第五章 放大电路的频率响应
自 测 题
一、选择正确答案填入空内。
（1）测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是 。
A.输入电压幅值不变，改变频率
B.输入电压频率不变，改变幅值
C.输入电压的幅值与频率同时变化
（2）放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 ，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 。
A.耦合电容和旁路电容的存在
B.半导体管极间电容和分布电容的存在。
C.半导体管的非线性特性
D.放大电路的静态工作点不合适
（3）当信号频率等于放大电路的fL 或fH时，放大倍数的值约下降到中频时的 。
倍 倍 倍
即增益下降 。
（4）对于单管共射放大电路，当f ＝ fL时，oU与iU相位关系是 。 A.＋45˚ B.－90˚ C.－135˚
当f ＝ fH时，oU与iU的相位关系是 。
A.－45˚ B.－135˚ C.－225˚
解：（1）A （2）B，A （3）B A （4）C C
二、电路如图所示。已知：VCC＝12V；晶体管的Cμ＝4pF，fT = 50MHz，'bbr＝100Ω, 0＝80。试求解：
（1）中频电压放大倍数smuA；
（2）'C；
（3）fH和fL；
（4）画出波特图。
图
解：（1）静态及动态的分析估算：
实用文档
.
绪论
一. 符号约定
• 大写字母、大写下标表示直流量。如：VCE、IC等。
• 小写字母、大写下标表示总量〔含交、直流〕。如： vCE、iB等。
• 小写字母、小写下标表示纯交流量。如： vce、ib等。
• 上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。如： 等。
二． 信号
〔1〕模型的转换
〔2〕分类
〔3〕频谱
二.放大电路
〔1〕模型 实用文档
. 〔2〕增益
如何确定电路的输出电阻ro ？
实用文档
. 三．频率响应以及带宽
第一章 半导体二极管
一.半导体的根底知识
1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯洁的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。表达的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素〔多子是空穴，少子是电子〕。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素〔多子是电子，少子是空穴〕。
6. 杂质半导体的特性
*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结
* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性
二. 半导体二极管
*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
第 1 页 共 52 页 《模拟电子技术》教案（全）
模拟电子技术教案 信息工程系 目 录 第一章 常用半导体器件 第一讲 半导体基础知识 第二讲 半导体二极管 第三讲 双极型晶体管三极管 第四讲 场效应管 第二章 基本放大电路 第五讲 放大电路的主要性能指标及基本共射放大电路组成原理 第六讲 放大电路的基本分析^p
^p 方法 第七讲 放大电路静态工作点的稳定 第八讲 共集放大电路和共基放大电路 第九讲 场效应管放大电路 第十讲 多级放大电路 第十一讲 习题课 第三章 放大电路的频率响应 第十二讲 频率响应概念、RC电路频率响应及晶体管的高频等效模型 第十三讲 共射放大电路的频率响应以及增益带宽积 第四章 功率放大电路 第十四讲 功率放大电路概述和互补功率放大电路 第十五讲 改进型OCL电路 第五章 模拟集成电路基础
第十六讲 集成电路概述、电流电路和有负载放大电路 第十七讲 差动放大电路 第十八讲 集成运算放大电路 第六章 放大电路的反馈 第十九讲
反馈的基本概念和判断方法及负反馈放大电路的方框图 第二十讲 深度负反馈放大电路放大倍数的估算 第二十一讲 负反馈对放大电路的影响 第七章 信号的运算和处理电路 第二十二讲 运算电路概述和基本运算电路 第二十三讲
模拟乘法器及其应用 第二十四讲 有滤波电路 第八章 波形发生与信号转换电路 第二十五讲 振荡电路概述和正弦波振荡电路 第二十六讲 电压比较器 第二十七讲 非正弦波发生电路 第二十八讲 利用集成运放实现信号的转换 第九章 直流电 第二十九讲 直流电的概述及单相整流电路 第三十讲 滤波电路和稳压管稳压电路 第三十一讲 串联型稳压电路 第三十二讲 总复习 第一章 半导体基础知识 本章主要内容 本章重点讲述半导体器件的结构原理、外特性、主要参数及其物理意义，工作状态或工作区的分析^p
讨论一： 讨论一：时间常数分析 ' 分别考虑C1、C2、Ce、C π 所确定的截止频率。
C2、Ce短路，C π 开路，求出 短路， ' 开路， C1、Ce短路，C π 开路，求出 短路， '
开路， C1、C2短路， C 短路， ' 开路， 开路，求出 π τ 1 = ( Rs + Rb1 ∥ Rb2 ∥ rbe C1 τ
2 = ( Rc + RL C2 rbe + Rs ∥ Rb1 ∥ Rb2 τ e = ( Re ∥ C e 1+ β C1、 C2、 Ce短路，求出
短路， ' π ' τ C = [ rb'e ∥ ( rbb' + Rs ∥ Rb1 ∥ Rb2 ] Cπ
讨论一： 讨论一：电压放大倍数分析 τ 1 = ( Rs + Rb1 ∥ Rb2 ∥ rbe C1 τ 2 = ( Rc + RL
C2 rbe + Rs ∥ Rb1 ∥ Rb2 τ e = ( Re ∥ C e 1+ β ' π f L1 = 1 (2πτ 1 f L2 = 1 (2πτ 2 f L3 = 1
(2πτ e f H = 1 (2 πτ C ' π 很小！ 很小！ ' τ C = [ rb'e ∥ ( rbb' + Rs ∥ Rb1 ∥ Rb2 ] Cπ j3 f 3 f
L1 f L2 f L3 & & Au = Aum ⋅ (1 + jf f L1 (1 + jf f L2 (1 + jf f L3 (1 + jf f H
讨论二 已知某放大电路的幅频 特性如图所示， 特性如图所示，讨论下列问 题： &
Au = ? 1. 该放大电路为几级放大电路 该放大电路为几级放大电路? 2. 耦合方式 耦合方式?
3. 在 f ＝104Hz 时，增益下降多少？附加相移 ＝？ 增益下降多少？附加相移φ’＝？ 4. 在 f
＝105Hz 时，附加相移 ？ 附加相移φ’≈？ 5. 画出相频特性曲线； 画出相频特性曲线； 6.
