薄膜物理
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《薄膜物理与技术》课程教学大纲课程代码:ABCL0527课程中文名称: 薄膜物理与技术课程英文名称:Thin film physics and technology课程性质:选修课程学分数:1.5课程学时数:24授课对象:新能源材料与器件专业本课程的前导课程:《材料表面与界面》、《近代物理概论》、《材料科学基础》、《固体物理》、《材料物理性能》一、课程简介本课程主要论述薄膜的制造技术与薄膜物理的基础内容。
其中系统介绍了各种成膜技术的基本原理与方法,包括蒸发镀膜、溅射镀膜、离子镀、化学气相沉积、溶液制膜技术以及膜厚的测量与监控等。
同时介绍了薄膜的形成,薄膜的结构与缺陷,薄膜的电学性质、力学性质、半导体特性、磁学性质以及超导性质等。
通过本课程的讲授,使学生在薄膜物理基础部分,懂得薄膜形成物理过程及其特征,薄膜的电磁学、光学、力学、化学等性质。
在薄膜技术部分初步掌握各种成膜技术的基本内容以及薄膜性能的检测。
二、教学基本内容和要求掌握物理、化学气相沉积法制膜技术,了解其它一些成膜技术。
学会对不同需求的薄膜,应选用不同的制膜技术。
了解各种薄膜形成的过程及其物理特性。
理解并能运用热力学界面能理论及原子聚集理论解释薄膜形成过程中的一些现象,了解薄膜结构及分析方法,理解薄膜材料的一些基本特性,为薄膜的应用打下良好的基础。
以下分章节介绍:第一章真空技术基础课程教学内容:真空的基础知识及真空的获得和测量。
课程重点、难点:真空获得的一些手段及常用的测量方法。
课程教学要求:掌握真空、平均自由程的概念,真空各种单位的换算,平均自由程、碰撞频率、碰撞频率的长度分布率的公式,高真空镀膜机的系统结构及抽气的基本过程。
理解蒸汽、理想气体的概念,余弦散射率,真空中气体的来源,机械泵、扩散泵、分子泵以及热偶真空计和电离真空计的工作原理。
了解真空的划分,气体的流动状态的划分,气体分子的速度分布,超高真空泵的工作原理。
第二章真空蒸发镀膜法课程教学内容:真空蒸发原理,蒸发源的蒸发特性及膜厚分布,蒸发源的类型,合金及化合物的蒸发,膜厚和淀积速率的测量与监控。
薄膜物理学中的表面散射与界面效应薄膜物理学是研究薄膜特性和性质的学科领域。
在这个领域中,表面散射和界面效应是关键的研究内容。
表面散射是指当粒子(如电子、光子等)与薄膜表面发生碰撞时,发生的散射现象。
而界面效应则研究的是在两种不同材料的接触界面上,由于化学、电子结构和晶格不匹配引起的物理和化学变化。
这两个方面的研究对于理解薄膜材料的性质和应用具有重要意义。
在薄膜物理学中,表面散射是一个重要的现象。
当入射粒子与薄膜表面发生碰撞时,常常会发生反射、散射和吸收等现象。
这些现象的发生取决于入射角度、入射粒子能量、薄膜表面的结构和化学组成等因素。
通过研究这些散射现象,我们可以了解薄膜表面的形态结构和电子行为,从而揭示出材料的微观性质。
表面散射的机理可以通过量子力学的衍射理论来解释。
根据衍射理论,入射粒子在薄膜表面发生散射时会受到晶体结构的影响。
晶体的周期性结构会导致入射粒子的干涉,从而造成散射波的干涉现象。
这种干涉现象对于不同入射角度和波长的入射粒子都有不同的效应,因此通过测量薄膜散射角度和强度的变化,我们可以了解薄膜表面的晶格结构和周期性。
另一方面,界面效应是薄膜物理学中的另一个重要研究方向。
在薄膜材料的界面上,由于两种材料的化学、晶体结构、电子结构等的不匹配,会引起一系列的物理和化学变化。
这些变化对于薄膜材料的性质和性能具有重要影响。
例如,当两种材料接触时,界面上常常发生电荷转移现象。
