某半导体工厂含铜废水的来源及处理
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含铜废水处理方法铜是一种常见的金属元素,广泛应用于电子、建筑、化学工业等领域。
然而,铜废水的排放对环境带来了严重的污染问题。
铜离子对水生生物有毒性,会破坏水体生态系统的平衡。
因此,对于含铜废水的处理非常重要。
本文将介绍几种常见的铜废水处理方法。
一、化学沉淀法化学沉淀法是一种常见的处理铜废水的方法。
该方法利用化学反应产生沉淀,将废水中的铜离子转化为固体沉淀物,从而实现铜离子的去除。
常用的沉淀剂包括氢硫酸铵、氢氧化钠等。
具体步骤如下:1.调节废水的pH值,使其适合沉淀剂的加入。
2.将沉淀剂逐渐加入废水中,并搅拌混合。
3.等待一段时间,待沉淀物充分形成。
4.使用过滤等方法将沉淀物与废水分离。
5.对废水进行后续处理,以达到排放标准。
化学沉淀法具有简单易行、效果稳定等优点,但其沉淀生成物的处理也是一个问题,需要考虑废物的后续处理方式。
二、离子交换法离子交换法是一种利用离子交换树脂去除废水中铜离子的方法。
离子交换树脂是一种可逆吸附废水中铜离子的材料。
在废水中通入含铜离子的溶液时,树脂将吸附铜离子,使废水中的铜离子浓度降低。
当树脂饱和后,通过水或盐溶液再生树脂,将吸附的铜离子释放,再次得到可用于处理废水的树脂。
离子交换法具有高效去除铜离子的能力,同时可以循环使用的优点,但对于废水中其他成分的影响需要进行综合考虑。
三、电解法电解法是一种利用电解原理去除废水中铜离子的方法。
该方法通过在电极上施加电压,使溶液中的铜离子在阳极处氧化生成固体沉淀,从而实现废水中铜离子的去除。
电解法具有操作简单、效果稳定等优点,但其能耗较大,对电极材料的要求也较高。
四、膜分离法膜分离法是一种利用半透膜隔离废水中铜离子的方法。
常用的膜分离技术包括超滤、纳滤、反渗透等。
通过适当选择膜孔径和操作条件,可以实现对铜离子的分离和去除。
膜分离法具有高效分离、操作简单等优点,但对于含有高浓度铜离子的废水处理效果可能不理想,同时对膜的耐腐蚀性能要求较高。
安峰环保目前许多企业都面临着大量含铜废水处理和排放问题,因为大量的电镀部件积累,导致许多电镀部件镀铜。
如果废水中铜离子的处理不当,将严重影响人体健康。
它还可能给环境带来难以估量的危害。
接下来,简单介绍了几种电镀含铜废水处理技术。
目前,处理镀铜废水的主要方法有化学沉降、离子交换、膜分离、吸附和生物等。
化学法主要有中和法和硫化物沉淀法。
1、硫化物沉淀法硫化物沉淀法是指电镀含铜废水处理设备和处理工艺具有较大的优势,一般而言,利用硫化钠等硫化物的加入,形成较稳定的硫化物沉淀,能有效去除铜离子。
实际上,采用硫化物沉淀法处理含铜电镀废水,可以有效地处理一些不符合标准的弱铬重金属,与氢氧化铜溶解度相比,硫化铜的溶解度要低得多,ph值范围也较宽。
然而,硫化物沉淀法存在一些问题,因为硫化物沉淀量小,不易沉淀,使用时间有限,氰离子的存在会影响硫化物沉淀,溶解部分硫化物和沉淀。
一般来说,两种化学沉淀法都具有较成熟的处理技术,应用广泛,需要添加大量的化学剂,用于生产大量的二次污染。
2、中和沉淀法中和沉淀法主要以废水中的酸碱元素为主,铜离子形成氢氧化铜沉淀,然后通过固液分离装置将沉淀去除。
单一含铜废水通常PH值为6.92,能去除铜离子,达标。
铜、铁同时存在时,其ph值可控制在8~9之间。
在此基础上,调整了含重金属和铜铬混合物电镀废水中铜的去除效率,铜的去除效率普遍低于排放标准,主要原因是:处理废水中ph值的有效调节、不同金属的去除、沉淀废水中铬络合物的形成、沉淀废水中铬络合物的形成、铬络合物的形成、铬络合物的形成、铜离子的分离,以达到排放目标。
尤其在处理含氰铜混合废水后,铜离子浓度与废水中氰离子的含量成正比。
用中性沉淀法处理含铜废水,尤其是对有害铜废水的处理。
3.高效组合两级沉淀法经试验和工程实践,高效复合沉淀法处理含铜电镀废水具有明显的优越性。
本文研究了一种高效除铬剂,能够破坏金属铬化合物,使其形成游离金属。
实际上,这种方法可以有效地解决不完全切问题。
含铜废水处理工艺分析铜废水是指含有铜离子(Cu2+)的废水,通常是工业生产中的废水,如电镀废水、冶炼废水等。
铜离子对环境具有一定的毒性,超过一定浓度时会对水体生物产生危害,因此需要进行处理。
本文将对含铜废水处理的工艺进行分析。
物理处理主要是通过沉淀、过滤、吸附等方式去除废水中的铜离子。
其中,沉淀是最常用的处理方法之一、通过添加草酸、硫化氢等沉淀剂,能够使铜离子与沉淀剂发生反应生成沉淀物,然后通过沉淀、上清水分离的方式将沉淀物从废水中分离出来。
过滤则是通过滤料将废水中的悬浮固体截留下来。
一般采用砂滤器、活性炭滤器等滤料进行过滤。
吸附则是利用活性炭、树脂等材料对废水中的铜离子进行吸附,使其从废水中被固定,从而达到去除的目的。
化学处理主要是通过添加化学药剂来处理含铜废水。
一种常用的化学处理方法是氢化、电还原法。
在这种方法中,通过加入还原剂,如氢气、电流等,将废水中的铜离子还原成金属铜,从而使废水中的铜离子得到去除。
