电子线路(Ⅰ) 部分练习参考解答

电工与电子技术试一、填空题（每空 1 分）1若各门电路的输入均为A和B,且A=0, B=1;则与非门的输出为______________ ,或非门的输出为 ________ 。

2、一个数字信号只有_____ 种取值,分别表示为 _________ 和 _______ 。

3、模拟信号是在时间与幅值上_______ 的,数字信号在时间与幅值上是的。

4、 _______________________________________________________ 根据逻辑功能的不同特点,逻辑电路可分为两大类: ____________________________ 和________ 。

5、二进制数A=1011010 B=10111,则A-B= ______ 。

6、组合逻辑电路的输出仅仅只与该时刻的________ 有关,而与________ 无7、将_______ 成 _________ 的过程叫整流。

8、在单相桥式整流电路中，如果负载平均电流是20A则流过每只晶体二极管的电流是 _____ A9、单相半波整流电路，已知变压器二次侧电压有效值为22V,负载电阻RL=1C D, 则整流输出电压的平均值是_________ ;流过二极管的平均电流是_______ ;二极管承受的最高反向电压是______ 。

10、三极管是_______ 控制元件，场效应管是________ 控制元件。

11、逻辑函数Y=(A+B)(B+C)(C+A的最简与或表达式为 ______ o12、三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压M一定时，与. 之间的关系。

13、作放大作用时，场效应管应工作在______ 区。

14、放大电路的静态工作点通常是指__________ 、________ 和________ o15.某三级放大电路中，测得Av1=10,Av2=10,Av3=100总的放大倍数是 _______ 。

16.已知某小功率管的发射极电流IE二，电流放大倍数=49,则其输入电阻rbe= _______ 。

电子线路试题及参考答案试 题一、单项选择题（在下列各题的四个选项中，只有一项是最符合题意的。

本大题共35小题，每小题2分，共70分）1．在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（ ）A ．掺杂工艺B ．温度C ．杂质浓度D ．晶体缺陷2．在半导体材料中，其正确的说法是（ ）A ．P 型半导体和N 型半导体材料本身都不带电。

B ．P 型半导体中，由于多数载流子为空穴，所以它带正电。

C ．N 型半导体中，由于多数载流子为自由电子，所以它带负电。

D ．N 型半导体中，由于多数载流子为空穴，所以它带负电。

3．由理想二极管组成的电路如图1所示，其A 、B 两端的电压为（ ）A ．–12VB ．+6VC ．–6VD ．+12V 4．使用万用表直流电压挡，测得电路中晶体管各极相对于某一参考点的电位如图2所示，从而可判断出该晶体管工作在（ ）A ．饱和状态B ．放大状态C ．截止状态D ．倒置状态5．对于图3所示复合管，设r be1和r be2分别为T 1、T 2管的输入电阻，则复合管的输入电阻r be 为（ ）A ．r be =r be1B ．r be =r be2C ．r be =r be1+(1+ )r be2D ．r be =r be1+r be26．在图4电路中，设c 1、c 2对交流信号影响可忽略不计。

当输入f =1kHz 的正弦电压信号后，用示波器观察V i 和V o ，则二者相位关系为（ ）A ．相差90°B ．相差45°C ．同相D ．相差180° 7．为了减小温漂，通用型运放的输入级大多采用（ ） A ．共射电路 B ．差分放大电路C ．OCL 电路（互补对称电路）D ．共集电路8．差分放大电路用恒流源代替长尾电阻R e 是为了（ ）A ．提高共模电压放大倍数B ．提高差模电压放大倍数C ．提高差模输入电阻图 1图 2 图 3图4D ．提高共模抑制比9．测得放大电路的开路电压放大倍数为6V ，接入2k Ω负载电阻后，其输出电压降为4V ，则此放大器的输出电阻R o 为（ ）A ．R o =1K ΩB ．R o =2K ΩC ．R o =4K ΩD ．R o =6K Ω10．电路如图5所示，设集成电路具有理想的特性，电阻R 2=10K Ω，当R 1的阻值为下列哪种情况时，可以产生较好的正弦波振荡。

