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第 38 卷第 8 期2023 年 8 月Vol.38 No.8Aug. 2023液晶与显示Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays晶态IGZO薄膜晶体管的研究进展姜柏齐1，刘斌1，刘贤文1，张硕1，翁乐1，史大为2，郭建2，苏顺康2，姚琪3，宁策3，袁广才3，王峰1，喻志农1*（1.北京理工大学光电学院，北京市混合现实与先进显示技术工程研究中心，北京 100081；2.重庆京东方显示技术有限公司，重庆 400714；3.北京京东方显示技术有限公司，北京 101520）摘要：随着显示技术的不断发展，对高性能、高稳定性的薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT）的需求日趋增加，通过结晶改善薄膜晶体管性能的方法受到大量关注。
当前，铟镓锌氧化物（IGZO）材料由于具有迁移率高、柔性好、透明度高等优势，被广泛用于薄膜晶体管的沟道中，而改善IGZO沟道层的结晶形态也成为研究热点。
本文总结了晶态IGZO薄膜晶体管器件的研究进展，详细介绍了IGZO系化合物的晶体结构，重点阐述了单晶、c轴取向结晶、六方多晶型、尖晶石型、纳米晶型和原生结晶型IGZO的结构和各晶态IGZO薄膜晶体管的制备方法、器件性能和稳定性，深入分析其微观结构，总结物理特性，阐述不同晶系结构的结晶机理，建立不同晶体结构与电学特性的关系，最后对晶态IGZO薄膜晶体管的发展进行展望。
关键词：晶态IGZO薄膜；薄膜晶体管；晶体结构；研究进展中图分类号：TN321+.5 文献标识码：A doi：10.37188/CJLCD.2023-0121Research progress on crystalline IGZO thin film transistor JIANG Bai-qi1，LIU Bin1，LIU Xian-wen1，ZHANG Shuo1，WENG Le1，SHI Da-wei2，GUO Jian2，SU Shun-kang2，YAO Qi3，NING Ce3，YUAN Guang-cai3，WANG Feng1，YU Zhi-nong1*（1.School of Optics and Photonics， Beijing Engineering Research Center of Mixed Reality and Advanced Display， Beijing Institute of Technology， Beijing 100081， China；2.Chongqing BOE Display Technology Co.， Ltd.， Chongqing 400714， China；3.Beijing BOE Display Technology Co.， Ltd.， Beijing 101520， China）Abstract： With the development of display technology， the demand for high-performance and high-stability thin film transistors （TFTs） is increasing. The method of improving the performance of thin film transistors through crystallization has received a lot of attention. Currently， indium gallium zinc oxide （IGZO） materials are widely used in the channels of thin film transistors due to their advantages such as high mobility， flexibility，and high transparency. Improving the crystalline morphology of the IGZO channel layer has become a research hotspot.This article summarizes the research progress of crystalline IGZO thin film transistor devices，文章编号：1007-2780（2023）08-1031-16收稿日期：2023-04-04；修订日期：2023-05-10.基金项目：国家重点研发计划（No.2021YFB3600703）Supported by National Key Research and Development Program of China（No.2021YFB3600703）*通信联系人，E-mail： znyu@第 38 卷液晶与显示introduces in detail the crystal structure of IGZO compounds， and focuses on the structure of single crystalline，c-axis-aligned crystalline，hexagonal polycrystalline，spinel，nanocrystalline，and protocrystalline IGZO，as well as the preparation methods，device performance，and stability of various crystalline IGZO thin-film transistors.We also analyze the microstructure of crystalline IGZO，summarize the physical properties，describe the crystallization mechanism and establish the relationship between crystal structure and electrical properties. At last， the development of crystalline IGZO thin film transistor is prospected.Key words： crystalline IGZO film； thin film transistor； crystal structure； research progress1 引言薄膜晶体管（TFT）是使用半导体材料制成的绝缘栅极场效应管。
喷墨打印高迁移率铟锌锡氧化物薄膜晶体管
赵泽贤;徐萌;彭聪;张涵;陈龙龙;张建华;李喜峰
【期刊名称】《物理学报》
【年(卷),期】2024(73)12
【摘要】采用喷墨打印工艺制备了铟锌锡氧化物(indium-zinc-tin-oxide,IZTO)半导体薄膜,并应用于底栅顶接触结构薄膜晶体管(thin-film transistor,TFT).研究了墨水的溶剂成分以及溶质浓度对打印薄膜图案轮廓的影响.结果表明二元溶剂IZTO 墨水中乙二醇溶剂可有效平衡溶质向内的马兰戈尼回流与向外的毛细管流,避免了单一溶剂墨水下溶质流动不平衡造成IZTO薄膜的咖啡环状沉积轮廓图案,获得均匀平坦的薄膜图案轮廓和良好接触特性,接触电阻为820Ω,优化后IZTO TFT器件的饱和迁移率达到16.6 cm^(2)/(V·s),阈值电压为0.84 V,开关比高达
3.74×10^(9),亚阈值摆幅为0.24 V/dec.通过打印薄膜凝胶化模型解释了IZTO墨水溶剂成分、溶质浓度与最终薄膜形貌的关系.