这种电荷转移现象可以改变材料的导电性和光学性质。
此外,界面上的电子结构和晶体结构也可能发生变化,这会影响到薄膜的能带结构和禁带宽度,从而导致薄膜的光学和电子性质发生变化。
为了研究界面效应,科学家们采用了多种表征技术。
例如,X射线光电子能谱(XPS)可以分析材料的化学成分和界面层的电子结构;透射电子显微镜(TEM)可以观察材料的晶格变化和界面形貌;原子力显微镜(AFM)可以测量材料的表面形貌和粗糙度等。
这些技术的应用使得我们能够深入探究界面效应的机理和影响。
1.1薄膜概述作业题:什么是薄膜1.薄膜的定义(1):由单个的原子、离子、原子团无规则地入射到基板表面,经表面附着、迁徙、凝结、成核、核生长等过程而形成的一薄层固态物质。
定义(2):采用特定的制备方法在基板表面上生长得到的一薄层固态物质。
·薄膜的尺度:通常:薄膜< 1μm 厚膜>10μm·微电子电路的工艺有哪些方法实现?答:光刻、镀膜、电子束。
1.2 薄膜结构和缺陷作业题:蒸发薄膜微观结构随基片温度的变化如何改变?低温时,扩散速率小,成核数目有限,形成不致带有纵向气孔的葡萄结构;随着温度升高,扩散速率增大,形成紧密堆积纤维状晶粒然后转为完全之谜的柱状晶体结构;温度再升高,晶粒尺寸随凝结温度升高二增大,结构变为等轴晶貌。
其他:·薄膜主要缺陷类型及特点?薄膜的缺陷分为:点缺陷(晶格排列出现只涉及到单个晶格格点,典型构型是空位和填隙原子,点缺陷不能用电子显微镜直接观测到,点缺陷种类确定后,它的形成能是一个定值)、位错(在薄膜中最常遇到,是晶格结构中一种“线性”不完整结构,位错大部分从薄膜表面伸向基体表面,并在位错周围产生畸变)、晶格间界(薄膜由于含有许多小晶粒,故晶粒间界面积比较大)和层错缺陷(由原子错排产生,在小岛间的边界处出现,当聚合并的小岛再长大时反映层错缺陷的衍射衬度就会消失)。
·薄膜晶粒织构(组织结构)模型:(能区分)·薄膜结构是指哪些结构?其特点是什么?(1)薄膜结构:组织结构(包含无定形结构、多晶结构、纤维结构、单晶结构)、晶体结构、表面结构。
(2)特点:组织结构:薄膜的结晶形态晶体结构:多数情况下,薄膜中晶粒的晶格结构与体材料相同,只是晶粒取向和晶粒尺寸不同,晶格常数也不同。
表面结构: a、呈柱状颗粒和空位组合结构;b、柱状体几乎垂直于基片表面生长,而且上下端尺寸基本相同;c、平行于基片表面的层与层之间有明显的界面;1.3 薄膜的形成作业题:1.薄膜生长的三个过程一、吸附、表面扩散与凝结过程二、核形成与生长过程三、连续薄膜的形成(岛形成与生长过程。
薄膜现象名词解释薄膜现象是指在界面上形成的薄膜的物理和化学现象。
它广泛存在于自然界和工业生产中,例如,液滴滴落在物体表面后形成的水珠,人体肺泡表面的磷脂层等。
薄膜现象是近代表面科学的核心内容之一,对于深化人类对物质世界的认识具有重要意义。
以下是薄膜现象的相关名词解释:1. 表面张力表面张力是液体表面由于内部分子间相互作用力而表现出来的能量状态,是薄膜现象中的重要物理现象。
表面张力通常由分子间相互吸引力造成的,这些力可以促使分子团聚在一起形成液滴或液体表面。
对于形成薄膜现象来说,表面张力是决定液体在物体表面形态的重要参数。
表面张力越大,液体在物体表面的展开就会越困难,容易形成浸润角较大的气液界面,而表面张力越小,液体在物体表面的展开就会越容易,液体就更容易形成紧密的膜。
2. 增溶剂增溶剂是指在液体溶液过程中增加的比例较少的其他物质,可以使溶液中溶质的溶解度增加。
在薄膜现象的研究中,增溶剂可以用于改变液体界面的张力和形态,从而影响溶解、扩散、化学反应等过程。