此外,还可以采用络合剂法、离子交换法等进行处理。
物理处理和化学处理在实际应用中常常结合使用。
例如,先通过沉淀法去除废水中的大部分铜离子,然后再利用吸附剂对废水中的残余铜离子进行吸附。
这种处理方法不仅能够高效去除废水中的铜离子,还可以减少处理过程中的化学药剂的使用,降低处理成本。
除了物理和化学处理外,还可以采用生物处理方法来处理含铜废水。
生物处理是利用一些细菌、藻类等生物体对废水中的铜离子进行转化、吸附等方式达到去除的目的。
这种方法具有良好的环境友好性,但操作难度较大,且处理效果受环境因素影响较大。
综上所述,含铜废水处理可以通过物理处理、化学处理和生物处理等方式进行。
根据实际情况选择合适的工艺组合进行处理,能够高效去除废水中的铜离子,保护环境安全。
含铜废水处理技术分析铜是工业废水中非常常见的重金属,若不经适当的处理直接排入环境中,会严重威胁水生态系统健康,并通过食物链危害人体健康。
目前处理含铜废水的方法主要有化学絮凝、离子交换、吸附法以及电絮凝等。
电絮凝作为一种高效的水处理技术,具有:操作简单、产泥量小、避免使用化学药品、易实现自动化和设备化控制等优点。
但随着污染形势不断加剧和水质标准中重金属的限值日趋严格,电絮凝技术往往需要组合其他技术才能满足水质排放标准。
膜过滤技术对悬浮颗粒、有机化合物、无机污染物如重金属有很好的处理效果,但膜污染制约了它的推广应用,电絮凝作为膜分离的预处理单元可以有效的减缓膜污染。
所以,将电絮凝与膜分离技术进行组合,不但能够缩短水处理工艺流程,提高污染物的分离效率,而且能够有效减缓膜污染,提高膜通量,具有良好的协同效应。
本研究采用电絮凝-超滤(EC-UF)组合技术处理工业含铜废水,考察了电流密度J、初始pH、初始铜浓度和初始电导率对除铜的影响,分析了电絮凝与超滤组合除铜的机理,并探讨了膜污染情况,为EC-UF 除铜工艺在实践应用中提供了技术基础。
1 材料与方法1. 1 实验材料极板与膜材料: 实验中阳极、阴极均采用铁板,极板尺寸为115 mm × 65 mm × 2 mm ( 有效面积68 cm2 )。
中空纤维式超滤膜组件由天津膜天膜集团公司提供。
超滤膜材质为聚偏氟乙烯(PVDF),膜孔径0. 03 μm。
模拟实验废水:向去离子水中加入CuSO4 · 5H2 O,使Cu2 + 初始浓度保持在C(Cu2 + ) = 40 mg·L - 1 。
溶液pH 用1 mol·L - 1 的NaOH 和HCl 进行调节。
向溶液中加入0. 5 mmol·L - 1 的NaHCO3 作为缓冲物质,并用无水Na2 SO4 调节至电导率为2 mS·cm - 1 。
实验所用药品均为分析纯。
含铜废水处理方法
一、催化氧化处理
催化氧化处理以金属氧化物形式除去重金属是一种经济、安全、环境友好的催化除污技术。
催化氧化主要由催化剂和氧化剂组成,在催化剂和氧化剂相结合的反应条件下,发生氧化作用,使有害物质以水溶性的有机或无机物形式分解,既能降低污染物的浓度,又能改善水质,实现废水的资源化效果。
催化氧化过程中,催化剂的选择是非常重要的,以达到理想的处理效果。
常用的催化剂有铂催化剂和钯催化剂,铂催化剂能够产生一系列酶反应,活性催化剂的选择有利于废水中有机物的氧化分解,进而改善水质。
氧化剂则能在一定的条件下有效分解废水中的有害物质,从而达到污染物的去除效果。
二、膜分离处理
膜分离处理是一种溶质的物理分离技术,它采用一层特殊的膜分离系统,可以实现废水中有害物质的清除、电解去除、浓缩、回收以及改性处理。
常用的膜分离技术有渗透膜分离技术、滤膜分离技术等,其中渗透膜分离技术是一种重要的技术,有利于改善废水中污染物的浓度,减少废水的排放力度。
半导体含铜废水处理工艺流程处理半导体含铜废水的工艺流程通常涉及多个步骤,以有效去除铜离子和其他污染物,并达到环保排放标准。
以下是一个常见的半导体含铜废水处理工艺流程:预处理:pH调节:将废水的pH值调节到适当范围,通常是中性到碱性,以便后续处理工艺的进行。
沉淀:通过加入适当的沉淀剂,将废水中的悬浮固体和部分重金属沉淀下来,以减少后续处理的负担。
离子交换:离子交换树脂:将废水通过离子交换树脂柱,利用树脂的选择性吸附性能,去除其中的金属离子,特别是铜离子。
树脂饱和后需进行再生或更换。
电解沉积:电解沉积是一种常用的去除废水中铜离子的方法。
通过电解池将废水中的铜离子沉积在电极上,形成固体铜,从而实现铜离子的去除。
膜分离:反渗透(RO)或纳滤(NF):利用半透膜的选择性分离特性,将废水中的铜离子和其他溶解性固体分离出来,得到净化后的水。
化学沉淀:进一步利用化学方法,如加入适当的沉淀剂或络合剂,将废水中的铜离子沉淀下来,以进一步降低铜离子的浓度。
活性炭吸附:利用活性炭的吸附性能,将废水中的有机污染物和部分重金属吸附到活性炭表面,从而净化废水。
最终处理:对处理后的废水进行最终的处理,如调节pH值、氧化还原处理、消毒等,确保处理后的废水达到环保排放标准。
回收利用:如可能,对处理后的水进行再生利用,用于生产中的冲洗、冷却等用途,实现资源的循环利用和节约。
