光刻

光刻机总体结构
照明系统 掩模台系统 环境控制系统 掩模传输系统 投影物镜系 统
自动对准系 统
调平调焦测 量系统 框架减振系 统
硅片传输系 统
工件台系统
整机控制系统
整机软件系统
图为CPU内部SEM图像
图为硅芯片集成电路放大图像
图为在硅片上进行的光刻图样
图为Intel 45nm高K金属栅晶体 管结构
SU-8交联示意图
正胶与负胶性能对比
正胶 缺点 （DQN） 特征 优点 优点 分辨率高、对比度好 粘附性差、抗刻蚀能力差、高成本 近紫外，365、405、435nm的波长曝 光可采用 良好的粘附能力、抗蚀能力、感光能 力以及较好的热稳定性。可得到垂直 侧壁外形和高深宽比的厚膜图形 显影时发生溶胀现象，分辨率差 对电子束、近紫外线及350-400nm紫 外线敏感
投影式印刷：在投影式印刷中，
用镜头和反光镜使得像聚焦到硅平 面上，其硅片和掩模版分得很开。
三种方法的比较
接触曝光：光的衍射效应较小，因而分辨率高；但易损
坏掩模图形，同时由于尘埃和基片表面不平等，常常存 在不同程度的曝光缝隙而影响成品率。
接近式曝光：延长了掩模版的使用寿命，但光的衍射效
应更为严重，因而分辨率只能达到2—4um 左右。
坚膜也是一个热处
理步骤。 除去显影时胶膜 吸收的显影液和水分， 改善粘附性，增强胶 膜抗腐蚀能力。 时间和温度要适 当。 时间短，抗蚀性 差，容易掉胶；时间 过长，容易开裂。
刻蚀就是将涂胶前所
沉积的薄膜中没有被 光刻胶覆盖和保护的 那部分去除掉，达到 将光刻胶上的图形转 移到其下层材料上的 目的。
等离子体去胶，氧气在强电场作用下电离产生的活性氧， 使光刻胶氧化而成为可挥发的CO2、H2O 及其他气体而被 带走。

