互联网+(7.18)

2023年锦州市遴选公务员考试真题试卷《综合素质测试》（满分100分时间120分钟）一、单选题（每题只有一个正确答案，答错、不答或多答均不得分）1.社会公德最基本的要求是（）。

A.助人为乐B.爱护公物C.文明礼貌D.遵纪守法【答案】：D2.互联网的发展改变了以往的打车方式，利用智能手机安装“滴滴快车”等软件，使打车更方便，快捷，实惠。

这说明A.消费带动新产业的出现和成长B.消费对生产的升级起导向作用C.生产决定消费的方式D.消费为生产创造动力【答案】：C3.（）是宋徽宗赵佶所创的一种字体，是书法史上极具个性的一种书体，因其与晋楷，唐楷等传统书体区别较大，个性极为强烈，故可称作是书法史上的一个独创。

A.狂草B.行楷C.赵体D.瘦金体1/ 11【答案】：D4.“仓廪实则知礼节，衣食足则知荣辱”出自：（）A.《论语》B.《孟子》C.《管子》D.《大学》【答案】：C5.马航MH370航班失踪之后，国际海事卫星组织试图利用多普勒原理计算出失踪航班的下落。

多普勒原理，源于这样一种物理现象(多普勒效应)：随着飞机高速接近(或远离)接收微波信号的卫星，卫星所侦测到的微波频率就会越来越高(或越来越低)。

下列描述的现象中，哪一种也体现了同样的多普勒效应？（）A.向平静的湖水中投入一颗小石子，荡起的涟漪呈圆形逐渐向周围扩散B.一束自然光射入三棱镜，射出时，被分解为不同的颜色C.站在铁轨附近的人，听到鸣笛的火车由远及近高速驶来时，汽笛的音调逐渐变得尖锐D.在日环食的过程中，观测到太阳黑子的存在【答案】：C6.下列有关商品和价值的说法，正确的是（）。

A.价值规律既支配商品生产，也支配商品流通B.使用价值反映了商品的社会属性C.单位商品价值量与社会劳动生产率成正比D.具体劳动创造商品的价值【答案】：A7.18世纪英国作家笛福的小说（）反映了资产阶级上升时期敢于进取追求财富的冒险精神。

