SoC设计第11章

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电流主要由以下几部分组成:
PN结反向电流I1(PN-junction Reverse Current) 源极和漏极之间的亚阈值漏电流I2(Sub-threshold Current) 栅 极 漏 电 流 , 包 括 栅 极 和 漏 极 之 间 的 感 应 漏 电 流 I3 ( Gate Induced Drain Leakage) 栅极和衬底之间的隧道漏电流I4(Gate Tunneling)
• 便携式设备——电池寿命 • 桌面系统——高功耗 • 高功耗对系统的影响
系统可靠性 系统性能 系统生产及封装成本 系统散热成本
内容大纲
• 为什么需要低功耗设计 • 功耗的类型 • 低功耗设计方法 • 低功耗技术 • 低功耗分析和工具 • 低功耗设计趋势
功耗的类型
• 负载电容充放电时引起的功耗,称为动态功耗
SoC设计方法与实现
第十一章
低功耗设计
内容大纲
• 为什么需要低功耗设计 • 功耗的类型 • 低功耗设计方法 • 低功耗技术 • 低功耗分析和工具 • 低功耗设计趋势
内容大纲
• 为什么需要低功耗设计 • 功耗的类型 • 低功耗设计方法 • 低功耗技术 • 低功耗分析和工具 • 低功耗设计趋势
为什么需要低功耗设计
电压优化——体偏置
用于体偏置的三阱结构MOS管
电压优化——多电压
多电压设计
门控时钟技术
• 预计算 • 门控时钟
• 预计算是指通过判断输入向量在满足一些特定条件
时将输入释放或屏蔽
门控时钟技术——预计算
简单的停时钟电路
门控时钟技术——门控时钟
• 门控时钟即用逻辑门电路控制模块时钟的停或开
简单停时钟电路
门级优化技术——控制输入向量
不同的输入向量条件下漏电流差别
门级优化技术——控制输入向量
控制输入向量的方法
低功耗SoC系统的动态管理
• 动态电压及频率调节技术 • 低功耗操作系统
• 存储器功耗控制
动态电压及频率调节技术
• 动 态 电 压 及 动 态 频 率 调 节 (DVFS , Dynamic
• 概率仿真:通过估计信号的转换概率进行功耗的仿