光刻的四条技术路线
1. 接触式光刻（Contact Lithography）：此技术路线将掩模直接与光刻胶接触，通过紫外光照射来传导图案。

接触式光刻具有高分辨率和高精度的特点，但会产生掩模和光刻胶之间的化学反应。

2. 脱接触式光刻（Proximity Lithography）：在脱接触式光刻中，光刻胶和掩模之间仅存在微小的距离，而不接触彼此。

当紫外光照射时，通过距离短暂拉近并拉开来传递图案。

脱接触式光刻比接触式光刻更容易控制化学反应，但相对于接触式光刻的分辨率和精度较低。

3. 投影式光刻（Projection Lithography）：这是最常用的光刻技术路线之一。

先通过光学方式将掩模上的图案投射到光刻胶的表面上。

投影式光刻的特点是具有高分辨率和高通量，但需要复杂的光学系统。

4. 电子束光刻（Electron Beam Lithography，EBL）：电子束光刻是一种高分辨率光刻技术，利用聚焦的电子束直接写入图案。

电子束光刻具有非常高的分辨率，但速度较慢，适用于制造高级芯片和小批量生产。

这些光刻技术路线在微电子器件制造中起着重要的作用，根据不同的需求和应用领域选择合适的技术路线。

光刻的概念
光刻是一种用于精密制造微电子芯片的关键工艺。

它是将光源通过掩膜形成的图案，映射在光刻胶层上的过程。

光刻是半导体工艺中最重要的步骤之一，常用于制造芯片、平板显示器和其他微加工领域。

光刻的过程主要包括光源、掩膜、光刻机和光刻胶四个部分。

首先，光源产生高能紫外光，并通过光学系统聚焦到掩膜上。

掩膜是一张玻璃板上刻有芯片设计图案的薄膜，它将设计图案投影到光刻胶层上。

当紫外光通过掩膜时，它会被掩膜上的图案部分阻挡，只有透过空白区域的光能够通过。

这样，光刻胶层上的光敏物质会发生化学反应，使得光刻胶在暴露部分变得溶解性，而未暴露的部分保持不变。

下一步是将光刻胶进行显影，即将光刻胶层中溶解的部分去除，只保留需要的图案。

然后，在光刻胶层的图案上进行材料的蚀刻或沉积，从而形成芯片所需的结构。

最后，去除剩余的光刻胶，留下清晰的图案，完成光刻。

光刻技术的精度和分辨率决定了芯片的制造质量。

目前，随着微电子技术的不断发展，光刻技术也得到了不断的改进。

例如，通过使用更高分辨率的掩膜和更强的光源，可以实现更小的芯片特征尺寸，提高芯片的集成度和性能。

总而言之，光刻是微电子制造中至关重要的工艺，它通过将光源的图案映射到光刻胶层上，实现微芯片的精确加工。

它在信息技术、通信、医疗设备等领域都发挥着重要的作用，并为我们带来了丰富的科技创新与发展。

光刻的工作原理光刻技术是一种用于制造集成电路的重要工艺，其工作原理是利用光的作用将图案投射到硅片上，形成微小的电路结构。

本文将从光刻的原理、设备和应用等方面进行详细介绍。

一、光刻的原理光刻技术是利用光的干涉、衍射和透射等特性实现的。

首先，需要将待制作的电路图案转化为光学遮罩，通常使用光刻胶涂覆在硅片上，然后通过光刻机将光学遮罩上的图案投射到光刻胶上。

光刻胶在光的照射下会发生化学反应，形成光刻胶图案。

接下来，通过将光刻胶暴露在特定的化学溶液中，去除未曝光的光刻胶，得到所需的光刻胶图案。

最后，通过将硅片进行化学腐蚀或沉积等工艺步骤，形成微小的电路结构。