A.《匹克威克外传》B.《鲁滨逊漂流记》C.《巴黎圣母院》2/ 11D.《人间喜剧》【答案】：B8.下列选项中,可以作为抵押物的是:（）。

1M × 4BANKS × 16BITS SDRAM Table of Contents-1.GENERAL DESCRIPTION (3)2.FEATURES (3)3.AVAILABLE PART NUMBER (4)4.PIN CONFIGURATION (4)5.PIN DESCRIPTION (5)6.BLOCK DIAGRAM (6)7.FUNCTIONAL DESCRIPTION (7)7.1Power Up and Initialization (7)7.2Programming Mode Register Set command (7)7.3Bank Activate Command (7)7.4Read and Write Access Modes (7)7.5Burst Read Command (8)7.6Burst Command (8)7.7Read Interrupted by a Read (8)7.8Read Interrupted by a Write (8)7.9Write Interrupted by a Write (8)7.10Write Interrupted by a Read (8)7.11Burst Stop Command (9)7.12Addressing Sequence of Sequential Mode (9)7.13Addressing Sequence of Interleave Mode (9)7.14Auto-precharge Command (10)7.15Precharge Command (10)7.16Self Refresh Command (10)7.17Power Down Mode (11)7.18No Operation Command (11)7.19Deselect Command (11)7.20Clock Suspend Mode (11)8.OPERATION MODE (12)9.ELECTRICAL CHARACTERISTICS (13)9.1Absolute Maximum Ratings (13)9.2Recommended DC Operating Conditions (13)9.3Capacitance (13)9.4DC Characteristics (14)9.5AC Characteristics and Operating Condition (15)10.TIMING WAVEFORMS (18)10.1Command Input Timing (18)10.2Read Timing (19)10.3Control Timing of Input/Output Data (20)10.4Mode Register Set Cycle (21)11.OPERATINOPERATING TIMING EXAMPLE (22)11.1Interleaved Bank Read (Burst Length = 4, CAS Latency = 3) (22)11.2Interleaved Bank Read (Burst Length = 4, CAS Latency = 3, Auto-precharge) (23)11.3Interleaved Bank Read (Burst Length = 8, CAS Latency = 3) (24)11.4Interleaved Bank Read (Burst Length = 8, CAS Latency = 3, Auto-precharge) (25)11.5Interleaved Bank Write (Burst Length = 8) (26)11.6Interleaved Bank Write (Burst Length = 8, Auto-precharge) (27)11.7Page Mode Read (Burst Length = 4, CAS Latency = 3) (28)11.8Page Mode Read/Write (Burst Length = 8, CAS Latency = 3) (29)11.9Auto-precharge Read (Burst Length = 4, CAS Latency = 3) (30)11.10Auto-precharge Write (Burst Length = 4) (31)11.11Auto Refresh Cycle (32)11.12Self Refresh Cycle (33)11.13Bust Read and Single Write (Burst Length = 4, CAS Latency = 3) (34)11.14Power-down Mode (35)11.15Auto-precharge Timing (Write Cycle) (36)11.16Auto-precharge Timing (Read Cycle) (37)11.17Timing Chart of Read to Write Cycle (38)11.18Timing Chart of Write to Read Cycle (38)11.19Timing Chart of Burst Stop Cycle (Burst Stop Command) (39)11.20Timing Chart of Burst Stop Cycle (Precharge Command) (39)11.21CKE/DQM Input Timing (Write Cycle) (40)11.22CKE/DQM Input Timing (Read Cycle) (41)12.PACKAGE SPECIFICATION (42)12.154L TSOP (II)-400 mil (42)13.REVISION HISTORY (43)1. GENERAL DESCRIPTIONW9864G6IH is a high-speed synchronous dynamic random access memory (SDRAM), organized as 1M words × 4 banks × 16 bits. W9864G6IH delivers a data bandwidth of up to 200M words per second. For different application, W9864G6IH is sorted into the following speed grades: -5, -6, -7/-7S. The -5 parts can run up to 200MHz/CL3. The -6 parts can run up to 166MHz/CL3. The -7/-7S parts can run up to 143MHz/CL3. And the grade of -7S with t RP = 18nS.Accesses to the SDRAM are burst oriented. Consecutive memory location in one page can be accessed at a burst length of 1, 2, 4, 8 or full page when a bank and row is selected by an ACTIVE command. Column addresses are automatically generated by the SDRAM internal counter in burst operation. Random column read is also possible by providing its address at each clock cycle.The multiple bank nature enables interleaving among internal banks to hide the precharging time.By having a programmable Mode Register, the system can change burst length, latency cycle, interleave or sequential burst to maximize its performance. W9864G6IH is ideal for main memory in high performance applications.2. FEATURES• 3.3V± 0.3V for -5/-6 speed grades power supply• 2. 7V~3.6V for -7/-7S speed grades power supply• 1,048,576 words × 4 banks × 16 bits organization•Self Refresh Current: Standard and Low Power•CAS Latency: 2 & 3•Burst Length: 1, 2, 4, 8 and full page•Sequential and Interleave Burst•Byte data controlled by LDQM, UDQM•Auto-precharge and controlled precharge•Burst read, single write operation•4K refresh cycles/64mS• Interface: LVTTL•Packaged in TSOP II 54-pin, 400 mil using Lead free materials with RoHS compliant3. AVAILABLE PART NUMBERPART NUMBERSPEEDSELF REFRESH CURRENT (MAX.)OPERATING TEMPERATUREW9864G6IH-5 200MHz/CL3 2 mA 0°C ~ 70°C W9864G6IH-6 166MHz/CL3 2 mA 0°C ~ 70°C W9864G6IH-7 143MHz/CL3 2 mA 0°C ~ 70°C W9864G6IH-7S 143MHz/CL32 mA0°C ~ 70°C4. PIN CONFIGURATION5. PIN DESCRIPTION6. BLOCK DIAGRAM7. FUNCTIONAL DESCRIPTION7.1 Power Up and InitializationThe default power up state of the mode register is unspecified. The following power up and initialization sequence need to be followed to guarantee the device being preconditioned to each user specific needs.During power up, all V DD and V DDQ pins must be ramp up simultaneously to the specified voltage when the input signals are held