射频开关基础知识
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射频开关分类
射频开关:是一种通讯领域信号的开关,应用于有线传输射频信号。
上海墨石电子技术人员为了满足客户的要求研发生产出多个型号。
波导开关:是一种可以按需要阻止或分配电磁波的器件,应用于微波信号。
同轴开关:实现导磁率的改变,改变了信号的传输常数,以达到开关目的。
大功率同轴开关:应用于机载电子干扰、空间通信、自动测试和通讯系统中,工作在系统对主、备发射机的高功率输出端的断开或接通这两种状态上,对整个系统的安全起着关键作用。
中秋佳节之际上海墨石电子所有员工,给予所有新老客户最真挚的祝福,在以后的工作里,将秉着最初的理念,我们要以自信、毅力、不服输的精神完成新的挑战。
尽最大努力满足市场上对通讯设备行业的技术支持和产品支持!。
射频电子开关资料汇编射频电子开关资料汇编1.简介本说明文档主要介绍射频电子开关的主要产品类型,规格,应用环境,基本内部结构和工作原理。
使工程人员对该器件有一个深入的了解。
2.开关简介射频电子开关:又名RF Switches,大功率同轴射频继电器,目前主要的国外品牌有Relcomm,Dow-key,Teledyne,国内也有类似的产品。
但是功率容量,隔离度,驻波比,应用环境等都不与国外同类产品指标相去甚远。
比较所有厂商的同类产品,Relcomm公司的产品性价比最高,体积小,指标好,产品丰富,网站内容和说明文档丰富全面。
3.工作原理介绍以最简单的Failsafe类型为例,介绍该类器件的工作原理,其他的各种类型的器件皆有这种类型衍生出来,只是控制方式不同或者在控制处增加了TTL逻辑门或者是self cut off 电路。
工作原理流程图如下:状态1,NC,C,NO端口接RF信号,A,B端口通电,电磁铁工作,D板离开触点,C,NO端口断开,由于杠杠原理,E板接通两个触点,NC,C端口接通。
ABNC C NO状态2:当A,B两端控制电压消失时,电磁铁失去磁力,NC,C端口断开,C,NO端口接通。
ABNC C NO较为复杂的器件都是在上诉最简单的器件上衍生而来,区别如下表:指示灯线圈A 线圈B线圈C线圈DAB C D匹配负载匹配负载Optional Indicators为指示灯,显示NO,COM,NC对应的端口的接通与否情况,可以根据指示灯的状态在工程中进行判断,50欧姆的匹配负载的设计更加科学,使端口在没有接通的情况下不至于空载。
线圈AC绕向一致,线圈BD绕向一致,与AC绕向相反。
状态1:当通电时,板A,C由于电磁铁A,C的作用与触点接触,板BD由于电磁铁BD的作用与触点离开,COM口和NC口接通。
状态2:当断电时,板A,C由于电磁铁A,C的作用与触点离开,板BD由于电磁铁BD的作用与触点接触,COM口和NO口接通。
射频知识点总结一、射频基本概念1. 电磁波电磁波是一种由电场和磁场相互作用而产生的波动现象,是一种在真空中传播的波动现象。
电磁波具有频率和波长两个基本特征,频率越高,波长越短。
常见的射频波段包括:HF(3-30MHz)、VHF(30-300MHz)、UHF(300-3000MHz)、SHF(3-30GHz)等。
2. 天线天线是射频系统中的重要组成部分,它用来接收和发射电磁波。
天线的工作原理是通过和周围的电磁场相互作用,将电磁波转换成电流或者将电流转换成电磁波。
天线的性能对系统的传输和接收性能有很大的影响,因此天线设计是射频系统中的重要环节。
3. 调制解调调制解调是射频系统中的重要技术,它利用调制信号将基带信号传输到射频信号中,然后再通过解调将射频信号转换成原来的基带信号。
调制技术有幅度调制、频率调制、相位调制等多种方式,不同的调制方式适用于不同的通信场景。
二、射频组件1. 射频放大器射频放大器是射频系统中的重要组件,它用来对射频信号进行放大。
射频放大器的主要参数包括增益、带宽、噪声系数、输出功率等,不同的应用场景需要不同参数的射频放大器。
2. 滤波器滤波器是用来对射频信号进行频率选择和抑制干扰的器件,它可以选择性地通过某个频率范围的信号,同时将其他频率范围的信号进行抑制。