《电子线路（I ）》 董尚斌编课后习题（1到7章）第1章1-1 本征半导体与杂质半导体有什么区别解：本征半导体是纯净的，没有掺杂的半导体，本征半导体的导电性能较差，在温度为0K 时，半导体中没有载流子，它相当于绝缘体。

在室温的情况下，由本征激发产生自由电子—空穴对，并达到某一热平衡值，本征载流子浓度kT E i g e T A n 22300-=与温度有关。

杂质半导体是在本征硅或本征锗中掺入杂质得到的，若掺入5价元素的杂质可得到N型半导体，N 半导体中的多子为自由电子，少子为空穴，由于掺入微量的杂质其导电性能得到了极大的改善，其电导率是本征半导体的好几个数量级。

在杂质半导体中，多子的浓度取决于杂质的浓度，而少子的浓度与2i n 或正比，即与温度有很大的关系。

若掺入3价元素的杂质可得到P 型半导体。

1-2 试解释空穴的作用，它与正离子有什么不同~解：空穴的导电实际上是价电子导电，在半导体中把它用空穴来表示，它带正电是运载电流的基本粒子，在半导体中，施主杂质电离后，它为半导体提供了一个自由电子，自身带正电，成为正离子，但由于它被固定在晶格中，是不能移动的。

1-3 半导体中的漂移电流与扩散电流的区别是什么解：漂移电流是在电场力的作用下载流子定向运动而形成的电流，扩散电流是由于浓度差而引起的载流子的定向运动而形成的电流1-4 在PN 结两端加反向偏压时，为什么反向电流几乎与反向电压无关解：PN 结加反偏电压，外加电场与内电场方向相同,PN 结变宽，外加电压全部降落在PN 结上，而不能作用于P 区和N 区将少数载流子吸引过来。

漂移大于扩散，由于在P 区及N 区中少子的浓度一定，因而反向电流与反偏电压无关。

1-5 将一个二极管看作一个电阻，它和一般由导体构成的电阻有何区别解：将二极管看作一个电阻，其明显的特点是非线性特性。

而一般由导体构成的电阻，在有限的电压、电流范围内，基本上是线性的。

（1） ）（2） 二极管的正反向电阻，其数值相差悬殊。

关于《通信电子线路》课程的习题安排：第一章习题参考答案：1-11-3解：1-5解：第二章习题解答：2-3解：2-4由一并联回路，其通频带B过窄，在L、C不变的条件下，怎样能使B增宽？答：减小Q值或减小并联电阻2-5信号源及负载对谐振回路有何影响，应该如何减弱这种影响？答：1、信号源内阻及负载对串联谐振回路的影响：通常把没有接入信号源内阻和负载电阻时回路本身的Q 值叫做无载Q （空载Q 值）如式通常把接有信号源内阻和负载电阻时回路的Q 值叫做有载QL,如式为空载时的品质因数为有载时的品质因数Q Q QQ LL <可见 结论：串联谐振回路通常适用于信号源内阻Rs 很小 (恒压源）和负载电阻RL 也不大的情况。

2、信号源内阻和负载电阻对并联谐振回路的影响2-8回路的插入损耗是怎样引起的，应该如何减小这一损耗？答：由于回路有谐振电阻R p 存在，它会消耗功率因此信号源送来的功率不能全部送给负载R L ，有一部分功率被回路电导g p 所消耗了。

回路本身引起的损耗称为插入损耗，用K l 表示 无损耗时的功率，若R p = ∞， g p = 0则为无损耗。

有损耗时的功率 插入损耗 通常在电路中我们希望Q 0大即损耗小，其中由于回路本身的Lg Q 0p 01ω=，而Lg g g Q 0L p s L )(1ω++=。

2-11oo Q R L Q ==ωLS L R R R LQ ++=0ωL ps p p p p p p p 11R R R R Q Q G C LG Q L ++===故ωω同相变化。