以上工艺流程是一种常见的半导体含铜废水处理工艺,实际应用中可能根据废水的具体情况和要求进行调整和改进。
在处理过程中,需要注意安全性、经济性和环保性等因素,并确保处理后的废水达到相关法规和标准的要求。
某半导体有限公司废水处理方案前言半导体工业是一种高度发展的技术领域,它的生产过程涉及到许多化学物质和高纯度水的使用。
然而,这些工作涉及到大量的废水排放,对水资源和环境保护造成了很大的压力。
为了满足环保要求,某半导体有限公司需采取适当的处理措施来加以解决。
本文将介绍某半导体有限公司废水处理方案,旨在提高环境保护意识,并促进环境可持续发展。
废水处理方案废水统计在半导体制造过程中,废水主要来自于以下几个方面:•清洗水•酸洗水•碱洗水•光刻水•铜蚀刻水•硝酸水•氢氟酸水根据工艺过程和每个废水产生的水量统计,本公司每天产生的废水量约为500吨。
废水处理工艺为了降低对环境的影响,某半导体有限公司采用了多层处理工艺,包括:1.初级处理:使用物理化学方法处理废水,包括沉淀、过滤和中和。
主要处理物质为沉淀物、悬浮物和中和产物。
2.生物处理:对废水实施生化处理,主要识别和利用废水中的有机污染物,并利用细菌将其分解为二氧化碳和水。
大型生物反应器和搅拌反应器的使用有助于加速悬浮物、生物污染物和重金属的转化。
3.膜组分:将生化处理的水送入膜组分,过滤出更细小的悬浮物、有机物和无机物。
膜组分可以通过过滤和回收产生有用的化学物质和水,从而减少废弃物的排放。
废水排放标准为了确保废水处理达到环保要求,在每个废水处理阶段期间,对处理后的水进行取样检测,并根据环保部门的要求完成评估。
本公司的主要污染物指标为:•悬浮物:小于10mg/L•生化需氧量(BOD):小于100mg/L•化学需氧量(COD):小于300mg/L•PH:6-9•氨氮:小于15mg/L•总磷:小于1mg/L•氟化物:小于3mg/L•其他重金属:小于0.5mg/L为了减少对环境产生的影响并保护水资源,某半导体有限公司采用了多层废水处理工艺,并严格按照国家和行业标准进行排放。
通过此项规范的废水治理方案,公司在生产过程中将保持环保、可持续发展的思想。
含铜废水处理方法
一.含铜废水概述
含铜废水是通常是矿冶、机械制造、化工、电子、仪表等工业生产过程
中排出的含重金属的废水。
含铜废水是对环境污染最严重和对人类危害
最大的工业废水之一,其水质水量与生产工艺有关。
二.除铜剂投加量对比图
注:此表格为实验规律总结,具体投加量和技术问题会根据污水性质有所变化
三.案例说明
广东江门有一家小型电镀厂,对方表示最近因为水量变大了,现场的工艺加入了新的原材料后出水就不稳定了,主要表现在铜离子出水浓度上。
但之前也尝试用过硫化钠进行处理,但是造成的二次污染比较大,所以现在就希望能在希洁的两个重金属捕捉剂中挑选出可以解决问题的重金属捕捉剂。
现场是一家日处理量400吨的电镀厂,主要采用了微电解和物理沉降两种方式为主,整理处理后的出水铜离子还有1~2mg/L,不能稳定处理到0.5mg/L的标准。
计算投加量计算过程:
假设出水铜离子浓度在2mg/L左右,要降到0.5mg/L以下,就是要降低1.5 mg/L的浓度,对比表格可得出药剂最多也就投加100ppm就很足够了,所以设计实验梯度为:50ppm、80ppm、100ppm
在现场,实验人员在曝气池直接取了水样直接进行加药实验,检测结果如下:
最终选用除铜剂SMET-2作为该厂区的除铜剂。
现场直接按10%的比例溶解药剂,再用提升泵打进去沉淀池中,基本就能保证铜离子达标排放了。
半导体废水来源
半导体厂废水之来源可略分为制程废水、纯水系统之废水、废气洗涤中和液废水等三种。
各排放水可分为直接排放及回收处理方式。
(1)制程废水
直接排放至废水厂:HF浓废液、HF洗涤废水、酸、碱性废水、晶圆研磨废水等五种,经各分类管线排至废水厂。
回收处理:有机系列(Solvent,IPA), H2SO4,DIR70%及DIR90%等,经排放收集委外处理或直接再利用。
(2)纯水系统之废水
直接排放至废水厂:纯水系统再生时之洗涤药剂混合水、含盐酸再生、洗涤液及碱洗涤液
回收处理:系统浓缩液、逆渗透膜组超、限外滤膜组或是碱性再生废液。
(3)纯水系统之废水
直接排放至废水厂:洗涤制程所排放的废气之水均直接排放至处理厂。
半导体行业废水处理方法概述半导体行业在电子产品制造的过程中产生大量的废水,废水中含有多种有害物质,对环境和人体健康造成威胁。
因此,半导体行业废水处理至关重要。
本文将概述半导体行业废水处理的方法。
1. 生物处理方法生物处理方法是处理半导体行业废水的常见方式之一。
该方法利用微生物对废水中有机物的降解作用,将废水中的有机物转化为无害物质。
生物处理方法具有操作简单、处理效果好、处理成本低的优点。
2. 化学处理方法化学处理方法是另一种常见的半导体行业废水处理方法。
该方法通过化学反应,将废水中的有害物质转化为无害物质或沉淀下来。
化学处理方法通常需要使用特定的化学试剂,处理流程相对较为复杂。
