第6章 功率放大电路
265 一、选择题
(05 分)1.选择正确答案填空：
1．在甲类功率放大电路中，功放管的导通角为（ ）；
A． B． C．0
2．在甲乙类功率放大电路中，功放管的导通角为（ ）；
A． B．> C．<
3．在乙类功率放大电路中，功放管的导通角为（ ）；
A． B．= C．<
(05 分)2.选择正确答案填空：
1．功率放大电路的主要特点是（ ）；
A．具有较高的电压放大倍数 B．具有较高的电流放大倍数
C．具有较大的输出功率
2．功率放大电路的最大输出功率是负载上获得的（ ）；
A．最大交流功率 B．最大直流功率 C．最大平均功率
3．功率放大电路的效率是（ ）；
A．输出功率与输入功率之比 B．输出功率与功放管耗散功率之比
C．输出功率与电源提供的功率之比
(05 分)3.选择正确答案填空：
1．分析功率放大电路时，应着重研究电路的（ ）；
A．电压放大倍数和电流放大倍数 B．输出功率与输入功率之比
C．最大输出功率和效率
2．功率放大电路的最大输出功率是（ ）；
A．负载获得的最大交流功率 B．电源提供的最大功率
C．功放管的最大耗散功率
3．当功率放大电路的输出功率增大时，效率将（ ）。
A．增大 B．减小 C．可能增大，也可能减小
(05 分)4.选择正确答案填空：
1 习题
3-1 场效应管沟道的预夹断和夹断有什么不同？
解：
当UDS增加到UDS=UGS，即UGD=UGS -UDS= UGS（th）时，漏极附近的耗尽层将合拢，称为预夹断。预夹断后，沟道仍然存在，夹断点的电场强度大，仍能使多数载流子(电子)作漂移运动，形成漏极电流IDSS。
若UDS继续增加，使UDS＞UGS－UGS（th），即UGD＜UGS（th）时，耗尽层合拢部分会增加，并自夹断点向源极方向延伸，此时夹断区的电阻越来越大，但漏极电流ID却基本趋于饱和，不随UDS的增加而增加。
3-2 如何从转移特性上求gm值？
解：
利用公式gsdmdUdIg求gm值。
3-3 场效应管符号中，箭头背向沟道的是什么管？箭头朝向沟道的是什么管？
解：
箭头背向沟道的是P沟道；箭头朝向沟道的是N沟道。
3-4 结型场效应管的UGS为什么是反偏电压？
解：
若为正偏电压，则在正偏电压作用下，两个PN结耗尽层将变窄，ID的大小将不受栅-源电压UGS控制。
3-5如图3-20所示转移特性曲线，指出场效应管类型。对于耗尽型管，求UGS（off）、IDSS；对于增强型管，求UGS（th）。
解：
a P沟道增强型。UGS（th）=－2V
b P沟道结型。UGS（off）=3V、IDSS=4mA
3-6如图3-21所示输出特性曲线，指出场效应管类型。对于耗尽型管，求UGS（off）、IDSS；对于增强型管，求UGS（th）。
解：
a N沟道增强型。UGS（th）=1V
b P沟道结型。UGS（off）=1V、IDSS=1.2mA ID/mA
UGS/V
a 0 2 3 4
－3 －2 －1 1
图3-20 习题3-5图 ID/mA
UGS/V
b 0 2 3
1 1
2 3 4 2
3-7 如图3-22所示电路，场效应管的UGS（off）=－4V，IDSS=4mA；计算静态工作点。
解：
SRRIVUUUIIRIUDDDDDS2GS(off)GSDSSDSDGS1
MOS放大电路设计仿真与实现实验报告
实验报告：MOS放大电路设计、仿真与实现
一、实验目的
本实验的主要目的是通过设计、仿真和实现MOS放大电路来加深对MOSFET的理解，并熟悉模拟电路的设计过程。
二、实验原理
MOSFET是一种主要由金属氧化物半导体场效应管构成的电流驱动元件。与BJT相比，MOSFET具有输入阻抗高、功率损耗小、耐电压高、尺寸小等优点。在MOS放大电路中，可以采用共源共源极放大电路、共栅共栅极放大电路等不同的电路结构。
三、实验步骤
1.根据实验要求选择合适的电路结构，并计算所需材料参数（参考已知电流源和负载阻抗）。
2.选择合适的MOS管，并仿真验证其工作参数。
3.根据仿真结果确定电路的放大倍数、频率响应等。
4.根据电路需求，设计电流源电路和源极/栅极电路。
5.仿真整个电路的性能，并调整参数以优化电路性能。
6.根据仿真结果确定电路的工作参数，并进行电路的实现。
7.通过实验测量电路性能，验证仿真结果的正确性。
8.对实验结果进行分析，总结实验的过程和经验。 四、实验设备和材料
1.计算机及电子仿真软件。
2.实验电路板。
3.集成电路元器件（MOSFET、电阻等）。
4.信号发生器。
5.示波器。
6.万用表等实验设备。
五、实验结果与分析
通过仿真和实验，可以得到MOS放大电路的电压增益、输入输出阻抗、频率响应等参数。根据实验结果，可以验证设计的合理性，并进行参数调整优化。
在实际应用中，MOS放大电路被广泛应用于音频放大器、功率放大器、运算放大器等场合。因为MOSFET具有较大输入阻抗，所以MOS放大电路可以在输入端直接连接信号源，而不需要额外的输入电阻。此外，MOS放大电路的功率损耗较小，适用于各种功率要求不同的应用场合。
六、实验心得
通过设计、仿真和实现MOS放大电路的实验，我更加深入地理解了MOSFET的原理和应用。在实验过程中，我通过不断调整电路参数和元器件选择，逐步提高了电路的性能。通过与实验结果的对比，我发现仿真和实验结果基本吻合，验证了仿真的准确性。 总之，通过本次实验，我不仅学到了MOS放大电路的设计和实现方法，还进一步了解了MOSFET的特性和应用。这对我今后的学习和研究都具有重要的指导意义。
(完整版)第四章场效应管习题答案..
第四章 场效应管基本放大电路
4-1 选择填空
1．场效应晶体管是用_______控制漏极电流的.
a。 栅源电流 b。 栅源电压 c。 漏源电流 d。 漏源电压
2．结型场效应管发生预夹断后，管子________。
a。 关断 b。 进入恒流区 c。 进入饱和区 d. 可变电阻区
3．场效应管的低频跨导gm是________.
a. 常数 b。 不是常数 c. 栅源电压有关 d. 栅源电压无关
4。 场效应管靠__________导电.
a。 一种载流子 b。 两种载流子 c. 电子 d. 空穴
5。 增强型PMOS管的开启电压__________。
a. 大于零 b。 小于零 c. 等于零 d. 或大于零或小于零
6. 增强型NMOS管的开启电压__________。
a. 大于零 b. 小于零 c。 等于零 d. 或大于零或小于零
7. 只有__________场效应管才能采取自偏压电路。
a. 增强型 b. 耗尽型 c。 结型 d。 增强型和耗尽型
8. 分压式电路中的栅极电阻RG一般阻值很大,目的是__________。
a。 设置合适的静态工作点 b。 减小栅极电流
c. 提高电路的电压放大倍数 d。 提高电路的输入电阻
9. 源极跟随器(共漏极放大器)的输出电阻与___________有关。
a. 管子跨导gm b。 源极电阻RS c. 管子跨导gm和源极电阻RS
10。 某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自漏极流出，大小为8mA，则该管是_______.