与L S L R R Q 、 性。

较高而获得较好的选择以使也较大的情况,很大，负载电阻内阻并联谐振适用于信号源L L S Q R R ∴11P P K l '=率回路有损耗时的输出功率回路无损耗时的输出功L 2L s sL 201g g g I g V P ⋅⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+==L 2p L ss L 211g g g g I g V P ⋅⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛++=='20L 1111⎪⎪⎪⎪⎭⎫⎝⎛-='=Q Q P P K l2-12解：2-135.5Mhz 时，电路的失调为：66.655.0*23.33f f 2Q p 0==∆=ξ 2-14解：又解：接入系数p=c1/（c1+c2）=0.5，折合后c0’=p2*c0=0.5pf,R0’=R0/ p2=20kΩ,总电容C=Ci+C0’+C1C2/(C1+C2)=15.5pf,回路谐振频率fp=45.2Mhz，谐振阻抗Rp=1/（1/Ri+1/Rp0+1/R0’）,其中Rp0为空载时回路谐振阻抗，Rp0=Q0*2π*fp*L=22.72KΩ，因此，回路的总的谐振阻抗为：Rp=1/（1/Ri+1/Rp0+1/R0’）=5.15 KΩ，有载QL=Rp/（2π*fp*L）=22.67，通频带B=fp/QL=1.994Mhz2-17；第三章习题参考答案：3-3晶体管的跨导gm是什么含义，它与什么参量有关？答：3-4为什么在高频小信号放大器中，要考虑阻抗匹配问题？答：3-7放大器不稳定的原因是什么？通常有几种方法克服？答：不稳定原因：克服方法：3-9解：3-10解：第四章习题参考答案：4-1答：4-3答：4-5解：4-64-14 一调谐功率放大器工作于临界状态，已知V CC =24V ，临界线的斜率为0.6A/V ，管子导通角为90︒，输出功率P o =2W ，试计算P =、P c 、ηc 、R p 的大小。

《通信电子线路》课程的部分习题答案第一章习题参考答案：1-1：1-3：解：1-5：解：第二章习题解答： 2-3,解：2-4，由一并联回路，其通频带B 过窄，在L 、C 不变的条件下，怎样能使B 增宽？ 答：减小Q 值或减小并联电阻2-5，信号源及负载对谐振回路有何影响，应该如何减弱这种影响？ 答：1、信号源内阻及负载对串联谐振回路的影响：通常把没有接入信号源内阻和负载电阻时回路本身的Q 值叫做无载Q （空载Q 值）如式通常把接有信号源内阻和负载电阻时回路的Q 值叫做有载QL,如式为空载时的品质因数为有载时的品质因数 Q Q QQ LL <可见oo Q RL Q ==ωLS L R R R LQ ++=0ω结论：串联谐振回路通常适用于信号源内阻Rs 很小 (恒压源）和负载电阻RL 也不大的情况。

2、信号源内阻和负载电阻对并联谐振回路的影响2-8，回路的插入损耗是怎样引起的，应该如何减小这一损耗？答：由于回路有谐振电阻R p 存在，它会消耗功率因此信号源送来的功率不能全部送给负载R L ，有一部分功率被回路电导g p 所消耗了。