滤波器的种类很多,包括低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器、带阻滤波器等。
3. 射频开关射频开关是用来控制射频信号的开关和切换的器件,它可以实现对射频信号的选择、分配和切换。
射频开关的性能包括插入损耗、隔离度、速度等多个方面。
4. 射频混频器射频混频器是用来将两个不同频率的射频信号混合到一起的器件,它可以实现频率的转换和信号的解调等功能。
射频混频器的工作原理是利用非线性元件将两个输入信号进行非线性混合,然后通过滤波将混频后的信号提取出来。
三、射频系统设计原则1. 抗干扰设计射频系统在使用过程中会受到各种干扰的影响,包括天线干扰、多路径干扰、热噪声干扰等,因此在射频系统设计中需要采取一系列抗干扰措施,以保证系统的可靠性和稳定性。
射频开关sdtspdt开关是什么?问:sp射频开关spdtdt开关是什么?答:【SPDT开关】SPDT是英文Single Pole Double Throw的缩写,是单刀双掷的意思。
SPDT开关就是单刀双掷开关。
单刀双掷开关由动端和不动端组成,动端就是所谓的“刀”,它应该连接电源的进线,也就是来电的一端,一般也是与开关的手柄相连的一端;另外感应开关,接近开关也有SPDT这种说法吗问:通常SPDT,DPDT都是机械式微动开关或电器闸刀才有的术语。
可有一次在一答:接近开关的机械原理也是射频开关spdt相同的啊,只是按扭对静电有感应而已。
2SPDT是什么的英文缩写?是关于开关触点的类型有哪答:SPDT--单杆,投掷SPDT单杆,投掷Single Pole,Double Throw求助:开关的应用SPST,SPDT问:求助(2)解释开关的种类答:SPST表示单极单掷,用在仅需要通断的场合。
S射频开关spdtPDT 表示单极多掷,用在一条线需要选择性的连接不同线路的场合。
单片机实验板中用到的SW-SPDT自锁开关问:这种自锁开关的6个脚怎么和原理图中的SW-SPDT原理图中的3个引脚对答:用万用表,一测便知。
浮球液位开关的接点形式是SPDT是什么意思答:SPDT(Single Pole Doub射频开关spdtle Throw)是单刀双掷的意思,电器接线的一种方式请教各位multisim10.0.1中的转换开关spdt为什么不答:可以控制在属性-参数-key for switch中选择你想用的按键注意不要设置重复的要不会出现一个按键控制多个开关SPDT、DPDT和2个SPDT分别是什么意思?答:SPDT(Single Pole Double Throw):单刀双掷开关。
DPDT(Double Pole Double Throw):双刀双掷开关。
2个SPDT:2个单刀双掷开关。
输入电压大于200mv时,如何让SPDT开关自动打到下面问:小于200mv时打到上面档位,从射频开关spdt而使输入全部在200mV以下,然后通过三运放答:spdt开关是手动的。
射频知识——基本概念和术语一、基础知识1、功率/电平(dBm):放大器的输出能力,一般单位为w、mw、dBm注:dBm是取1mw作基准值,以分贝表示的绝对功率电平。
换算公式:电平(dBm)=10lgw5W → 10lg5000=37dBm10W → 10lg10000=40dBm20W → 10lg20000=43dBm从上不难看出,功率每增加一倍,电平值增加3dBm2、增益(dB):即放大倍数,单位可表示为分贝(dB)。
即:dB=10lgA(A为功率放大倍数)3、插损:当某一器件或部件接入传输电路后所增加的衰减,单位用dB表示。
4、选择性:衡量工作频带内的增益及带外辐射的抑制能力。
-3dB带宽即增益下降3dB时的带宽,-40dB、-60dB同理。
5、驻波比(回波损耗):行驻波状态时,波腹电压与波节电压之比(VSWR)附:驻波比——回波损耗对照表:SWR 1.2 1.25 1.30 1.35 1.40 1.50回波损耗(dB) 21 19 17.6 16.6 15.6 14.06、三阶交调:若存在两个正弦信号ω1和ω2 由于非线性作用将产生许多互调分量,其中的2ω1-ω2和2ω2-ω1两个频率分量称为三阶交调分量,其功率P3和信号ω1或ω2的功率之比称三阶交调系数M3。
