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2019精品电子科大课堂讲义模拟电路第4章数学

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电子科技大学模拟电路课件4.4MOSFET放大电路的三种基本组态

电子科技大学模拟电路课件4.4MOSFET放大电路的三种基本组态

图4.33 求
交流输出 电阻的等 效电路
在源极输出端列写KCL方程得
i g v v
x x
v x
m gs
R r s
ds
由于输入回路中无电流，因此
v v
gs
x
所以
即
i v g ( 1 1 )
x
x
m
R r s
ds
Ro
vx ix
1
g
R r // //
s
ds
m
由图4.33可见，vgs是受控电流源gmvgs两端的电压。这意 味着受控电流源的等效电阻为1/gm。这一结果说明从源极 （忽略rds）看入的等效电阻为1/gm。
g K V V 2 ( ) 2 0.5 (2.911.5) 1.41mA / V
m
n GSQ
TN
1
1
100k
rds
0.011
I DQ
Ri R1// R2 70.9// 29.1 20.6k
A g r R ( // ) Ri 1.41(100// 5) 20.6 5.62V
v
g K V V 2 ( ) 21 (1.50 0.8) 1.4mA/V
m
n GS
TN
小信号输出电阻为
1
rds I DQ
下面计算小信号电压增益：
v g v R
o
m gs D
栅—源输入回路的KVL方程为
v v g v R (
)
i
gs
m gs
s
即
v
i
v g gs 1
R m s
小信号电压增益为
第四章 MOSFET及其放大电路
4.4 MOSFET放大电路的三种基本组态

电路理论基础第四章西安电子科技大学出版社

电路理论基础第四章西安电子科技大学出版社

a11x1′ + a12 x2′ + L + a12b x2′ b = c1′
⎫
a21x1′ + a22 x2′ + L + a22b x2′ b = c2′
⎪ ⎪
LL
⎬ ⎪
a2b1x1′ + a2b 2 x2′ + L + a2b 2b x2′ b = c2′ b ⎪⎭
a11x1′′ + a12 x2′′ + L + a12b x2′′b = c1′′
N
i =0
a +
ubo-c
N0
i a+ u
b-
R eq
=
u i
方法2： uoc 的求法同前；令网络 N 端口短路，求出其短
路电流 isc ，则有 R eq = u oc i sc 。
证明：
a
a
N
isc
b
uoc
Req isc
b
R eq
=
u oc i sc
方法3：求出网络 N 的端口VAR，画出
由电压源与电阻串联而成的等效电路。
例1：求图示电路的戴 维南等效电路。
解法1：
2Ω 2V
a
2Ω - 4V + I
2I b
2Ω 2V
I=0a
2Ω - 4V +
2I
+ U- ObC
U OC = 4 − 2 = 2 (V )
将原网络内部独立源置零，得：
a 设 I 已知，有
2Ω
2Ω
I+
U
2I
-b
U = 2I + (2I + I ) × 2 = 8I

电路教案第4章2

电路教案第4章2

统 多
设两线圈电压、电流参考方
N1
媒 向关联，则根据电磁感应定
体 室 制 作
律，有
u1(t)

d1 dt
L1
di1 dt
Mdi2 dt
u2(t)

d2 dt
L2
di2 dt
Mdi1 dt
第 4-4 页
前一页
i2(t) u2(t)
N2
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若改变线圈2的绕向，如图所示。则自磁通与互磁通方向相反，称为磁通相消。
路 在线圈密绕的情况下，穿过各
与 系
自线圈中每匝的磁通相同，故与
统 两线圈交链的磁链有
多
媒 体
Ψ11 =N1 Φ11 =L1 i1
N1
室 制 作
Ψ21 =N2 Φ21 =M21 i1
Ψ11 ，L1称线圈1的自磁链和自感；
Ψ21 ， M21称线圈1电流i1对线圈2
的互磁链和互感。
Φ11 Φ21
Φ22 Φ12
路
与
i1
系
a
i2 c
a
M
c
统
多
u1
u2
L1
L2
媒
体
b
d
b
d
室
制 哪些是同名端？
作 若i1从a端流入， i2从c端流入，磁通相助；故a、c为同名端，
用“●”标出。电路模型如右图。
显然，b、d也是同名端。 a、d为异名端， b、c也是异名端。
第 4-6 页
前一页
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i1
a
i2 c
a
M
c
u1
第 4-12 页
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电子科大数字电路完整4-1定理 chenyuppt课件

