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晶体管低频噪声参数测试方法
晶体管低频噪声参数测试方法通常包括以下步骤：1. 准备测试设备：购买或准备测试台，包括信号源、功率放大器、频谱分析仪等。
2. 搭建测试电路：将晶体管与测试电路相连，以便对其低频噪声进行测试。
确保电路连接良好，没有松动或接触不良的情况。
3. 设置测试条件：根据测试需求，设置合适的工作温度、电源电压和工作电流。
4. 测试信号源：使用测试设备中的信号源，产生适当频率的输入信号。
5. 测试电路参数：通过功率放大器放大输入信号，进一步改善信噪比，从而能够更精确地测量晶体管的低频噪声。
6. 测试低频噪声：使用频谱分析仪对放大后的信号进行测量，并记录下低频噪声的数值。
7. 数据分析与处理：对测得的低频噪声数据进行分析和处理，包括计算平均值、标准差等统计参数。
需要注意的是，在晶体管低频噪声参数测试过程中，为了获得准确的结果，需要注意测试环境的干扰、信号源的稳定性、电路的可靠性等因素。
另外，还可以参考相关的标准和指南，以确保测试过程的准确性和一致性。
晶体管直流参数测量晶体管直流参数测量是对晶体管的直流工作状态进行精确测量的过程，通过测量晶体管的直流参数，可以了解晶体管的工作特性和性能，为电路设计和制造提供重要的参考。
以下是关于晶体管直流参数测量的一些内容，旨在帮助您理解该过程的基本原理和方法。
首先，晶体管的直流参数通常包括：输入电阻（RI）、输出电阻（RO）、转移电阻（hFE）、饱和电流（IS）、饱和电压（VSAT）等。
这些参数决定了晶体管在电路中的功耗、增益和稳定性等性能。
测量晶体管的直流参数可以使用万用表、直流电压源和恒流源等仪器和设备。
下面将介绍一些常用的测量方法。
1.输入电阻的测量：输入电阻是指晶体管的输入端电压与输入端电流的比值。
为了测量输入电阻，可以将晶体管的基极和发射极断开，并用直流电压源施加一个小信号电压（VBE）作为输入电压，然后测量输入电流（IBE）并计算输入电阻（RI）。
2.输出电阻的测量：输出电阻是指晶体管的输出端电压与输出端电流的比值。
为了测量输出电阻，可以将晶体管的基极和集电极断开，并用直流电压源施加一个小信号电压（VCE）作为输出电压，然后测量输出电流（IC）并计算输出电阻（RO）。
3.转移电阻的测量：转移电阻是指晶体管的集电极电流与基极电流的比值。
为了测量转移电阻，可以将晶体管的集电极和发射极断开，并使用恒流源施加一个小信号电流（IB）作为输入电流，然后测量集电极电流（IC）并计算转移电阻（hFE）。
4.饱和电流和饱和电压的测量：饱和电流是指晶体管的集电极电流达到最大值时的电流，饱和电压是指晶体管在饱和工作区时的电压。
可以使用恒流源和恒压源来测量饱和电压和饱和电流。
通过改变基极电流或集电极电压的大小，并观察晶体管的工作状态，可以确定饱和电流和饱和电压的值。
总结起来，晶体管直流参数的测量需要用到各种仪器设备，并且需要根据测量的参数类型选择合适的测量方法。
在实践操作中，需要注意测量精度、测量环境的稳定性和测量的实际情况等因素，以确保测量结果的准确性。
晶体管特性测试实验报告-V1晶体管是现代电子技术中不可或缺的元器件之一。
测试晶体管的特性可以帮助我们了解其工作原理，为电路设计和故障排查提供帮助。
下面是一份关于晶体管特性测试的实验报告整理。
一、实验目的1.学习晶体管的基本特性及工作原理。
2.掌握测试晶体管的基本方法。
3.测量晶体管的放大系数、截止频率、饱和电压等参数。
二、实验设备和材料1.数字万用表2.信号源3.双踪示波器4.晶体管5.电源三、实验步骤1.测试晶体管的基本特性将测试极间直流电压逐步加大，观察晶体管的正向放大特性和反向截止特性。
2.测量晶体管放大系数通过计算基极电流和集电极电流之比，得到晶体管的放大系数。
3.测量晶体管的截止频率利用信号源产生一定频率的交流信号，通过双踪示波器测量出晶体管的截止频率。