回路本身引起的损耗称为插入损耗，用K l 表示 无损耗时的功率，若R p = ∞， g p = 0则为无损耗。

有损耗时的功率插入损耗 通常在电路中我们希望Q 0大即损耗小，其中由于回路本身的Lg Q 0p 01ω=，而Lg g g Q 0L p s L )(1ω++=。

2-11,L ps p p p p p p p 11R R R R Q Q G C LG Q L ++===故ωω同相变化。

与L S L R R Q 、 性。

较高而获得较好的选择以使也较大的情况,很大，负载电阻内阻并联谐振适用于信号源L L S Q R R ∴11P P K l '=率回路有损耗时的输出功率回路无损耗时的输出功L2L s s L 201g g g I g V P ⋅⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+==L 2p L ss L 211g g g g I g V P ⋅⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛++=='20L 1111⎪⎪⎪⎪⎭⎫⎝⎛-='=Q Q P P K l2-12,解：2-13,5.5Mhz 时，电路的失调为：66.655.0*23.33f f 2Q p 0==∆=ξ 2-14，解：又解：接入系数p=c1/（c1+c2）=0.5，折合后c0’=p 2*c0=0.5pf,R0’=R0/ p 2=20k Ω,总电容C=Ci+C0’+C1C2/(C1+C2)=15.5pf,回路谐振频率fp=45.2Mhz ，谐振阻抗Rp=1/（1/Ri+1/Rp0+1/R0’）,其中Rp0为空载时回路谐振阻抗，Rp0=Q0*2π*fp*L=22.72K Ω，因此，回路的总的谐振阻抗为：Rp=1/（1/Ri+1/Rp0+1/R0’）=5.15 K Ω，有载QL=Rp/（2π*fp*L ）=22.67，通频带B=fp/QL=1.994Mhz 2-17；第三章习题参考答案：3-3,晶体管的跨导gm是什么含义，它与什么参量有关？答：3-4,为什么在高频小信号放大器中，要考虑阻抗匹配问题？答：3-7,放大器不稳定的原因是什么？通常有几种方法克服？答：不稳定原因：克服方法：3-9,解：3-10；解：第四章习题参考答案：4-1,答：4-3,答：4-5,解：4-6；第五章习题参考答案：5-4,答：5-7,答：5-9,答：5-12,答：(e)图，在L 、C 发生谐振时，L 、C 并联阻抗为无穷大，虽然满足正反馈条件，但增益不满足≥1，故不能振荡？5-13，[书上（6）L1C1〈L3C3〈L2C2=〉f1〉f3〉f2，不能起振] 解：5-15；如图（a）所示振荡电路，（1）画出高频交流等效电路，说明振荡器类型；（2）计算振荡器频率57uH 57uH解：（1）图（b）是其高频交流等效电路，该振荡器为：电容三端式振荡器（2）振荡频率：L=57uH，振荡频率为：，f0=9.5Mhz第六章习题参考答案：6-1,6-3,6-5,解：6-7,解：6-9，解：6-13,解：6-14；答：第七章习题参考答案：7-3，7-5,解：7-9,什么是直接调频和间接调频？它们各有什么优缺点？答：7-10,变容二极管调频器获得线性调制的条件是什么？7.11答：7-12；如图是话筒直接调频的电路，振荡频率约为：20Mhz 。

第一章作业参考解答1.7给出调制的定义。

什么是载波？无线通信为什么要用高频载波信号？给出两种理由。

答：调制是指携带有用信息的调制信号去控制高频载波信号。

载波指的是由振荡电路输出的、其频率适合天线发射、传播和接收的射频信号。

采用高频信号的原因主要是：（1）可以减小或避免频道间的干扰；而且频率越高，可利用的频带宽度就越宽，信道容量就越大。

（2）高频信号更适合天线辐射和接收，因为只有天线尺寸大小可以与信号波长相比拟时，才有较高的辐射效率和接收效率，这样，可以采用较小的信号功率，传播较远的距离，也可获得较高的接收灵敏度。

1.11巳知某电视机高放管的f T =1000MHz ，β0=100，假定要求放大频率是1MHz 、10MHz 、100MHz 、200MHz 、500MH 的信号，求高放管相应的|β|值。

解：f 工作= 1MHz 时， ∵f 工作< < f T /β0 ∴|β| =β0 =100（低频区工作）f 工作= 10MHz 时， ∵f 工作= f T /β0 ∴|β| =0.7β0 =70 （极限工作）f 工作= 100MHz 时，∵ f 工作>> f T /β0 ∴|β| ≈f T / f 工作=1000/100 =10f 工作= 200MHz 时，∵ f 工作>> f T /β0 ∴|β| ≈f T / f 工作=1000/200 = 5f 工作= 500MHz 时，∵ f 工作>> f T /β0 ∴|β| ≈f T / f 工作=1000/500 = 21.12将下列功率：3W 、10mW 、20μW ，转换为dBm 值。