【总页数】8页(P377-384)
【作者】赵泽贤;徐萌;彭聪;张涵;陈龙龙;张建华;李喜峰
【作者单位】上海大学材料科学与工程学院;上海大学
【正文语种】中文
【中图分类】TN3
【相关文献】
1.氮掺铟锡锌薄膜晶体管的制备及其光电特性
2.薄膜晶体管透明电极铟锡氧化物雾状不良的分析研究
3.基于喷墨打印方法锌锡氧化物薄膜晶体管制备与性能研究
4.溅射气压对铟锡锌氧化物薄膜晶体管性能的影响
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持久发光纳米材料合成及生物医学应用研究进展1. 持久发光纳米材料的合成方法研究进展a)化学气相沉积法(CVD):这是一种常用的制备纳米材料的方法，通过在真空环境下将反应物转化为固态颗粒。
这种方法可以精确控制纳米颗粒的大小、形状和组成，从而实现对持久发光纳米材料的有效合成。
研究人员已经成功地利用化学气相沉积法合成了多种持久发光纳米材料，如氧化铟锡(ITO)、硫化镉(CdS)等。
b)液相外延法(LPE):这是一种通过在基底上生长薄膜的方法来制备纳米材料的方法。
与CVD相比，LPE具有更高的生长速率和更好的晶体质量，因此在制备高质量的持久发光纳米材料方面具有优势。
研究人员已经成功地利用液相外延法合成了多种持久发光纳米材料，如硒化镉(CdSe)、硫化镉(CdS)等。
这种方法具有较高的可控性和可调性，因此在制备具有特定性质的持久发光纳米材料方面具有优势。
研究人员已经成功地利用溶胶凝胶法合成了多种持久发光纳米材料，如氧化铟锡(ITO)、硫化镉(CdS)等。
这种方法具有较高的沉积速度和较低的能耗，因此在制备大面积的持久发光纳米材料方面具有优势。
研究人员已经成功地利用电化学沉积法合成了多种持久发光纳米材料，如氧化铟锡(ITO)、硫化镉(CdS)等。
随着各种合成方法的研究和发展，持久发光纳米材料的种类和性能不断丰富，为生物医学领域的应用提供了更多的可能性。
随着科学技术的进一步发展，我们有理由相信持久发光纳米材料将在生物医学领域发挥更加重要的作用。
1.1 化学还原法化学还原法的优点在于合成过程简单、成本低廉，且可以制备出具有较高发光强度和稳定性的纳米材料。
该方法也存在一定的局限性，如还原剂的选择受到金属离子还原能力的限制，导致合成的纳米材料性能可能不尽如人意；此外，还原过程中可能产生副产物，影响纳米材料的纯度和发光性能。
为了克服这些局限性，研究人员需要不断优化还原剂的选择、反应条件以及后续纯化工艺，以实现更高效、更稳定的持久发光纳米材料合成。
氮化锰薄膜的分子束外延生长及磁性表征的开题报告
一、研究背景
氮化铁、氮化镍等一系列过渡金属氮化物材料因其独特的电子、磁学、光学性质而受到了广泛的关注。
在这些材料中，氮化锰具有特殊的磁性质，可应用于磁存储器件、传感器、自旋电子学器件等领域。
当前，氮化锰的研究主要通过化学气相沉积、
分子束外延等方法进行。
分子束外延作为一种高真空下的晶体生长方法，能够获得高
质量、低缺陷的晶体材料，因此，利用分子束外延生长氮化锰薄膜并对其进行磁性表
征是本课题的研究内容。
二、研究内容
（1）氮化锰薄膜的分子束外延生长
采用Mn3N2为源材料，通过分子束外延技术在衬底上生长氮化锰薄膜。
在此过
程中，需要优化来源材料的纯度、衬底表面的清洗、生长温度等条件，以获得高质量
的氮化锰薄膜。
（2）氮化锰薄膜的结构表征
采用X射线衍射（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）等手段对氮化锰薄膜的结构、形貌进行表征，以确定其晶体结构、生长方向及表面形貌等参数。
（3）氮化锰薄膜的磁性测量
采用超导量子干涉仪（SQUID）等磁性测试装置对氮化锰薄膜的磁性进行测量，包括饱和磁化强度、矫顽力、居里温度等参数的获得。
三、研究意义和创新点
本课题旨在生长高质量的氮化锰薄膜，并对其进行磁性表征，研究其磁性质，并在此基础上探索其在磁存储器件等领域的应用。
本课题的创新点在于采用分子束外延
技术制备氮化锰薄膜，生长过程中优化各项条件，以获得高质量的薄膜；并通过多种
手段对其进行表征，探索氮化锰薄膜的磁性质，为其在磁存储器件等领域的应用提供
理论支持。
美国研发出可大幅提高海淡效率的二硫化钼薄膜
佚名
【期刊名称】《中国建设信息》
【年(卷),期】2016(000)003
【摘要】美国伊利诺伊州立大学研究人员2015年在《自然通讯》杂志上发表论文称，他们发现二硫化钼高能材料可更高效地去除海水中的盐分，通过计算机模拟各种薄膜的海水淡化效率并进行对比后发现。
