苏州大学硕士学位论文SiO<,x>N<,y>和SiN<,x>薄膜的结构和光致发光性质研究姓名：***申请学位级别：硕士专业：材料物理与化学指导教师：吴雪梅;诸葛兰剑20040501苎旦型—生墅坠型业塑旦墨塑塑堂墼墼查丝堕堑筮±皇塑些中文摘要硅氧氮薄膜（ＳｉＯ、Ｎ，）是硅集成电路中重要的钝化膜和介质膜，并在超大规模集成电路中得到了越来越多的应用。
而氮化硅薄膜（ｓｉＮ。
）作为一种表面钝化和绝缘薄膜材料，其优异的物理和化学特性引起了广泛的关注。
所以探寻它们是否具有发光的可能性，从而成为合适的硅基发光材料是十分有意义的。
本论文尝试采用双离子束溅射方法，通过改变有关的工艺参数，制备了两种系列的薄膜：ＳｉＯ。
Ｎｙ薄膜署１１ＳｉＮ。
薄膜，并且在Ｎ２气氛保护下适当对它们进行了不同温度的退火处理，然后进行光致发光（ＰＬ）谱的测试，通过ＸＲＤ，ＸＰＳ，ＦＴＩＲ等测试手段分析了薄膜的结构和表面状况，并与光致发光的结果进行了对比研究。
光致发光（ＰＬ）谱的研究结果表明，在２２５ｎｍ波长的光的激发下，ＳｉＯ。
Ｎ，薄膜的主要发光峰位位于６００ｍｎ（２．０６ｅＶ）。
ＳｉＮ。
薄膜的主要发光峰位位于４７０ｎｍ（２．６ｅＶ），５２０ｎｍ（２．４ｅＶ）年Ｎ６２０ｎｍ（２．０ｅＶ）。
结合光致发光激发谱（ＰＬＥ）和薄膜结构以及退火对发光峰位影响方面的分析，对其可能的发光机理进行了初步的探讨。
认为所制备的ＳｉＯ。
Ｎ，薄膜样品中的发光来源于与Ｎ有关的缺陷，并且根据ＳｉＮ。
的能带结构，我们建立了发光模型来解释了各个发光峰的来源。
关键词：光致发光，双离子束溅射，退火，缺陷态作者：成珏飞指导教师：吴雪梅诸葛兰剑Ｔ—ｈ—ｅ—ｍ——ｉｃ—ｒ—ｏ—ｓ—ｔｒ—ｕ—ｃ—ｔｕ——ｒｅ——ａ—ｎ—ｄ—ｐ—ｈ—ｏ—ｔ—ｏ—ｔ—ｕ—ｍ—ｉ—ｎ—ｅ—ｓ—ｃ—ｅｎ—ｃ—ｅ——ｏ—ｆ—ｓ—ｉ—ｌｉ—ｃ．ｏ—ｎ—ｏ—ｘ—ｙ—ｎ—ｉ—ｔｒ—ｉ—ｄ—ｅ—ａ—ｎ—ｄ．—ｓ—ｉｌ—ｉｃ—ｏ—ｎ——ｎ—ｉｔ—ｒ—ｉｄ—ｅ——ｔｈ——ｉｎ——ｆｉ—ｌ—ｍ—————————————————Ａ—ｂ—ｓ—ｔ—ｒａ—ｃ—ｔ—一ＴｈｅｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅａｎｄｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅｏｆｓｉｌｉｃｏｎｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅａｎｄｓｉｌｉｃｏｎｎｉｔｒｉｄｅｔｈｉｎｆｉｌｍＡｂｓｔｒａｃｔＳｉＯｘＮｙａｎｄＳｉＮｘｔｈｉｎｆｉｌｍｓｈａｖｅｄｅｓｅｒｖｅｄｇｒｅａｔａｔｔｅｎｔｉｏｎｄｕｅｔｏｔｈｅｉｒｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｃａｌｉｍｐｏｒｔａｎｃｅｆｏｒａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｉｎｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，ａｓｗｅｌｌａｓｉｎｏｐｔｉｃｓａｎｄｍｅｃｈａｎｉｃｓ．Ｔｈｅｒｅｆｏｒｅ，ｉｔｉｓｉｍｐｏｒｔａｎｔｔｏｓｔｕｄｙｔｈｅｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆｔｈｅｉｒｌｉｇｈｔｅｍｉｓｓｉｏｎ．ＴｗｏｓｅｒｉｅｓｏｆｔｈｉｎｆｉｌｍｓｏｆＳｉＯｘＮｙａｎｄＳｉＮｘｗｅｒｅｍａｄｅａｔｒｏｏｍｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｕｓｉｎｇａｄｕａｌｉｏｎｂｅａｍｃｏ—ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇｓｙｓｔｅｍ．ＳｏｍｅｆｉｌｍｓｗｅｒｅａｎｎｅａｌｅｄｉｎＮ２ａｍｂｉｅｎｃｅｆｏｒａｎｈｏｕｒａｔｄｉｆｆｅｒｅｎｔｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｓ．Ｔｈｅｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ（ＰＬ）ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆｔｗｏｋｉｎｄｓｏｆｆｉｌｍｓｗｅｒｅｓｔｕｄｉｅｄ，ｗｈｉｌｅｔｈｅｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｏｆｆｉｌｍｓｗａｓｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚｅｄｂｙＸＲＤ，ＸＰＳ，ＦＴＩＲａｎｄｓｏｏｎ．ＩｎＳｉＯｘＮｖｆｉｌｍｓ，ａｎｉｎｔｅｎｓｅｓｉｎｇｌｅＰＬｐｅａｋａｔ６００ｎｔｏ（２．０６ｅＶ）ｗａｓｏｂｓｅｒｖｅｄｕｎｄｅｒｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔｅｘｃｉｔａｔｉｏｎ（Ｅｘ＝２２５ｎｍ）．ＴｈｅｒｅａｒｅｔｈｒｅｅＰＬｐｅａｋｓａｔ４７０ｎｍ（２．６ｅＶ），５２０ｒｉｍ（２．４ｅＶ）ａｎｄ６２０ｎｍ（２．０ｅＶ）ｆｏｒＳｉＮ。
