2SC5949中文资料(toshiba)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
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ZXCT1009FTA中文资料(Diodes)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
The wide input voltage range of 20V down to as low as 2.5V make it suitable for a range of applications. A minimum operating current of just 4µA, combined with a SOT23 package make it a unique solution for portable battery equipment. The SM8 device offers an alternative package option.
RLIM(MAX) = R OUT [VIN(MIN) - （VDP + V OUT(MAX) )]/V OUT(MAX)
VIN(MIN) =最低电源工作电压 VDP =压差 VOUT(MAX) =最大工作输出电压
该器件的功耗,P PD = IOUT (V IN -V OUT ) W
D 是由下式给出：
应用信息
以下文本描述了如何扩展到的输出电压的负载电流.
VSENSE = V IN - V LOAD VOUT = 0.01 x V SENSE x ROUT 1
E.g.
1A的电流通过一个100mV的输出代表
电压：
重新排列
1 对于溃败给：
ROUT = V OUT /(V SENSE x 0.01) ROUT = 0.1 / (0.1 x 0.01) = 100Ω
芯片中文手册,看全文,戳
应用信息
锂离子电池充电器电路
（续）
上图显示支持的ZXCT1009 Benchmarq bq2954充电管理IC.大多数支持组件为bq2954 的为了清楚而省略. 这种设计还采用了发光二极管FZT789A高电流 超ßPNP作为在DC-DC升压开关晶体管 升降压转换器和FMMT451作为驱动NPN为 FZT789A.该电路可以被配置充电到4 锂离子电池在1.25A的充电电流.充电可 端接在最大电压,可选的最低 电流,或最大超时.开关的频率 PWM循环大约为120kHz.
RLIM(MAX) = R OUT [VIN(MIN) - （VDP + V OUT(MAX) )]/V OUT(MAX)
VIN(MIN) =最低电源工作电压 VDP =压差 VOUT(MAX) =最大工作输出电压
该器件的功耗,P PD = IOUT (V IN -V OUT ) W
D 是由下式给出：
应用信息
以下文本描述了如何扩展到的输出电压的负载电流.
VSENSE = V IN - V LOAD VOUT = 0.01 x V SENSE x ROUT 1
E.g.
1A的电流通过一个100mV的输出代表
电压：
重新排列
1 对于溃败给：
ROUT = V OUT /(V SENSE x 0.01) ROUT = 0.1 / (0.1 x 0.01) = 100Ω
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应用信息
锂离子电池充电器电路
（续）
上图显示支持的ZXCT1009 Benchmarq bq2954充电管理IC.大多数支持组件为bq2954 的为了清楚而省略. 这种设计还采用了发光二极管FZT789A高电流 超ßPNP作为在DC-DC升压开关晶体管 升降压转换器和FMMT451作为驱动NPN为 FZT789A.该电路可以被配置充电到4 锂离子电池在1.25A的充电电流.充电可 端接在最大电压,可选的最低 电流,或最大超时.开关的频率 PWM循环大约为120kHz.
E5CK中文资料(omron)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
SPST,250 VAC,3 A（阻性负载） 机械寿命：10,000,000次以上. 电气寿命：100,000次以上.
NPN：20毫安12 VDC（带短路防护护） PNP：20毫安12 VDC（带短路防护护）
0至10 VDC： 允许负载阻抗：1kΩ分. 分辨率：约. 2600
4至20 mA：
允许负载阻抗：500
故障：10〜55赫兹,10米/秒 毁灭：10至55赫兹20米/秒
（约1G）10分钟每个在X,Y,Z方向 （约2G）,每次2小时在X,Y,Z方向
故障：200米/秒
分钟. （约20G）,每6个方向3倍
（100米/秒（约10G）施加到继电器）
毁灭：300米/秒
分钟. （30G）,各自在6个方向3倍
工作： 存储：
检查报告
数字控制器可以提供与检验报告. 请参考下面图例与后缀订货时与检验报告一起提供典范"K".
E5CK-AA1-K, E53-CKF-K
I 附件（另售）
端子盖
Name
Model E53-COV07
Model
产品规格
RS-232C RS-485 事件输入：1点 转移输出（4到20毫安）
技术指标
I 额定值
型号结构
I 型号图例
订货集模型时,请参阅以下内容.