例如,在化学反应过程中,增溶剂可以为反应物提供更好的反应界面和反应条件,从而提高反应速率和转化率。
3. 静电力静电力是由于电荷分布不均引起的力量,是薄膜现象中重要的物理现象之一。
静电力可以形成电双层,一层是液相中的离子和分子,另一层是与液相相接触的固体表面。
电双层的存在可以影响液体在固体表面的形态和结构,从而影响薄膜现象的形成和发展。
例如,静电作用可以改变气液界面的性质,从而调节液滴在固体表面的接触角度,影响液态吸附和涂层的性能等。
4. 细胞膜细胞膜是生物细胞外层由磷脂分子和其他分子组成的薄膜结构,保护着细胞的内部结构和功能。
细胞膜是生命体中重要的薄膜现象之一,其特殊的结构和功能对于维持细胞生命活动以及许多生物学过程具有重要作用。
例如,细胞膜可以选择性地透过物质,控制物质进出细胞,还可以参与细胞与外界物质的相互作用和信号传递等。
5. 聚合物薄膜聚合物薄膜是一种以聚合物为主要构成元素形成的薄膜结构,广泛应用于光学、电子学、生物医学等领域。
薄膜为什么受到重视?1,薄膜物理是物理学(特别是固体物理学)的重要分支,发展形成自己的体系--理论与实验(2)薄膜材料具有广泛的电、光、声、热、磁等应用场合许多制品(刀具、容器、管道、板材等)主要决定于其表层特性而不是整体特性/ 电子元器件(微电子、光电子)是建立在发展于表面或表面近层的物理效应基础上/ 微电子器件、固体电子器件提高性能、小型化的关键—相关薄膜材料的制备和研究(3)薄膜具有许多明显不同于块材料的特性,如晶体结构多为非晶态、亚稳态等, 这些特性称为反常结构与特性—为薄膜所特有(值得研究和利用)/不仅是材料学研究的重要领域,也为发展新型功能材料开辟了广阔途径。
(非平衡冶金、非晶态生长、超微细结构、纳米材料…….)(4)薄膜材料是现代材料科学发展最迅速的一个分支。
现在科学技术的发展,特别是微电子技术的发展,打破了过去体材料的一统天下。
过去需要众多材料组合才能实现的功能,现在仅仅需要少数几个器件或者一块集成电路板就可以完成。
而薄膜技术正是实现器件和系统微型化的最有效的技术手段。
(5)器件的微小型化不仅可以保持器件原有的功能,而且可以使之更强化,随着器件的尺寸减小以至于接近电子或其他离子量子化运动的微观尺度,薄膜材料或其器件讲显示出许多全新的物理现象。
薄膜技术作为器件微型化的关键技术,是制备这类具有新型功能器件的有效手段。
(6)每种材料的性能都有其局限性。
薄膜技术作为材料制备的有效手段,可以将各种不同的材料灵活地组合在一起,构成具有友谊特性的复杂材料体系,发挥每种材料各自的优势,避免单一材料的局限性。
薄膜(thin film):由物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、溶液镀膜法等薄膜技术制备的薄层。
●厚膜(thick film):由涂覆在基板表面的悬浮液、膏状物经干燥、煅烧而形成。
薄膜材料的特点1.薄膜材料属于介观范畴,具有量子尺寸效应;2.薄膜表面积与体积之比很大,表面能级很大,对膜内电子输运影响很大;3.薄膜界面态复杂,力学因素和电学因素交相作用,内应力和量子隧穿效应同时存在,对薄膜生长和微结构影响巨大;4.异常结构和非理想化学计量比特性明显;5.可实行多层膜复合,如超晶格。
薄膜物理基础知识大全第一章:最可几速度:平均速度:均方根速度:平均自由程:每个分子在连续两次碰撞之间的路程称为自由程;其统计平均值成为平均自由程。