二硫化钼薄膜的效率最高，比石墨烯膜还要高出70％。
【总页数】1页(P24-24)
【正文语种】中文
【中图分类】TQ136.12
【相关文献】
1.二硫化钼薄膜可大幅提高海水淡化效率 [J], 房琳琳
2.二硫化钼薄膜可提高海水淡化效率比石墨烯膜高出70% [J],
3.美国新技术大幅提高海水提铀效率 [J], 伍浩松;戴定
4.美国喷气推进实验室开发出一种可大幅提高Landsat图像质量的方法 [J], 岳桢干
5.美国开发出大幅提高太阳能收集能力的新技术 [J],
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第 36卷 第6期2023 年12月Vol.36 No.6Dec. 2023投稿网址： 石油化工高等学校学报JOURNAL OF PETROCHEMICAL UNIVERSITIES氧化石墨烯基复合薄膜材料的制备技术及应用进展陶穆楠，谷雯惠，焦体峰（燕山大学环境与化学工程学院，河北秦皇岛 066004）摘要： 氧化石墨烯因其特殊的物理和化学性质成为近年来研究的热门材料，有关氧化石墨烯基复合薄膜材料的制备、功能化及应用成为当下的前沿和热门课题。
综述了氧化石墨烯基复合薄膜材料的组装方法与性能研究，包括氧化石墨烯基复合Langmuir‐Blodgett（LB）膜、氧化石墨烯基复合静电纺丝膜以及其他氧化石墨烯基复合薄膜，归纳总结了氧化石墨烯基复合膜近期的研究进展，并对其应用前景进行了展望。
关键词： 氧化石墨烯； Langmuir‐Blodgett技术； 静电纺丝技术； 薄膜中图分类号：TQ536.9；O647.2文献标志码： A doi：10.12422/j.issn.1006‐396X.2023.06.002Preparation Technology and Application Progress of Graphene Oxide BasedComposite Thin Film MaterialsTAO Munan，GU Wenhui，JIAO Tifeng（School of Environmental and Chemical Engineering，Yanshan University，Qinhuangdao Hebei 066004，China）Abstract: Graphene oxide has become a popular material for research in recent years due to its unique physical and chemical properties. The preparation, functionalization, and application of graphene based composite membrane materials have become cutting‐edge and popular topics. This article reviews the assembly methods and performance research of graphene oxide based composite membrane materials, including graphene oxide based composite Langmuir‐Blodgett (LB) film, graphene oxide based composite electrospinning film, and other graphene oxide based composite films. It summarizes the recent research progress of graphene oxide based composite films and prospects their application prospects.Keywords: Graphene oxide； Langmuir‐Blodgett technology； Electrospinning technology； Film石墨烯作为一种二维单原子的碳纳米材料，自2004年被发现以来一直是世界各地研究的重要材料之一[1]。
InN和InxGa1-xN薄膜分子束外延生长与物性研究的开题报告一、选题背景及意义InN和InGaN薄膜因其广泛的应用前景，在光电子、太阳能电池、照明、高功率电子器件等领域受到了广泛的关注。
尤其是近年来，随着高亮度半导体照明市场的快速发展，使得InGaN薄膜在照明应用领域的前景更加广阔。