4.测量晶体管的饱和电流将测试极间的电压调节到最小值，通过记录电流大小来计算出晶体管的饱和电压。
四、实验结果1.测试晶体管的基本特性时，我们观察到晶体管的正向放大特性非常明显，但反向电流很小，可以认为是无穷大。
这说明晶体管在正向工作时具有放大作用，在反向工作时具有截止作用。
2.测量晶体管的放大系数为150，这表明当基极电流变化1毫安时，集电极电流变化了150毫安，说明晶体管有很好的放大效果。
3.测量晶体管的截止频率为2MHz。
这也说明了晶体管的高频特性能力，在频率高于2MHz时，晶体管的放大作用将逐渐降低。
4.测量晶体管的饱和电压为1V。
这意味着在晶体管的基极到集电极之间，当电压小于1V时，晶体管将不再工作。
五、实验结论通过本次实验，我们了解了晶体管的基本特性、测试方法和关键参数的测量。
可以发现，晶体管的放大系数、截止频率和饱和电压等参数非常重要，对于电路的设计和故障排查都有很大的帮助。
晶体管测试仪使用方法
晶体管测试仪是一种用于测试晶体管性能和功能的设备。
以下是晶体管测试仪的使用方法：
1. 准备工作：
- 确保晶体管测试仪的电源已接通并处于工作状态。
- 将待测试的晶体管正确插入测试仪的测试座，并确保与测试仪的接口连接牢固。
2. 设置测试参数：
- 通过测试仪的控制面板或操作界面，设置需要测试的参数，如电压、电流、频率等。
这些参数根据测试需求和晶体管规格进行设置。
3. 进行测试：
- 将测试仪的测试电源接通，并调整到适当的电压、电流或频率值。
- 开始测试时，观察测试仪的显示屏或指示灯，确保测试仪正常工作。
- 确保测试过程中晶体管没有异常现象，如短路、过载等。
如果发现异常，及时停止测试并检查故障原因。
4. 结果分析：
- 将测试仪测量得到的数据记录下来，包括电压、电流、频率等。
- 根据测试结果进行分析，判断晶体管的性能和功能是否符合要求。
常见的
测试项目包括开关特性、放大特性、输入输出特性等。
5. 维护保养：
- 测试完成后，及时关闭测试仪的电源，并进行清洁和保养。
如清除灰尘、调整测试座位等，以确保下次测试的准确性和可靠性。
- 定期检查测试仪的各个部件和连接线，确保其正常工作和连接牢固。
请注意，以上是一般的晶体管测试仪使用方法，不同型号和品牌的测试仪可能会有一些细微的差异。
在使用前请仔细阅读测试仪的说明书，并遵循厂家提供的操作指南。
晶体管测试仪使用方法晶体管测试仪是一种用于检测和测试晶体管性能的仪器。
晶体管测试仪可以帮助我们了解晶体管的工作状态和参数，从而判断其是否正常工作，以及是否符合设计要求。
下面是晶体管测试仪的使用方法的详细介绍。
首先，使用晶体管测试仪之前，我们需要准备好所需的设备和材料。
除了晶体管测试仪本身外，还需要晶体管样品和连接晶体管的测试电路。
同时还需要一些测试引线和测试探头。
在使用晶体管测试仪之前，我们需要确保仪器和测试电路的电源已经连接好，并检查各个连接口和电源线是否牢固。
接下来，我们可以按照以下步骤来使用晶体管测试仪。
第一步是将待测的晶体管样品插入晶体管测试仪的测试插槽中。
在插入之前，需要先检查晶体管的引脚是否正确对应测试插槽的引脚。
插入晶体管后，要确保其引脚与测试插槽的引脚有良好的接触。
接下来，我们可以选择所需的测试模式和测量范围。
晶体管测试仪通常具有多种测试模式和测量范围可供选择，以适应不同类型和参数的晶体管。
通过仪器面板上的旋钮或按钮，我们可以选择所需的测试模式和测量范围，并通过仪器上的显示屏来查看测试结果。
在选择测试模式和测量范围之后，我们需要根据具体的测试要求和参数设置一些测试条件。
例如，我们可以设置测试的输入电压或电流的大小，以及测试的频率范围等。
这些测试条件可以通过仪器上的按钮或旋钮进行设置。
接下来，我们可以启动晶体管测试仪，并进行测试。
在测试过程中，我们需要仔细观察仪器上显示的测试结果，并记录下来。