E5CK-@@@
123 1.控制输出 1 /控制输出 2
AA：无单路输出元（现场可更换） RR：继电器/继电器 QR：脉冲（NPN）/继电器 CR：线性（4至20 mA）/继电器 VR：线性（0〜10 V）/继电器 QQ：脉冲（NPN）/脉冲（NPN） Note: E5CK-VR1和E5CK-QQ1都无法使用,但与选项.
2SK3679中文资料(fuji)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
Items
符号
测试条件
min.
漏源击穿电压BV
DSS ID=250uA
V GS =0V
900
栅极阈值电压
零电压门漏电流I
VGS(th) ID=250uA
VDS=V GS
3.0
VDS=900V Tch=25℃
---
DSS
V GS =0V
Tch=125℃
---
门源漏电流
IGSS
VGS=±30V VDS=0V
min.
typ.
*1 L=6.51mH,Vcc=90V
*2 I F -I D,-di/dt=50A/ µs,Vcc BVDSS ,Tch 150°C
Units V A A V
A
mJ *1 kV/us 千伏/我们* 2
W W
℃ ℃
max. Units
---
V
5.0
V
25 μA
250 μA
100 nA
1.58 Ω
---
漏源通态阻抗R
DS(on) ID=4.5A
VGS=10V
---
输入电容 输出电容 反向传输电容 总栅极电荷 门源费 栅漏（米勒）充电
雪崩能力
二极管正向导通电压
C iss
V DS =25V
---
C oss
V GS =0V
---
C rss
f=1MHz
---
Qg
Vcc=450V
---
Qgs
ID=9A
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初稿
2SK3679-01MR (900V/1.58Ω/9A)
1）包装
TO-220F
2）绝对最大额定值（TC = 25℃除非另有规定）
2SK1522中文资料(renesas)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
6.瑞萨科技公司事先书面批准,不得翻印或再现 全部或部分这些物料.
7.如果这些产品或技术受日本出口管理限制,必须是 日本政府根据许可证出口,不能导入比批准目地以外国家.
禁止任何转移或再出口违反出口管制法律和日本及/或目地国家相关规定.
8.请与瑞萨科技公司对这些材料或产品进一步详情 其中所载.
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V GS = ±25 V, V DS = 0 V DS = 360 V, V GS = 0 V DS = 400 V, V GS = 0 ID =1毫安,V DS = 10 V ID = 25 A, V GS = 10 V * 1
ID = 25 A, V DS = 10 V * 1 VDS = 10 V, V GS = 0, F = 1兆赫
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2SK1521, 2SK1522
绝对最大额定值
(Ta = 25°C)
项目
漏极至源极电压
2SK1521
2SK1522
门源电压
漏极电流
漏电流峰值
身体流失二极管反向漏电流
频道耗散
通道温度
储存温度
注：1.PW
10 µs, 占空比
1%
2.价值在T C = 25°C
符号
ID = 25 A, V GS = 10 V, RL = 1.2
IF = 50 A, V GS = 0
IF = 50 A, V GS = 0, di F/ DT = 100 A /μs的
3
—
远期转移导纳
|yfs|
22
输入电容
Ciss —
输出电容
Coss —
反向传输电容
Crss —
导通延迟时间 上升时间 关断延迟时间 下降时间 身体向前漏二极管 电压
7.如果这些产品或技术受日本出口管理限制,必须是 日本政府根据许可证出口,不能导入比批准目地以外国家.
禁止任何转移或再出口违反出口管制法律和日本及/或目地国家相关规定.
8.请与瑞萨科技公司对这些材料或产品进一步详情 其中所载.