基于此，本文研究的InN和InGaN薄膜的生长与物性，将有助于深入了解其物理与化学性质，解析其光学、电学与结构特性，并为其在相关领域的应用提供更好的基础。
二、研究内容及方法针对InN和InGaN薄膜生长与物性特征进行研究，主要包括以下几个方面：1. 分子束外延法（MBE）生长InN和InGaN薄膜，利用多种表征手段对薄膜进行表面形貌、显微结构、晶体结构、光学和电学性质的分析；2. 基于X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、Atomic Force Microscope (AFM)、拉曼光谱等技术对样品进行表征，进而得到薄膜的晶体结构、表面形貌、结构特性等方面的信息；3. 探究InN和InGaN薄膜的光电性质。
包括薄膜的光学性质（例如：光反射率、吸收系数、透过率等）和光电器件性质（例如：电致发光、肖特基二极管、太阳能电池等）。
通过分析薄膜的光电性能，进一步了解其应用在光电领域的表现；4. 研究不同生长条件和掺杂对InN和InGaN薄膜性质的影响。
分别研究温度、气压、掺杂比例等不同因素，通过对生长条件的变化实现对薄膜性质的调控，从而探究和改进其生长工艺和性能。
三、预期研究结果本文研究的预期结果主要包括：1. 对InN和InGaN薄膜的生长与物性进行全面系统的研究，通过多种表征手段得到薄膜的各项特性；2. 系统探究InN和InGaN薄膜的光电性能，为其在光电子领域的应用提供参考；3. 研究生长条件和掺杂对薄膜性质的影响，为其生长工艺和性能的改进提供参考。
四、研究意义InN和InGaN薄膜依托其良好的物理化学性质，具备广泛的应用前景。
GaN、InN、ZnO薄膜生长动力学研究及光电器件制
备的开题报告
Introduction:
本开题报告旨在探讨GaN、InN、ZnO薄膜的生长动力学，并制备光电器件。
GaN、InN、ZnO是新型半导体材料，具有广泛的应用前景，特别是在光电器件方面，如LED、太阳能电池等。
因此，实现高质量的薄
膜生长以及优化制备过程至关重要。
Objectives:
1.通过研究GaN、InN和ZnO的薄膜生长动力学，实现高质量薄膜
的制备。
2. 研究不同制备过程对薄膜结构和性能的影响以及优化生长过程。
3. 利用制备出的薄膜制备光电器件，如LED等。
Methods:
本研究将采用分子束外延法（MBE）作为薄膜生长技术。
在生长过
程中通过改变生长参数，控制晶体生长的表面形貌，晶体结构，晶格常
数等，以实现高质量薄膜的制备。
同时，使用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）等分析和表征手段分析薄膜的晶体结构和表面形貌等。
Results:
通过上述方法，预期可以制备出高质量的GaN、InN和ZnO薄膜，
并探究不同生长参数对薄膜性质的影响。
同时，可以通过制备出的薄膜
进行光电器件制备，并探究薄膜结构和性能对光电器件性能的影响。
Conclusion:
本研究旨在探讨GaN、InN、ZnO薄膜生长动力学并制备光电器件。
通过探究不同生长参数对薄膜性质的影响，预计能制备出高质量的薄膜，
为光电器件的制备提供优化的条件。
同时，为半导体材料领域的研究提供参考。
Hans Journal of Chemical Engineering and Technology 化学工程与技术, 2019, 9(3), 203-209Published Online May 2019 in Hans. /journal/hjcethttps:///10.12677/hjcet.2019.93030Research Progress of InGaZnOTarget and Thin FilmYingdong Lu1, Shicheng Huang1, YingXiang Liang1, Man Mo2, Zhijie Fang2*1Guangxi Crystal Union Photoelectric Materials Co. Ltd., Liuzhou Guangxi2College of Science, Guangxi University of Science and technology, Liuzhou GuangxiReceived: Apr. 24th, 2019; accepted: May 9th, 2019; published: May 16th, 2019AbstractThe possible technical obstacles in the