同时，我们还可以通过仪器上的其他功能和参数来了解晶体管的更多信息，如输出功率、增益、频响等。
最后，在测试完成后，我们需要通过仪器上的按钮或旋钮来停止测试，并将测试结果进行保存和记录。
同时，还需要将晶体管从测试插槽中取出，并确保其他连接线和测试电路的电源已经关闭。
总结一下，晶体管测试仪是一种用于检测和测试晶体管性能的仪器。
在使用晶体管测试仪之前，我们需要准备好所需的设备和材料，并确保仪器和测试电路的电源已经连接好。
矿产资源开发利用方案编写内容要求及审查大纲
矿产资源开发利用方案编写内容要求及《矿产资源开发利用方案》审查大纲一、概述
㈠矿区位置、隶属关系和企业性质。
如为改扩建矿山, 应说明矿山现状、
特点及存在的主要问题。
㈡编制依据
(1简述项目前期工作进展情况及与有关方面对项目的意向性协议情况。
(2 列出开发利用方案编制所依据的主要基础性资料的名称。
如经储量管理部门认定的矿区地质勘探报告、选矿试验报告、加工利用试验报告、工程地质初评资料、矿区水文资料和供水资料等。
对改、扩建矿山应有生产实际资料, 如矿山总平面现状图、矿床开拓系统图、采场现状图和主要采选设备清单等。
二、矿产品需求现状和预测
㈠该矿产在国内需求情况和市场供应情况
1、矿产品现状及加工利用趋向。
2、国内近、远期的需求量及主要销向预测。
㈡产品价格分析
1、国内矿产品价格现状。
2、矿产品价格稳定性及变化趋势。
三、矿产资源概况
㈠矿区总体概况
1、矿区总体规划情况。
2、矿区矿产资源概况。
3、该设计与矿区总体开发的关系。
㈡该设计项目的资源概况
1、矿床地质及构造特征。
2、矿床开采技术条件及水文地质条件。
晶体管测试仪使用说明一、准备工作1.将晶体管测试仪放置在平稳的台面上，并插入电源插头。
2.确保晶体管测试仪的电源开关处于关闭状态。
二、连接测试电路1.将待测晶体管正确插入测试仪的晶体管插座中，确保引脚与插座相对应。
2.连接测试电路。
根据待测晶体管的类型和测试要求，将测试仪的输入和输出端子连接到电路中。
可以通过连接线将测试仪的输入端子与输入信号源连接，将输出端子与负载电阻连接。
三、调整测试仪参数1.打开晶体管测试仪的电源开关，待测试仪开始运行。
2.调整测试仪的工作模式。
根据待测晶体管的类型和测试要求，设定测试仪的工作模式，例如共射、共基或共集模式。
3.调整输入信号源的频率和幅值。
根据测试要求，设定输入信号源的频率和幅值。
可以通过测试仪上的旋钮或按钮进行调节。
四、进行测试1.运行测试仪，开始测试。
根据测试仪的提示或指示灯，逐步进行测试。
2.测试参数的测量。
根据测试仪的操作说明，逐个测量待测晶体管的参数，例如电流放大倍数、输出阻抗和截止频率等。
可以使用测试仪上的按钮或旋钮进行参数测量，并观察测试仪的显示屏或指示灯。
五、结束测试1.结束测试。
根据测试要求，停止输入信号源的工作，并将测试仪的电源开关关闭。
2.拔出待测晶体管。
轻轻拔出待测晶体管，注意不要损坏晶体管或测试仪的插座。
3.关闭电源。
将晶体管测试仪的电源开关关闭，并拔出电源插头，以确保安全和省电。
六、注意事项1.在进行测试之前，确保待测晶体管和测试电路没有电流，并断开电源。
2.在测试时，可以参考晶体管的参数手册，并根据其引脚配置和测试要求进行正确连接和调整。
3.在进行高频测试时，尽量减少测试线的长度，以减少信号衰减和干扰。
4.在使用过程中，注意安全，避免触摸高压或高温区域。
5.使用完毕后，及时清理晶体管测试仪上的灰尘和杂物，并妥善保管，以确保下次使用时的正常运行。
晶体管的简单快速测试法
许多电子爱好者、修理部、门市部、工厂废品库都存有大量各种极性和型号的晶体管，不知其好坏，即不知道能否业余使用；也不知极性是PNP或NPN；有的虽有标记，却是国外的，从型号上也分辨不出极性和种类。
下图电路是晶体管测试仪电路中最简单而测量速度最快的一种。
BG1是NPN管，BG2是PNP管。
两只晶体管组成一个互补音频振荡器。
