A:90B:100C:83D:50答案:B5.在放大电路中，测得BJT管三个管脚电位分别为6V、6.7V、12V，则这三个管脚分别是（）。

A:C、B、EB:E、C、BC:E、B、CD:C、E、B答案:C6.A:8.7B:4.3C:5.7D:73答案:C7.设某增强型N沟道MOS管UGS（th）=3V，试问当它的栅源电压uGS=2.5V时，该管处于（）区。

A:击穿B:截止C:放大D:可变电阻答案:B8.A:cB:aC:bD:d答案:AB9.A:cB:dC:bD:a答案:AD10.A:bB:cC:dD:a答案:AC第二章测试1.阻容耦合两级放大电路各级的Q点相互独立，所以可以各级独自计算各自的Q点。

A:错B:对答案:B2.耗尽型NMOS管的多子与少子都参与导电。

（）A:对B:错答案:B3.A:12B:0.5C:6D:0.7答案:A4.设某增强型N沟道MOS管UGS（th）=3V，试问当它的栅源电压uGS=2.5V时，该管处于（）状态。

A:截止B:饱和C:击穿D:放大答案:A5.A:5.7B:4.24C:6D:4.03答案:D6.A:= -1200B:>1200C:=1200D:<1200答案:D7.A:10B:100C:40答案:B8.现有直接耦合基本放大电路如下,有电流放大作用的电路是（）。

A:共集电路B:共源电路C:共基电路D:共漏电路E:共射电路答案:ABDE9.A:B:C:D:答案:BCD10.在多级放大电路下列三种三种耦合方式中，（）耦合不能放大直流信号。

模拟电子技术_中南大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是（）。

答案:晶体管参数受温度影响2.实现输入电阻高、输出电压稳定，应该引入（）负反馈。

答案:电压串联3.现有阻容耦合基本放大电路如下，输出电压与输入电压同相的电路是（）。

答案:共集电路_共漏电路4.MOS管只有多子参与导电。

（）答案:正确5.晶体管能够实现放大的外部条件是（）。

答案:发射结正偏，集电结反偏6.二极管具有（）导电特性。

答案:单向7.下图电路中，T1和T2管的饱和管压降│UCES│＝2V，VCC＝15V， RL＝8Ω，电路的最大输出功率Pomax =（）W。

【图片】答案:≈10.56W8.差动放大电路的共模抑制比KCMR越大，表明电路（）。

答案:对共模信号的抑制能力越强9.甲类放大电路不适合作功率放大电路的原因是甲类放大容易（）。

答案:导致效率低、静态损耗大10.用恒流源取代电阻长尾差动放大电路中的RE，将会提高电路的（）。

答案:共摸抑制比11.在下图中，所有二极管均为理想二极管，则Vo=（）V【图片】答案:-212.在下图电路中，设静态时ICQ＝2mA，晶体管饱和管压降UCES＝0.6V。

当负载电阻RL＝3kΩ时电路的最大不失真输出电压有效值为（）V。

【图片】答案:2.1213.现有直接耦合基本放大电路如下，有电流放大，但没有电压放大作用的电路是（）。

答案:共集电路_共漏电路14.关于多级放大电路，下列说法正确的是（）。

答案:多级放大电路的输入电阻就是第1级的输入电阻_多级放大电路的输出电阻就是最后1级的输出电阻_多级放大电路的放大倍数就是各级放大倍数之积15.现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应小于10000。

（）答案:正确16.直接耦合多级放大电路不能放大交流信号。

（）答案:错误17.MOS管一旦预夹断，管子立即进入截止区。

---○---○------○---○---………… 评卷密封线 ……………… 密封线内不要答题，密封线外不准填写考生信息，违者考试成绩按0分处理 ……………… 评卷密封线 …………中南大学考试试卷2018~2019学年 2学期 模电II 课程 时间100分钟48 学时， 3 学分，闭卷，总分100分，占总评成绩 70 %—、选择正确答案填入空内。

(10分)1. 二极管加正向电压时，其正向电流是由（A ）。

A. 多数载流子扩散形成B. 多数载流子漂移形成C. 少数载流子漂移形成D. 少数载流子扩散形成 2. 稳压二极管是利用PN 结的（ D ）。

A. 单向导电性B. 反偏截止特性C. 电容特性D. 反向击穿特性3. 只用万用表判别晶体管3个电极，最先判别出的应是 B 。

A. c 极B. b 极C. e 极4. 集成运放电路采用直接耦合方式是因为 C 。

A ．可获得很大的放大倍数B . 可使温漂小C ．集成工艺难于制造大容量电容 5. 通用型集成运放适用于放大 B 。

A ．高频信号B . 低频信号C . 任何频率信号 6. 已知交流负反馈有四种组态：A ．电压串联负反馈B ．电压并联负反馈C ．电流串联负反馈D ．电流并联负反馈 选择合适的答案填入下列空格内，只填入A 、B 、C 或D 。