3. 物理处理方法物理处理方法是指通过物理手段来处理废水中的污染物。
例如,通过过滤、吸附、沉降等方式,将废水中的固体颗粒和悬浮物分离出来。
物理处理方法通常用于预处理废水,使其更适合进行后续的生物或化学处理。
4. 高级氧化技术高级氧化技术是一种相对较新的半导体行业废水处理方法。
该技术通过产生高活性的氧化剂,将废水中的有害物质氧化分解。
高级氧化技术具有处理效果好、处理时间短、不产生副产物的特点。
5. 反渗透技术反渗透技术是一种通过半透膜分离的方法来处理废水的技术。
该技术通过利用半透膜对废水进行逆渗透,将废水中的溶解物质和微生物分离出来。
反渗透技术适用于处理废水中含有高浓度溶解物质的情况。
6. 电化学处理方法电化学处理方法是利用电化学反应来处理废水中的有害物质。
该方法通过电解池中的阳极和阴极间的反应,将有害物质降解或转化为无害物质。
电化学处理方法可以有效地去除废水中的重金属和有机物。
7. 综合处理方法综合处理方法是将多种废水处理技术进行组合应用,以达到更好的处理效果。
通过综合应用不同的处理方法,可以针对不同的废水成分和处理要求进行更加有效的处理。
总之,半导体行业废水处理是一项重要的环保工作。
通过生物处理、化学处理、物理处理、高级氧化技术、反渗透技术、电化学处理和综合处理等方法的应用,可以有效地去除废水中的有害物质,保护环境和人类健康。
半导体制造废水处理技术综述随着半导体产业的发展,半导体制造过程中产生的大量废水已成为工业废水中的重要组成部分。
半导体制造废水的处理对于环境保护和可持续发展有着重要的意义。
本文将对目前半导体制造废水处理技术进行综述。
一、半导体制造废水的成分及特点半导体制造废水中主要含有有机物、无机盐、重金属、痕量有机污染物、微生物等化学物质和微生物等生物物质,而且其中一些成分对环境的污染具有长期性和累积性。
其废水特点主要包括浓度高、成分复杂、难生物降解性、难可降解性、酸碱度大等。
二、半导体制造废水处理技术综述1.生物法生物法是目前半导体制造废水处理技术中比较成熟的技术之一,其主要通过微生物降解有机污染物来完成废水净化。
生物法处理半导体制造废水优点是可降低对环境的污染,处理成本较低,但生物法却有一些缺点,如难以处理难生物降解的有机物和对水的pH值和温度比较敏感。
2.化学法化学法又是一种应用广泛的半导体制造废水处理技术。
它是利用化学试剂使废水中的有机污染物、重金属等物质与试剂起化学反应,达到降解污染物、净化废水的目的。
化学法在处理半导体制造废水时也有一些缺点,比如处理成本较高,对人体有害物质的处理效果比较差。
3.高级氧化技术高级氧化技术是目前最为先进的一种半导体制造废水处理技术。
其原理是利用一定的氧化剂来对废水中的污染物进行氧化分解。
高级氧化技术在处理半导体制造废水时成分多、难生物降解、浓度高、处理效果比较好等优点,但同时其还存在着反应活性低、催化剂寿命短等一些问题。
4.膜分离技术膜分离技术是通过膜的选择性传质将废水中的污染物与废水分离,废水中污染物分离后形成浓缩体,从而达到净化废水的目的。
膜分离技术在处理半导体制造废水中具有处理效果好、反应速度快的优点。
但同时,其还存在着容易污染、膜收率低、膜表面难以清洗等缺点。
三、总结综上所述,目前半导体制造废水处理技术比较成熟的包括了生物法、化学法、高级氧化技术和膜分离技术。
其中,针对不同的废水成分,需采用不同的处理技术,且对处理技术的升级和改进也需要不断创新与研究。
半导体废水回用流程
半导体废水回用的流程一般包括以下几个步骤:
1. 废水收集:将半导体制造过程中产生的废水收集起来,可以通过管道系统或集中收集池进行。
2. 初级处理:将收集到的废水进行初级处理,主要包括固液分离和沉淀过程。
可以通过沉淀池、过滤器等设备将悬浮物和固体颗粒去除,沉淀池中的污泥可以进一步处理。
3. 中级处理:对初级处理后的废水进行中级处理,主要是通过化学方法去除废水中的溶解性有机物和重金属离子。
可能用到的处理方法包括氧化、还原、沉淀、酸碱中和等。
4. 高级处理:对中级处理后的废水进行高级处理,主要是通过物理、化学和生物等方法去除残留的有机物、离子和微生物等。
常见的高级处理方法包括活性炭吸附、反渗透、超滤、紫外线消毒等。
5. 检测和监控:在废水回用过程中,需要进行定期的检测和监控,以确保回用水质量符合相关标准和要求。
常见的监测参数包括悬浮物、化学需氧量、总溶解固体、重金属、微生物等。
6. 回用利用:经过处理后达到回用标准的废水可以进一步用于半导体制造过程中,如再次用于清洗、冷却等。
回用水需要经过适当的处理和消毒,以确保不会对半导体制造过程造成污染。
7. 残余废水处理:部分处理后的废水可能无法回用,需要进行残余废水处理。
常见的方法包括深度处理、浓缩和焚烧等,以达到环境排放标准。
含氟废湿法刻蚀含HF废水水CMP抛光CMP废水研磨废水2 废水处理工艺2.1 含氟废水含氟废水的处理技术主要为化学沉淀法,即投加化学药品形成氟化物沉淀或氟化物被吸附于所形成的沉淀物中而共沉淀,然后分离固体沉淀物即可去除氟化物。