如果上述功率是负载阻抗50Ω系统的输出功率，它们对应的电压分别为多少V ？转换为dB μV 值又分别为多少？1.17某卫星接收机的线性部分如题图1.20所示，为满足输出端信噪比为20dB 的要求，高放Ⅰ输入端信噪比应为多少？解：103211231 1.068911 1.078810lg 10lg()()()10lg ()20.33e a a a i i o o io T NF T NF NF NF NF G G G SNR NF SNR dB SNR dB SNR SNR dB NF SNR dB dB=+=--=++===-∴=+= 1.20接收机带宽为3kHz ，输人阻抗为70Ω，噪声系数为6dB ，用一总衰减为6dB ，噪声系数为3dB 的电缆连接到天线。

《电子线路》考试模拟试题及其参考答案（试卷总分值为100分，考试时间为120分钟，闭卷考试）姓名﹍﹍﹍﹍﹍﹍一、填空题：（每空1分，共30分）1.高频功率放大电路根据静态工作点的位置可分为 , , 等三种。

2．为实现电信号的有效传输，无线电通信通常要进行调制。

常用的模拟调制方式可以分为、和三种。

3．小信号调谐放大器按调谐回路的个数分和。

4．高频功率放大器主要用来放大高频信号，为了提高效率，一般工作在类状态。

5．产生正弦波振荡的条件，。

6.无线电波传播速度固定不变，频率越高，波长；频率_ ，波长越长。

7．放大电路直流通路和交流通路画法的要点是：画直流通路时，把视为开路；画交流通路时，把视为短路。

8．调幅的就是用信号去控制，使载波的随大小变化而变化。

9．小信号谐振放大器的主要特点是以作为放大器的交流负载，具有和功能。

10．通常将携带有信息的电信号称为，未调制的高频振荡信号称为，通过调制后的高频振荡信号称为。

11.石英晶体振荡器是利用石英晶体的工作的，其频率稳定度很高，通常可分为和两种。

12．为了有效地实现基极调幅，调制器必须工作在状态，为了有效地实现集电极调幅，调制器必须工作在状态。

二、单项选择题：（每小题2分、共30分）1．石英晶体谐振于fp时，相当于LC回路的（）A．串联谐振现象 B．并联谐振现象 C．自激现象 D．失谐现象2．丙类高频功率放大器的导通角（）A．360 ° B．180°-360° C．＜180°3．在高频放大器中，多用调谐回路作为负载，其作用不包括（）A．选出有用频率 B．滤除谐波成分 C．阻抗匹配 D．产生新的频率成分4．石英晶体振荡器的主要优点是（）A．容易起振 B．振幅稳定 C．频率稳定度高 D．减小谐波分量5．无线通信系统接收设备中的中放部分采用的是以下哪种电路（）A．调谐放大器 B．谐振功率放大器 C．检波器 D．鉴频器6．振荡器与放大器的区别是（）A．振荡器比放大器电源电压高B．振荡器比放大器失真小C．振荡器无需外加激励信号，放大器需要外加激励信号D．振荡器需要外加激励信号，放大器无需外加激励信号7．在一块正常放大的电路板上，测得某三极管的三个极对地电位如图所示，则管子的导电类型以及管脚自左至右的顺序分别为（）A．NPN型、bec B．NPN型、ebcC．NPN型、ecb D．NPN型、bce8．判断下图是哪一类振荡器（）A．电感三点式B．电容三点式C．改进的电容三点式D．变压器耦合式9.晶体三极管作为放大应用时，其极间电压的设置，首先应该保证( )。

电⼦电路基础习题册参考答案电⼦电路基础习题册参考答案免费提供（第三版）全国中等职业技术第⼀章常⽤半导体器件§1-1 晶体⼆极管⼀、填空题1、物质按导电能⼒的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三⼤类，最常⽤的半导体材料是硅和锗。