in the "NOP" state. The power up voltage must not exceed V DD + 0.3V on any of the input pins or V DD supplies. After power up, an initial pause of 200 µS is required followed by a precharge of all banks using the precharge command. To prevent data contention on the DQ bus during power up, it is required that the DQM and CKE pins be held high during the initial pause period. Once all banks have been precharged, the Mode Register Set Command must be issued to initialize the Mode Register. An additional eight Auto Refresh cycles (CBR) are also required before or after programming the Mode Register to ensure proper subsequent operation.7.2 Programming Mode Register Set commandAfter initial power up, the Mode Register Set Command must be issued for proper device operation. All banks must be in a precharged state and CKE must be high at least one cycle before the Mode Register Set Command can be issued. The Mode Register Set Command is activated by the low signals of RAS, CAS, CS and WE at the positive edge of the clock. The address input data during this cycle defines the parameters to be set as shown in the Mode Register Operation table. A new command may be issued following the mode register set command once a delay equal to t RSC has elapsed. Please refer to the next page for Mode Register Set Cycle and Operation Table.7.3 Bank Activate CommandThe Bank Activate command must be applied before any Read or Write operation can be executed. The operation is similar to RAS activate in EDO DRAM. The delay from when the Bank Activate command is applied to when the first read or write operation can begin must not be less than the RAS to CAS delay time (t RCD). Once a bank has been activated it must be precharged before another Bank Activate command can be issued to the same bank. The minimum time interval between successive Bank Activate commands to the same bank is determined by the RAS cycle time of the device (t RC). The minimum time interval between interleaved Bank Activate commands (Bank A to Bank B and vice versa) is the Bank to Bank delay time (t RRD). The maximum time that each bank can be held active is specified as t RAS(max.).7.4 Read and Write Access ModesAfter a bank has been activated, a read or write cycle can be followed. This is accomplished by setting RAS high and CAS low at the clock rising edge after minimum of t RCD delay. WE pin voltage level defines whether the access cycle is a read operation (WE high), or a write operation (WE low). The address inputs determine the starting column address. Reading or writing to a different row within an activated bank requires the bank be precharged and a new Bank Activate command be issued. When more than one bank is activated, interleaved bank Read or Write operations are possible. By using the programmed burst length and alternating the access and precharge operations between multiple banks, seamless data access operation among many different pages can be realized. Read or Write Commands can also be issued to the same bank or between active banks on every clock cycle.7.5 Burst Read CommandThe Burst Read command is initiated by applying logic low level to CS and CAS while holding RAS and WE high at the rising edge of the clock. The address inputs determine the starting column address for the burst. The Mode Register sets type of burst (sequential or interleave) and the burst length (1, 2, 4, 8, full page) during the Mode Register Set Up cycle. Table 2 and 3 in the next page explain the address sequence of interleave mode and sequence mode.7.6 Burst CommandThe Burst Write command is initiated by applying logic low level to CS, CAS and WE while holding RAS high at the rising edge of the clock. The address inputs determine the starting column address. Data for the first burst write cycle must be applied on the DQ pins on the same clock cycle that the Write Command is issued. The remaining data inputs must be supplied on each subsequent rising clock edge until the burst length is completed. Data supplied to the DQ pins after burst finishes will be ignored.7.7 Read Interrupted by a ReadA Burst Read may be interrupted by another Read Command. When the previous burst is interrupted, the remaining addresses are overridden by the new read address with the full burst length. The data from the first Read Command continues to appear on the outputs until the CAS Latency from the interrupting Read Command the is satisfied.7.8 Read Interrupted by a WriteTo interrupt a burst read with a Write Command, DQM may be needed to place the DQs (output drivers) in a high impedance state to avoid data contention on the DQ bus. If a Read Command will issue data on the first and second clocks cycles of the write operation, DQM is needed to insure the DQs are tri-stated. After that point the Write Command will have control of the DQ bus and DQM masking is no longer needed.7.9 Write Interrupted by a WriteA burst write may be interrupted before