第四章半导体存储器
(Semi-conductor Memory)
主要内容
存储介质的类别和特点
半导体存储器(ROM/RAM/FLASH)（概念）*半导体存储器连接应用(时序)
IBM-PC系列机MEM的内存组织
存储大量信息的介质
微机系统与接口
微机系统结构:存储器与I/O
地址总线AB
存I/O 输I/O 输
储接入设接
出
设
CPU 器口备口备
数据总线DB
控制总线CB
存储器访问：MOV [2000H],AX
微机系统与接口系统互联
MOV BL,[205AH]
重点:处理器与半导体存储器接口电路
6264(例)
唯一选中单元:读/写D0~D7
D0~D7A
••••••A 0• ••MPU Memory
A 12WE
A 12MEMW 系统芯片
OE
1CS 1
MEMR 译码高位地• •1CS 2
电路址信号 •微机系统与接口处理器读写时序--配合--存储器读写时序
存储介质的类别和特点
存储器（计算机实现大容量记忆功能的核心部件）Æ存储记忆信息（按位存放）
•位(BIT)存放--具有记忆功能：
•应用：程序/数据信息：读写/数据－按地址顺序编号
电路: (锁存器/触发器--寄存器在微处理器内部) •电路:(锁存器/触发器--寄存器在微处理器内部)•磁: 磁化
•光: 凹坑(激光反射)
光:凹坑(激光反射)
•性能:容量、存取速度、成本
•内/外部存储器－－高速存储／低速I/O－海量低成本与MPU接口:串/并行Serial/Parallel
•
微机系统与接口
半导体存储器的性能指标
容量=字数(存储单元数)×字长==位数(bits)
微机（8/16/32/64位字长）
兼容8位机==>字节BYTE为单位
62C256：（256Kbits ）32K*8B 27C010：1M 位（128K*8Bit ）128KB(字节)
其它性能指标可靠性、集成27C210：1M 位（64K*16Bit ）访问一次存储器（对指定单元写入或读出）度、价格等
最大存取时间所需要的时间WE# OE#
几ns到几百ns 27C512-15Î150ns
PC100SDRAM-8:8ns,PC133SDRAM-7ns 微机系统与接口
PC100SDRAM 8:8ns, PC133SDRAM 7ns
半导体存储器分类
根据运行时存取（读写）过程的不同分类
掩膜ROM
可编程ROM（PROM）
UV可擦除PROM（EPROM）
只读存储器OTP-ROM(One-Time PROM)
快闪ROM（FLASH-ROM:整片/块）
PROM（E2PROM）（字节、
半导体存储器M ROM电可擦除字节页）
SRAM
Memory
随机存取双极型
SRAM（双稳态触发器）
NVRAM
+SRAM
+BATT
存储器RAM RAM
MOS型
DRAM（电容）
SDRAM
IRAM(EDO,SDRAM,D
微机系统与接口RAM(,,
DR,RAMBUS….)
静态随机存取存储器（SRAM）特点1.基本存储电路主要由R—S触发器构成，其两个稳态分别表示存储内容为“0”或为“1”，电源供电Î存入的数据才可以保存和读出，掉电Î原存信息全部丢失Æ所谓“易失性”（volatile),ÍÎ非挥发(Nonvolatile)
2.一个基本存储电路能存储一位二进制数，而一个八位的二进制数则需八个基本存储电路(数据宽度－字长＝８）。一个容量为M×NB（如64K×8B）的存储器则包含M×N个基本存储电路。这些大量的基本存储电路有规则地排列在一起便构成了存储体区分不同的存储单元Î每个单元规定一个地址号。Î读-写(Read-Write)=访问(Access)
微机系统与接口
Memory D
-D N-1 A0-A m-1
—RAM 单元工作原理(单选)读/写64K*8B=
Select=1& /RD =0)
65536CELL*8B
三态门开(输出允许) 存储器读操作
Select1-Select65536Select=1&/Read=↑
锁存输入数据(Select=1选中单元)
数据总线单元一组I/O1微机系统与接口n 单元组I/On
RAM 6RAM 6
管单元存储电路(双选)(行列选=1选中单元)
T1T4T1-T4双稳态电路T1管（A ）的状态表示1/0
P227图4.2
27*29=128*512=65536微机系统与接口T3，T4：负载
128+512=640<<65536
译码器(Decoder)将每个代码译成一个特
定输出的信号的电路---翻译原意
编码器(encoder)若干{0,1}(按一定规律)
排在一起,编程不同代码的电路
2n 单译码A0
(0….00)个输出状态n个编码信号
A1
(0….01)=>Decoder=>(<=Encoder<=)
An-1(1….11)
微机系统与接口实际(大容量):内部(X/Y)双译码或称复合译码结构。