电阻R的阻值决定音调的高低，选择合适的阻值，使电路产生最悦耳的音调频率。
两只晶体管用插座接入电路（可用一只小型七脚电子管管座）。
先用已知良好的两只不同极性的晶体管插入管座，使电路正常工作。
鉴别未知管时，拔下一只已知管如PNP管，就可鉴别PNP管。
插入一只未知管，如扬声器中无振荡声，表明刚插入的管子是坏的或者是NPN管（极性不对），待所有的好PNP管挑选出以后，再将振荡器上的已知NPN管拔下，把原来拔下的已知PNP管插回原处，把上面挑剩下的管子(扬声器不发声）再测试一遍，分出NPN 管和坏管。
当挑选电视机用的晶体管时，最好将电源电压升到12 ~15V，这样更符合电视机中晶体管的实际工作状态，提高所选管子的上机百分率。
需要指出的是，这里介绍的方法只能判断被测管极性和是否有放大能力。
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实验二晶体管测试一、实验目的：1．熟悉晶体二极管、三极管和场效应管的主要参数。
2．学习使用万用电表测量晶体管的方法。
3．学习使用专用仪器测量晶体管的方法。
二、实验原理：（一）晶体管的主要参数：晶体管的主要参数分为三类：直流参数、交流参数和极限参数。
其中极限参数由生产厂规定，可以在器件特性手册查到，直接使用。
其它参数虽然在手册上也给出，但由于半导体器件的参数具有较大的离散性，手册所载参数只能是统计大批量器件后得到的平均值或范围，而不是每个器件的实际参数值。
因为使用晶体管时必须知道每个管子的质量好坏和某些重要参数值，所以，测量晶体管是必须具备的技术。
下面结合本次实验内容，简介晶体管的主要参数。
1．晶体二极管主要参数：使用晶体二极管时需要了解以下参数：（1）最大整流电流I F ：二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流，由手册查得。
（2）正向压降V D ：二极管正向偏置，流过电流为最大整流电流时的正向压降值，可用电压表或晶体管图示仪测得。
（3）最大反向工作电压V R ：二极管使用时允许施加的最大反向电压。
可用电压表或晶体管特性图示仪测得反向击穿电压V(BR) 后，取其1∕2即是。
（4）反向电流I R：二极管未击穿时的反向电流值。
可用电流表测得。
（5）最高工作频率f M ：一般条件下较难测得，可使用特性手册提供的参数。
（6）特性曲线：二极管特性曲线可以直观地显示二极管的特性。
由晶体管特性图示仪测得。
2．稳压二极管主要参数：稳压二极管正常工作时，是处在反向击穿状态。
稳压二极管的参数主要有以下几项：（1）稳定电压V Z：稳压管中的电流为规定电流时，稳压管两端的电压值。
手册虽然给出了每种型号稳压二极管的稳定电压值，但此值的离散性较大，所以手册所给只能是一个范围。
此值必须测定后才能使用稳压二极管。
可用万用电表或晶体管特性图示仪测量。
（2）稳定电流I Z：稳压管正常工作时的电流值，参数手册中给出。
使用晶体管特性图示仪测量此项参数比较方便，可直接观察到稳压管有较好稳压效果时对应的电流值，便是此值。
（3）动态电阻r Z ：稳压管两端的电压V Z 和流过稳压管的电流I 的变化量之比，可用电压表、电流表共同测得，或用晶体管特性图示仪测得，用下式计算：IV r ZZ ∆∆=（4）额定功耗P Z ：由生产厂规定，可由特性手册中查到。
3．晶体三极管主要参数：（1）直流电流放大系数-β：可用电流表或晶体管特性图示仪测得集电极电流I C 和基极电流I B 后算出，也可用数字万用表的H FE 档测得。
计算公式：BCE C I I I -=β-式中I CE0是三极管的穿透电流。
当此值很小时，可以使用下式：BCI I ≈β-数字万用表的H FE 档是专用来测量晶体三极管-β值的。
其提供的测试条件为：基极电流I B 约10μA 、VCC 约2.8V 。
其测得值不太精确，只能作为参考。