常用压强单位的换算 1Torr=133.322 Pa 1 Pa=7.5×10-3 Torr 1 mba=100Pa 1atm=1.013*100000Pa真空区域的划分、真空计、各种真空泵粗真空 1×105 to 1×102 Pa低真空 1×102 to 1×10-1 Pa高真空 1×10-1 to 1×10-6 Pa超高真空 <1×10-6 Pa旋转式机械真空泵M RT M RT m kT v a 59.188===ππMRT M RT m kT v r 73.133===P kT 22πσλ=M RT M RT m kT v m 41.122===油扩散泵复合分子泵属于气体传输泵,即通过气体吸入并排出真空泵从而达到排气的目的分子筛吸附泵钛升华泵溅射离子泵低温泵属于气体捕获泵,即通过各种吸气材料特有的吸气作用将被抽气体吸除,以达到所需真空。
不需要油作为介质,又称为无油泵绝对真空计:U型压力计、压缩式真空计相对真空计:放电真空计、热传导真空计、电离真空计机械泵、扩散泵、分子泵的工作原理,真空计的工作原理第二章:1.什么是饱和蒸气压、蒸发温度?在一定温度下,真空室内蒸发物质的蒸气与固体或液体平衡过程中所表现出来的压力规定物质在饱和蒸气压为10-2Torr 时的温度2.克-克方程及其意义?3. 蒸发速率、温度变化对其影响?根据气体分子运动论,在气体压力为P 时,单位时间内碰撞单位面积器壁上的分子数量,即碰撞分子流量(通量或蒸发速率)J :蒸发源温度微小变化就可以引起蒸发速率的很大变化4. 平均自由程与碰撞几率的概念。
蒸发分子在两次碰撞之间所飞行的平均距离热平衡条件下,单位时间通过单位面积的气体分子数为5. 点蒸发源和小平面蒸发源特性?能够从各个方向蒸发等量材料的微小球状蒸发源称为点蒸发源(点源)。
第一章
薄膜:所谓薄膜是指在基板的垂直方向上所堆积的1-10的原子层或分子层。
在此方向上薄膜具有微观结构。
真空的划分:在薄膜技术领域,人为地将真空环境粗略地划分为:低真空>102Pa,中真空102~10-1 Pa,高真空10-1~10-5 Pa,超高真空<10-5 Pa
临界温度:在市级工程中,常会碰到各种气态物质,对于每种气体都有一个特定的温度,高于此温度时,气体无论如何压缩都不会液化,这个温度称为临界温度。
最可几速率:气体分子分布在V M处取得极大值,就把V M称为最概然速率。
平均自由程:每个分子在连续两次碰撞之间的路程称为自由程,其平均值λ=
称为
2πσ∧2n
平均自由程。
4
入射频率:单位时间内,在单位面积的器壁上碰撞的气体分子数称为入射频率。
一.薄膜制备的真空技术基础:薄膜制备方法物理方法:热蒸发法 溅射法 离子镀方法化学方法:电镀方法 化学气相生长法1,气体分子的平均自由程:气体分子在两次碰撞的间隔时间里走过的平均距离。
21d n πλ= d — 气体分子的有效截面直 2,单位面积上气体分子的通量:气体分子对于单位面积表面的碰撞频率。
3,流导:真空管路中气体的通过能力。
分子流气体:流导C 与压力无关,受管路形状影响,且与气体种类、温度有关。
4,真空泵的抽速: p — 真空泵入口处气体压力Q — 单位时间内通过真空泵入口处气体流量5,真空环境划分:低真空> 102 Pa中真空102 ~ 10-1 Pa高真空10-1 ~ 10-5 Pa超高真空< 10-5 Pa低压化学气相沉积:中、低真空(10~ 100Pa );溅射沉积: 中、高真空(10-2 ~ 10Pa );真空蒸发沉积: 高真空和超高真空(<10-3 Pa );电子显微分析: 高真空;材料表面分析: 超高真空。
6,气体的流动状态:分子流状态:在高真空环境下,气体的分子除了与容器壁外,几乎不发生气体分子间的相互碰撞。
特点:气体分子平均自由程大于气体容器的尺寸或与其相当。
(高真空薄膜蒸发沉积系统、各种材料表面分析仪器)粘滞流状态:当气压较高时,气体分子的平均自由程很短,气体分子间的相互碰撞较为频繁。