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V GS = ±25 V, V DS = 0 V DS = 360 V, V GS = 0 V DS = 400 V, V GS = 0 ID =1毫安,V DS = 10 V ID = 25 A, V GS = 10 V * 1
ID = 25 A, V DS = 10 V * 1 VDS = 10 V, V GS = 0, F = 1兆赫
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2SK1521, 2SK1522
绝对最大额定值
(Ta = 25°C)
项目
漏极至源极电压
2SK1521
2SK1522
门源电压
漏极电流
漏电流峰值
身体流失二极管反向漏电流
频道耗散
通道温度
储存温度
注：1.PW
10 µs, 占空比
1%
2.价值在T C = 25°C
符号
ID = 25 A, V GS = 10 V, RL = 1.2
IF = 50 A, V GS = 0
IF = 50 A, V GS = 0, di F/ DT = 100 A /μs的
3
—
远期转移导纳
|yfs|
22
输入电容
Ciss —
输出电容
Coss —
反向传输电容
Crss —
导通延迟时间 上升时间 关断延迟时间 下降时间 身体向前漏二极管 电压
ES1J中文资料(Won-Top Electronics)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
A C
B D
F HG E
SMA/DO-214AC
Dim
Min
A
2.50
B
4.00
C
1.20
D
0.152
E
4.80
F
2.00
G
0.051
H
0.76
在毫米所有尺寸
Max 2.90 4.60 1.60 0.305 5.28 2.44 0.203 1.52
最大额定值和电气特性
@TA = 25°C除非另有说明
100
1.0 1.2 1.4
Tj = 25 °C f = 1.0MHz
20 10
10 C,电j 容（pF）
,峰FS值M 正向浪涌电流（A）
I0
1
1
10
100
1
10
100
循环次数在60Hz
VR,反向电压（V）
图. 3峰值正向浪涌电流
图. 4典型结电容
50Ω NI（非感性）
10Ω NI
trr +0.5A
0
0 25 50 75 100 125 150 175
T L ,焊接温度 图. 1正向电流降额曲线
( ° C)
30
Pulse width 8.3 ms single half-sine-wave
(JEDEC method)
,正F 向电流（A） I 0.01
0 0.2 0.4 0.6 0.8
VF,正向电压（V） 图. 2典型正向特性
出货数量
7500 /磁带和卷轴 7500 /磁带和卷轴 7500 /磁带和卷轴 7500 /磁带和卷轴 7500 /磁带和卷轴 7500 /磁带和卷轴 7500 /磁带和卷轴
2SK3567_06中文资料(toshiba)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
25
Qg (nC)
栅源电压
4
2006-11-08
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2SK3567
rth – tw
10
1 th (ch-c)
/R
Duty=0.5 0.2
th (t)
0.1
0.1
0.05
阻抗ř 0.02
归一化瞬态热
0.01 0.01
SINGLE PULSE
0.001
10μ
100μ
2SK3567
单位：mm
绝对最大额定值
(Ta = 25°C)
特点
符号
等级
单元
漏源电压
漏极 - 栅极电压（R
栅源电压
GS = 20 kΩ)
漏极电流
漏极功耗（TC
DC （注1）
脉冲（T = 1毫秒） （注1）
= 25°C)
单脉冲雪崩能量
（注2）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3）
通道温度
存储温度范围
VDSS VDGR VGSS
10
100
VDS (V)
Vth - 锝
5
4
3
(V)
th 2
V
COMMON SOURCE
1 栅极阈值电压
VDS = 10 V ID = 1 mA
PULSE TEST
0
80
40
0
40
外壳温度
80 120 160
Tc (°C)
PD - 锝
50
40
(W) 30
D
P 20
漏极功耗 10
0
0
40
80
外壳温度
120
2SC3356R25中文资料(NEC)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
–150˚ –120˚
–30˚ –150˚
–60˚ –90˚
–120˚
–30˚
–60˚ –90˚
Data Sheet PU10209EJ02V0DS
5
10
插入最功大率可增5用益功|率SV增益=M1A0GV（分贝）
I 能力= 20 mA
0 0.05 0.1 0.2
0.5
1
2
频率f（GHz）
5 插入功率增益| S
0
0.5 1
5
集电极电流I
10 (mA)
50 70
备注
该图表显示标称特性.
Data Sheet PU10209EJ02V0DS
3
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2%
2. 收藏家基地电容,当发射器接地
hFE 分类
秩 打标
h值
R23/Q R23
50至100
R24/R R24
80至160
R25/S R25
125至250
注意 旧规格/新规格
MIN.
TYP. MAX.
单元
–
–
1.0
µA
–
–
1.0
µA
50
120
250
–
–
7
–
GHz
–
11.5
–
dB
–
1.1
2.0
dB0.55订源自信息零件号2SC3356 2SC3356-T1B
数量
50只（不卷） 3千件/卷
供给方式
•8mm宽压花录音 •引脚3（集电极）面带穿孔方
备注
要订购评价样品,请联系您最近销售部门. 单位样品数量为50个.
