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晶体管参数大全

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晶体管参数大全

晶体管是一种能够对电流进行控制的电子器件，广泛应用于电子电路中。根据其工作原理的不同，可以分为三极管和场效应管两种类型。

一、三极管参数

1.最大允许电压（VCEO）：三极管的集电极-发射极间最大允许电压。在正常工作中，电压不得超过该值，否则可能会损坏器件。

2.最大允许集电极电流（IC）：三极管的集电极电流的最大值。在正常工作中，电流不得超过该值，否则可能会损坏器件。

3.最大功耗（Pd）：三极管透过的功率最大值。在正常工作中，功率不得超过该值，否则可能会导致器件过热。

4.直流电流倍数（hFE）：表示三极管输入电流和输出电流之间的比例关系。它决定了三极管的放大能力，一般越大越好，常见的值为几十到几百。

5. 饱和压降（VCEsat）：当三极管处于饱和区时，集电极与发射极之间的电压降。

6. 输入电阻（Rin）：三极管的输入电阻，表示输入信号导致的输入电压变化与输入电流变化之间的比例关系。一般来说，输入电阻越大，对输入信号的影响越小。

7. 输出电阻（Rout）：三极管的输出电阻，表示输出电压变化与输出电流变化之间的比例关系。一般来说，输出电阻越小，输出信号的失真越小。 8.动态电阻（rπ）：三极管的动态电阻，与输入电阻类似，表示输入信号导致的输入电压变化与输入电流变化之间的比例关系。一般来说，动态电阻越小，对输入信号的影响越小。

9.最小输入电流（IB）：三极管正常工作所需要的最小基极电流。

二、场效应管参数

1.最大允许栅源电压（VGS）：场效应管的栅源电压的最大值。在正常工作中，电压不得超过该值，否则可能会损坏器件。

2.最大允许漏极电流（ID）：场效应管的漏极电流的最大值。在正常工作中，电流不得超过该值，否则可能会损坏器件。

3.最大功耗（Pd）：场效应管透过的功率最大值。在正常工作中，功率不得超过该值，否则可能会导致器件过热。

4. 转导（gm）：表示输入电压变化时输出电流变化的比例关系。转导越大，场效应管的放大能力越强。

5. 开启电压（Vth）：当场效应管工作时，控制电压必须超过开启电压才能使漏电流开始流动。

6. 射极电阻（rds）：场效应管导通时漏电流与栅源电压之间的关系。一般来说，射极电阻越小，输出信号的失真越小。

7. 输入电阻（Rin）：场效应管的输入电阻，表示输入信号导致的输入电压变化与输入电流变化之间的比例关系。一般来说，输入电阻越大，对输入信号的影响越小。 8. 输出电阻（Rout）：场效应管的输出电阻，表示输出电压变化与输出电流变化之间的比例关系。一般来说，输出电阻越小，输出信号的失真越小。

9. 饱和电压（VDSsat）：当场效应管处于饱和区时，漏源极间的电压降。

以上是部分晶体管参数的介绍，不同型号的晶体管参数可能会有所差异，具体应根据具体型号的数据手册进行查询和参考。

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晶体管参数及代换大全

晶体管参数及代换大全

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(整理)常用晶体管参数表

(整理)常用晶体管参数表

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常用晶体管参数表

索引 晶体管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型

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9014 50V 0.1A 0.4W * 150MHZ NPN

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2SA1018 150V 0.07A 0.75W * * PNP

2SA1020 50V 2A 0.9W * * PNP

2SA1123 150V 0.05A 0.75W * * PNP

常用晶体管参数表

常用晶体管参数表

常用晶体管参数表

索引 晶体管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型

9011 50V 0.03A 0.4W * 150MHZ NPN

9012 50V 0.5A 0.6W * * PNP

9013 50V 0.5A 0.6W * * NPN

9014 50V 0.1A 0.4W * 150MHZ NPN

9015 50V 0.1A 0.4W * 150MHZ PNP

9018 30V 0.05A 0.4W * 1GHZ NPN

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2N6277 180V 50A 300W * * NPN

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2SA1162 50V 0.15A 0.15W * * PNP

常用晶体管参数表(Word)

常用晶体管参数表(Word)

常用晶体管参数表

索引 晶体管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型

9011 50V 0.03A 0.4W * 150MHZ NPN

9012 50V 0.5A 0.6W * * PNP

9013 50V 0.5A 0.6W * * NPN

9014 50V 0.1A 0.4W * 150MHZ NPN

9015 50V 0.1A 0.4W * 150MHZ PNP

9018 30V 0.05A 0.4W * 1GHZ NPN

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