粘滞流状态的气体流动模式:层流状态:低流速黏滞流所处的气流状态,即气体宏观运动方向与一组相互平行的流线相一致。
紊流状态:高流速黏滞流所处的气流状态,气体不再能够维持相互平行的层状流动模式,而呈现出一种旋涡式的流动模式。
克努森(Knudsen)准数:分子流状态Kn<1过渡状态Kn=1~100粘滞流状态Kn > 1007,旋片式机械真空泵工作原理:玻意耳-马略特定律(PV=C)即:温度一定的情况下,容器的体积和气体压强成反比。
性能参数:理论抽速Sp:单位时间内所排出的气体的体积。
目录摘要 (1)1 引言 (1)2 分子束外延技术的原理与特点 (1)3分子束外延生产设备与参数 (2)4 分子束外延的影响因素及相关分析 (5)5发展现状与趋势及应用 (6)浅谈薄膜物理中的分子束外延技术[摘要] 本文主要由五个部分组成。
第一个部分由引言说明外延技术的相关背景。
第二个部分主要介绍分子束外延技术的原理与特点。
第三个部分阐述分子束外延典型生产设备与参数。
第四部分主要论述了分子束外延的影响因素及相关分析。
最后一部分概括了其技术发展现状、趋势及应用。
1 引言外延是指在单晶基片上生长出位向相同的同类单晶体(同质外延),或者生长出具有共格或半共格联系的异类单晶体(异质外延)。
外延方法主要有气相外延、液相外延和分子束外延。
气相外延主要就是化学气相沉积在单晶表面的沉积过程。
将外延层所需的化学组分以气相的形式,通过物理或化学变化在衬底上进行的外延,这就是气相外延。
液相外延是将溶质放入溶剂中,在一定温度下形成均匀溶液,然后将溶液缓慢冷却通过饱和点(液相线)时,有固体析出而进行结晶生长的方法。
生长晶体的驱动力是溶液的过饱和度。
当衬底与溶液接触时,若溶液处于过饱和状态则会有溶质从溶液中析出。
条件适宜时,析出的溶质就会在衬底上生长出外延层。
分子束外延(MBE)是将真空蒸镀膜加以改进和提高而形成的一种成膜技术,它在超高真空条件下,精确控制蒸发源给出的中性分子束流强,在基片上外延成膜的技术。
分子束外延主要研究的是不同结构或不同材料的晶体和超晶格的生长。
该法生长温度低,能严格控制外延层的层厚组分和掺杂浓度,但系统复杂,生长速度慢,生长面积也受到一定的限制。
分子束外延是50年代用真空蒸发技术制备半导体薄膜材料发展而来的。
随着超高真空技术的发展而日趋完善,由于分子束外延技术的发展开拓了一系列崭新的超晶格器件,扩展了半导体科学的新领域,进一步说明了半导体材料的发展对半导体物理和半导体器件的影响。
2 分子束外延技术的原理与特点分子束外延是一种在晶体基片上生长高质量的晶体薄膜的新技术。
但因一般的真空蒸镀达不到半导体薄膜要求的高纯度、晶体的完整性和杂质的控制,因而限制了它在制备半导体薄膜方面的应用。
在超高真空条件下,由装有各种所需组分的炉子加热而产生的蒸气,经小孔准直后形成的分子束或原子束,直接喷射到适当温度的单晶基片上,同时控制分子束对衬底扫描,就可使分子或原子按晶体排列一层层地“长”在基片上形成薄膜。
MBE属于真空蒸镀的范畴,因此在制备半导体薄膜的方法上和其他的外延方法相比有着巨大的优势,具体表现如:(1)在超高真空下生长,污染较少,可生长出高纯度外延材料;(2)生长速度为一般为0.1~10个单原子层/s,通过挡板的快速开关可实现束流的快速切换从而达到外延层厚度、组分、掺杂的精确控制;(3)衬底温度低,可减少异质结界面的互扩散、易于生长突变结;(4) MBE生长不是热平衡条件下进行的,可生长按普通热平衡方法难以生长的薄膜材料,易于生长多种新型材料;(5) MBE生长为二维生长模型,使外延层的表面、界面具有原子级的平整度(RHEED强度周期性地对应于单分子层的厚度);(6)高真空,可用多种表面分析仪器对外延生长过程进行实时原位监测并随时提供有关生长速度、外延层表面形貌、组分等各种信息,便于进行生长过程和生长机理的研究;(7) MBE设备可与其他半导体工艺设备实行真空连接,使外延材料生长、蒸发、离子注入及刻蚀等在真空条件下连续进行,提高器件性能及成品率。