绝对最大额定值（T
2SC5027EL-X-TF3-T中文资料(Unisonic Technologies)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
4 of 4
2SC5027EL-x-TA3-T
（1）包装类型 （2）封装类型 (3)Rank （4）铅电镀
*无铅电镀产品编号：2SC5027EL
引脚分配
包
填料
123
TO-220
BCE
管
TO-220F B C E
管
（1）T：管 (2) TA3: TO-220, TF3: TO-220F （3）×：指h分类 （4）L：无铅电镀,空白：铅/锡
MIN TYP MAX 单元
750
V
700
V
7
V
700
V
10 μA 10 μA
10
40
8
2V
1.5 V
60
pF
15
MHz
0.5 μ s
3 μs
0.3 μ s
分类 范围
N 10 ~ 20
R 15 ~ 30
O 20 ~ 40
2 of 4
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2SC5027E
■ 典型特征
集电极 - 发射极耐受电压
集电极截止电流 发射极截止电流
DC电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基地发射极饱和电压 输出电容 当前增益带宽产品 开启时间 贮存时间 下降时间
^ h分类
符号
BV BV BV
V
I I h h V V Cob f t t t
FE1
测试条件
I =1mA, I =0 I =5mA, I =0 I =1mA, I =0 I =1.5A, I = -I =0.3A L = 2MH,钳位 V =750V, I =0 V =5V, I =0 V =5V, I =0.2A V =5V, I =1A I =1.5A, I =0.3A I =1.5A, I =0.3A V =10V, f=1MHz, I =0 V =10V, I =0.2A V =400V I =5I = -2.5I =2A R =200 Ω
2N5109中文资料(Central Semiconductor)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
功率耗散（TC = 75°C）
工作和存储结温
符号
VCBO VCEO VEBO
IC IB PD PD TJ, Tstg
电气特性： 符号
ICEV ICEV ICEO IEBO BVCBO BVCER BVCEO VCE(SAT) hFE hFE fT Cob NF GPE
测试条件
VCE=35V, VBE=1.5V
5.0
VCE=15V, IC=50mA, f=200MHz
1200
VCB=15V, IE=0, f=1.0MHz
VCE=15V, IC=10mA, f=200MHz
VCE=15V, IC=50mA, f=200MHz
11
40 20 3.0 400 400 1.0 2.5 -65到+200
TYP
MAX
5.0
5.0
20
100
0.5 210
3.5 3.0
UNITS V V V mA mA W W °C
UNITS mA mA μA μA V V V V
MHz pF dB dB
R4 (7-June 2109
硅
NPN晶体管 RF
TO-39 CASE - 机械外形
前导码：
1）发射 2）基 3）集电极
标记：全部型号
R4 (7-June 2011)
（TA = 25°C除非另有说明） MIN
VCE=15V, VBE=1.5V, TC=150°C
VCE=15V
VEB=3.0V
IC=0.1mA
40
IC=5.0mA, RBE=10Ω
40
IC=5.0mA
20
IC=100mA, IB=10mA
工作和存储结温
符号
VCBO VCEO VEBO
IC IB PD PD TJ, Tstg
电气特性： 符号
ICEV ICEV ICEO IEBO BVCBO BVCER BVCEO VCE(SAT) hFE hFE fT Cob NF GPE
测试条件
VCE=35V, VBE=1.5V
5.0
VCE=15V, IC=50mA, f=200MHz
1200
VCB=15V, IE=0, f=1.0MHz
VCE=15V, IC=10mA, f=200MHz
VCE=15V, IC=50mA, f=200MHz
11
40 20 3.0 400 400 1.0 2.5 -65到+200
TYP
MAX
5.0
5.0
20
100
0.5 210
3.5 3.0
UNITS V V V mA mA W W °C
UNITS mA mA μA μA V V V V
MHz pF dB dB
R4 (7-June 2109
硅
NPN晶体管 RF
TO-39 CASE - 机械外形
前导码：
1）发射 2）基 3）集电极
标记：全部型号
R4 (7-June 2011)
（TA = 25°C除非另有说明） MIN
VCE=15V, VBE=1.5V, TC=150°C
VCE=15V
VEB=3.0V
IC=0.1mA
40
IC=5.0mA, RBE=10Ω
40
IC=5.0mA
20
IC=100mA, IB=10mA
2SC5658中文资料(rohm)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
芯片中文手册,看全文,戳
2SC2412K / 2SC4081 / 2SC4617 / 2SC5658
数据表
Features 1.低科夫.玉米棒= 2.0pF（典型值）穗轴= 2.0pF（典型值）. 2.补充了2SA1037AK / 2SA1576A /
2SA1774H / 2SA2029.
(3)
0. 8
0. 2
1.0 1.6 0.5 0.5
1. 6 0. 15
0.1Min.
0~0.1
0.55 0.7
2SC5658
1. 2 0.2 0.8 0.2
1.2 0.32
(3)
0. 5
(2)
0. 8
0.4 0.4
(1)
0. 22
0.130~ 0.1 0.15Max.