二、光刻的设备光刻机是光刻技术中最关键的设备之一。

光刻机主要由光源、光学系统、对准系统和运动控制系统等部分组成。

光源是产生紫外光的装置，通常使用汞灯或氙灯等。

光学系统由透镜、反射镜和光刻胶图案的投射系统等组成，用于将光学遮罩上的图案投射到光刻胶上。

对准系统是用于确保光刻胶图案和硅片之间的对准精度，通常采用显微镜和自动对准算法等。

运动控制系统是用于控制硅片在光刻机中的移动和旋转等。

三、光刻的应用光刻技术在集成电路制造中有着广泛的应用。

首先，光刻技术是制造集成电路中最关键的工艺之一，可以实现微米甚至纳米级别的电路结构。

其次，光刻技术还可以制作光学元件，如光纤、激光器等。

此外，光刻技术还被应用于平面显示器、传感器、光学存储器等领域。

四、光刻技术的发展趋势随着集成电路制造工艺的不断发展，光刻技术也在不断进步和改进。

首先，光刻机的分辨率越来越高，可以实现更小尺寸的电路结构。

其次，光刻胶的性能也在不断提高，可以实现更高的对比度和较低的残留污染。

此外，光刻技术还在朝着多层光刻、次波长光刻和非接触式光刻等方向发展。

光刻技术是一种利用光的特性制造微小电路结构的重要工艺。

光刻技术的原理是利用光的干涉、衍射和透射等特性实现的，通过光刻机将光学遮罩上的图案投射到光刻胶上，最终形成所需的电路结构。

二,光刻版(掩膜版)
基版材料:玻璃,石英. 要求:在曝光波长下的透光度高,热膨胀系数 与掩膜材料匹配,表面平坦且精细抛光.
二,光刻版(掩膜版)
掩膜版的质量要求 若每块掩膜版上图形成品率=90%,则 6块光刻版,其管芯图形成品率=(90%)6=53% 10块光刻版,其管芯图形成品率=(90%)10=35% 15块光刻版,其管芯图形成品率=(90%)15=21% 最后的管芯成品率当然比其图形成品率还要低 ①图形尺寸准确,符合设计要求; ②整套掩膜版中的各块版应能依次套准,套准误差应尽可能小; ③图形黑白区域之间的反差要高; ④图形边缘要光滑陡直,过渡区小; ⑤图形及整个版面上无针孔,小岛,划痕等缺陷; ⑥固耐用,不易变形.
三,光刻机(曝光方式)
④1:1扫描投影光刻机(美国Canon公司)
三,光刻机(曝光方式)
⑤分步重复投影光刻机--Stepper DSW:direct-step-on-wafer ⅰ)原理: 采用折射式光学系统和4X~5X的缩小透镜. 曝光场:一次曝光只有硅片的一部分,可以大大 提高NA(0.7),并避免了许多与高NA有关的聚 焦深度问题,加大了大直径硅片生产可行性. 采用了分步对准聚焦技术.
一,光刻胶
4.感光机理 ①负胶
聚乙烯醇肉桂酸脂-103B,KPR
一,光刻胶
双叠氮系(环化橡胶)-302胶,KTFR
一,光刻胶
②正胶 邻-叠氮萘醌系-701胶,AZ-1350胶
二,光刻版(掩膜版)
掩膜版在集成电路制造中占据非常重要的地位,因为 它包含着欲制造的集成电路特定层的图形信息,决定 了组成集成电路芯片每一层的横向结构与尺寸. 所用掩膜版的数量决定了制造工艺流程中所需的最少 光刻次数. 制作掩膜版首先必须有版图.所谓版图就是根据电路 ,器件参数所需要的几何形状与尺寸,依据生产集成 电路的工艺所确定的设计规则,利用计算机辅助设计 (CAD)通过人机交互的方式设计出的生产上所要求 的掩膜图案.