通常使用的药剂为CaCl2或Ca(OH)2,化学反应式为:C a2++2F+ CaF2具体处理工艺流程为:从生产厂房工艺机台排出的含氟废水经收集进入调节池,经充分混合后出水经水泵加压输送至pH调节池,在pH调节池中调至中性或碱性后重力流进入下一级反应池,在该反应池中将废水调节至沉淀反应所需的最佳pH值同时投加CaCl2药剂,去除水中的氟离子,CaCl2和氟离子通过化学反应生成CaF2沉淀,随后废水流入混凝池,在池内投加混凝剂(PAC),在混凝剂的作用下,使废水中的胶体和细微悬浮物凝聚成絮凝体,充分反应后的废水再流入絮凝池,继续投加絮凝剂(PAM),使产生的矾花继续增大,随后废水流入沉淀池进行泥水分离,沉淀池上清液出水经三角堰溢流至含氟废水出水池,并对经过混凝絮凝沉淀单元处理过的水进行F-在线监测,合格的废水经水泵加压输送至酸碱中和系统进行下一步操作,不合格的废水返回至含氟废水调节池重新处理,直至废水达标。
沉淀池池底污泥经污泥泵输送至污泥系统进行处理。
该工艺采用两段化学沉淀,可以使F-<10mg>;另一方面,加药采用CaCl2代替传统的Ca(OH)2,减少了管道堵塞的发生,操作方便,易于控制。
2.2 研磨废水研磨废水主要产生在晶圆减薄研磨过程,主要污染因子为SS、COD、少量盐分。
研磨废水宜采用化学混凝沉淀法处理。
研磨废水与含氟废水处理工艺相近,从节省投资方面考量可以将研磨废水与含氟废水合并处理。
2.3 有机废水有机废水主要污染因子为SS、COD、氮磷,处理方法一般使用生物降解的方法,其中包括好氧生物处理和厌氧生物处理。
某项目有机废水进水水质,PH:8~10,COD:364.9 mg/L,氨氮:37.2 mg/L,总氮:86.7 mg/L;出水水质为,PH:6~8,COD:54.9mg/L,总氮:34.7 mg/L。
含铜废水处理方案在工业生产过程中,废水是不可避免的产物之一。
其中,含铜废水是一种常见的工业废水,由于铜离子对环境有潜在的危害,因此需要进行有效处理。
本文将介绍一种含铜废水处理方案,以解决这一环境问题。
一、问题描述如前所述,含铜废水是指在工业生产过程中产生的含有铜离子的废水。
这些废水中的铜离子可能来自于金属加工、电子制造或其他相关工业中的废水排放。
含铜废水的排放对于水体生态环境造成了极大的潜在危害,因此需要采取适当的处理措施来降低其对环境的负面影响。
二、处理方案针对含铜废水的处理,我们可以采用以下方案:1. 预处理:在废水处理过程中,首先应进行预处理,以去除废水中的悬浮固体和重金属沉淀物。
常用的预处理方法包括调节pH值、搅拌沉淀或过滤等。
这些预处理步骤有助于提高后续处理过程的效果。
2. 化学沉淀:在预处理后,可以采用化学沉淀方法来将溶解态铜离子转化为固态沉淀物。
一种常用的化学沉淀剂是氢氧化钠。
通过调节pH值和添加适量的氢氧化钠,可促使铜离子与氢氧化钠反应生成氢氧化铜沉淀物。
该沉淀物可以通过沉淀、过滤等操作进行分离。
3. 离子交换:离子交换是一种常用的分离和浓缩金属离子的方法。
我们可以利用含铜废水中的铜离子与离子交换树脂之间的亲和力差异,使用离子交换树脂将铜离子吸附和浓缩。
在适当的条件下,可以用酸或盐溶液洗脱吸附的铜离子,得到高浓度的铜溶液。
4. 电化学处理:电化学处理是一种将金属离子转化为金属沉积或其它化合物的方法。
在含铜废水处理中,可以利用电解槽中的阴阳极反应将铜离子还原成固态铜或固态铜化合物。
通过调节电流密度、阴阳极材料和电解液成分等条件,可以实现高效、经济的铜离子去除。
5. 后处理:在处理过程结束后,还需要对废水进行后处理,以确保处理后的废水能够达到排放标准。
后处理可以包括进一步的沉淀、过滤、中和、消毒等操作,以使处理后的废水不会对环境造成二次污染。
三、方案优势采用以上含铜废水处理方案的优势如下:1. 综合性:该方案针对含铜废水的特点,结合了各种处理工艺,综合考虑了不同废水成分的处理需求,能够有效去除废水中的铜离子,达到环境排放标准。
300 mm半导体厂含Cu废水处理工程应用王春冬;厉晓华;孟双双【摘要】300 mm半导体厂含Cu废水的浓度和水量较200 mm半导体厂有明显的增加,而且越先进的制程工艺,其产生的含Cu废水处理的难度也越高.采用酵素-破络沉淀工艺处理含Cu废水,工程应用表明:在含Cu废水H2O2质量浓度为112~485 mg/L,总Cu质量浓度6~80 mg/L的条件下,经处理后出水H2O2质量浓度低于5 mg/L,总Cu质量浓度低于1 mg/L,去除率达到97%以上,总排口的总Cu质量浓度控制在0.5 mg/L以下,完全达到DB 31/374—2006《上海市半导体行业污染物排放标准》.