Absolute 最大
(Ta=25 C)
电压与集电极电流
2/3
2014.10 - Rev.E
芯片中文手册,看全文,戳
2SC2412K / 2SC4081 / 2SC4617 / 2SC5658
(V) 0.5
CE(sat)
0.2
0.1 0.05
Ta=100°C
25°C −55°C
IC /IB =10
0.02 COLLECTOR SATURATION VOLTAGE : V
1
0.2 0.5 1 2
5 10 20 50
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : V EMITTER TO BASE VOLTAGE
Fig.10 集电极输出电容主场迎战 集电极 - 基极电压
发射器的输入电容主场迎战
发射极 - 基极电压
CB (V) : V EB (V)
2SC2412K / 2SC4081 / 2SC4617 / 2SC5658
数据表
Features 1.低科夫.玉米棒= 2.0pF（典型值）穗轴= 2.0pF（典型值）. 2.补充了2SA1037AK / 2SA1576A /
2SA1774H / 2SA2029.
(3)
0. 8
0. 2
1.0 1.6 0.5 0.5
1. 6 0. 15
0.1Min.
0~0.1
0.55 0.7
2SC5658
1. 2 0.2 0.8 0.2
1.2 0.32
(3)
0. 5
(2)
0. 8
0.4 0.4
(1)
0. 22
0.130~ 0.1 0.15Max.
Absolute 最大
(Ta=25 C)
电压与集电极电流
2/3
2014.10 - Rev.E
芯片中文手册,看全文,戳
2SC2412K / 2SC4081 / 2SC4617 / 2SC5658
(V) 0.5
CE(sat)
0.2
0.1 0.05
Ta=100°C
25°C −55°C
IC /IB =10
0.02 COLLECTOR SATURATION VOLTAGE : V
1
0.2 0.5 1 2
5 10 20 50
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : V EMITTER TO BASE VOLTAGE
Fig.10 集电极输出电容主场迎战 集电极 - 基极电压
发射器的输入电容主场迎战
发射极 - 基极电压
CB (V) : V EB (V)
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500
300
FE
Tc = 100°C
100 25
50 −25
30
DC电流增益^ h
10
hFE的 - 我C
5
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
集电极电流Ir IC / IB = 10 V
1
VCE (sat) – IC
0.5
0.3
(V)
Tc = 100°C
集电极 CE
(A)
IC max(pulsed) *
C
10 IC max(continuous)
DC operation Tc = 25°C
1 ms * 10 ms * 100 ms *
集电极电1流I
*:Single non-repetitive pulse
Tc = 25°C
Curves must be de-rated
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功率放大器应用
东芝晶体管硅NPN三重扩散型
2SC5949
• PC = 220W • 为了补充2SA2121
最大额定值
（ TC = 25℃）
特有
集电极基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极基极电压 集电极电流 基极电流 集电极耗散功率 结温 存储温度范围
符
评级
Unit
(-sa发0t).1射极饱和电压
V 0.05
0.03
25 −25
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
集电极电流I
C (A)
100
(MHz)
T
10
fT– IC
过渡频率f
1 0.01
0.1
集电极电流I
Common emitter Tc = 25°C
VCE = 5 V
1
10
C (A)
安全動 ½ 領域
100
集电极 - 发射极击穿电压
DC电流增益
集电极 - 发射极饱和电压 基极 - 发射极电压
转换频率 集电极输出电容
注1：小时 FE(1) 分类
打标
（ TC = 25℃）
符
测试条件
ICBO
VCB = 200 V, I E = 0
IEBO
VEB = 5 V, I C = 0
V (BR) CEO IC = 50毫安,我B = 0
35
60
―
― 0.4 3.0
V
― 1.0 1.5
V
― 30 ― MHz
― 270 ― pF
2
2005-07-27
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2SC5949
20 Common emitter Tc = 25°C
IC – V CE
16
(A)
500 400
300
C 12
200
8
集电极电流I
hFE (1) VCE = 5 V, I C = 1 A
（注1）
hFE (2) VCE = 5 V, I C = 8 A
VCE (sat) IC = 10 A, I B = 1 A
VBE
VCE = 5 V, I C = 8 A
fT
VCE = 5 V, I C = 1 A
Cob
VCB = 10 V, I E = 0,F = 1兆赫
100
4
50
IB = 20 mA
0
0
2
4
6
8
10
12
集电极 - 发射极电压
VCE (V)
16 Common emitter VCE = 5 V
IC – VBE
(A) 12
C
8
Tc = 100°C
25
集电极电流I
−25
4
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
基极 - 发射极电压
VBE (V)
1000 Common emitter VCE = 5 V
VCBO
200
V
VCEO
200
V
VEBO
5
V
IC
15
A
IB
1.5
A
PC
220
W
Tj
150
°C
Tstg
−55 150
°C
2SC5949
单位：mm
JEDEC
―
JEITA
―
东芝
2-21F1A
重量：9.75克（典型值）.