光刻的应用领域
1. 半导体芯片制造：光刻技术是制造集成电路（IC）的关键步骤之一。

通过将芯片设计投影到硅片上，利用光刻技术进行图形转移，形成微米级的电路结构和器件。

2. 平面显示器制造：光刻技术用于制造液晶显示器（LCD）、有机发光二极管显示器（OLED）等平面显示器。

通过光刻技术，在基板上制造导线、电极、像素点等微细结构。

3. 光子学：光刻技术被广泛应用于制造光学器件和光纤通信设备。

通过光刻技术制造微光学结构，如分光器、光栅、微透镜等。

4. 生物芯片制造：光刻技术可用于制造生物芯片和实验室微芯片。

通过光刻技术制造微细通道、微阀门等微流控结构，实现对微小液滴和生物分子的控制和分析。

5. 微机电系统（MEMS）制造：光刻技术在MEMS制造中起到关键作用。

通过光刻技术制造微米级的机械结构、传感器和执行器，实现微小机械和电子的集成。

6. 光刻制造设备：光刻技术的应用也推动了光刻设备的发展。

光刻机是一种关键的制造设备，能够将光刻胶的图形转移到硅片或其他基板上，并具备高分辨率、高精度和高速度等特性。

第五章 光刻
学习目标：
光刻基本概念 负性和正性光刻胶差别 光刻的8个基本步骤 光刻光学系统 光刻中对准和曝光的目的 光刻特征参数的定义及计算方法 五代光刻设备
5.1 引言
光刻是把掩膜版上的电路图形超精确地转移到涂 覆在硅片上的光刻胶膜上，为后续刻蚀或离子注 入提供掩蔽膜，以完成图形的最终转移的工艺过 程。
光刻是集成电路制造的关键工艺
一、光刻技术的特点
产生特征尺寸的关键工艺； 复印图像和化学作用相结合的综合性技术； 光刻与芯片的价格和性能密切相关，光刻成本占
整个芯片制造成本的1/3。
二、光刻三个基本条件
掩膜版 光刻胶 光刻机
掩膜版（Reticle或Mask）的材质有玻璃 版和石英版，亚微米技术都用石英版，是 因为石英版的透光性好、热膨胀系数低。 版上不透光的图形是金属铬膜。
7.颗粒少
旋转涂胶参数 光刻胶厚度∝1/(rpm)1/2
传统正性I线光刻胶
1. 树脂是悬浮于溶剂中的酚醛甲醛聚合物 2. 感光剂化合物作为强的溶解抑制剂（不溶解于显影液）被加到线性酚 醛树脂中 3. 在曝光过程中，感光剂（通常为DNQ）发生光化学分解产生羟酸 4. 羟酸提高光刻胶曝光区域的线性酚醛树脂的溶解度
光刻胶成分：
1. 树脂（是一种有机聚合物材料，提供光刻 胶的机械和化学特性） 2. 感光剂（光刻胶材料的光敏成分） 3. 溶剂（使光刻胶具有流动性） 4. 添加剂（控制光刻胶特殊方面的化学物质， 备选）
光刻工艺对光刻胶的要求：
1.分辨率高（区分硅片上两个相邻的最小特征尺 寸图形的能力强）
2.对比度好（指曝光区和非曝光区过渡的陡度）
工艺宽容度，工艺发生一定变化时，在规定范 围内仍能达到关键尺寸要求的能力。

光刻及刻蚀方法
光刻及刻蚀方法如下：
１．光刻：光刻的主要环节包括涂胶、曝光与显影。

涂胶是指通过旋转晶圆的方式在晶圆上形成一层光刻胶；曝光是指先将光掩模上的图形与晶圆上的图形对准，然后用特定的光照射，光能激活光刻胶中的光敏成分，从而将光掩模上的电路图形转移到光刻胶上；显影是用显影液溶解曝光后光刻胶中的可溶解部分，将光掩模上的图形准确地用晶圆上的光刻胶图形显现出来。