即M3 =10lg P3/P1 (dBc)7、噪声系数:一般定义为输出信噪比与输入信噪比的比值,实际使用中化为分贝来计算。
单位用dB。
8、耦合度:耦合端口与输入端口的功率比, 单位用dB。
9、隔离度:本振或信号泄露到其他端口的功率与原有功率之比,单位dB。
10、天线增益(dB):指天线将发射功率往某一指定方向集中辐射的能力。
一般把天线的最大辐射方向上的场强E与理想各向同性天线均匀辐射场场强E0相比,以功率密度增加的倍数定义为增益。
Ga=E2/ E0211、天线方向图:是天线辐射出的电磁波在自由空间存在的范围。
方向图宽度一般是指主瓣宽度即从最大值下降一半时两点所张的夹角。
射频导纳物位开关工作原理
射频导纳物位开关,又称射频导纳料位开关,是一种通过探头感知与储罐体间电抗(容抗和阻抗)的变化实现物位测量和控制的开关。
其内部电子单元,由探头测量极与空载罐体间的电抗共同构成平衡电桥电路并产生一个稳定振荡信号。
当被测介质覆盖探头测量极时,会引起探头测量极与罐体间的电抗变化导致电桥电路不平衡而停止产生振荡信号,后级电路检测到这一变化从而输出报警信号。
该振荡信号作为射频信号施加在探头测量极的同时,还经过1:1的电压跟随器后送往探头的保护极,测量极与保护极的射频信号具有等电位、同相位、同频率又互相隔离。
当探头有挂料时,测量极与保护极之间因为没有电势差而形成电气隔离确保保护极的信号变化不影响检测,使探头测量极上电抗的变化只能由探头测量极与罐体间的物料决定,从而使探头上的挂料不会影响正常检测。
射频导纳料位开关工作原理较为复杂,可以请教物理学专业人士,获取更加全面且准确的信息。
射频开关基础知识详细讲解射频和微波开关可在传输路径内高效发送信号。
此类开关的功能可由四个基本电气参数加以表征。
虽然多个参数与射频和微波开关的性能相关,然而以下四个由于其相互间较强的相关性而被视为至关重要的参数:隔离度,插入损耗,开关时间,功率处理能力。
隔离度即电路输入端和输出端之间的衰减度,是衡量开关截止有效性的指标。
插入损耗(也称传输损耗)为开关处于导通状态下时损耗的总功率。
由于插入损耗可直接导致系统噪声系数的增大,因此对于设计者而言,插入损耗是最为关键的参数。
开关时间是指开关从“导通”状态转变为“截止”状态以及从“截止”状态转变为“导通”状态所需要的时间。
该时间上可达高功率开关的数微秒级,下可至低功率高速开关的数纳秒级。
开关时间的最常见定义为自输入控制电压达到其50%至最终射频输出功率达到其90%所需的时间。
此外,功率处理能力定义为开关在不发生任何永久性电气性能劣化的前提下所能承受的最大射频输入功率。
图示为使用12个不同SMA母同轴连接器的单刀十二掷机电式开关一例射频和微波开关可分为机电式继电器开关以及固态开关两大类。
这些开关可设计为多种不同构型——从单刀单掷到可将单个输入转换成16种不同输出状态的单刀十六掷,或更多掷的构型。
切换开关为一种双刀双掷构型的开关。
此类开关具有四个端口以及两种可能的开关状态,从而可将负载在两个源之间切换。
机电式继电器开关的插入损耗较低(《0.1dB),隔离度较高(》85dB),且可以毫秒级的速度切换信号。
此类开关的主要优点在于,其可在直流~毫米波(》50 GHz)频率范围内工作,而且对静电放电不敏感。
此外,机电式继电器开关可处理较高的功率水平(达数千瓦的峰值功率)且不发生视频泄漏。
然而,在机电式射频开关的操作中,有一些问题值得我们注意。
此类开关的标准使用寿命大约只有100万次,而且其组件对振动较为敏感。
使用寿命是指机电式开关在满足射频及重复性要求的情况下所能完成的总开关次数。
射频基础知识第一部分与移动通信相关的射频知识简介 (3)1.1 何谓射频 (3)1.2 无线电频段和波段命名 (3)1.3 移动通信系统使用频段 (3)1.4 第一代移动通信系统及其主要特点 (6)1.5 第二代移动通信系统及其主要特点 (6)1.6 第三代移动通信系统及其主要特点 (6)1.7 何谓“双工”方式?