completion of the burst by another Write Command. When the previous burst is interrupted, the remaining addresses are overridden by the new address and data will be written into the device until the programmed burst length is satisfied.7.10 Write Interrupted by a ReadA Read Command will interrupt a burst write operation on the same clock cycle that the Read Command is activated. The DQs must be in the high impedance state at least one cycle before the new read data appears on the outputs to avoid data contention. When the Read Command is activated, any residual data from the burst write cycle will be ignored.7.11 Burst Stop CommandA Burst Stop Command may be used to terminate the existing burst operation but leave the bank open for future Read or Write Commands to the same page of the active bank, if the burst length is full page. Use of the Burst Stop Command during other burst length operations is illegal. The Burst Stop Command is defined by having RAS and CAS high with CS and WE low at the rising edge of the clock. The data DQs go to a high impedance state after a delay, which is equal to the CAS Latency in a burst read cycle, interrupted by Burst Stop.7.12 Addressing Sequence of Sequential ModeA column access is performed by increasing the address from the column address which is input to the device. The disturb address is varied by the Burst Length as shown in Table 2.7.14 Auto-precharge CommandIf A10 is set to high when the Read or Write Command is issued, then the auto-precharge function is entered. During auto-precharge, a Read Command will execute as normal with the exception that the active bank will begin to precharge automatically before all burst read cycles have been completed. Regardless of burst length, it will begin a certain number of clocks prior to the end of the scheduled burst cycle. The number of clocks is determined by CAS Latency.A Read or Write Command with auto-precharge cannot be interrupted before the entire burst operation is completed for the same bank. Therefore, use of a Read, Write, or Precharge Command is prohibited during a read or write cycle with auto-precharge. Once the precharge operation has started, the bank cannot be reactivated until the Precharge time (t RP) has been satisfied. Issue of Auto-Precharge command is illegal if the burst is set to full page length. If A10 is high when a Write Command is issued, the Write with Auto-Precharge function is initiated. The SDRAM automatically enters the precharge operation two clocks delay from the last burst write cycle. This delay is referred to as write t WR. The bank undergoing auto-precharge cannot be reactivated until t WR and t RP are satisfied. This is referred to as t DAL, Data-in to Active delay (t DAL = t WR + t RP). When using the Auto-precharge Command, the interval between the Bank Activate Command and the beginning of the internal precharge operation must satisfy t RAS(min).7.15 Precharge CommandThe Precharge Command is used to precharge or close a bank that has been activated. The Precharge Command is entered when CS, RAS and WE are low and CAS is high at the rising edge of the clock. The Precharge Command can be used to precharge each bank separately or all banks simultaneously. Three address bits, A10, BS0, and BS1 are used to define which bank(s) is to be precharged when the command is issued. After the Precharge Command is issued, the precharged bank must be reactivated before a new read or write access can be executed. The delay between the Precharge Command and the Activate Command must be greater than or equal to the Precharge time (t RP).7.16 Self Refresh CommandThe Self Refresh Command is defined by having CS, RAS, CAS and CKE held low with WE high at the rising edge of the clock. All banks must be idle prior to issuing the Self Refresh Command. Once the command is registered, CKE must be held low to keep the device in Self Refresh mode. When the SDRAM has entered Self Refresh mode all of the external control signals, except CKE, are disabled. The clock is internally disabled during Self Refresh Operation to save power. The device will exit Self Refresh operation after CKE is returned high. A minimum delay time is required when the device exits Self Refresh Operation and before the next command can be issued. This delay is equal to the t AC cycle time plus the Self Refresh exit time.If, during normal operation, AUTO REFRESH cycles are issued in bursts (as opposed to being evenly distributed), a burst of 4,096 AUTO REFRESH cycles should be completed just prior to entering and just after exiting the self refresh mode.7.17 Power Down ModeThe Power Down mode is initiated by holding CKE low. All of the receiver circuits except CKE are gated off to reduce the power. The Power Down mode does not perform any refresh operations, therefore the device can not remain in Power Down mode longer than the Refresh period (t REF) of the device.The Power Down mode is exited by