尼曼-半导体物理与器件@第四版@对应PPT@第二章
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半导体物理与器件(尼曼第四版)答案第一章:半导体材料与晶体1.1 半导体材料的基本特性半导体材料是一种介于导体和绝缘体之间的材料。
它的基本特性包括:1.带隙:半导体材料的价带与导带之间存在一个禁带或带隙,是电子在能量上所能占据的禁止区域。
2.拉伸系统:半导体材料的结构是由原子或分子构成的晶格结构,其中的原子或分子以确定的方式排列。
3.载流子:在半导体中,存在两种载流子,即自由电子和空穴。
自由电子是在导带上的,在外加电场存在的情况下能够自由移动的电子。
空穴是在价带上的,当一个价带上的电子从该位置离开时,会留下一个类似电子的空位,空穴可以看作电子离开后的痕迹。
4.掺杂:为了改变半导体材料的导电性能,通常会对其进行掺杂。
掺杂是将少量元素添加到半导体材料中,以改变载流子浓度和导电性质。
1.2 半导体材料的结构与晶体缺陷半导体材料的结构包括晶体结构和非晶态结构。
晶体结构是指材料具有有序的周期性排列的结构,而非晶态结构是指无序排列的结构。
晶体结构的特点包括:1.晶体结构的基本单位是晶胞,晶胞在三维空间中重复排列。
2.晶格常数是晶胞边长的倍数,用于描述晶格的大小。
3.晶体结构可分为离子晶体、共价晶体和金属晶体等不同类型。
晶体结构中可能存在各种晶体缺陷,包括:1.点缺陷:晶体中原子位置的缺陷,主要包括实际缺陷和自间隙缺陷两种类型。
2.线缺陷:晶体中存在的晶面上或晶内的线状缺陷,主要包括位错和脆性断裂两种类型。
3.面缺陷:晶体中存在的晶面上的缺陷,主要包括晶面位错和穿孔两种类型。
1.3 半导体制备与加工半导体制备与加工是指将半导体材料制备成具有特定电性能的器件的过程。
它包括晶体生长、掺杂、薄膜制备和微电子加工等步骤。
晶体生长是将半导体材料从溶液或气相中生长出来的过程。
常用的晶体生长方法包括液相外延法、分子束外延法和气相外延法等。
掺杂是为了改变半导体材料的导电性能,通常会对其进行掺杂。
常用的掺杂方法包括扩散法、离子注入和分子束外延法等。
第一章、固体晶体结构1. 小结1. 硅是最普遍的半导体材料2. 半导体和其他材料的属性很大程度上由其单晶的晶格结构决定。
晶胞是晶体中的一小块体积,用它可以重构出整个晶体。
三种基本的晶胞是简立方、体心立方和面心立方。
3. 硅具有金刚石晶体结构。
原子都被由4 个紧邻原子构成的四面体包在中间。
二元半导体具有闪锌矿结构,它与金刚石晶格基本相同。
4. 引用米勒系数来描述晶面。
这些晶面可以用于描述半导体材料的表面。
密勒系数也可以用来描述晶向。
5. 半导体材料中存在缺陷,如空位、替位杂质和填隙杂质。
少量可控的替位杂质有益于改变半导体的特性。
6. 给出了一些半导体生长技术的简单描述。
体生长生成了基础半导体材料,即衬底。
外延生长可以用来控制半导体的表面特性。
大多数半导体器件是在外延层上制作的。
2. 重要术语解释1. 二元半导体:两元素化合物半导体,如GaAs 。
2. 共价键:共享价电子的原子间键合。
3. 金刚石晶格:硅的原子晶体结构,亦即每个原子有四个紧邻原子,形成一个四面体组态。
4. 掺杂:为了有效地改变电学特性,往半导体中加入特定类型的原子的工艺。
5. 元素半导体:单一元素构成的半导体,比如硅、锗。
6. 外延层:在衬底表面形成的一薄层单晶材料。
7. 离子注入:一种半导体掺杂工艺。
8. 晶格:晶体中原子的周期性排列9. 密勒系数:用以描述晶面的一组整数。
10. 原胞:可复制以得到整个晶格的最小单元。
11. 衬底:用于更多半导体工艺比如外延或扩散的基础材料,半导体硅片或其他原材料。
12. 三元半导体:三元素化合物半导体,如AlGaAs 。
13. 晶胞:可以重构出整个晶体的一小部分晶体。
14. 铅锌矿晶格:与金刚石晶格相同的一种晶格,但它有两种类型的原子而非一种第二章、量子力学初步3. 小结1. 我们讨论了一些量子力学的概念,这些概念可以用于描述不同势场中的电子状态。
了解电子的运动状态对于研究半导体物理是非常重要的。