何谓“多址”方式 (7)1.8 发信功率及其单位换算 (7)1.9 接收机的热噪声功率电平 (7)1.10 接收机底噪及接收灵敏度 (8)1.11 电场强度、电压及功率电平的换算 (8)1.12 G网的全速率和半速率信道 (9)1.13 G网设计中选用哪个信道的发射功率作为参考功率 (9)1.14 G网的传输时延,时间提前量和最大小区半径的限制 (9)1.15 GPRS的基本概念 (10)1.16 EDGE的基本概念 (10)第二部分电波传播 (10)2.1 陆地移动通信中无线电波传播的主要特点 (10)2.2 快衰落遵循什么分布规律,基本特征和克服方法 (11)2.3 慢衰落遵循什么分布规律,基本特征及对工程设计参数的影响 (12)2.4 什么是自由空间的传播模式 (12)2.5 2G系统的宏小区传播模式 (13)2.6 3G系统的宏小区传播模式 (13)2.7 微小区传播模式 (14)2.8 室内传播模式 (16)2.9 接收灵敏度、最低功率电平和无线覆盖区位置百分比的关系 (17)2.10 全链路平衡和最大允许路径损耗 (19)第三部分电磁干扰 (19)3.1 电磁兼容(EMC)与电磁干扰(EMI) (19)3.2 同频干扰和同频干扰保护比 (20)3.3 邻道干扰和邻道选择性 (21)3.4 发信机的(三阶)互调干扰辐射 (21)3.5 收信机的互调干扰响应 (22)3.6 收信机的杂散响应和强干扰阻塞 (22)3.7 dBc与dBm (22)3.8 宽带噪声电平及归一化噪声功率电平 (23)3.9 关于噪声增量和系统容量 (23)3.10 直放站对基站的噪声增量 (24)3.11 IS-95 CDMA 对 GSM 基站的干扰 (26)3.12 G网与PHS网的相互干扰 (27)3.13 3G系统电磁干扰 (28)3.14 PHS系统与3G系统之间的互干扰 (30)3.15 GSM系统与3G系统之间的互干扰 (31)第一部分与移动通信相关的射频知识简介1.1 何谓射频射频是指该频率的载波功率能通过天线发射出去(反之亦然),以交变的电磁场形式在自由空间以光速传播,碰到不同介质时传播速率发生变化,也会发生电磁波反射、折射、绕射、穿透等,引起各种损耗。
射频基础知识知识讲解第⼀部分射频基础知识⽬录第⼀章与移动通信相关的射频知识简介 (1)1.1 何谓射频 (1)1.1.1长线和分布参数的概念 (1)1.1.2射频传输线终端短路 (3)1.1.3射频传输线终端开路 (4)1.1.4射频传输线终端完全匹配 (4)1.1.5射频传输线终端不完全匹配 (5)1.1.6电压驻波分布 (5)1.1.7射频各种馈线 (6)1.1.8从低频的集中参数的谐振回路向射频圆柱形谐振腔过渡 (9) 1.2 ⽆线电频段和波段命名 (9)1.3 移动通信系统使⽤频段 (9)1.4 第⼀代移动通信系统及其主要特点 (12)1.5 第⼆代移动通信系统及其主要特点 (12)1.6 第三代移动通信系统及其主要特点 (12)1.7 何谓“双⼯”⽅式?何谓“多址”⽅式 (12)1.8 发信功率及其单位换算 (13)1.9 接收机的热噪声功率电平 (13)1.10 接收机底噪及接收灵敏度 (13)1.11 电场强度、电压及功率电平的换算 (14)1.12 G⽹的全速率和半速率信道 (14)1.13 G⽹设计中选⽤哪个信道的发射功率作为参考功率 (15) 1.14 G⽹的传输时延,时间提前量和最⼤⼩区半径的限制 (15) 1.15 GPRS的基本概念 (15)1.16 EDGE的基本概念 (16)第⼆章天线 (16)2.1天线概述 (16)2.1.1天线 (16)2.1.2天线的起源和发展 (17)2.1.3天线在移动通信中的应⽤ (17)2.1.4⽆线电波 (17)2.1.5 ⽆线电波的频率与波长 (17)2.1.6偶极⼦ (18)2.1.7频率范围 (19)2.1.8天线如何控制⽆线辐射能量⾛向 (19)2.2天线的基本特性 (21)2.2.1增益 (21)2.2.2波瓣宽度 (22)2.2.3下倾⾓ (23)2.2.4前后⽐ (24)2.2.5阻抗 (24)2.2.6回波损耗 (25)2.2.7隔离度 (27)2.2.8极化 (29)2.2.9交调 (31)2.2.10天线参数在⽆线组⽹中的作⽤ (31)2.2.11通信⽅程式 (32)2.3.