与此同时,这种外延技术也存在着一些不足之处,主要问题有以下几种:(1)表面形态的卵形缺陷,长须状缺陷及多晶生长;(2)难于控制两种以上V族元素,不利于批量生产;(3)生长时间长,表面缺陷密度大;(4)设备较为昂贵,分析仪器易受蒸气分子的污染。
3分子束外延生产设备与参数MBE设备由真空系统、蒸发源、监控系统和分析测试系统构成。
蒸发源由几个克努曾槽型分子束盒构成。
后者由坩埚、加热器、热屏蔽、遮板构成。
分子束盒用水冷却,周围有液氮屏蔽。
分子束加热和遮板的开闭是精确控制的关键。
生长系统主要由以下几个部分组成:进样室、预处理室(衬底存储室)和生长室。
监控系统由四极质谱仪(其作用是:真空度检测,监测残余气体和分子束流的成分)、电离计(其作用是:测量分子束流量)、电子衍射仪(观察晶体表面结构以及生长表面光洁平整度)和俄歇谱仪(其作用是:检测表面成分、化学计量比和表面沾污等)等四种仪器构成。
下图是一种计算机控制的分子束外延生长装备示意图1。
这种早期使用的装置为单室结构。
现在的MBE设备一般都是生长室、分析室和基片交换室的三室分离型设备。
图 1现以GaAs为例说明MBE法制备Ⅲ—Ⅴ族半导体单晶膜的工艺:对经过化学处理的GaAs基片,在10-8Pa的超真空下用As分子束碰撞,经过1min加热,基片温度达到650℃,获得清洁的表面,生长温度可选择在500至700℃;Ga和As 分子束从分子束盒射至基片上,形成外延生长;分子束强度按一定关系求得,并用设置在分子束路径上的四级质量分析仪检测,调节分子束盒的温度和遮板开闭。
图 2图2是MBE设备的实物图,该设备可以在各种衬底材料上实现各种材料薄膜的外延生长,可实现分子自组装、超晶格、量子阱、一维纳米线等工艺实施。
分子束外延薄膜生长设备具有超高的真空环境,可在理想的环境下进行薄膜外延生长,它可以排除薄膜在生长时的各种干扰因素,得到理想的高精度薄膜。
依分子束外延技术制备Hg1xCdxTe薄膜,在制备过程中薄膜的厚度和组分如表1所示。
表 1分子束外延Hg1xCdxTe样品的测试数据样品编号方位角rad 晶格参数nm 厚度µm 组分xg10 0.64663513.1 0.2342 Π/2 0.646631g20 0.64667110.6 0.2539 Π/2 0.646684g30 0.64678011.1 0.3030 Π/2 0.646785g4 0 0.646792 10.7 0.3074Π/2 0.646797g50 0.64678715.2 0.3154 Π/2 0.646783g60 0.64682611.1 0.3272 Π/2 0.646822g70 0.64693311.6 0.3830 Π/2 0.646930g80 0.64696612.1 0.4059 Π/2 0.646961g90 0.64712613.2 0.4840 Π/2 0.647129g100 0.64725913.6 0.5562 Π/2 0.6472544 分子束外延的影响因素及相关分析生长温度:以A1N为例说明生长温度对外延的影响,随着生长温度的提高,RHEED条纹更加纤细、更加细锐;在低温下,A1N表面有密集的小岛状晶粒结构,但随着温度的升高,小岛之间开始聚合,并形成大范围的原子力台阶,表明A1N 薄膜在高温下有良好的二维生长模式;(002)和(102)面XRD半高宽结果进一步表明A1N薄膜的二维生长模式,且在高温下,A1N薄膜中的刃型位错密度大大减小。