电子科大数字电路完整4-1定理 chenyuppt课件

例： 写出下面函数的对偶函数 F1 = A + B · (C + D)
F2 = ( A’·(B+C’) + (C+D)’ )’
精选PPT课件
16
对偶定理 （Duality Theorems）
证明公式：A+BC = (A+B)(A+C)
A(B+C) AB+AC
精选PPT课件
17
Duality and Complement (对偶和反演) (P194.P195)
finite induction (P190)
❖ X + X + X + … + X = X + (X + X + …+ X) (i + 1 X’s on either side) = X + (X) (if T12 is true for n = i) = X (according to T3)
❖ Commutativity (交换律)
(T6)X + Y = Y + X
(T6’) X · Y= Y ·X
❖ Associativity (结合律)
(T7) X·(Y·Z) = (X·Y)·Z (T7’) X+(Y+Z) = (X+Y)+Z
❖ Distributivity (分配律)
(T8) X·(Y+Z) = X·Y+X·Z (T8’) X+Y·Z = (X+Y)·(X+Z)
❖ common factor(允许提取公因子)
AB+AC = A(B+C)
❖ no division(没有定义除法) if AB=BC A=C ?? 错！ A=1, B=0, C=0 AB=BC=0, AC

电子科大课堂讲义课堂版信号第四章讲义

电子科大课堂讲义课堂版信号第四章讲义

The Fourier coefficients ak of x~t are proportional to samples of the Fourier transform of one period of x~t
3
Chapter 4 §4.1.3 Fourier Transforms of Typical Signals
2

F

j
2
X

j

2 t F2 t 2Fe j2 t 2Fe j2
X
j

2
e j2 e j2
2

4 sin2
2

14
Chapter 4 §4.3.5 Time and Frequency Scaling
FFoouurriieerr TTrraannssffoorrmm
xt F X j yt FY j axt byt FaX j bY j
§4.3.2 Time Shifting
xt F X j x t t0 F X je j t0
1. eatut F 1
a j
Fourier Transform
2. ea t
a

0
F
a2
2a

2
3.xt源自 1
t T1
0 t T1
F 2T1 sin c T1
x t sinWt
t
F
X

j



1
W
0 W
12
Chapter 4
Fourier Transform
§4.3.4 Differentiation and Integration

电路理论基础第四章习题解答西安电子科技大学出版社

电路理论基础第四章习题解答西安电子科技大学出版社

习题四1．用叠加定理求图题4-1所示电路中的电流i R 。

图题4-1解： A 2电流源单独作用时：A i R 12101010'−=×+−=V 80电压源单独作用时：i A i R 4101080''=+=原电路的解为：A i i i R R R 341'''=+−=+=2．用叠加定理求图题4-2所示电路中的电压u ab 。

4图题4-2解：V 24电压源单独作用时：Ω6Ω=+×==46126126//121RV R R u ab 1224411'=×+=A 3电流源单独作用时：Ω4Ω6''A i 13623611214161''=×=×++=V i u ab 6616''''=×=×= 原电路的解为：V u u u ab ab ab 18612'''=+=+=3．用叠加定理求图题4-3所示电路中的电流i 。

6A图题4-3解： A 6电流源单独作用时：ΩΩ6A i 4612612'−=×+−= V 36电压源单独作用时：Ω6Ω6ΩΩA i 261236''−=+−=原电路的解为：()()A i i i 624'''−=−+−=+=4．图题4-4所示电路中，R =6Ω，求R 消耗的功率。

图题4-4解： 将R 支路以外的部分看作一个二端电路。

可采用叠加原理求oc u ：12⎟⎠⎞⎜⎝⎛++××+×+=26363212636oc u V 1688=+=求其等效电阻：eqRΩ=++×=426363eq R 原电路简化为：Ri=eq R u oc =RA R R u i eq oc R 6.14616=+=+=W R i P R R 36.1566.122=×=×=5．图题4-5所示电路中， R 1=1.5Ω R 2=2Ω，求（a ）从a、b 端看进去的等效电阻；（b ）i 1与i s 的函数关系。