bringing CKE high. When CKE goes high, a No Operation Command is required on the next rising clock edge, depending on t CK. The input buffers need to be enabled with CKE held high for a period equal to t CKS(min.) + t CK(min.).7.18 No Operation CommandThe No Operation Command should be used in cases when the SDRAM is in a idle or a wait state to prevent the SDRAM from registering any unwanted commands between operations. A No Operation Command is registered when CS is low with RAS, CAS, and WE held high at the rising edge of the clock. A No Operation Command will not terminate a previous operation that is still executing, such as a burst read or write cycle.7.19 Deselect CommandThe Deselect Command performs the same function as a No Operation Command. Deselect Command occurs when CS is brought high, the RAS, CAS, and WE signals become don't Care.7.20 Clock Suspend ModeDuring normal access mode, CKE must be held high enabling the clock. When CKE is registered low while at least one of the banks is active, Clock Suspend Mode is entered. The Clock Suspend mode deactivates the internal clock and suspends any clocked operation that was currently being executed. There is a one clock delay between the registration of CKE low and the time at which the SDRAM operation suspends. While in Clock Suspend mode, the SDRAM ignores any new commands that are issued. The Clock Suspend mode is exited by bringing CKE high. There is a one clock cycle delay from when CKE returns high to when Clock Suspend mode is exited.8. OPERATION MODEFully synchronous operations are performed to latch the commands at the positive edges of CLK. Table 1 shows the truth table for the operation commands.Table 1 Truth Table (Note (1), (2))Notes:(1) v = valid, x = Don't care, L = Low Level, H = High Level(2) CKEn signal is input leve l when commands are provided.(3) These are state of bank designated by BS0, BS1 signals.(4) Device state is full page burst operation.(5) Power Down Mode can not be entered in the burst cycle.When this command asserts in the burst cycle, device state is clock suspend mode.9. ELECTRICAL CHARACTERISTICS9.1 Absolute Maximum RatingsNOTESUNIT PARAMETER SYMBOLRATINGInput, Column Output Voltage V IN, V OUT-0.3 ~ V DD+ 0.3V 1Power Supply Voltage V DD, V DDQ -0.3 ~ 4.6 V 1Operating Temperature T OPR 0 ~ 70 °C 1Storage Temperature T STG -55 ~ 150 °C 1Soldering Temperature (10s) T SOLDER 260 °C 11 Power Dissipation P D 1 WShort Circuit Output Current I OUT 50 mA1 Note: Exposure to conditions beyond those listed under Absolute Maximum Ratings may adversely affect the life and reliabilityof the device.9.2 Recommended DC Operating Conditions(T A = 0 to 70°C for -5/-6/-7/-7S)UNITNOTESMAX.PARAMETER SYM.MIN.TYP.Supply Voltage (Normal operation) V DD 3.0 3.3 3.6 V 2Supply voltage (for –7/-7S) V DD 2.7- 3.6 V 2 Supply Voltage for I/O Buffer V DDQ 3.0 3.3 3.6 V 2Supply Voltage for I/O Buffer (for -7/-7S) V DDQ 2.7- 3.6 V 2Input High Voltage V IH 2.0- V DD + 0.3 V 2Input Low Voltage V IL -0.3- 0.8 V 2Note: V IH(max) = V DD/ V DDQ+1.5V for pulse width < 5 nSV IL(min) = V SS/ V SSQ-1.5V for pulse width < 5 nS9.3 Capacitance(V DD =3V±0.3V for-5/-6, V DD = 2.7V-3.6V for -7/-7S , T A = 25 °C, f = 1 MHz)Note: These parameters are periodically sampled and not 100% tested9.4 DC Characteristics(V DD = 3V±0.3V for-5/-6 ,V DD = 2.7V-3.6V for -7/-7S on T A = 0 to 70°C)NOTESUNITMIN.PARAMETER SYMBOLMAX.Input Leakage CurrentI I(L) -5 5 µA(0V ≤V IN≤ V DD, all other pins not under test = 0V)Output Leakage Currentl O(L) -5 5 µA(Output disable, 0V ≤ V OUT≤ V DDQ)LVTTL Output ″H″ Level VoltageV OH 2.4 - V(I OUT = -2 mA)LVTTL Output“L″ Level VoltageV OL - 0.4 V(I OUT = 2 mA)9.5 AC Characteristics and Operating Condition(V DD =3V±0.3V for-5/-6, V DD = 2.7V-3.6V for -7/-7S on T A = 0 to 70°C) (Notes: 5, 6)-5 -6 -7 -7SPARAMETER SYM. MIN. MAX. MIN.MAX. MIN.MAX.MIN.MAX.UNIT NOTESRef/Active to Ref/ActiveCommand Period t RC 55 60 65 65 Active to precharge Command Period t RAS 40 10000042 10000045 10000045 100000 Active to Read/Write Command Delay Time t RCD 15 18 20 20 nSRead/Write(a) to Read/ Write(b) Command Periodt CCD 1 1 1 1 t CK Precharge to Active(b) Command Period t RP 15 18 20 18Active(a) to Active(b) Command Periodt RRD 10 12 14 14 nSWrite Recovery TimeCL* = 2CL* = 3t WR2 2 2 2 t CKCLK Cycle TimeCL* = 210 1000 7.5 1000 10 100010 1000 CL* = 3t CK 5 1000 6 1000 7 10007 1000CLK High Levelt CH 2 2 2 29 CLK Low Level t CL 2 2 2 29 Access Time from CLKCL* = 2 － 6 6 6CL* = 3 t AC4.5 55.5 5.5 10 Output Data Hold Time t OH 2 2 2 2 10 Output Data HighImpedance Time t HZ 2 5 2 6 2 7 2 7 7 Output Data Low Impedance Time t LZ 0 0 0 0 10 Power Down Mode Entry Timet SB 0 5 0 6 0 7 0 7 Transition Time of CLK (Rise and Fall) t T 1 1 1 1 Data-in-Set-up Time t DS 1.5 1.5 1.5 1.5 9 Data-in Hold Time t DH 1 1 1 1 9 Address Set-up Time t AS 1.5 1.5 1.5 1.5 9 Address Hold Time t AH 1 1 1 1 9 CKE Set-up Time t CKS 1.5 1.5 1.5 1.5 9 CKE Hold