⽹络优化中天线 (33)2.3.1⽹络优化中天线的作⽤ (33)2.3.2天线分集技术 (34)2.3.3遥控电调电下倾天线 (1)第三章电波传播 (3)3.1 陆地移动通信中⽆线电波传播的主要特点 (3)3.2 快衰落遵循什么分布规律,基本特征和克服⽅法 (4)3.3 慢衰落遵循什么分布规律,基本特征及对⼯程设计参数的影响 (4) 3.4 什么是⾃由空间的传播模式 (5)3.5 2G系统的宏⼩区传播模式 (5)3.6 3G系统的宏⼩区传播模式 (6)3.7 微⼩区传播模式 (6)3.8 室内传播模式 (9)3.9 接收灵敏度、最低功率电平和⽆线覆盖区位置百分⽐的关系 (10) 3.10 全链路平衡和最⼤允许路径损耗 (11)第四章电磁⼲扰 (12)4.1 电磁兼容(EMC)与电磁⼲扰(EMI) (12)4.2 同频⼲扰和同频⼲扰保护⽐ (13)4.3 邻道⼲扰和邻道选择性 (14)4.4 发信机的(三阶)互调⼲扰辐射 (15)4.5 收信机的互调⼲扰响应 (15)4.6 收信机的杂散响应和强⼲扰阻塞 (15)4.7 dBc与dBm (16)4.8 宽带噪声电平及归⼀化噪声功率电平 (16)4.9 关于噪声增量和系统容量 (17)4.10 直放站对基站的噪声增量 (17)4.11 IS-95 CDMA 对 GSM 基站的⼲扰 (19)4.12 G⽹与PHS⽹的相互⼲扰 (20)4.13 3G系统电磁⼲扰 (22)4.14 PHS系统与3G系统之间的互⼲扰 (24)4.15 GSM系统与3G系统之间的互⼲扰 (25)第五章室内覆盖交流问题应答 (12)5.1、⽬前GSM室内覆盖⽆线直放站作信源站点数量达60%,WCDMA的建设中,此类站点太多将导致⽹络上⾏噪声被直放站抬⾼,请问怎么考虑?5.2、⾼层窗边的室内覆盖信号场强难以做到主导,⽽室内窗边将是数据业务需求的⾼发区域,室内窗边的⾼速速率如何保证?5.3、有⼚家建议室内覆盖不⽤⼲放,全⽤⽆源覆盖分布,我们如何考虑?5.4、室内覆盖中,HSDPA引⼊后,有何新要求?5.5、系统引⼊多载频对室内覆盖的影响?5.6、上、下⾏噪声受限如何考虑?5.7、室内覆盖时延分集增益。
射频开关指标-概述说明以及解释1.引言1.1 概述射频开关是一种在射频电路中用于切换信号路径的重要组件,其在无线通信、雷达、射频识别等领域都有着广泛的应用。
射频开关的性能指标直接影响着整个系统的性能和稳定性,因此掌握和理解射频开关的关键指标是非常重要的。
本文将围绕射频开关的关键指标展开介绍,分析其影响因素,总结其重要性,并对未来的发展趋势进行展望。
希望通过本文的阐述,读者能够更加深入地了解射频开关,为相关领域的研究和应用提供一定的参考价值。
1.2 文章结构本文分为引言、正文和结论三个部分。
在引言部分,首先对射频开关进行概述,介绍射频开关的定义和作用,并阐述本文的目的。
接下来,正文部分将详细讨论射频开关的关键指标,包括其特点、分类和应用领域,并分析各指标的影响因素。
最后,在结论部分,将总结射频开关指标的重要性,展望未来射频开关指标的发展趋势,并提出结论和展望。
通过这样的结构安排,读者将能够全面了解射频开关指标的相关知识和发展趋势,对该领域有更深入的了解和认识。
1.3 目的本文的目的是通过对射频开关指标的深入研究和分析,帮助读者了解射频开关在无线通信和射频设备中的重要作用,以及各项指标在射频开关设计中的意义和影响。
通过对射频开关指标的探讨,读者可以更好地理解射频开关的功能特点和优势,为未来射频开关的研发和应用提供参考和指导。
同时,本文还旨在推动射频开关技术的进步与发展,促进相关领域的学术交流和创新合作。
希望本文的研究能够为射频开关领域的研究者、工程师和相关从业人员提供有益的参考和借鉴,促进射频开关技术的发展和进步。
2.正文2.1 射频开关的定义与作用射频开关是一种用于控制射频信号通路的器件,能够实现在射频电路中进行开关操作。
射频开关的作用主要是在信号传输过程中实现信号的切换和路由控制,保证信号的正常传输和有效连接。
射频开关可以在无线通信、雷达、卫星通信、射频识别等领域广泛应用,是射频系统中不可或缺的关键组件之一。
射频知识———基本概念和术语2007-12-18 15:22:48一、基础知识概念辨析:dBm, dBi, dBd, dB, dBc1、dBmdBm是一个考征功率绝对值的值,计算公式为:10lgP(功率值/1mw)。
[例1] 如果发射功率P为1mw,折算为dBm后为0dBm。