%In 300 mm semiconductor factory, concentration and volume of cupriferous wastewater has a significant increase compare to 200 mm semiconductor factory. And the more advanced process technology, the more difficult to treat cupriferous wastewater. The results of application on treatment of cupriferous wastewater by enzyme complex breaking-sedimentation process showed that, under the condition of hydrogen peroxide concentration of cupriferous wastewater is 112~485 mg/L, total copper concentration is 6~80 mg/L, the hydrogen peroxide concentration of effluent is lower than 5 mg/L, the total copper concentration of effluent is lower than 1mg/L, copper removal rate is high than 97%, the total copper concentration of final discharge is lower than 0.5 mg/L, which could meet the Discharge Standards of Pollutants for Semiconductor Industry DB 31/374—2006.【期刊名称】《环境科技》【年(卷),期】2017(030)004【总页数】3页(P39-41)【关键词】半导体;含Cu废水;破络;工程应用【作者】王春冬;厉晓华;孟双双【作者单位】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司, 上海 201203;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司, 上海 201203;苏州崇越工程公司, 江苏苏州 215131【正文语种】中文【中图分类】X70 引言半导体厂含Cu废水主要来源于集成电路制造过程中的电化学镀膜(ECP)和化学机械研磨(CMP)工序 [1],300 mm半导体厂的含Cu废水的浓度和水量较传统200 mm半导体厂有明显差异,特别是先进制程的量产,含Cu废水中H2O2和络合Cu的浓度都有明显上升,增加了除Cu的难度。
含铜废水有哪些来源含铜废水产生的过程不同,含铜废水中铜离子的存在状态、质量浓度以及废水中的成份也不相同,其差异较大。
那么含铜废水有哪些来源呢?1、化工、印染、电镀、有色冶炼、有色金属矿山开采、电子材料漂洗废水、染料生产等过程中常产生含有大量铜离子的废水。
按铜离子的价态有二价态铜离子和一价态铜离子;按存在的形式有游离铜(如Cu2+)和络合铜(如铜氰配离子[Cu(CN)3]2-、铜氨络合[Cu(NH3)42+]等)。
2、在染料、电镀等行业含铜废水中,铜离子往往以络合形态存在,如铜氰配离子[Cu(CN)2]-、[Cu(CN)3]2-、[Cu(CN)4]3-,一般认为废水中铜氰配离子主要以[Cu(CN)3]2-存在。
铜氯配离子被分解为Cu+和Cl-,一价铜离子在水溶液中会自发地发生歧化反应,成为二价铜离子。
以酸性镀铜废水为例,废水中主要存在Cu2+、H+、Fe2+、Fe3+等阳离子和SO42-、C1-等阴离子。
氰化镀铜漂洗废水中含游离氰根离子300~450mg/L,含一价铜离子400~550mg/L。
含氰废水是一种毒性较大的工业废水,在水中不稳定,较易于分解,无机氰和有机氰化物皆为剧毒性物质,人食入可引起急性中毒。
氰化物对人体致死量为0.18,氰化钾为0.12g,水体中氰化物对鱼致死的质量浓度为0.04一0.1mg/L。
含氰废水治理措施主要有:(1)改革工艺,减少或消除外排含氰废水,如采用无氰电镀法可消除电镀车间工业废水。
(2)含氰量高的废水,应采用回收利用,含氰量低的废水应净化处理方可排放。
回收方法有酸化曝气—碱液吸收法、蒸汽解吸法等。
治理方法有碱性氯化法、电解氧化法、加压水解法、生物化学法、生物铁法、硫酸亚铁法、空气吹脱法等。
其中碱性氯化法应用较广,硫酸亚铁法处理不彻底亦不稳定,空气吹脱法既污染大气,出水又达不到排放标准.较少采用。
为了用水安全,我们应撑握些水污染安全小知识,同时还可以用厨房净水器将使用水过滤,这样更有利于健康用水。