Time t CKH 1 1 1 1 9 Command Set-up Time t CMS 1.5 1.5 1.5 1.5 9 Command Hold Timet CMH 1 1 11nS 9AC Characteristics and Operating Condition, continued-5 -6 -7-7SPARAMETER SYM. MIN. MAX. MIN.MAX.MIN.MAX.MIN.MAX.UNIT NOTESRefresh Time t REF 64 64 64 64 mS Mode Register SetCycle Time t RSC 10 14 14 14 nS Exit self refresh to ACTIVE Commandt XSR 70 72 75 75 nSNotes:1.Operation exceeds “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the devices.2. All voltages are referenced to V SS‧2.7V~3.6V power supply for -7/-7S speed grade.3. These parameters depend on the cycle rate and listed values are measured at a cycle rate with the minimum values of t CK and t RC .4. These parameters depend on the output loading conditions. Specified values are obtained with output open.5. Power up sequence please refer to "Functional Description" section described before.6. AC Test Load diagram.7. t HZ defines the time at which the outputs achieve the open circuit condition and is not referenced to output level.8. These parameters account for the number of clock cycles and depend on the operating frequencyof the clock, as follows the number of clock cycles = specified value of timing/ clock period (count fractions as whole number)(1)t CH is the pulse width of CLK measured from the positive edge to the negative edge referenced to V IH (min.).t CL is the pulse width of CLK measured from the negative edge to the positive edge referenced to V IL (max.).(2)A.C Latency Characteristics9. Assumed input rise and fall time (t T ) = 1nS.If tr & tf is longer than 1nS, transient time compensation should be considered,i.e., [(tr + tf)/2-1]nS should be added to the parameter( The t T maximum can’t be more than 10nS for low frequency application. )10. If clock rising time (t T) is longer than 1nS, (t T/2-0.5)nS should be added to the parameter.10. TIMING WAVEFORMS 10.1 Command Input Timing10.2 Read Timing10.3 Control Timing of Input/Output Data10.4 Mode Register Set Cycle11. OPERATINOPERATING TIMING EXAMPLE11.1 Interleaved Bank Read (Burst Length = 4, CAS Latency = 3)11.2 Interleaved Bank Read (Burst Length = 4, CAS Latency = 3, Auto-precharge)11.3 Interleaved Bank Read (Burst Length = 8, CAS Latency = 3)11.4 Interleaved Bank Read (Burst Length = 8, CAS Latency = 3, Auto-precharge)11.5 Interleaved Bank Write (Burst Length = 8)11.6 Interleaved Bank Write (Burst Length = 8, Auto-precharge)11.7 Page Mode Read (Burst Length = 4, CAS Latency = 3)11.8 Page Mode Read/Write (Burst Length = 8, CAS Latency = 3)11.9 Auto-precharge Read (Burst Length = 4, CAS Latency = 3)11.10 Auto-precharge Write (Burst Length = 4)11.11 Auto Refresh Cycle11.12 Self Refresh Cycle11.13 Bust Read and Single Write (Burst Length = 4, CAS Latency = 3)11.14 Power-down Mode11.15 Auto-precharge Timing (Write Cycle)11.16 Auto-precharge Timing (Read Cycle)11.17 Timing Chart of Read to Write Cycle11.18 Timing Chart of Write to Read Cycle11.19 Timing Chart of Burst Stop Cycle (Burst Stop Command)11.20 Timing Chart of Burst Stop Cycle (Precharge Command)11.21 CKE/DQM Input Timing (Write Cycle)11.22 CKE/DQM Input Timing (Read Cycle)Publication Release Date:Mar. 31, 200812. PACKAGE SPECIFICATION12.1 54L TSOP (II)-400 milPublication Release Date:Mar. 31, 2008Publication Release Date:Mar. 31, 200813. REVISION HISTORYVERSION DATEPAGEDESCRIPTIONP01 Sep. 14, 2007 All Create preliminary data sheet A01 Dec. 12, 2007 AllInitial formal data sheetA02Dec. 24, 20073, 4, 13, 14,15, 16Remove -6I speed grade13Revise overshoot/undershoot pulse widthBefore V IH (max.) = V CC /V CCQ +1.2V for pulse width < 5 nS After V IH (max.) = V CC /V CCQ +1.2V for pulse width < 3 nS Before V IL (min.) = V SS /V SSQ -1.2V for pulse width < 5 nS After V IL (min.) = V SS /V SSQ -1.2V for pulse width < 3 nSA03Jan. 29, 20083, 4, 15Revise -7/-7S parts AC parameter CLK cycle time of CL2 t CK value from 7nS to 7.5nSA04Feb. 26, 200815Revise -6 part AC parameter Access Time from CLK of CL2 t AC value from 5.5nS to 6nS13Revise overshoot/undershoot pulse widthBefore V IH (max.) = V CC /V CCQ +1.2V for pulse width < 3 nS After V IH (max.) = V CC /V CCQ +1.5V for pulse width < 5 nS Before V IL (min.) = V SS /V SSQ -1.2V for pulse width < 3 nS After V IL (min.) = V SS /V SSQ -1.5V for pulse width < 5 nSA05Mar. 31, 200815Revise -7/-7S parts AC parameter CLK cycle time of CL2 t CK value from 7.5nS to 10nSImportant NoticeWinbond products are not designed, intended, authorized or warranted for use as components in systems or equipment intended for surgical implantation, atomic energy control instruments, airplane or spaceship instruments, transportation instruments, traffic signal instruments, combustion control instruments, or for other applications intended to support or sustain life. 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高二历史改良蒸汽机试题答案及解析1.发电机的发明与蒸汽机的改进主要的不同是：A．有科学理论做基础B．发明者具有丰富的实践经验C．社会生产发展的需要D．有较长时间的完善过程【答案】A【解析】发明蒸汽机的瓦特具有一定科学知识，初步将科学与技术结合起来；西门子发明发电机则是在科学理论（电磁感应理论）指导下进行的。