２．刻蚀：刻蚀主要分为干法刻蚀和湿法刻蚀，指未被光刻胶覆盖的材料被选择性去除的过程。

干法刻蚀主要利用等离子体对特定物质进行刻蚀；湿法刻蚀主要通过液态化学品对特定物质进行刻蚀。

光刻实验报告范文光刻技术是一种利用光的照射和反应来制作微纳米结构的制造技术。

光刻技术是微电子技术中最关键的技术之一，广泛应用于集成电路制造、光学元器件制造以及微纳米器件制造等领域。

本文主要介绍了光刻实验的目的、原理、实验步骤、结果与分析，并总结了实验过程中的问题和改进措施。

一、实验目的1.了解光刻技术的原理和应用。

2.学习掌握光刻胶的制备与涂覆技术。

3.熟悉光刻曝光机的操作方法及曝光参数的设置。

4.掌握光刻显影技术并获得良好的光刻图案。

二、实验原理光刻技术的基本原理是利用光敏感的光刻胶对光的照射产生化学或物理反应，然后通过显影处理使得被照射的区域得到显影和蚀刻，形成所需的微纳米结构。

三、实验步骤1.光刻胶的制备与涂覆准备好二甲苯、光刻胶、旋涂机等材料和设备，按照实验要求准备光刻胶溶液并进行涂覆。

2.光刻曝光将涂有光刻胶的硅片放入光刻曝光机中，设置好曝光参数，并进行曝光。

3.显影处理将曝光后的硅片放入显影液中，根据所需的蚀刻深度和图案要求控制显影时间。

4.蚀刻将显影后的硅片放入蚀刻机中，使用特定的蚀刻液对显影后的图案进行蚀刻，形成所需的微纳米结构。

5.清洗与检验清洗蚀刻后的硅片，去除掉多余的光刻胶和蚀刻液，并使用显微镜或扫描电子显微镜对微纳米结构进行检验。

四、实验结果与分析在光刻实验中，我们制备了硅片上的微纳米结构，并根据实验要求进行了显影处理和蚀刻。

最终得到的微纳米结构清晰可见，形状规整，大小符合设计要求。

通过显微镜观察，我们可以看到各个结构之间的间隔很小，达到了高分辨率的要求。

五、实验中遇到的问题与改进措施在实验过程中，我们遇到了涂覆光刻胶时出现的气泡和划痕等问题，可能是由于操作不当或设备问题导致。

为了解决这些问题，我们可以在涂覆前进行适当的气泡去除和清洗工作，确保涂覆的光刻胶均匀无气泡。

另外，我们也应该注意加强设备的维护和保养，确保设备的正常运行。

光刻技术是一种高精度、高分辨率的微纳米结构制造技术。

使用光刻胶的目的： 将掩膜版图案转移到硅片表面顶层的光刻胶中； 在后续工艺中，保护下面的材料；
随着尺寸的越来越小，需要注意和改进的几个点： 更好的图形清晰度、黏附性、均匀性、增加工艺容度。
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10.2 光刻胶
1、组成
聚合物材料：聚合物在广德照射下不发生化学反应，其 主要作用是保证光刻胶薄膜的附着性和抗腐蚀性；使胶 具有一定的粘度，能均匀涂覆；
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3 正、负胶比较
正胶，显影容易，图形边缘齐，无溶涨现象，光刻的 分辨率高，去胶也较容易。
负胶显影后保留区的胶膜是交联高分子，在显影时， 吸收显影液而溶涨，另外，交联反应是局部的，边界 不齐，所以图形分辨率下降。光刻后硬化的胶膜也较 难去除。但负胶比正胶相抗蚀性强。
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正胶和负胶进行图形转移示意图
②透射率：在360nm以上的波长范围内，透射率在 90%以上。
③化学稳定性：掩模版在使用和储存过程中，很难绝 对避免与酸、碱、水和其它气氛接触。它们对玻璃都有不同 程度的溶解力。
④选择方法：表面光泽，无突起点、凹陷、划痕和气 泡，版面平整。厚度适中、均匀。对于接触式曝光，为能承 受接触复印压力，厚度应在3mm以上。
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通过移相层后光波与正常光波产生的相位差可用 下式表达：
Q2d(n1)
式中 d——移相器厚度； n——移相器介质的折射率； λ——光波波长。
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附加材料造成 光学路迳差异， 达到反相
47
10.3.1 移相掩模技术
移相掩模的主要类型有： 交替式PSM 衰减型PSM 边缘增强型PSM 无铬PSM 混合PSM
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10.1.3 铬版的制备技术
空白铬版制作工艺流程
19
1、玻璃基板的选择与制备