说明提高生长温度有助于提高A1N薄膜的晶体质量,获得平坦的表面。
衬底温度:现以InGaAs材料为例加以说明,衬底温度直接决定了InGaAs 材料制备过程中In原子在界面间的渗析和In原子在外延层表面迁移,影响了IhGaAs外延材料的生长模式;生长速率影响着InGaAs外延层的质量。
实验结果表明,通过调整衬底温度和生长速率,在衬底温度为500℃,生长速率为1200nm /h时,制备出的样品结晶质量和表面形貌最好。
掺杂剂:现以硅材料加以说明,大量掺杂剂的存在,将改变了硅的生长机制。
在表面相中成团的吸附原子首先脱离此团,由于该过程相关联的激活能小于脱附激活能但大于表面扩散能,故原子脱离从而形成单个原子。
原子一旦脱离孤立的组织,将向硅表面迁移,直到被一个较合适的扭折位置所容纳,其迁移过程受硅表面掺杂原子的扩散率所控制,掺杂原子将结合到台阶的扭折位置。
5发展现状与趋势及应用在超薄层材料外延生长技术方面,MBE的问世使原子、分子数量级厚度的外延生长得以实现,开拓了能带工程这一新的半导体领域。
半导体材料科学的发展对于半导体物理学和信息科学起着积极的推动作用。
它是微电子技术、光电子技术、超导电子技术及真空电子技术的基础。
分子束外延技术的发展,推动了以GaAs为主的III—V族半导体及其它多元多层异质材料的生长,大大地促进了新型微电子技术领域的发展,造就了GaAs IC、GeSi异质晶体管及其集成电路以及各种超晶格新型器件。
特别是GaAs IC(以MESFET、HEMT、HBT以及以这些器件为主设计和制作的集成电路)和红外及其它光电器件,在军事应用中有着极其重要的意义。
GaAs MIMIC(微波毫米波单片电路)和GaAs VHSIC(超高速集成电路)将在新型相控阵雷达、阵列化电子战设备、灵巧武器和超高速信号处理、军用计算机等方面起着重要的作用。
90年代中美国有50种以上整机系统使用MIMIC。
所谓整机系统包括灵巧武器、雷达、电子战和通信领域。
在雷达方面,包括S、C、X、Ku波段用有源发射/接收(T/R)组件设计制作的相控阵雷达;在电子战方面,Raytheon公司正在大力发展宽带超宽带砷化镓MIMIC的T/R组件和有源诱铒MIMIC;在灵巧武器方面,美国MIMIC计划的第一阶段已有8 种灵巧武器使用了该电路,并在海湾战争中得到了应用;在通信方面,主要是国防通信卫星系统(DSCS),全球(卫星)定位系统(GPS),短波超高频通信的小型倾向毫米波保密通信等。
以分子束外延技术所生产的光电器件在军事上也得到广泛的应用,现已成为提高各类武器和通信指挥控制系统的关键技术之一,对提高系统的生存能力也有着特别重要的作用。
主要包括激光器,光电探测器,光纤传感器,电荷耦合器件(CCD)摄像系统和平板显示系统等。
它们被广泛地应用于雷达、定向武器、制导寻的器、红外夜视探测、通信、机载舰载车载的显示系统以及导弹火控、雷达声纳系统等。
而上述光电器件的关键技术与微电子、微波毫米波器件的共同之处是分子束外延,金属有机化合物汽相淀积等先进的超薄层材料生长技术。
行家认为未来半导体光电子学的重要突破口将是对超晶格、量子阱(点、线)结构材料及器件的研究,其发展潜力无可估量。
未来战争是以军事电子为主导的高科技战争,其标志就是军事装备的电子化、智能化。
而其核心是微电子化。
以微电子为核心的关键电子元器件是一个高科技基础技术群,而器件和电路的发展一定要依赖于超薄层材料生长技术如分子束外延技术的进步。