A项是二者本质的不同。

【考点】近代科学技术·两次科技革命·改良蒸汽机——瓦特18世纪60—70年代、电气技术的应用2.“如果不是蒸汽机提供了相对无限的动力，工业革命很有可能会在仅仅增加了纺织品生产的速度后逐渐消失……。

”为此，我们必须感谢的人是( )A．牛顿B．瓦特C．法拉第D．西门子【答案】B【解析】工业革命时期最重要的发明是蒸汽机。

1785年瓦特制成改良的蒸汽机，成为带动各种机器的动力之源，故选B。

A项牛顿是经典力学的创始人，C项法拉第发现了电磁感应现象，D项西门子发明了有轨电车。

【考点】蒸汽机的发明和使用。

点评：工业革命的影响也是高考常考的内容：生产力：大机器取代手工劳动，极大提高生产力，人类进入蒸汽时代。

组织形式：出现新的生产组织形式工厂，工业比重上升，城市化进程加快。

社会关系：两大对立阶级工业资产阶级和工业无产阶级。

政治上：资本主义国家纷纷进行社会变革，进一步巩固资产阶级的统治。

经济思想：自由主义盛行。

要求自由经营、自由竞争和自由贸易，加快殖民扩张和殖民掠夺的步伐。

世界市场：19世纪中后期，以欧美资本主义国家为主导的世界市场基本形成，推动世界经济的发展。

3.司汤达小说中的人物曾说：“自从蒸汽机成为世界的王后以来，贵族头街已成为无用之物。

”结合所学史实，对这句话的理解正确的是（）A．客观真实，可以采信B．主观臆断，有待考证C．背离史实，不足为信D．小说家言，皆不可信【答案】A【解析】略4.司汤达小说中的人物曾说：“自从蒸汽机成为世界的王后以来，贵族头衔已成为无用之物。