模拟电子技术基础课件(童诗白)第四章

模拟电子技术基础课件(童诗白)第四章
vcc
IREF Ic
R T0 ΣIB T Re Re 1 Ic1 T1 Re 2 Ic2 T2
IC 1 ≈ I E 1
Ic3 T3 Re 3
Re = I REF Re 1
Re = I REF Re 2
IC 2 ≈ I E 2
IC 3 ≈ I E 3
Re = I REF Re 3
多集电极管构成的多路电流源
V CC−U BE IR = R = I CO + 2 I B 0 = I CO + 2 I CO = I CO
IBO
IB1
β β +2
IC1 ICO
β
IR
IC1 IR
I C 1 = I CO ≈ I R
( β >> 2)
T
UR(IRR)
UB
IB0
二、比例电流源பைடு நூலகம்
Vcc IR ICO T0 ReO IBO IEO IB1 IE1 T1 Re1 R 2IB1 IC1
I E 0 Re 0 ≈ I E 1 Re1
β >> 2时有I EO ≈ I R
Reo IC1 = IR Re1 VCC − U BEO IR ≈ R + Reo
＃此电路有更好 的温度稳定性？
三、微电流源
Vcc IR ICO T0 IBO IB1 IE1 R IBO +IB1 IC1
U BEO − U BE1 I C 1 ≈ I E1 = Re
omccces差模开环放大倍数42集成运放中的电流源电路421基本电流源电路一镜像电流源电路b12ib1cocob12ib1eoccbeo此电路有更好的温度稳定性
第四章
集成运算放大器

模拟电子电路－视频教学电子科技大学曲健　全56讲

模拟电子电路－视频教学电子科技大学曲健　全56讲

模拟电子电路－视频教学电子科技大学曲健全56讲•••••模拟电子电路01•韩原123•279••••••模拟电子电路02•韩原123•133••••••模拟电子电路03•韩原123•227••••••模拟电子电路04 •韩原123•158••••••模拟电子电路05 •韩原123•124••••••模拟电子电路06 •韩原123•82••••••模拟电子电路07 •韩原123•56••••••模拟电子电路08 •韩原123•71••••••模拟电子电路09 •韩原123•62••••••模拟电子电路10 •韩原123•80•••••模拟电子电路11 •韩原123•118••••••模拟电子电路12 •韩原123•67••••••模拟电子电路13 •韩原123•61•••••模拟电子电路14 •韩原123•70••••••模拟电子电路15 •韩原123•94••••••模拟电子电路16 •韩原123•116••••••模拟电子电路17 •韩原123•85••••••模拟电子电路18 •韩原123•69••••••模拟电子电路19 •韩原123•86••••••模拟电子电路20 •韩原123•89•••••模拟电子电路21 •韩原123•78••••••模拟电子电路22 •韩原123•55••••••模拟电子电路23 •韩原123•63••••••模拟电子电路24 •韩原123•42••••••模拟电子电路25 •韩原123•47••••••模拟电子电路26 •韩原123•51••••••模拟电子电路27 •韩原123•48••••••模拟电子电路28 •韩原123•57••••••模拟电子电路29 •韩原123•40••••••模拟电子电路30 •韩原123•40••••••模拟电子电路31 •韩原123•37••••••模拟电子电路32 •韩原123•37••••••模拟电子电路33 •韩原123•47••••••模拟电子电路34 •韩原123•46••••••模拟电子电路35 •韩原123•55••••••模拟电子电路36•韩原123•46••••••模拟电子电路37 •韩原123•44••••••模拟电子电路38 •韩原123•124••••••模拟电子电路39 •韩原123•108••••••模拟电子电路40 •韩原123•122•••••模拟电子电路41 •韩原123•116••••••模拟电子电路42 •韩原123•104••••••模拟电子电路43 •韩原123•104••••••模拟电子电路44 •韩原123•110••••••模拟电子电路45 •韩原123•161•••••模拟电子电路46 •韩原123•101••••••模拟电子电路47 •韩原123•124••••••模拟电子电路48 •韩原123•102•••••模拟电子电路49 •韩原123•107••••••模拟电子电路50 •韩原123•107••••••模拟电子电路51 •韩原123•97••••••模拟电子电路52 •韩原123•84••••••模拟电子电路53 •韩原123•113••••••模拟电子电路54 •韩原123•183••••••模拟电子电路55 •韩原123•156••••••模拟电子电路56 •韩原123•195。