光刻工艺的三要素
1. 光源：光刻工艺需要使用一定波长的紫外线光源来照射光刻胶。

常用的光源包括汞灯、氘灯和氙灯等。

光源的稳定性和强度直接影响着光刻胶的曝光结果。

2. 掩膜：掩膜是用于制作芯片器件图案的模具，通过掩膜上的透明区域将光源发出的光线投射到光刻胶上形成图案。

掩膜的制作需要使用高分辨率的光刻技术，并且透明区域需要具备良好的精确度和对比度。

3. 光刻胶：光刻胶是光刻工艺中的关键材料，它在曝光后会发生化学反应，形成特定的图案。

光刻胶的光敏剂和增感剂决定了其对特定波长光的敏感程度和曝光速度，而胶厚度、粘度和耐化学性等属性则对图案的质量和光刻的可重复性产生影响。

通过光源的照射，掩膜上的图案在光刻胶上形成，然后通过显影、蚀刻等步骤，制作出所需的芯片器件结构。

这三要素的优化和控制是确保光刻过程准确、稳定和高效的关键因素。

简述光刻的原理及应用原理解析光刻是一种微影技术，通过光源照射光线，通过掩膜、投影镜头等装置进行光束的控制，将光进行精确的刻画。

光刻技术主要应用于集成电路的制造过程中，用于制作芯片上的微小结构。

其原理主要包括以下几个步骤：1.制作掩膜：掩膜是光刻技术中的关键部件，其上的图案决定了最后形成的微小结构。

制作掩膜通常采用光刻层叠法，先采用电子束或者激光进行图形刻画，再采用化学腐蚀或电子束蚀刻等方法进行图形转换。

2.对光源进行准直和聚光：光源释放出的光线经过准直系统的处理，使其成为平行光线或者具有特定角度的光束。

然后通过聚光系统将光线集中到一个小的区域。

3.将光线加工成所需的形状：通过使用光学元件，如凸透镜、衍射光栅等，对光进行处理和转换，将光束的形状从平行光线变换为所需的图形。

这样处理后的光线将通过掩膜传递到光敏材料上。

4.光敏材料的感光作用：光刻胶或光致变色剂等光敏材料能够感受到通过掩膜传递来的光线，其中的感光物质会发生化学变化，例如溶解或固化。

通过光源加工后的光线图案将在光敏材料上形成相应的图案。

5.开发和清洗：在光敏材料上形成的图案需要进行开发处理，将未曝光或者曝光程度不够的部分去除。

然后进行清洗处理，保证所形成的结构图案的质量。

应用领域光刻技术在当前工业生产和科学研究中扮演着重要的角色。

下面列举了光刻技术的几个重要应用领域：1.集成电路制造：光刻技术是集成电路制造过程中必不可少的一环，用于制作芯片上的微小结构。

通过光刻技术，可以将图形准确地转移到芯片表面，实现微电子元器件的制造。

2.光学组件制造：光学器件的制造也是光刻技术的一个重要应用领域。

通过光刻技术，可以制作出光学器件的微小结构，如光栅、透镜等。

这些微小结构对于光的传输和调控起着重要的作用。

3.纳米加工：随着纳米科技的发展，纳米加工成为了一个热门的研究领域。

光刻技术在纳米加工中发挥着重要作用，可以制造出纳米级的结构，用于研究纳米材料的性质和制造纳米器件。

焦深计算:
７.４ 光刻工艺流程
• 光刻主要由涂胶、曝光、显影等主要步骤
组成。为了增强精确性和可靠性，还包括 去水烘烤、涂底、软烤和硬烤等步骤。下
面简述各步的过程。
７.４.１ 粘着剂HMDS
• 光刻胶需要疏水性的表面才能获得良好的接触。 干净的硅片表面是疏水的，但由于经过大多数工 艺过程或和空气反应形成一层薄氧化层，硅片表 面就变成亲水性的了。六甲基二硅胺烷（HMDS） 钝化了亲水性的表面状态使之变成疏水性的，从 而提高了硅片表面和光刻胶之间的黏附性。 • HMDS的涂法有两种：一种是旋转法，与涂 胶类似；一种是气相法，气相法是把气态的 HMDS送进放有硅片的容器，在硅片表面形成一 层HMDS膜，这种方法效率高，受微粒影响小。
关于抗反射涂层
• 在光刻胶的下面是最终要被刻蚀形成图案的底层 薄膜。如果这个底层膜是反光的，例如金属和多 晶硅层，那麽光线将从这个膜层反射并有可能损 害临近的光刻胶。这个损害能够对线宽控制产生 不利的影响。 • 两种最主要的光反射问题是反射切口和驻波。在 刻蚀形成的垂直侧墙表面，光反射到不需暴光的 光刻胶中就会形成反射切口。驻波表征入射光波 和反射光波之间的干涉，这种干涉引起了随光刻 胶厚度变化的不均匀暴光。由于驻波，暴光后光 刻胶侧面是由过暴光和欠暴光而形成条痕。
7.6 电子束光刻
• 电子束暴光是指具有一定能量的电子进入到光刻 胶中与胶分子相互作用,产生光化学反应.一般也和 可分为投影式(通过掩膜)和直写. • 邻近效应:电子束暴光中,由于电子在胶中的散射和 胶层与衬底的交界面的背散射,使得图形有的地方 因增强暴光而突起,有的地方因减弱暴光而缺损,于 是引起图形畸变. • 电子束可以聚焦成很小的尺寸的束斑(nm),但是邻 近效应是影响电子束暴光的重要因素. • 克服图形畸变可以选择适当的暴光能量、计量和 胶膜厚度—计算机自动修正.