[例2] 对于40W的功率,按dBm单位进行折算后的值应为:10lg(40W/1mw)=10lg(40000)=10lg4+10lg10+10lg1000=46dBm。
2、dBi 和dBddBi和dBd是考征增益的值(功率增益),两者都是一个相对值,但参考基准不一样。
dBi 的参考基准为全方向性天线,dBd的参考基准为偶极子,所以两者略有不同。
一般认为,表示同一个增益,用dBi表示出来比用dBd表示出来要大2. 15。
[例3] 对于一面增益为16dBd的天线,其增益折算成单位为dBi时,则为18.15dBi(一般忽略小数位,为18dBi)。
[例4] 0dBd=2.15dBi。
[例5] GSM900天线增益可以为13dBd(15dBi),GSM1800天线增益可以为15dBd(17dBi)。
3、dBdB是一个表征相对值的值,当考虑甲的功率相比于乙功率大或小多少个dB时,按下面计算公式:10lg(甲功率/乙功率)[例6] 甲功率比乙功率大一倍,那么10lg(甲功率/乙功率)=10lg2=3dB。
也就是说,甲的功率比乙的功率大3 dB。
[例7] 7/8 英寸GSM900馈线的100米传输损耗约为3.9dB。
[例8] 如果甲的功率为46dBm,乙的功率为40dBm,则可以说,甲比乙大6 dB。
[例9] 如果甲天线为12dBd,乙天线为14dBd,可以说甲比乙小2 dB。
4、dBc有时也会看到dBc,它也是一个表示功率相对值的单位,与dB的计算方法完全一样。
一般来说,dBc 是相对于载波(Carrier)功率而言,在许多情况下,用来度量与载波功率的相对值,如用来度量干扰(同频干扰、互调干扰、交调干扰、带外干扰等)以及耦合、杂散等的相对量值。
射频开关(RFSwitch)基础随着最近用于测试系统开发的射频开关产品的可用性激增,为您的应用选择合适的产品变得越来越困难。
大多数射频供应商使用两个主要规范来描述他们的射频开关产品——拓扑和带宽(例如 NI PXI-2594 2.5 GHz 4x1 多路复用器)。
虽然这些规格在评估阶段确实很重要,但它们并没有为买家提供足够的信息来做出明智的购买决定。
本教程的目的是向您介绍设计 RF 开关网络时必须考虑的以下七个重要规范:•特性阻抗•带宽•拓扑•插入损耗•回波损耗和电压驻波比 (VSWR)•隔离和串扰•上升时间在讨论特性阻抗和其他 RF 开关规格之前,首先要了解信号在 DC 电路与 RF 系统中传播方式之间的区别。
在直流电路或传播信号频率较低的电路中,信号路径中电缆上不同点的信号电压变化很小。
在 RF 或高频信号的情况下,情况并非如此,其中信号的波长与电缆的长度相比非常小,允许信号的多个周期同时通过电缆传播。
考虑一个例子,其中两个不同频率的波(信号)通过 1 m 同轴电缆传播。
第一个信号的频率为1 MHz,而第二个信号的频率为1 GHz。
为了计算它们的波长,我们将使用以下公式:式中l为信号波长,f为频率,VF为电缆速度因子。
让我们假设用于路由两个信号的同轴电缆是 RG8 类型,已知其速度因子为 0.66。
那么对于在信号1 的情况下,同轴电缆的长度与通过它传播的信号的波长相比非常小。
因此,如图1 所示,电缆中不同点的信号电位变化可以忽略不计。
对于 f = 1 GHz 的信号 2:在信号2 的情况下,同轴电缆的长度比通过它传播的信号的波长大得多(几乎5 倍)。
因此,在任何给定时间,信号的多个周期将同时通过电缆。
由于它们的波长很小,高频信号以波的形式通过电缆传播。
因此,此类信号在不同介质之间传播时会遭受反射和功率损耗(波动理论)。
在电路的情况下,当信号(波)通过具有不同特性阻抗的系统组件时,就会发生介质的这种变化。
射频开关基础知识1、射频开关介绍:射频和微波开关实现了控制微波信号通道转换作用。
此类开关的功能可由四个基本电气参数加以表征:隔离度,插入损耗,开关时间,功率处理能力。
隔离度即电路输入端和输出端之间的衰减度,是衡量开关截止有效性的指标。
插入损耗(也称传输损耗)为开关处于导通状态下时损耗的总功率。
由于插入损耗可直接导致系统噪声系数的增大,因此对于设计者而言,插入损耗是最为关键的参数。