Advances in Environmental Protection 环境保护前沿, 2020, 10(4), 564-568Published Online August 2020 in Hans. /journal/aephttps:///10.12677/aep.2020.104069Cupriferous Wastewater Sourceand Treatment Process in OneSemiconductor CompanyChangmin ShiUnigroup Yangtze Memory Technologies (Shanghai) Co., Ltd., ShanghaiReceived: Jul. 30th, 2020; accepted: Aug. 17th, 2020; published: Aug. 24th, 2020AbstractSemiconductor in China developed very fast in the past few years, and it also results in new envi-ronmental problem. The article introduces one semiconductor company cupriferous wastewater treatment plant in detail, including cupriferous wastewater source, hazard, normal treatment process, its treatment plant process and operation data etc.KeywordsSemiconductor Industry, Cupriferous Wastewater, Method of Flocculation Sedimentation某半导体工厂含铜废水的来源及处理石昌敏紫光长存(上海)集成电路有限公司,上海收稿日期:2020年7月30日;录用日期:2020年8月17日;发布日期:2020年8月24日摘要在过去几年里,中国的半导体行业得到了迅速的发展,与此同时也带来了新的环境问题。
本文详细介绍了某半导体公司含铜废水处理工艺,包括含铜废水的来源、危害、常用的处理方法,以及本项目采用的工艺流程和运行情况等。
石昌敏关键词半导体行业,含铜废水,絮凝沉淀法Copyright © 2020 by author(s) and Hans Publishers Inc.This work is licensed under the Creative Commons Attribution International License (CC BY 4.0)./licenses/by/4.0/1. 前言半导体产业作为尖端技术及高附加价值产业,对其他产业的影响很大,是在整个国民经济中具有巨大战略意义的关键性技术产业,半导体材料及应用已成为衡量一个国家经济发展、科技进步和国防实力的重要标志,世界各国政府都将其视为国家的骨干产业。
近几年来,中国电子信息产品以举世瞩目的速度发展,但是在半导体快速发展与进步的同时,还存在一些有待进一步解决的问题,比如半导体行业在进行生产的过程中会随着产生多种类型的工业废水,这些工业废水中的污染物主要来自半导体生产过程中的原料元素,例如氟、铜、氮等,这些元素过量排放入河流中会使水源受到较为严重的污染,所以如何进行半导体行业生产废水处理也成为了我国面临的一项重要问题。
想要使我国半导体行业生产更加环保,就要进行必要的改革,使半导体行业生产过程中产生的废水得到合理有效的处理,也只有将废水处理进行必要的完善,才能使我国半导体行业的生产竞争能力更强[1] [2]。
在半导体行业工业废水处理中,如何处理含铜废水也是近几年国内外研究的热点,含铜废水的处理方法主要有沉淀法、微电解法、吸附法、离子交换法以及生物处理法等。
在这些处理方法中,絮凝沉淀法是运行起来比较经济有效的常见方法[3]。
2. 半导体行业生产废水种类及危害目前半导体行业生产中所产生的废水主要分为三大类:含氟废水、含铜废水以及含氨废水,这三种废水对于我国生态环境和人类生命安全健康均具有较为严重的影响。
含氟废水排入到江河中,最终被植物以及动物摄入,随着食物链的作用进入到人体中。
更为严重的是这些污染元素在自来水中超标,直接被人体摄取,导致一系列疾病的产生;水中铜含量达0.01 mg/L时,对水体自净有明显的抑制作用,超过3.0 mg/L,会产生异味,超过15 mg/L,就无法饮用,人体长期摄入过量的铜,会引起严重的肝病;含氨废水排放至环境中,不仅会引起水中藻类及其他微生物大量繁殖,从而会造成水体富营养化,而且氨氧化成的亚硝酸盐水解之后的产物亚硝胺具有强烈的致癌性,直接威胁着人类的健康。
本文主要介绍含铜废水的来源及处理工艺。
3. 本项目中含铜废水的来源本项目生产中使用的含铜物料主要有:硫酸铜溶液、铜电极和铜靶材。
其主要污染物为pH和总铜。
涉及含铜物料以及含铜废水产出的生产工序主要为:铜制程、PVD及化学机械研磨工序。
3.1. 铜制程工序本项目铜制程工序使用的物料主要有:硫酸铜溶液、各种添加剂(添加剂、平整剂、混合标准液、抑制剂、平整剂标准液、加速剂标准液)和铜电极。
石昌敏上述原料铜电极中88%沉积在芯片表面,12%作为固废收集;86%的硫酸铜溶液及各种添加剂收集后作为危险废物外运处置,10%附着在芯片表面硫酸铜溶液随清洗废水排放,排入含铜废水处理系统进行处理。
铜制程过程中,产生的硫酸铜废液作为危险废弃物委托给有资质的厂家处理,含铜废水则排入含铜废水处理系统进行初步处理。