➢遮蔽式（shadow）曝光 ➢投影式（projection）曝光
遮蔽式（shadow）曝光
➢ 接触式：1μm左右的分辨率，尘埃或硅渣嵌入光刻胶的问 题；
➢ 接近式：（10-50μm的间隙），2-5μm分辨率，掩膜图形边 缘光学衍射，光进入阴影区。
临界尺寸（critical dimension，CD）
➢ 灵敏度
✓ 正胶的灵敏度：感光区变得完全可溶时所需的能量，因 此E T对应于灵敏度，是衡量曝光速度的指标（mJ/cm 2）； ✓ 负胶的灵敏度：曝光区内的原始光刻胶厚度保留50%所 需的能量；
➢ 对比度
✓ 对比度（反差比）——直接影响光刻胶的分辨率；曝 光响应曲线斜率越大，对比度越大； ✓ γ较大表示曝光能量有一增量，光刻胶的可溶性就有较 大增加，结果图像边缘就比较陡。
（2）
➢ 式（1）说明分辨率的改善（即较小的lm），可以通过缩短 光源波长与增加数值孔径NA达到；
➢ 式（2）指出，聚焦深度会因NA的增加而衰减，而且增加 DA值比缩短光源波长λ对聚焦深度DOF衰减影响更快；
➢结论：缩短光源波长是光学图形曝光的必然 趋势。
➢ 高压汞灯（mercury-arc lamp） 具有较高的光强度与稳定度，故 被广泛用作曝光光源； ➢ 汞灯光谱的几个峰值： G-线：436nm H-线：405nm I-线：365nm
光刻胶主要参数
➢ 灵敏度 ➢ 对比度 ➢ 衍射影响 ➢ 抗刻蚀比
➢ 分辨能力 ➢ 曝光宽容度 ➢ 工艺宽容度 ➢ 其他
曝光响应曲线
下图为正、负胶曝光反应曲线和显影后图形截面 ➢ 光刻胶即使没有曝光，在显影液中也有一定的可溶性； ➢ 随着曝光剂量的增加，可溶性逐渐增加； ➢ 达到阈值E T后光刻胶完全可溶——对应于灵敏度。

