灯具产品生产工艺流程图

一．生产工艺流程及说明北京鑫瑞蓝天科技进展灯具的全部LED 发光体电路部件，都依据“模块化”、“积木化”观念设计，不但简化生产工序、提高生产效率、削减原材料消耗，对物质流、信息流和能量流的规划治理也格外有益。

〔一〕灯体部件生产灯体的部件生产，在灯具车间的主生产线进展。

图1 灯体部件生产流程此工序对环境不产生有害气体和有害废料。

局部金属加工工序产生少量可回收余料。

电子焊接操作产生的松香气体承受分散到每工作台的抽风口排出车间。

车间按平米密度要求配制规定数量的二氧化碳灭火器。

〔二〕灯具装配图2 LED 灯具装配流程此工序在装配线完成。

不产生有害气体和废料。

〔三〕加载老化工序图3 LED 灯具老化工序北京鑫瑞蓝天科技进展生产的全部LED 灯具，都要在灯具车间的“加载室”经受老化工序。

老化时间1h ≤ Ta ≤ 4h。

此工序不产生废料和有害气体。

加载室与生产间有遮光护板，防止强光对环境的干扰；独立的沟通电源调压稳压把握柜；单独配备二氧化碳灭火器2 部；单灯测试位有独立的带过载保护的开关。

灯具架为钢制，配有阻燃衬垫。

此工序不产生废料和有害气体。

〔四〕包装在包装线完成纸盒成型，手工包装或用打包机台包装。

图 4 包装工序〔五〕入库包装好的成品送入成品库。

成品库外门直通装卸台。

〔六〕质检室按公司制定的《产品检测规章》，由公司质检部门，对产品和每批次产品进展抽样极限检测。

进展光照强度、光照角度、环境温度、湿度、淋水浸水、风力、气压、凹凸频多自由度机械震惊、电气绝缘、冲击电压等方面测试。

测试工程和试验强度，依据灯具型号设置。

大局部极限测试，在本公司研制的“LED灯具综合测试箱”内完成，见图5。

图5 北京鑫瑞蓝天科技进展的LED 灯具综合测试箱极限检测，消耗确定数量水、电，没有其它材料损耗，不产生工业污染。

单灯1min 时间的震惊试验产生不高于45 分贝的噪声。

〔七〕修理室检测不合格的产品或用户返修品直接送交修理室。

北京鑫瑞蓝天科技进展的民用等级产品装配工艺，设计成直接可逆的，以利修理。

灯具生产工艺流程
1、壳体：壳体材料采用ZL102（GB1173-86），材料进厂后，进行化学成分及机械
性能抽样检验。

2、熔铝：采用数控控制的燃烧炉加热铝锭，并至熔化状态，严格温度，防止铝合金
元素的损害。

3、采用1400T大型压铸机进行压铸成型，由于此设备具有压力大，压射力高及压射
速度快，锁损力好等优点，能保证熔铝在模具内具有很好的流动性，保证产品外观光滑，质地致密，无气孔，夹渣、微裂等缺陷。

4、整理、钻孔采用细粒砂纸多产品局部表面进行抛光，并完成相关钻孔改进工作。

5、表面处理：由于压铸出的产品表面有油污，通过放进特别的去污液的加热槽体，
进行浸煮，取出清洗，再浸煮、清洗，循环几次产品内外表面的油污、赃物清洗干净，产品外观略有光泽。

6、喷塑：喷塑在全自动控制的流水线上完成，流水线上专门配有氧化烘干、喷粉、
固化、冷却装置，其质量完全有高质量的设备完成，塑层表面光滑，塑层均匀、附着力高，保证塑层寿命达数十年。

7、反光罩：采用纯铝板L2M，通过专用模具拉伸而成，表面氧化具有硬度高、亮度
好，并保证具有理想的配光效果。

8、灯罩：采用厚度5mm钢化玻璃经热压成型，具有强度高、重量轻的优点。

9、装配：采用模块安装方式，便于维修、使用。

电器组件的安装在装配流水线上完
成，并经耐压、绝缘、试灯测试。

反光罩与灯罩之间采用玻璃胶连接，保护高防护等级性能，防止蚊虫、灰尘、喷水的进入。

灯座采用内换泡机构形式，便于维修。

10、灯体与面框采用扣攀式连接。

LED灯生产工艺流程§1 LED制造流程概述LED的制作流程包括上游的单晶片衬底制作、外延晶片生长；中游的芯片、电极制作、切割和测试分选；下游的产品封装。

图2.1 LED制造流程图上游晶片：单晶棒（碑化稼 ' 磷化稼）单晶片衬底在衬底上生长外延层外延片成品：单晶片'外延片中游制程：金属蒸镀光罩腐蚀热处理（正负电极制作）切割测试分选成品：芯片下游§2 LED 芯片生产工艺LED 照明能够应用到高亮度领域归功于LED 芯片生产技术的不断提高，包括单颗 晶片的功率和亮度的提高。

LED±游生产技术是LED 行业的核心技术，目前在该技术 领先的国家主要日本、美国、韩国，还有我国台湾，而我国大陆在 LED 上游生产技术的发展比较靠后。

下图为上游外延片的微结构示意图。

生产出高亮度LED 芯片，一直是世界各国全力投入硏制的目标，也是LED 发的 方向。

目前，利用大功率芯片生产出来的白光1WLED 流明值已经达能到1501m 之高。

LED 上游技术的发展将使LED 灯具的生产成本越来越低，更显LED 照明的优势。

以下 以蓝光LED 为例介绍其外延片生产工艺如下：首先在衬低上制作氮化錄(GaN)基的 外延片，这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延片炉(MOCVD 中)完成的。

准备 好制作GaN 基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后，按照工艺的要求就可以逐 步把外延片做好。

常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底，以及GaAs 、AIN 、 ZnO 等材料。

MOCVD 是利用气相反应物(前驱物)及UI 族的有机金属和V 族的NH3在衬底表 面进行P 型 GaN 负极P 型 AIGaN InGaN 量子阱(well )N 型 InGaNN 型 AIGaNN 型 GaNP 型 GaNGaN 缓冲层(buffer )蓝宝石衬底(subatrate )图2.2蓝光外延片微结构 图正极反应，将所需的产物沉积在衬底表面。