（1）欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入 B ；（2）欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入 C ；（3）欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入 A ；（4）欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入 D 。

二、基本题（共18分）1．设题图中的二极管均为理想二极管，试判断电路中的二极管是导通还是截止，并求出端电压U AO。

（本题6分）解：题图示的电路图中，图（a）所示电路，二极管D导通，U AO=－6V，图（b）所示电路，二极管D1导通，D2截止，U AO=0V 。

一、填空题1、半波整流电路电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（√2U2）。

2、晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而（下降）。

共基极电路比共射极电路高频特性（好）。

3、为了提高三极管放大电路的输入电阻，采用（串联）负反馈。

为了稳定输出电流，采用（）负反馈。

4、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。

5、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。

6、有偶数级共射电路组成的多级放大电路中，输入和输出电压的相位_________，有奇数级组成的多级放大电路中，输入和输出电压的相位__________。

7、电压负反馈稳定的输出量是__________，使输出电阻__________，电流负反馈稳定的输出量是__________，使输出电阻__________。

8、稳压二极管是利用二极管的__________特性工作的。

9、晶体管工作在放大状态的外部条件是。

10、经测试某电路中晶体管的基极电位为0.7V，发射极电位为0V,集电极电位为5V,则该管是型的晶体管,工作在状态.11、多级放大电路的耦合方式有、、等。

12、如果想要改善电路的性能，使电路的输出电压稳定而且对信号源的影响减小，应该在电路中引入反馈。

13、有源滤波器的功能是，按电路的幅频特性可分为低通滤波、高通滤波、、和全通滤波五种。

14、在有源滤波器中，运算放大器工作在区；在滞回比较器中，运算放大器工作在区，在比例运算电路中工作在区。

=0时，漏源之间存在导电沟道的称为型场效应管，漏源之间不15、当UGs存在导电沟道的称为型场效应管。

16、两级放大电路的第一级电压放大倍数为100，即电压增益为 dB，第二级电压增益为26dB，则两级总电压增益为 dB。

17、差分电路的两个输入端电压分别为Ui1=2.00V，Ui2=1.98V，则该电路的差模输入电压Uid 为 V，共模输入电压Uic为 V。

模电考试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，三极管工作在放大区的条件是（）。

A. 基极电流小于集电极电流B. 发射结正向偏置，集电结反向偏置C. 发射结反向偏置，集电结正向偏置D. 发射结和集电结都反向偏置答案：B2. 理想运算放大器的输入电阻是（）。

A. 有限值B. 零C. 无穷大D. 负无穷大答案：C3. 共发射极放大电路中，输出电压与输入电压相位（）。

A. 相同B. 相反C. 相差90度D. 相差180度答案：B4. 差分放大器的主要优点是（）。

A. 放大差模信号B. 抑制共模信号C. 放大共模信号D. 放大差模信号和抑制共模信号答案：D5. 场效应管的控制量是（）。

A. 漏极电流B. 栅源电压C. 漏源电压D. 栅漏电流答案：B6. 集成运放的输出电压范围主要取决于（）。

A. 电源电压B. 输入信号C. 反馈电阻D. 负载电阻答案：A7. 负反馈可以（）。

A. 增加放大倍数B. 减少非线性失真C. 增加输入电阻D. 减少输出电阻答案：B8. 直流稳压电源中的滤波电路是（）。

A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 带阻滤波器答案：A9. 正弦波振荡器的振荡条件是（）。

A. 相位平衡条件B. 幅度平衡条件C. 相位平衡条件和幅度平衡条件D. 只有幅度平衡条件答案：C10. 调制的目的是（）。

A. 放大信号B. 改变信号的频率C. 使信号便于传输D. 改变信号的相位答案：C二、填空题（每题2分，共20分）1. 在共基极放大电路中，输入阻抗与输出阻抗相比，输入阻抗________输出阻抗。

答案：小2. 理想运算放大器的差模输入电阻为________，共模抑制比为________。

答案：无穷大，无穷大3. 差分放大器的差模电压增益是共模电压增益的________倍。

答案：1+2Rf/R4. 场效应管的漏极电流与栅源电压的关系是________。

答案：非线性5. 负反馈可以提高放大电路的________。