（2）穿透电流I CE0 ：基极开路时的I C 值，此值反映了三极管的热稳定性，越小越好。
用电流表测得。
（3）交流电流放大系数β ：I C 与I B 的变化量之比。
可由电流表或晶体管特性图示仪测得ΔI C 和ΔI B 后根据下式计算：BCI I ∆∆=β 该参数也可表为h fe 。
两者略有区别：β是指对应实际工作条件时的ΔI C 与ΔI B 之比，而h fe 是指在给定条件下（一般由生产厂给定）的ΔI C 与ΔI B 之比。
β与h fe 的值基本相等，所以在使用时常常不予区别。
（4）反向击穿电压BV CE0 ：基极开路时，C 、E 之间的击穿电压。
也可表示为 U （BR ）CE0 。
在使用中是一项重要的参数，可由电流表、电压表配合测得。
使用晶体管特性图示仪测量十分方便。
测量时应注意集电极功耗电阻应取10K 以上，避免击穿时集电极电流过大，使被测三极管因功耗过大烧毁。
（5）其它参数或在一般条件下不易测得，或在使用中意义不大，不再介绍。
如果在使用中用到，可由三极管参数手册查阅。
4．场效应管的主要参数（1）饱和漏电流（I DSS ）：这是结型（JFET ）或耗尽型场效应管（MOSFET ）的一项重要参数，是指场效应管栅源电压（V GS ）为零时的漏极电流（I D ）。
可用电流表或晶体管图示仪测得。
（2）夹断电压（V P 或U GS(off)）：结型或耗尽型场效应管的重要参数，是指当结型场效应管栅—源之间加足够高的负偏压时，导电沟道完全闭合，漏极电流近似为零时的栅源电压（V GS ），可用万用表或晶体管图示仪测得。
实测时，为便于测量，规定V P 对应的最小漏极电流值。
（3）开启电压（V on 或U GS(th)）：这是增强型MOS 场效应管的一项重要参数，是指漏源电压（V DS ）为固定数值条件下，能建立导电沟道，产生漏极电流（I D ）所需的最小GS V 值。
（4）低频跨导（g m ）：这是反映场效应管放大能力的一项参数，可用万用表或晶体管图示仪测得。
定义：在V DS 为固定值的条件下，GSDm V I g ∆∆=（S 或mA ∕V ） 其它参数的定义和测试方法与晶体三极管差不多。
（二）使用万用电表电阻档测量晶体管：指针式万用电表（500型）的“电阻档”，可测量元件的电阻值。
其原理为：万用表内部电池作为测量电源，流过被测元件的电流使指针偏转，根据欧姆定律制作表盘的“电阻档”刻度，因此可以根据表盘刻度直接读出被测器件的电阻值。
当被测电阻的阻值为零时，指针偏转最大（满度）。
万用表Ω×1～Ω×1K 档使用内部的1.5V 电池，Ω×10K 档使用内部的9V 电池。
由图2.1可以看出，万用表的黑表笔连接内部电池的正极，红表笔连接内部电池的负极，使用时应该注意。
使用指针式万用电表测量半导体器件，是借用万用电表内部的电池作为测量电源，根据指针偏转的情况判断晶体管的某些参数。
由于“电阻档”不是专门为测量晶体管而设计的，所以其电阻档的读数没有实际意义，只能作定性的判别。
数字式万用表（890型）具有专门测量晶体二极管和晶体三极管的功能，它的。
)))档可用于测量二极管PN 结的单向导电性。
该档的显示值大约等于二极管正向导通压降（mV ）。
测试条件为：正向电流约1mA ，开路电压约2.8V 。
数字万用表的表笔颜色与内部电池的极性一致，即：红表笔接内部电池的正极，黑表图2.1 万用表..笔接内部电池的负极。
数字万用表的H FE 档用于测量晶体三极管的-β值，测试条件为：I B ≈10μA ，VCC ≈2.8V 。
1．二极管的测量：一个质量好的二极管，应该是反向电阻趋于无穷大，正向电阻越小越好。
（1）使用指针式万用表：使用指针式万用表测量二极管，通过测量二极管PN 结的单向导电性来判断二极管的引脚极性和质量好坏。
使用Ω×1K 档，测量二极管的正、反向电阻，测得的电阻值越小，说明电路中的电流越大，导电性能越好；电阻值大，说明电路中的电流小，导电性能差。