电子科大模电复习课件

电子科大模电复习课件

2 互补推挽乙类功
1. 电路工作原理
当输入信号处于正半周时，且 幅度远大于三极管的开启电压，此 时NPN型三极管工作。有电流通过 负载RL，按图中方向由上到下，与 假设正方向相同。 当输入信号为负半周时，且幅度远 大于三极管的开启电压，此时PNP型 三极管工作。有电流通过负 载RL， 按图中方向由下到上，与假设正方向 相反。于是两个三极管一个正半周， 一个负半周轮流导电，在负载上将正 半周和负半周合成在一起，得到一个 完整的不失真波形。 ie1
D 与 S 有的型号可倒置使用 载流子 多子扩散少子漂移 输入量 电流输入 控制 多子漂移 电压输入
电流控制电流源 CCCS(β ) 电压控制电流源 VCCS(gm)
双极型和场效应型三极管的比较(续)
双极型三极管 噪声 较大
场效应管 较小 较小，有零温度系数点
温度特性 受温度影响较大
输入电阻 几十欧姆——几千欧姆 几兆欧姆以上 静电影响 不受静电影响 集成工艺 不易大规模集成 易受静电影响 适宜大、超大规模集成
负载
us

Rs
信号源
A
放大电 路 直流电源
RL
3.2
BJT偏置电路
（直流通路：提供合适的静态工作点Q 点，保证BJT发射结正偏，集电结反偏，放 大信号始终处在放大工作区，避免出现截止及饱和失真。介绍固定基流电路， 基极分压射极偏置电路）
第三章 晶体管放大电路基础(全书重点）
3.3 放大电路的技术指标及基本放大电路
电路形式：各种恒流源组成。
.差动放大器的输入输出方式
差动放大器共有四种输入输出方式: 1. 双端输入、双端输出（双入双出）(已讲) 2. 双端输入、单端输出（双入单出） 3. 单端输入、双端输出（单入双出） 4. 单端输入、单端输出（单入单出） 主要讨论的问题有： 差模电压放大倍数 共模电压放大倍数 差模输入电阻、输出电阻 分析方法----半电路分析法; (重点)

模拟电子电路及技术基础第四章(ppt)

模拟电子电路及技术基础第四章(ppt)

则当ui在17 V和18 V之间时， 反相电压0.5ui在8.5 V和9 V之 间， 此阶段VDZ截止， 不起稳压作用， uo=［RL/(R+RL)］ ui=0.5ui可变。
3. 晶体管和场效应管 1) 工作状态 晶体管的直流偏置电路中， 首先根据晶体管的类型标出 极电流的实际流向。 发射极直接接地时， 根据基极所接直流 偏置电压源确定基极电压的极性， 继而确定发射结正偏或反 偏， 需要注意NPN型晶体管和PNP型晶体管的发射结方向相 反； 发射极经过电阻接地时， 需要在假设的放大状态下计算 基极电流， 按实际流向， 如果基极电流的计算结果为正值， 则发射结正偏， 否则发射结反偏。 发射结的偏置情况确定后， 接下来的分析参见教材中的图4.1.1进行。 直流偏置电路中， 场效应管工作状态的判断参见教材中的图4.1.2进行， 计算栅 源极电压时需要注意栅极电流为零。
【例4-1】 半导体中载流子通过什么物理过程产生？ 半导体电流与哪些因素有关？
答 本征半导体中的载流子通过本征激发产生。 杂质半 导体中， 多子的绝大部分由掺杂产生， 极少部分由本征激 发产生； 少子则单纯由本征激发产生。
半导体电流分为漂移电流和扩散电流。 漂移电流与电 场强度、 载流子的浓度和迁移率有关， 扩散电流与载流子 沿电流方向单位距离的浓度差即浓度梯度有关。
图4-7 例4-8电路图及传输特性
5) 稳压二极管电路 稳压二极管的工作电流与输入电压、 限流电阻和负载 电阻有关， 工作电流的取值范围确定了上述三个参数的相 互限制关系， 给定其中的一个参数， 则可以由第二个参数 的变化范围确定第三个参数的变化范围。 稳压二极管工作 时加反相电压， 当反相电压不到其稳定电压值时， 稳压二 极管处于截止状态； 只有稳压二极管开路时， 反相电压达 到或超过其稳定电压值， 稳压二极管才进入击穿状态， 提 供稳定电压。
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静态工作点的计算： 由电路输入回路写出UGS～ID外特性关系，由管类型写
出iD～uGS平方律关系，联立求解得UGS、ID；再由输 出回路KVL求出UDS。
例4-5
练习：试分析下列电路能否正常放大，并说明理由。
4-4 FET的交流参数和小信号模型
1、交流参数
（1）低频跨导gm（gfs）定义 单位：西门子（S）
rds