开关时间是指开关从“导通”状态转变为“截止”状态以及从“截止”状态转变为“导通”状态所需要的时间。
该时间上可达高功率开关的数微秒级,下可至低功率高速开关的数纳秒级。
开关时间的最常见定义为自输入控制电压达到其50%至最终射频输出功率达到其90%所需的时间。
功率处理能力定义为开关在不发生任何永久性电气性能劣化的前提下所能承受的最大射频输入功率。
2、射频开关分类:射频和微波开关可分为机电式继电器开关以及固态开关两大类。
(1)机电式继电器开关机电式继电器开关依靠机械接触作为其机械结构。
机电式继电器开关的插入损耗较低(《0.1dB),隔离度较高(》85dB),且可以毫秒级的速度切换信号。
此类开关的主要优点在于,其可在直流~毫米波(》50 GHz)频率范围内工作,而且对静电放电不敏感。
此外,机电式继电器开关可处理较高的功率水平(达数千瓦的峰值功率)且不发生视频泄漏。
此类开关的标准使用寿命大约只有100万次,而且其组件对振动较为敏感。
(2)固态射频开关固态射频开关的电路装配较为平坦且不包含较大的元器件,因此其封装厚度较小且物理尺寸通常小于机电式开关。
固态射频开关使用的开关元件为高速硅PIN二极管或场效应晶体管(FET),或者为集成硅或FET单片微波集成电路。
这些开关元件与电容器,电感器和电阻器等其他芯片组件分立集成于同一电路板上。
使用PIN二极管电路的开关产品具有更高的功率处理能力,而FET类型的开关产品通常具有更快的开关速度。
当然,由于固态开关不包含活动部件,因此其使用寿命是无限的。
射频开发入门需要掌握一些基础知识,包括以下几个方面:
1.
射频基础知识:了解射频的基本概念、频率、波长、传播特性等。
2.
电磁波传播:了解电磁波在空间中的传播方式,包括反射、折射、衍射等现象。
3.
射频电路基础:了解射频电路的基本组成和原理,包括放大器、滤波器、混频器等。
4.
射频测量技术:了解射频测量的基本原理和方法,包括信号发生器、频谱分析仪、网络分析仪等的使用。
5.
射频系统设计:了解射频系统的基本组成和设计方法,包括天线、功率放大器、频率合成器等的设计。
6.
射频干扰与防护:了解射频干扰的产生和防护方法,包括电磁兼容性设计、屏蔽技术等。
7.
射频应用领域:了解射频在通信、雷达、电子对抗等领域的应用。
射频电容开关-全球百科一、概述嘉可仪表射频电容开关工作原理如下:电容液位开关采用先进的数字智能补偿技术,将容器内的液位变化量转换成电容变化量。
探极内有两个极板,介质的变化改变电极间的介电常数,从而得到电容量的变化,通过电子插件把电容量转换成脉冲数字信号,通过微处理器来完成报警点的设计和报警动作的实现。
二、产品特点1、嘉可仪表射频电容开关产品采用智能微处理器元件及差值测量技术,可以测量水,污水,泥浆等液体,尤其是可有效精确的测量强腐蚀性介质,可对环境变化和挂料进行动态补偿;2、嘉可仪表射频电容开关产品可用在非金属罐体传感器内置补助电极,容器内无需再加电极;3、操作非常简单,只需要根据介质调好相应的灵敏度旋钮,和波涌延迟滤波即可使用;4、上限和下限报警方式灵活设置,用户可自行设置选择常开常闭触点;5、单点式和多点式的继电器均采用高性能进口单刀双掷继电器,单点式接点电流容量可达8A,多点式3A。
可直接驱动范围内的报警装置;6、采用聚四氟乙烯探极,检测部位无可动器件,抗冲击,耐高温,耐腐蚀。
三、技术参数1、典型应用:液位高低位控制;2、环境温度:-30~200℃;3、环境湿度:≤95%RH;4、过程压力:1Mpa;5、过程连接:法兰、螺纹、卡箍(连接方式与尺寸可选);6、探杆长度:140mm(可选,可按要求定制);7、探杆材质:304+PTFE;8、供电电源:220vAC,18-36vDC;9、消耗功率:≤1.5w;10、触点容量:单点式250v 8A,多点式250v3A;11、被测介质相对介电常数:≥1.6;12、延迟时间:0.5~30秒;13、电气接口:3/4″NPT;14、防护等级:IP66。
同轴开关基础知识
定义:同轴开关可通过电压或计算机编程自动控制,在微波电路中做切换用。
分类:按照实现方式可分为三类
同轴开关,又称电磁开关、射频开关、机电开关
PIN开关,又称电子开关
MEMS开关,又称微电子开关
同轴开关和PIN开关有什么不同?