光刻的工艺
光刻工艺是一种重要的微细加工技术，通常用于制造集成电路和微纳米器件。

下面是光刻工艺的一般步骤：
1. 接收光刻图案设计：根据需要制造的器件，设计图案，并将其转化为数字格式。

2. 芯片表面处理：对芯片表面进行预处理，例如清洗、去除杂质等，以确保光刻的质量。

3. 底片涂覆：将光刻底片（通常为玻璃或石英材料）涂覆在芯片表面，形成光刻胶层。

4. 软对准：使用专用设备将光刻底片和芯片对准，确保图案正确布局。

5. 曝光：使用光刻机器将光刻底片上的图案投射到光刻胶层上。

这通常通过使用紫外线光源，通过掩模和透镜将光照射到芯片的特定区域。

6. 显影：将芯片浸泡在特定的化学液中，将未暴露于光的光刻胶溶解掉，从而形成所需的图案。

这需要控制显影时间和温度以确保正确的图案转移。

7. 清洗：将芯片浸泡在去离子水或其他清洗剂中，去除显影过程中产生的任何
残留物。

8. 检验：检查芯片上的图案是否按照设计要求制造，并进行必要的测量和质量控制。

以上是光刻工艺的一般步骤，具体的工艺参数和步骤可能因应用和芯片制造技术的不同而有所变化。

光刻工艺的优化和控制是集成电路制造中的关键技术之一，对于实现高精度、高性能的微纳米器件具有重要意义。

光刻的八个步骤
嘿，朋友们！今天咱就来聊聊光刻的那八个神奇步骤。

你想想啊，这光刻就好比是一场精细无比的舞蹈，每一个步骤都是
至关重要的舞步呢！
第一步，就像是舞蹈的开场，得准备好那干净平整的舞台，也就是
晶圆的清洗和预处理。

把晶圆弄得干干净净、妥妥当当的，才能开始
这场精彩表演呀！
第二步，涂光刻胶，这就好像给舞者穿上了一件特别的舞衣，让它
能在接下来的表演中展现独特的魅力。

第三步，曝光！哇哦，这可是关键的一刻，就如同舞台上那束耀眼
的聚光灯打在了舞者身上，让一切都变得清晰可见，图案开始显现啦！
第四步，显影，嘿嘿，这就像是舞者在聚光灯下开始展现出优美的
舞姿，那些隐藏的美丽图案渐渐清晰起来。

第五步，刻蚀，哎呀呀，这可不得了，就像是舞者用灵动的身姿雕
琢出一个个精美绝伦的造型，把不需要的部分给去除掉。

第六步，去光刻胶，好比舞者表演结束后，要把那特别的舞衣脱下来，恢复原本的样子。

第七步，清洗，这是给晶圆来个彻彻底底的大扫除，把一切杂质都
清理干净，为下一次的精彩做好准备。

第八步，检查，这可太重要啦！就像一场舞蹈结束后，要看看整体效果怎么样，有没有哪里还可以改进。

这八个步骤，环环相扣，缺一不可呀！每个步骤都得小心翼翼、精益求精，不然可就出大乱子喽！你说这光刻是不是特别神奇？就像变魔术一样，能在那么小的晶圆上创造出那么多复杂又美妙的图案。

咱可真得佩服那些搞光刻的人，他们就像是技艺高超的魔法师，能让这一切都变得如此不可思议！所以啊，大家可别小瞧了这光刻的八个步骤，它们可是推动科技进步的重要力量呢！。

光刻技术流程各步骤
光刻技术呀，可有趣啦。

光刻技术开始前得有个准备工作呢。

就像做菜得先把食材准备好一样，光刻得先有个硅片，这硅片就像是盖房子的地基。

而且呀，光刻胶也得准备妥当，光刻胶就像是画画用的颜料，不过这可是高科技的“颜料”哦。

接下来就是涂光刻胶这一步啦。

想象一下用刷子把颜料均匀地涂在画布上，不过这里是用专门的设备把光刻胶均匀地涂在硅片上，要涂得特别薄又特别均匀才行，就像给硅片穿上一层薄薄的、超级合身的衣服。

然后就是曝光啦。

这一步就像是拍照一样，不过用的可不是普通的相机。

有个光罩，上面有设计好的图案，光线透过光罩照到涂了光刻胶的硅片上。

光刻胶被光照到的地方和没照到的地方就会发生不一样的变化，就像被魔法棒点了一下似的。

曝光之后就是显影啦。

这就像是冲洗照片一样，把硅片放到特殊的溶液里，被光照过的光刻胶和没被光照过的光刻胶在溶液里的反应不一样，这样就把光罩上的图案在硅片上显示出来啦。

那些该留下的光刻胶就留着，不该留下的就被溶液冲走啦。

再之后就是蚀刻啦。

这一步就像是雕刻师拿着小刻刀在材料上雕刻一样。

不过这里是用化学或者物理的方法把硅片上不需要的部分去掉，只留下有光刻胶保护的部分，这样就把想要的图案刻在硅片上啦。

最后就是把光刻胶去掉啦，硅片上就留下了我们想要的图案。

整个光刻技术流程就像是一场神奇的魔术表演，每个步骤都很关键，少了哪一步都不行呢。

这光刻技术可是现代高科技产品制造的大功臣呀。