duDS diD
Q
（3）极间电容 Cgs、Cgd、Cds。
D G
S
2、FET的小信号模型 导出：iD=f（uGS，uDS）在Q点对iD全微分有
diD

diD duGS
duGS
Q

diD duDS
duDS
Q
gm

diD duGS
Q
,
1 diD rds duDS Q
diD id , duGS ugs , duDS uds
第四章 场效应管（FET）及基本放大电路
FET是另一种半导体器件。 主要特点：输入电阻高；
温度稳定性好； 工艺简单，便于集成。 它们在现代集成电路中得到了非常广泛的应用。
FET分类
按结构分为：结型 N沟道（N-JFET） P沟道（P-JFET）
绝缘栅型（IGFET→MOSFET）N沟道 P沟道
按特性（工作方式）分为：耗尽型 JFET MOSFET
增强型
P沟道 耗尽型 增强型
耗尽型：uGS=0时管子内部已存在导电沟道。 增强型：uGS=0时管子内部不存在导电沟道。
四种MOSFET的电路符号
说明： 1、由导电沟道为虚线、实线区分增强型、耗尽型管子； 2、由箭头指向（P→N）区分N沟道、P沟道管子； 3、电路中衬底B通常与源极S相连，以此区分源极和漏极。
uGS↑至某值时，在绝缘层与耗尽层之间形成一个电子层 即N型薄层（反型层）。它沟通了S和D，是一个感生沟 道，称为N沟道（见右下图）。
此时对应的uGS值称为开启电压，用UT表示。 uGS＞UT形成导电沟道如下示意图（图中耗尽层未画出）。
感生沟道即导电沟道，形成感生沟道后，若此时 uDS＞0，将形成iD（D→S）； 若uDS一定，当uGS越大，感应电荷越多，导电沟 道越厚（宽），iD越大，反之，uGS越小，iD越小。 实现了uGS对iD的控制作用。
2、转移特性曲线
iD f (UGS ) UDS C UP＜uGS＜0（放大区内）
由输出特性曲线可作出转移特性曲线：
3、转移特性方程（放大区内）
iD

I DSS (1
uGS UP
)2
（平方律关系）
4、P-JFET归纳
(1) 外加直流电源极性与N-JFET相反：uGS＞0， uDS＜0；
（2）恒流区（线性放大区）： 对应预夹断后的部分夹断状态（ uDS＞uGS-uP ）。在该 区，DS等效为一个受uGS控制的电流源（VCCS）。
（3）夹断区： 对应uGS＜UP的区域，此时沟道全夹断，iD=0。在该区， DS间相当于开路。
（4）击穿区： uDS过大，会使DG间P+N击穿，使用时，不能工作于此 区。
增强型 MOSFET
4-1 JFET 两类 N-JFET
P-JFET 电路符号如下（箭头指向：P→N） 以箭头指向区别类型；靠近栅极(G)为源极(S)端。
N-JFET
P-JFET
一、JFET的结构和工作原理（N-JFET）
引出三个电极 ： 源极（S极）→类似于BJT的E极
漏极（D极）→
C极
栅极（G极）→
一、N沟道增强型MOSFET 1、结构
2、工作原理 利用半导体表面的电场效应，通过改变反型层 （感生沟道）的厚薄来控制iD的大小。
uGS=0，不存在导电沟道（D-S间不通）； uGS＞0，GB间产生垂直向下的电场（右下图）；
当（u耗G尽S↑，层因）空（穴见被左排下斥图而）在；P衬底表面形成负离子层
（c）uGS=0V＞Up=-4V，存在导电沟道； 而uDS=0.5V＜uGS-UP=1V, 沟道未夹断，管子工 作在可变电阻区。
4-2 MOSFET 目前应用较多的绝缘栅场效应管是以SiO2作为金属（铝） 和半导体材料之间的绝缘层，称为金属-氧化物-半导体 场效应管（简称MOS管）。 MOSFET分为N沟道 耗尽型
id

gmugs

1 rds
uds
(管子输出端关系)
又∵ig=0 (管子输入端关系) 由两数学表达式：
1 id gmugs rds uds
及 ig=0
简化模型
4-5 FET基本放大电路
分析方法与BJT放大电路相同，仍为三个步骤： （1）画出放大电路的交流通路， （2）用FET低频小信号模型取代交流通路中的FET
4-3 FET偏置电路 FET偏置电路种类有： 自给偏压电路和混合偏压电路等。 一、自给偏压电路
直流通路
由于自给偏压电路提供的 UGS＜0，∴该偏置电路适 用于N沟道结型、耗尽型， 而不适于增强型管。
静态工作点计算（求解UGSQ、IDQ、UDSQ）： 首先画出电路的直流通路
由输入回路得 UGS=-IDRS ………（1）
3、特性曲线 输出特性曲线
转移特性曲线 iD、uGS的数学表达式（放大区内）：
iD