promotion and application of In-Ga-Zn-O (IGZO) materials were analyzed, including composition analysis of IGZO, technical analysis of IGZO target material preparation, stability analysis of IGZO-TFT, etc. The photoelectric performance of IGZO can be ad-justed by adjusting the proportion of oxide in IGZO. When using the sintering temperature of 1400˚C above, we can get IGZO target with high density and uniform composition; the stability of a-IGZO TFT can be improved by adding shading layer, protective layer, adopting double gate structure, designing compensation circuit and other measures.KeywordsIGZO TFT, IGZO Target, Stability, ComponentInGaZnO靶材和薄膜的研究进展陆映东1，黄誓成1，梁盈祥1，莫曼2，方志杰2*1广西晶联光电材料有限责任公司，广西柳州2广西科技大学理学院，广西柳州收稿日期：2019年4月24日；录用日期：2019年5月9日；发布日期：2019年5月16日摘要对In-Ga-Zn-O (IGZO)材料推广应用过程中可能的技术阻碍进行了分析，包括IGZO的成分分析、IGZO靶材制备技术分析、IGZO-TFT (IGZO薄膜晶体管)稳定性分析等。
通过调节IGZO中氧化物的成分比例，可陆映东等以调节IGZO的光电性能；IGZO靶材的制备选取1400℃以上的烧结温度可以得到高密度，成分均匀的靶材；通过增加遮光层、保护层、采用双栅结构、设计补偿电路等措施，可以提高a-IGZO TFT的稳定性。
关键词IGZO TFT，IGZO靶材，稳定性，成分Copyright © 2019 by authors and Hans Publishers Inc.This work is licensed under the Creative Commons Attribution International License (CC BY)./licenses/by/4.0/1. 引言大尺寸、高清、柔性、低能耗是未来显示器的发展趋势，但传统平面显示器中TFT沟道材料——非晶硅的性能已经不能很好地满足这些需求。
非晶硅薄膜晶体管的主要问题是迁移率低，在1 cm2/V∙S以下，而当液晶显示器尺寸超过80英寸，驱动频率为120 Hz时需要1 cm2/V∙S以上的迁移率[1]；非晶硅的低迁移率，同样使其不能适用于AMOLED的驱动。
低温多晶硅薄膜晶体管的迁移率很高，目前已广泛应用于手机和平板电脑等中小尺寸显示器，但是大面积制备时均匀性差，限制了其在大尺寸显示领域的应用。
为此，适用于大尺寸、高清、柔性、低能耗液晶显示器的新型沟道材料的应用研究成为热点。
其中，非晶In-Ga-Zn-O (IGZO)自2004年被日本学者首次报道出较低的制备温度以及优异的光电性能以来备受关注。
IGZO由In2O3、Ga2O3和ZnO相互掺杂得到，是一种透明金属氧化物半导体材料。
IGZO为n型半导体材料，存在3.5 eV左右的带隙，电子迁移率比非晶硅高1~2个数量级，其最大特点是在非晶状态下依然具有较高的电子迁移率。
由于没有晶界的影响，非晶结构材料比多晶材料有更好的均匀性，对于大面积制备有巨大的优势。
正因为IGZO TFT具有高迁移率、非晶沟道结构、全透明和低温制备这四大优势，使得IGZO作为TFT沟道材料比多晶硅和非晶硅更符合显示器大尺寸化、高清、柔性和低能耗的未来发展趋势。
IGZO薄膜的应用，首先要明确其最佳成分配比，然后根据所需的成分配比制备出相应成分的高质量溅射靶材，并研究其成薄工艺。
本文分别从以上几个方面作了研究和探讨，并归纳了IGZO薄膜应用进程中存在的问题和相应的可能解决方案。
2. IGZO的成分配比多元金属氧化物半导体材料具有光电性能可调节的优点。
IGZO材料要推广应用，首先要确定其最优化的成分比例。