同轴开关操作原理是供电实现机械动作,而PIN开关则不需要。
同轴开关实物较大,PIN开关可以做的很小
同轴开关开关时间慢,隔离度、插损、驻波性能好,耐受功率高
PIN开关开关时间快,隔离度、插损、驻波性能差,耐受功率低
Qualwave Inc main products:
Amplifiers:9kHz-110GHz,Power amplifiers,Low noise amplifiers
Cables/Assemblies:DC-110GHz,Ultra Low Loss&Phase Stable
Coaxial Adapters:DC-110GHz,Low VSWR
Fixed Attenuators:DC-67GHz,0.5W-500W
Terminations:DC-67GHz,0.5W-500W
Coaxial Switches:DC-67GHz,SPDT-SP20T,DPDT,2P3T
DC Blocks:0.01-67GHz
Detectors:0.01-110GHz
Couplers:100KHz-67GHz,90°/180°Hybrid Couplers,Directinal Couplers,Dual Directional Couplers
Power Dividers/Combiners:DC-67GHz,2,3,4,6,8,16Ways
Circulators/Isolators:56MHz-40GHz,Octave&Multi-Octave
Filters:DC-67GHz,Low Pass Filters,High Pass Filters,Band Pass Filters,Band Reject Filters Frequency Sources:DC-40GHz
Phase Shifters:DC-40GHz
Horn Antennas:up to112GHz
Etc.
开关主要系列:
Part Number Frequency
(GHz)
Switch Type
Switching Time
(mS,max.)
Operation Life
(cycles)
Connectors
Lead Time
(weeks)
QMS2V DC~67GHz SPDT201M 1.85mm2~4 QMS62DC~50GHz SP4T201M 2.4mm2~4 QMSD22DC~40GHz DPDT201M 2.4mm2~4 QMS2K DC~40GHz SPDT155M 2.92mm2~4 QMS2KT DC~40GHz SPDT(Terminated)155M 2.92mm2~4 QMS6K DC~40GHz SP3T~SP6T153M 2.92mm2~4
QMS6KT DC~40GHz SP3T~SP6T(Terminated)152M 2.92mm2~4 QMSD2K DC~40GHz DPDT152M 2.92mm2~4 QMSD3K DC~40GHz2P3T155M 2.92mm2~4 QMS10K DC~26.5GHz SP7T~SP10T153M 2.92mm2~4 QMS10KT DC~26.5GHz SP7T~SP10T(Terminated)152M 2.92mm2~4 QMS2S DC~18GHz SPDT155M SMA2~4 QMS2ST DC~18GHz SPDT(Terminated)155M SMA2~4 QMS6S DC~18GHz SP3T~SP6T153M SMA2~4 QMS6ST DC~18GHz SP3T~SP6T(Terminated)152M SMA2~4 QMS8S DC~18GHz SP7T~SP8T152M SMA2~4 QMS8ST DC~18GHz SP7T~SP8T(Terminated)152M SMA2~4 QMS10S DC~18GHz SP9T~SP10T153M SMA2~4 QMS10ST DC~18GHz SP9T~SP10T(Terminated)152M SMA2~4 QMSD2S DC~18GHz DPDT152M SMA2~4 QMSD3S DC~18GHz2P3T155M SMA2~4 QMS12S DC~15GHz SP11T~SP12T152M SMA2~4 QMS2N DC~12.4GHz SPDT152M N2~4 QMS6N DC~12.4GHz SP3T~SP6T152M N,SC2~4 QMS2E DC~8GHz SPDT152M SC2~4 QMS18S DC~6GHz SP13T~SP18T152M SMA2~4
QMSD2N DC~6GHz DPDT152M N2~4。