I
DO
(
uGS UT
1)2

I DO UT 2
(uGS
UT )2

k (uGS
UT )2
IDO：uGS=2UT 时的ID值。
4、N沟道增强型MOS管工作于放大区的偏置条件
uGS＞UT（＞0）； uDS＞uGS-UT
gm

diD duGS
Q
该参数反映了在工作点Q处 uGS对iD的控制能力。
对结型和耗尽型管，将
iD

I DSS (1
uGS UP
)2
带入gm定义式并整理后可得
gm

2 UP
I D I DSS
对增强型管将
iD

I
DO
(UGS UT
1)2
带入gm定义式并整理可得
gm

2 UT
I DO I D
（2）漏极内阻（管子输出电阻）
iD和uDS的关系与uDS大小有关： 当uDS较小(＜200mV)时，iD随uDS近似成比例增加； 当↑uDS时， 随着UDS↑，耗近层加宽，沟道变窄，使iD随
uDS↑的速度变缓(非线性)； 当再↑uDS时，使uGD=UP时，耗尽层在靠近D处合拢（点接
触），见图(b)。这种靠近D处的导电沟道刚刚消失的状 态称为“预夹断”。此时对应的iD称为饱和漏电流IDSS。 此时↑uDS，沟道对应的状态是由一点接触（预夹断）到 一段接触（部分夹断），见图(c)。iD基本不变（饱和）。 当uDS↑至某值(BUDS），iD↑↑（击穿）。此时的漏源电压 即PN结击穿电压,称为漏源击穿电压。
例4-6 设上题电路中CS 开路，求Au ,Ri ,Ro表达式。 交流通路
由各交流指标定义得：
Au
Uo Ui

Id (RD // RL ) U gs Id RS
Au
Uo Ui

Id (RD // RL ) U gs Id RS
Id

rds
rds (RS RD
uGS＞UP（UP＜0）； uDS＞uGS-UP
4、P沟道耗尽Biblioteka MOS管归纳、对比iD方向：流出漏极； 放大偏置条件：uGS＜UP（UP＞0） ；
uDS＜uGS-UP 三、六种类型场效应管转移特性归纳
N沟道管
P沟道管
练习1 由各转移特性曲线判断管子类型，标出相应的参 数。
练习3 已知N-JFET的IDSS=2mA，UP=-4V，定性画出转移特性 曲线和输出特性曲线。
（4）＜4V
练习2 电路如图，IDSS=2mA，UP=-4V；求iD=？
练习3（例4-1）
（a）∵ uGS=-5V＜UP=-4V； ∴沟道处于全夹断状态，管 子工作于截止区。
（b）uGS=-3V＞UP=-4V ，存在导电沟道； 且uDS=7V＞uGS-UP=1V，沟道部分夹断， 故管子工作 在恒流区（放大区）。
小，但iD随uDS变化的规律不变。随着uGS的不同，曲线 不同，故曲线为一簇。
此时预夹断条件：uGD=uGS-uDS=UP 即：uDS=uGS-UP
二、 N-JFET特性曲线及参数 用转移特性曲线和输出特性曲线描述。 1、输出特性曲线
iD f (U DS ) uGSC
分为四个区
（1）可变电阻区： 对应预夹断以前的未夹断状态（uDS＜uGS-uP）。在该 区，DS间等效为一个受uGS控制的电阻RDS。
得其小信号等效电路， （3）由各交流指标定义式，利用线性电路的分析方
法求解。
一、共源放大电路 例4-5
求Ro的电路如下：
Ro

ut it
U s 0,RL
rds
//
RD
说明：
1. 由于FET的跨导gm比较小，故CS放大器的Au一般 比CE放大器的Au小；
2. 由于FET是平方伏安关系器件，BJT是指数伏安关 系器件，故FET的小信号范围＞＞BJT的小信号范围。
其值为反型层(原始沟道)刚刚消失时对应的uGS。
耗尽型MOS管除uGS取值与增强型管不同外，其余工作 原理与之相同。
2、特性曲线 转移特性曲线
iD、uGS间的数学关系与结型管相同 即：
iD

I DSS (1
uGS UP
)2
输出特性曲线
参变量uGS可正、 可负、 可为零。
3、N沟道耗尽型MOS管放大偏置条件