3.2. PVD工序物理气相沉积(Physical Vapor Deposition, PVD),是指在真空条件下,采用低电压、大电流的电弧放电技术,利用气体放电使靶材蒸发并使被蒸发的物质与气体都发生电离,利用电场的加速作用,使被蒸发物质及其反应物沉积在工件上。
本项目物理气相沉积(PVD)工序使用的铜靶材,大部分物料(70%)沉积在芯片上,少部分(30%)物料作为废靶材。
3.3. 化学机械研磨本项目PVD和铜制程工序沉积形成的W薄膜、Cu薄膜需要通过化学机械研磨方式进行硅片表面磨平。
其中5%的Cu进入产品,大部分(95%)研磨下来进入废水,排入含铜废水处理系统进行处理;W 30%进入产品,大部分(70%)研磨下来进入废水,排入研磨废水处理系统进行处理。
以上制程过程中,产生的含铜废水排入含铜废水处理系统进行初步处理。
4. 含铜废水处理工艺4.1. 含铜废水处理工艺简介目前含铜废水处理的主要方法有沉淀法、微电解法、吸附法以及离子交换法等。
不同的处理方法也各自有其优缺点,下面就含铜废水几种常见的处理方法进行简单的分析[3]。
4.1.1. 沉淀法沉淀法是铜和大多数重金属的常规处理方法,化学法处理含铜镀废水具有技术成熟、投资少、处理成本低、适应性强、管理方便、自动化程度高等诸多优点,一般酸性含铜污水经调整pH值后,再经沉淀过滤,处理后的废水中铜离子的质量浓度显著低于国标规定的污水排放标准。
沉淀法不足之处在于处理后会产生含重金属污泥,若污泥没有得到妥善的处理会对环境产生二次污染,一般产生的污泥会作为危险废弃物委托有资质的厂家进行处理[4]。
4.1.2. 微电解法微电解技术是利用原电池的原理,使废水中的铜离子进行电子交换成为铜单质,以达到去除铜离子的目的。
微电解法对废水处理的方法,又称为内电解法、铁屑过滤法等,具有适用范围广、处理效果好、适用寿命长、成本低廉及操作维护方便等优点。
微电解法能够进行絮凝、吸附、氧化还原、电沉积等作用,其在处理半导体行业生产废水中具有重要意义,在部分行业的含铜废水处理方面也已经有一些研究和应用[5]。
4.1.3. 吸附法吸附法的原理是利用一些材料的吸附作用吸附废水中的铜离子,已达到去除废水中的铜含量的效果。
吸附法处理含铜废水具有很多优点,据研究,比较常见的吸附材料,如活性炭、沸石分子筛、粉煤灰、炉渣等均对铜离子有较好的吸附效果,且这些吸附材料来源广泛,成本较低。
除以上传统吸附材料以外,石昌敏生物吸附法也开始逐渐走入研究的视线。
研究表明,凤眼莲在短期内对含铜废水有良好的处理效果,其净化作用依靠根的吸收富集,对铜离子的总去除率根据水中铜离子的含量不同,可以达到77%~91%不等的效果[6] [7] [8]。
但目前最常用的吸附材料的使用寿命短,再生困难,无法进行铜回收利用,需作为危险废弃物进行处理,同时增加了危险废弃物处理系统的负担。
4.1.4. 离子交换法离子交换法处理含铜废水,通常使用阳离子交换树脂,此方法对于含铜低于200 mg/L的废水效果较好,具有处理容量大、出水水质好、且占地少、不需对废水进行分类处理,费用相对较低等特点。
然而离子交换法存在投资大、对树脂要求高、不便于控制管理等缺点[9]。
4.2. 本项目含铜废水处理工艺及可行性分析4.2.1. 本项目含铜废水的特点在铜制程工序中,Cu沉积完成后,会进行一次酸洗,过程采用硫酸、双氧水和纯水混合溶液对硅片表面进行清洗,然后进入水洗阶段,即将酸洗后的硅片使用纯水进行再次清洗,去除附着的酸液,其中酸洗后的硫酸废液会排入废酸处理系统,而水洗后的含铜废水会排入含铜废水处理系统,此阶段的含铜废水表现为酸性。
在化学机械研磨工序中,当研磨结束后,会进行碱洗以去除芯片表面颗粒物,然后采用氢氟酸、超纯水的混合溶剂或CTS-100 (柠檬酸)进行硅片进行酸洗,以去除硅片表面的金属及自然氧化层等,之后再采用三级超纯水清洗的方式对硅片进行表面清洗,其中第一次清洗废水会进入相应的含铜废水处理系统进行处理(此阶段的含铜废水pH较低),第二次及第三次清洗废水分均排入工艺清洗水系统处理后回收利用。
综上,本项目中含铜废水的为酸性含铜废水,其污染物主要为pH和总铜。
4.2.2. 本项目含铜废水处理工艺流程结合本项目含铜废水的特点、水量以及本项目的自身特点,含铜废水处理系统工艺采用“混凝沉淀法”的大方向,为提高含铜废水处理效率,在在混凝沉淀的基础上,还结合了其他处理工艺,如:配合使用Cu重捕剂;为以达到反应更为彻底的效果,在反应池1的基础上,增加相同工艺的反应池2;在沉淀池和清水池的中间环节,增加一级多介质过滤器,沉淀池上层溶液经过过滤后,进入清水池,然后排入最终中和处理池。
其处理工艺流程如图1:Figure 1. Process of cupriferous wastewater treatment图1.含铜废水处理工艺流程4.2.3. 本项目含铜废水处理工艺可行性分析一方面,我国现阶段絮凝沉淀法处理含铜废水是很成熟工艺,处理效率高,能满足达标排放的要求,在同行业中有很多比较成功的案例;另一方面,投加的NaOH 成本相对较低,运行稳定。