1
2005-07-27
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电气特性
特有 集电极截止电流 发射极截止电流
R：55〜110,O：80〜160
东芝
2SC5949
JAPAN
Characteristisc
指示器
部件号（或缩写代码）
批号
A线指示铅（Pb）free包装或铅（Pb）-free完 成.
2SC5949
Min Typ. Max Unit
― ― 5.0 µA
― ― 5.0 µA
200 ―
―
V
55 ― 160
linearlywith increase in
temperature.
0.1
0.1
1
VCEO max
10
100
1000
集电极 - 发射极电压V
CE (V)
3
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2SC5949
4
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300
FE
Tc = 100°C
100 25
50 −25
30
DC电流增益^ h
10
hFE的 - 我C
5
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
集电极电流Ir IC / IB = 10 V
1
VCE (sat) – IC
0.5
0.3
(V)
Tc = 100°C
集电极 CE
(A)
IC max(pulsed) *
C
10 IC max(continuous)
DC operation Tc = 25°C
1 ms * 10 ms * 100 ms *
集电极电1流I
*:Single non-repetitive pulse
Tc = 25°C
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• PC = 220W • 为了补充2SA2121
最大额定值
（ TC = 25℃）
特有
集电极基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极基极电压 集电极电流 基极电流 集电极耗散功率 结温 存储温度范围
符
评级
Unit
(-sa发0t).1射极饱和电压
V 0.05
0.03
25 −25
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
集电极电流I
C (A)
100
(MHz)
T
10
fT– IC
过渡频率f
1 0.01
0.1
集电极电流I
Common emitter Tc = 25°C
VCE = 5 V
1
10
C (A)
安全動 ½ 領域
100
集电极 - 发射极击穿电压
DC电流增益
集电极 - 发射极饱和电压 基极 - 发射极电压
转换频率 集电极输出电容
注1：小时 FE(1) 分类
打标
（ TC = 25℃）
符
测试条件
ICBO
VCB = 200 V, I E = 0
IEBO
VEB = 5 V, I C = 0
V (BR) CEO IC = 50毫安,我B = 0
35
60
―
― 0.4 3.0
V
― 1.0 1.5
V
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― 270 ― pF
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20 Common emitter Tc = 25°C
IC – V CE
16
(A)
500 400
300
C 12
200
8
集电极电流I
hFE (1) VCE = 5 V, I C = 1 A
（注1）
hFE (2) VCE = 5 V, I C = 8 A
VCE (sat) IC = 10 A, I B = 1 A
VBE
VCE = 5 V, I C = 8 A
fT
VCE = 5 V, I C = 1 A
Cob
VCB = 10 V, I E = 0,F = 1兆赫
100
4
50
IB = 20 mA
0
0
2
4
6
8
10
12
集电极 - 发射极电压
VCE (V)
16 Common emitter VCE = 5 V
IC – VBE
(A) 12
C
8
Tc = 100°C
25
集电极电流I
−25
4
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
基极 - 发射极电压
VBE (V)
1000 Common emitter VCE = 5 V
VCBO
200
V
VCEO
200
V
VEBO
5
V
IC
15
A
IB
1.5
A
PC
220
W
Tj
150
°C
Tstg
−55 150
°C
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单位：mm
JEDEC
―
JEITA
―
东芝
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重量：9.75克（典型值）.
1
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特有 集电极截止电流 发射极截止电流
R：55〜110,O：80〜160
东芝
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Characteristisc
指示器
部件号（或缩写代码）
批号
A线指示铅（Pb）free包装或铅（Pb）-free完 成.
2SC5949
Min Typ. Max Unit
― ― 5.0 µA
― ― 5.0 µA
200 ―
―
V
55 ― 160
linearlywith increase in
temperature.
0.1
0.1
1
VCEO max
10
100
1000
集电极 - 发射极电压V
CE (V)
3
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