2、根据在纯净的半导体中掺⼊的杂质元素不同，可形成N 型半导体和P 型半导体。

3、纯净半导体⼜称本征半导体，其内部空⽳和⾃由电⼦数相等。

N型半导体⼜称电⼦型半导体，其内部少数载流⼦是空⽳；P 型半导体⼜称空⽳型半导体，其内部少数载流⼦是电⼦。

4、晶体⼆极管具有单向导电性，即加正向电压时，⼆极管导通，加反向电压时，⼆极管截⽌。

⼀般硅⼆极管的开启电压约为0.5 V，锗⼆极管的开启电压约为0.1 V；⼆极管导通后，⼀般硅⼆极管的正向压降约为0.7 V,锗⼆极管的正向压降约为0.3 V。

5.锗⼆极管开启电压⼩，通常⽤于检波电路，硅⼆极管反向电流⼩，在整流电路及电⼯设备中常使⽤硅⼆极管。

6.稳压⼆极管⼯作于反向击穿区，稳压⼆极管的动态电阻越⼩，其稳压性能好。

7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防⽌反向击穿电流超过极限值⽽发⽣热击穿损坏稳压管。

8⼆极管按制造⼯艺不同，分为点接触型、⾯接触型和平⾯型。

9、⼆极管按⽤途不同可分为普通⼆极管、整流⼆极管、稳压⼆极管、开关、热敏、发光和光电⼆极管等⼆极管。

10、⼆极管的主要参数有最⼤整流电流、最⾼反向⼯作电压、反向饱和电流和最⾼⼯作频率。

11、稳压⼆极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。

12、图1-1-1所⽰电路中，⼆极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为⽆法确定V,当开关S与N相接时，A点的电位为0 V.13图1-1-2所⽰电路中，⼆极管均为理想⼆极管，当开关S打开时，A点的电位为10V 、流过电阻的电流是4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为0 V，流过电阻的电流为2mA 。

14、图1-1-3所⽰电路中，⼆极管是理想器件，则流过⼆极管V1的电流为0.25mA ，流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。

第一章1-1 在性能要求上，功率放大器与小信号放大器比较，有什么不同？解：功率放大器的性能要求为：安全、高效率和失真在允许范围内的输出所需信号功率。

而小信号放大器的性能要求为：增益、输入电阻、输出电阻及频率特性等，一般对输出功率不作要求。

1-3 一功率放大器要求输出功率P 。

= 1000 W ，当集电极效率ηC 由40％提高到70‰时，试问直流电源提供的直流功率P D 和功率管耗散功率P C 各减小多少？解：当ηC1 = 40% 时，P D1 = P o /ηC = 2500 W ，P C1 = P D1 - P o =1500 W 当ηC2 = 70% 时，P D2 = P o /ηC =1428.57 W ，P C2 = P D2 - P o = 428.57 W 可见，随着效率升高，P D 下降，(P D1 - P D2) = 1071.43 WP C 下降，(P C1 - P C2) = 1071.43 W1-6 如图（b ）所示为低频功率晶体管3DD325的输出特性曲线，由它接成的放大器如图（a ）所示，已知V CC = 5 V ，试求下列条件下的P L 、P D 、ηC （运用图解法）：（1）R L = 10Ω，Q 点在负载线中点，充分激励；（2）R L = 5 Ω，I BQ 同（1）值，I cm = I CQ ；（3）R L = 5Ω，Q 点在负载线中点，激励同（1）值；（4）R L = 5 Ω，Q 点在负载线中点，充分激励。

解：(1) R L = 10 Ω 时，作负载线(由V CE = V CC - I C R L )，取Q 在放大区负载线中点，充分激励，由图得V CEQ1 = 2.6V ，I CQ1 = 220mA ，I BQ1 = I bm = 2.4mA因为V cm = V CEQ1-V CE(sat) = (2.6 - 0.2) V = 2.4 V ，I cm = I CQ1 = 220 mA 所以mW26421cm cm L ==I V P ，P D = V CC I CQ1 = 1.1 W ，ηC = P L / P D = 24%(2) 当 R L = 5 Ω 时，由V CE = V CC - I C R L 作负载线，I BQ 同(1)值，即I BQ2 = 2.4mA ，得Q 2点，V CEQ2 = 3.8V ，I CQ2 = 260mA这时，V cm = V CC -V CEQ2 = 1.2 V ，I cm = I CQ2 = 260 mA 所以 mW15621cm cm L ==I V P ，P D = V CC I CQ2 = 1.3 W ，ηC = P L / P D = 12%(3) 当 R L = 5 Ω，Q 在放大区内的中点，激励同(1)，由图Q 3点，V CEQ3 = 2.75V ，I CQ3= 460mA ，I BQ3 = 4.6mA ， I bm = 2.4mA相应的v CEmin = 1.55V ，i Cmax = 700mA 。