当电阻值小时，二极管处于正向导通状态，这时黑表笔连接的引脚是二极管的正极。
见示意图2.2 。
好的硅二极管应该是反向电阻无穷大，正向电阻小于10K Ω。
（2）使用数字万用表：使用数字万用表的。
)))档，可以测量二极管的正向导通电压。
当电表指示数字最高位为“1”，其它位空白时，表示被测电路的电阻无穷大，三极管处于反向截止状态；当指示为3位数时，为正向导通状态，其显示的数值约等于二极管的正向导通电压毫伏（mV ）值。
在正向导通状态，红表笔连接的是二极管正极。
2．稳压管的测量：在外加反向电压小于“反向击穿电压”时，稳压管的特性如普通二极管，可用上述方法检测其正、反向电阻，来判断是否损坏，以及判断引脚极性。
由于500型指针万用表的Ω×10K 档使用9V 电池，因此对于稳压值小于9V 的稳压管，如果使用Ω×10K 档来测量，则正、反向都会导通。
3．发光二极管（LED ）的测量：同普通二极管。
但由于发光二极管的正向导通电压约2V ，因此使用指针式万用表测量时，必须使用Ω×10K 档。
如果使用Ω×1K 档测量，正、反向都不导通。
4．三极管的测量：三极管是由两个PN 结（发射结、集电结）组成的器件，一般具有3个引脚（某些型号三极管（例如3DG56型）具有四只引脚，其中一个脚接管壳，供接地屏蔽用）。
使用万用表可以..图 2.2 测量二图2.3 晶体三极管内部PN 结结构NP N ebc（a）NPN 型三极管.PN P ebc（b）PNP 型三极管.判别三极管的极性（NPN 或PNP 型）、管脚（e 、b 、c ）和估计三极管的性能好坏。
图2.3所示为NPN 和PNP 型晶体三极管的PN 结结构。
根据图示结构，可以使用万用电表区分出三极管的极性和接脚。
以下的测量方法适用于数字表和指针表。
（1）区分三极管的基极b ：由图2.4可以看出，如果在c 、e 之间加测量电压，无论电源方向如何，总有一个PN 结处于反向偏置状态，电路不会导通。
测量方法：用万用表的红、黑表笔分别接触三极管的任意两个管脚，测量一次后，如果电阻值无穷大（指针表的表针不动；数字表只显示“1”），则将红、黑表笔交换，再测这两个管脚一次。
如果两次测得的电阻值都是无穷大，说明被测的两个管脚是集电极c 和发射极e ，剩下的一个则是基极b 。
如果在两次测量中，有一次的阻值不是无穷大，则换一个管脚再测，直到找出正、反向电阻都大的两个管脚为止。
（如果在三个管脚中找不出正、反向电阻都大的两个管脚，说明三极管已经损坏，至少有一个PN 结已经击穿短路。
）要想区别e 和c ，需要测出三极管的极性后再进一步测量。
（2）区分三极管的极性（NPN 、PNP ）： 测出三极管的基极b 后，通过再次测量来区分三极管是NPN 型还是PNP 型。
由图2.5可知：当在基极加测量电压的正极时，NPN 管的基极对另外两个极都是正向偏置，而PNP管的基极对另外两个极都是反向偏置。
所以测量方法如下：将万用表的正表笔（指针表的黑表笔；数字表的红表笔）接触已知的基极，用另一支表笔分别接触另外两个管脚，如果另外两个管脚都导通，说明被测管是NPN 型，否则是PNP 型。
（3）测量三极管是否损坏：三极管的损坏，是因为三极管的PN 结损坏所致。
PN 结的损坏分为两种情况：短路和断路。
短路是指PN 结失去“单向”导电性，成为通路，正、反向电阻都近似为零；断路是指PN 结内部开路，电阻无穷大。
使用万用表判别三极管是否损坏，就是通过测量三极管的发射结和集电结是否具有单向导电性来判别三极管的好坏。
在以上两项的测量中，可以发现是否有PN 结损坏。
损坏的PN 结或者是正、反向电阻都趋于零，或正、反向电阻都无穷图2.5 区分三极管的极性（a）NPN 型三极管.（b）PNP 型三极管.正极负极正极负极负极负极图2.4 测量三极管PN 结（a）NPN 型三极管.（b）PNP 型三极管.红表笔黑表笔红表笔黑表笔大，由此可以判别三极管是否损坏。