• 统计仿真:基于Monte Carlo的仿真方式
业界流行的功耗估计工具及其特点
内容大纲
• 为什么需要低功耗设计 • 功耗的类型 • 低功耗设计方法 • 低功耗技术 • 低功耗分析和工具 • 低功耗设计趋势
低功耗设计趋势
• 系统层次上的低功耗设计 • 测试电路的低功耗设计
低功耗SoC设计技术的综合考虑
低功耗技术对功耗与设计复杂度的影响
内容大纲
• 为什么需要低功耗设计 • 功耗的类型 • 低功耗设计方法 • 低功耗技术 • 低功耗分析和工具 • 低功耗设计趋势
功耗度量
• 峰值功耗:系统所能达到的功耗的最大值,主要用
来调整电源线的宽度和噪音的容限
• 平均功耗:系统在运行过程中的平均功耗,主要用
• 异步电路设计技术 • 内存的低功耗设计
系统层次上的低功耗设计
• 静态功耗优化
在编译时充分考虑指令的功耗特性,合理配置数据段和 指令段在内存中的位置,并调整寄存器的分配;提高算 法的执行效率;合理实现任务调度,减少由于频繁的上 下文切换所造成的功耗 操作系统支持下的动态功耗管理和动态电压频率缩放 前者是指将处于空闲状态或非满负荷运转状态的系统单 元有选择的关闭或减慢运行速度。这主要有几种方式: 基于超时(Timeout-based)的关闭策略、基于预测的 关闭策略和基于Markov链的随机动态功耗管理策略
门级优化技术——逻辑级优化
• 调整门的大小 • 引脚的重分配
• 重排序操作 • 重新映射
门级优化技术——物理级优化
• 物理级优化主要通过减少翻转和减少负载电容来降
低系统的功耗
• 物理级优化主要有以下几种方法:
使用低功耗的库 设计低功耗的布局规划 基于功耗优化的布局规划 通过布局布线来减少毛刺 在优化布局的时候调整缓冲器和连线的大小 调整晶体管的大小减少负载电容
Voltage and Dynamic Frequency Scaling) 技术是一种通过将不同电路模块的工作 电压及工作频率调低到恰好满足系统最低要求,来 实时降低系统中不同电路模块功耗的方法
• 该技术基于这样一种观察结果,即电路模块中的最
大时钟频率和电压是紧密相关的
低功耗操作系统
加入了功耗管理机制的操作系统
存储器功耗控制
• 存储器单元的优化,包括减小漏电流,如双阈值的
SRAM 单元、门控电源的 SRAM 单元或者门控接 地的SRAM单元等,使用功耗可控的DRAM
• 分层的存储器,将一大块存储器划分为几个单独时
钟和电压可控的小段,使用小段,每一个存储器段 都工作在不同的功耗模式下
• 存储器管理使用多种功耗状态
测试模式下门控时钟单元被旁路
门控时钟的时钟树设计
在时钟树的根处停GCLK
门级优化技术
• 毛刺的消除 • 逻辑级优化
• 物理级优化 • 控制输入向量
• 这里的毛刺是指由于电路中信号的传输延迟引起的
不必要的翻转,它的存在会引起很大的动态功耗
门级优化技术——毛刺的消除
消除毛刺前的电路
消除毛刺后的电路
静态功耗
Pleakge VDD I leak
漏电流
CMOS工艺的发展与功耗的变化
TSMC和BPTM的工艺下晶体管的各种参数
CMOS工艺的发展与功耗的变化
在不同工艺下的MOS管漏电流的组成
CMOS工艺的发展与功耗的变化
不同电压、不同工艺、不同频率及不同晶体管数目下 CMOS电路的功耗实例(源自Intel)
SoC中的主要功耗
两个典型的SoC系统中的功耗组成
SoC中的主要功耗
ARM946-S中系统功耗的组成部分
内容大纲
• 为什么需要低功耗设计 • 功耗的类型 • 低功耗设计方法 • 低功耗技术 • 低功耗分析和工具 • 低功耗设计趋势
低功耗反馈的前向设计方法来自各层次优化方法及优化效果
内容大纲
• 为什么需要低功耗设计 • 功耗的类型 • 低功耗设计方法 • 低功耗技术 • 低功耗分析和工具 • 低功耗设计趋势
简单的门控电路产生时钟毛刺
门控时钟技术——门控时钟
使用锁存器停时钟
带锁存器的停时钟单元工作波形图
门控时钟的RTL代码
always @ (CLK or CLK_EN) if (!CLK) CLK_TEMP <= CLK_EN; assign GCLK = CLK & CLK_TEMP;
门控时钟的可测性设计
工艺优化
• 多阈值工艺(Multi-Vt Design)方法 • 电源门控(Power Gating)方法
工艺优化——多阈值工艺
阈值与漏电流的关系
工艺优化——多阈值工艺
一种使用多阈值工艺的设计流程
工艺优化——电源门控方法
电源闸门方法
电压优化
• 体偏置(Body Bias) • 多电压(Multi-Voltage Scaling)
来选择封装方式、冷却装置和电池寿命等
• RMS(平方根法):用来决定电子迁移的规则
电路设计中功耗的估计和方针
• 综合后的功耗估计:一种动态的功耗仿真方式,与
具体的向量相关的,具有很高的精度,但是需要较 长的时间,主要包括RTL级的估计、门级的估计和 晶体管级的估计,需要精确的功耗模型
• 直接仿真:基于时钟周期的功耗仿真方式
翻转功耗是数字电路要完成功能计算所必须消耗的功耗 ,称为有效功耗 短路功耗是由于 CMOS 在翻转过程中 PMOS 管和 NMOS 管同时导通时消耗的功耗,称为无效功耗
• 漏电流引起的功耗,称为静态功耗
动态功耗 静态功耗 1 2 P C VDD f Nsw Qsc VDD f Nsw I leak VDD 2 翻转功耗 短路功耗 漏电流功耗
动态功耗——翻转功耗
CMOS电路中的动态电流
Pswith f N sw

T 0
1 2 P (t )dt C VDD f N sw 2
动态功耗——短路功耗
CMOS电路中的短路电流
Pshort Qx VDD f N sw
• 在CMOS电路中静态功耗主要是由漏电流引起的功耗。漏
• 动态功耗优化
Q&A