电工与电子技术试题一、填空题（每空1分）1、若各门电路的输入均为A和B.且A=0.B=1；则与非门的输出为_________.或非门的输出为_________。

2、一个数字信号只有________种取值.分别表示为________ 和 ________ 。

3、模拟信号是在时间与幅值上________ 的.数字信号在时间与幅值上是________的。

4、根据逻辑功能的不同特点.逻辑电路可分为两大类: ________ 和 ________。

5、二进制数A=1011010；B=10111.则A-B=＿＿＿＿。

6、组合逻辑电路的输出仅仅只与该时刻的 ________ 有关.而与________ 无关。

7、将________变成________ 的过程叫整流。

8、在单相桥式整流电路中.如果负载平均电流是20A.则流过每只晶体二极管的电流是______A。

9、单相半波整流电路.已知变压器二次侧电压有效值为22V.负载电阻RL=10Ω.则整流输出电压的平均值是______；流过二极管的平均电流是______；二极管承受的最高反向电压是______。

10、三极管是________控制元件.场效应管是________控制元件。

11、逻辑函数Y=(A+B)(B+C)(C+A)的最简与或表达式为 _______。

12、三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时. 与之间的关系。

13、作放大作用时.场效应管应工作在区。

14、放大电路的静态工作点通常是指__、和_。

15、某三级放大电路中.测得Av1=10,Av2=10,Av3=100,总的放大倍数是_。

16、已知某小功率管的发射极电流IE=1.3mA.电流放大倍数=49.则其输入电阻rbe= 。

17. 画放大器的直流通路时应将电容器视为 。

18. 放大器外接一负载电阻RL 后.输出电阻ro 将 。

19. 加法器.R1= Rf=R2=R3=10K Ω, 输入电压V1=10 mv .V2=20 mv .V3=30 mv.则输出电压为 。

电子线路试题及答案 HUA system office room 【HUA16H-TTMS2A-HUAS8Q8-HUAH1688】电工与电子技术试题一、填空题（每空1分）1、若各门电路的输入均为A和B，且A=0，B=1；则与非门的输出为_________，或非门的输出为_________。

2、一个数字信号只有________种取值，分别表示为________ 和 ________ 。

3、模拟信号是在时间与幅值上________ 的，数字信号在时间与幅值上是________的。

4、根据逻辑功能的不同特点，逻辑电路可分为两大类: ________ 和 ________。

5、二进制数A=1011010；B=10111，则A-B=＿＿＿＿。

6、组合逻辑电路的输出仅仅只与该时刻的 ________ 有关，而与________ 无关。

7、将________变成________ 的过程叫整流。

8、在单相桥式整流电路中，如果负载平均电流是20A，则流过每只晶体二极管的电流是______A。

9、单相半波整流电路，已知变压器二次侧电压有效值为22V，负载电阻RL=10Ω，则整流输出电压的平均值是______；流过二极管的平均电流是______；二极管承受的最高反向电压是______。

10、三极管是________控制元件，场效应管是________控制元件。

11、逻辑函数Y=(A+B)(B+C)(C+A)的最简与或表达式为 _______。

12、三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V C E 一定时， 与之间的关系。

13、作放大作用时，场效应管应工作在 区。

14、 放大电路的静态工作点通常是指_ _、 和_ 。

15、 某三级放大电路中，测得Av1=10,Av2=10,Av3=100,总的放大倍数是 _。

16、已知某小功率管的发射极电流IE=1.3mA ，电流放大倍数=49，则其输入电阻rbe= 。

17. 画放大器的直流通路时应将电容器视为 。