根据研究[2]，IGZO中的三种金属氧化物都有其独特的作用，In2O3中的铟离子贡献出高的电子迁移率；Ga2O3中的镓离子因为容易与氧离子结合，从而可以减小IGZO中氧空位的产生，进而降低IGZO的载流子浓度；同时ZnO的加入，对形成非晶结构薄膜起到重要作用。
李远洁等[3]研究发现，IGZO薄膜的化学元素组成决定了其晶体结构，与镀膜工艺无关。
图1显示了IGZO薄膜成分与其结构和迁移率的关系[4]。
IGZO作为TFT的沟道材料，要求具有以下性能：1) 高迁移率；2) 低载流子浓度；3) 较高的透光率。
如何从材料配方上获得这些性能？陆映东 等Figure 1. The relationship between IGZO film composition and its structure and mobility [4] 图1. IGZO 薄膜成分与其结构和迁移率的关系[4]根据前述，增加铟含量，可以提高迁移率；Hideo H. [5]等人报道，降低镓的含量，也可以起到提高迁移率的作用。
苏雪琼等人[6]将IGZO 中氧化铟的含量增加到80%时，得到电子迁移率25.3 cm 2/V ∙S 的非晶薄膜。
但铟含量并不是越高越好，从图1可以看到，氧化铟含量超过88%时，IGZO 材料为多晶结构；Leenheer A. J.等人[7]也报导了，氧化铟含量为90%，氧化镓含量为0时的IZO 材料为多晶结构。
沟道材料载流子浓度低，可以降低TFT 的关态电流，从而提高开关电流比。
根据前述，增加氧化镓的含量，可以降低IGZO 的载流子浓度。
但增加镓的含量，又会降低迁移率，所以这之间需要一个平衡来实现性能最优化。
沟道材料具有较高的可见光透过率，有利于制备透过率极高的显示器。
Suresh 等[8]研究表明，在IGZO 中，锌原子占比不超过71.4%时，IGZO 薄膜具有较好的可见光透过率。
有研究表明[8] [9] [10]，IGZO 中，三种金属元素按1:1:1的原子比组成(即为InGaZnO 4)，具有较高的电子迁移率和开关电流比，是制备半导体薄膜晶体管的理想配比。
3. IGZO 靶材的制备及其物相分析a-IGZO 薄膜可以采用涂布、激光沉积、磁控溅射等方法制得；其中磁控溅射法镀膜因具有易于控制，镀膜面积大和附着力强等优点而广泛应用于镀膜玻璃生产和显示屏生产工艺中，如ITO 膜、Mo 膜、Al 膜等均采用了磁控溅射的方法。
选用磁控溅射作为a-IGZO 薄膜的镀膜方法，对现有的溅射镀膜设备进行适度的改造即可，具有较强的适应性。
采用磁控溅射制备a-IGZO 薄膜，需要用到IGZO 靶材。
IGZO 靶材的品质好坏直接影响到a-IGZO 薄膜的光电性能。
IGZO 靶材的制备工艺可以类比于氧化铟锡(ITO)靶材，主要流程均是粉体制备、成型、烧结。
一般能用于生产氧化物半导体粉末的方法，均可用于制备IGZO 粉末，如溶胶-凝胶法、微乳液法、化学沉淀法、水解法、固相反应法、水热法、喷雾燃烧法等。
其中固相反应烧结被较多研究者采用。
有研究者利用第一性原理对固相反应烧结制备IGZO 粉的过程进行了研究，发现优先生成的产物是ZnGa 2O 4，然后继续加热，最终转变为InGaZnO 4 [11]。
孟璇等[12]将In 2O 3、Ga 2O 3和ZnO 按1:1:2的摩尔配比进行混合、研磨并采用固相烧结反应法制备IGZO 粉末，结果表明：烧结温度为1100℃时，所得粉末以ZnGa 2O 4相为主，仍有In 2O 3未发生反应；在1200℃和1300℃烧结，均可得到InGaZnO 4单相粉末。
其结果与第一性原理的分析一致。
Lo C. C. [13]等采用In 2O 3、Ga 2O 3和ZnO 摩尔比例为1:1:2的粉体，通过常压烧结的方法，在1300℃烧结6小时，获得InGaZnO 4单相靶材，相对密度93%。
苏文俊等[14]将具有InGaZnO4陆映东等单相结构的粉末，采用放电等离子烧结的方法制备了IGZO靶材，烧结温度1100℃时，烧结体结构性能较好，相对密度97.44%，体积电阻率3.66 mΩ/cm3。
陈江博等[9]用固相反应法制备了富锌含量的IGZO粉末，In2O3、Ga2O3和ZnO摩尔比例为1:1:8经检测，该粉末是含有InGaZn4O7与InGaZn5O8物相的IGZO混合物。
周贤界等[15]减少氧化锌的含量，用In2O3、Ga2O3和ZnO摩尔比例为1:1:1的粉体，在1400℃~1450℃的温度下烧结，获得相对密度高于99.5%的IGZO靶材。
总体而言，要得到高密度，成分均匀的IGZO靶材，最高烧结温度宜控制在1400℃以上。