TG/CL 241-2014CRH380A（L）型动车组途中应急故障处理手册2014年05月目 录第一部分 故障处理基本操作说明 (1)1.故障显示 (1)2.设备远程切除/复位操作 (1)3.电源切换操作 (2)4.BKK、BKK2投入/复位操作 (3)5.关门车操作 (3)6.停放制动切除操作（CRH380A统型） (5)7.抱死切除/复位操作 (6)8.轴温报警切除/复位操作 (6)9.切除空调操作 (6)10.复位操作 (7)11.主回路故障处理一览表 (7)第二部分 应急故障处理办法 (10)1.高压供电系统 (10)1.1受电弓上升位置异常（194） (10)1.2受电弓无法升起（Ⅰ） (10)1.3受电弓无法升起（Ⅱ） (12)1.4受电弓正常升起，但MON未显示 (13)1.5受电弓升起无法下降 (13)1.6受电弓自动降下或挂有异物 (14)1.7单车VCB不能闭合 (14)1.8全列VCB不能闭合 (17)1.9保护接地开关合上后无法断开 (18)1.10运行途中保护接地开关闭合 (20)1.11受电弓正常升起，VCB闭合，全列无高压 (21)1.12隔离开关不动作 (21)2.牵引传动系统 (22)2.1牵引变流器 传输不良（002） (22)2.2牵引变流器 故障1（004） (24)2.3牵引变流器 故障2（005） (25)2.4牵引变流器 通风机停止（134） (26)2.5牵引电机通风机1停止（137） (27)2.6牵引电机通风机2停止（138） (27)2.7牵引变流器 微机故障（139） (29)2.8牵引电机温度高（156） (30)2.9牵引变流器 故障（141） (31)2.10主电路接地（142） (32)2.11主变压器一次侧过电流（162） (33)2.12主变压器三次侧过电流（163） (33)2.13主变压器三次侧接地（164） (35)2.14主变压器油泵停止（165） (36)3.辅助供电系统 (37)3.1辅助电源装置故障（135） (37)3.2辅助电源装置故障（135） (39)3.3辅助电源装置 通风机停止 （143） (40)3.4辅助电源装置ARfN2跳闸（144） (41)3.5辅助电源装置ACVN1跳闸（146） (43)3.6辅助电源装置ACVN2跳闸（147） (44)3.7辅助电源装置ATN跳闸（148） (46)3.8辅助电源装置VDTN跳闸（166） (47)3.9ACK1接通不良（170） (48)3.10辅助电源装置传输不良（204） (50)3.11分相区信号处理装置重故障（682） (51)3.12头灯故障 (51)3.13全列无直流电 (52)4.网络控制系统 (52)4.1距离传感器1 传输不良（661） (52)4.2距离传感器2 传输不良（657） (52)4.3距离传感器1 异常（665） (53)4.4距离传感器2 异常（666） (53)4.5车上检查开关“开”（695、696） (54)4.6编组间传输不良（826） (55)4.7监控器传输不良 中央1（830、832、850、852） (56)4.8监控器传输不良 中央2（831、833、851、853） (56)4.9监控器传输不良 终端（834-841，854-861） (57)4.10TBDR装置故障（517） (58)4.11WTD无线装置传输不良（590） (59)4.12 MON屏模式自动跳转 (60)5.制动及供风系统 (61)5.1制动控制装置传输不良（052） (61)5.2制动控制装置故障（059） (63)5.3制动控制装置 速度发电机断线1（060） (64)5.4制动控制装置 速度发电机断线2（061） (64)5.5制动控制装置 速度发电机断线3（062） (64)5.6制动控制装置 速度发电机断线4（063） (64)5.7制动不足（123） (65)5.8抱死1(151) (66)5.9抱死2(152) (66)5.10制动不缓解（153） (67)5.11总风管路漏风 (68)5.12全编组电动空气压缩机工作不停机 (70)5.13空气压缩机油温高（080） (71)5.14辅助空压机安全阀漏风 (71)5.15运行中停放制动异常施加（082） (73)5.16警惕报警功能异常 (74)6.转向架 (74)6.1轴温1(154) (74)6.2轴温2(155) (74)6.3车轮踏面擦伤、剥离 (75)6.4转向架异常（586） (76)6.5BIDS转向架异常1位转向架1轴（490） (76)6.6BIDS转向架异常1位转向架2轴（491） (76)6.7BIDS转向架异常2位转向架1轴（492） (76)6.8BIDS转向架异常2位转向架2轴（493） (76)6.9BIDS内部故障（496） (77)6.10BIDS传感器异常（497） (78)6.11转向架失稳检测装置传输不良（580） (79)6.12夹钳机械卡滞 (80)7.空调通风系统 (81)7.1空调装置1通风机异常（114） (81)7.2空调装置2通风机异常（115） (81)7.3空调装置1压缩机异常（116） (82)7.4空调装置2压缩机异常（117） (82)7.5空调装置1高压开关动作（118） (83)7.6空调装置2高压开关动作（119） (83)7.7空调装置1加热器异常（120） (84)7.8空调装置2加热器异常（121） (84)7.9空调装置1斩波器异常（122） (85)7.10空调装置2斩波器异常（124） (85)7.11空调装置1VVVF异常（125） (86)7.12空调装置2VVVF异常（126） (86)7.13空调装置1CVCF异常（127） (87)7.14空调装置2CVCF异常（128） (87)7.15空调装置传输不良（302） (88)7.16空调装置1逆变器传输不良（308） (89)7.17空调装置2逆变器传输不良（309） (89)7.18空调装置1排水泵异常（362） (90)7.19空调装置2排水泵异常（363） (90)7.20客室内出现大量灰尘 (91)8.旅客信息系统 (92)8.1乘客信息显示器1故障（617） (92)8.2乘客信息显示器2故障（625） (92)8.3目的地显示器1故障（631） (93)8.4目的地显示器2故障（632） (93)8.5自动广播装置传输不良（641） (94)8.6自动广播装置故障（646） (95)8.7烟火探测控制器传输不良（570） (97)8.8XX感烟探头火灾报警（401-424） (98)8.9显示备份控制器传输不良（633） (99)8.10显示备份控制器故障（638） (99)9.重联解编及救援 (100)9.1两列重联后列无电 (100)9.2两列重联一列无高压电 (100)9.3自动打开头罩功能失效 (101)9.4自动关闭头罩功能失效 (102)9.5头罩空气管路漏风 (104)9.6手动开关前罩不动作 (104)9.7司机室总配电盘烧损 (106)10.车内设施 (107)10.1车门关闭故障（第1位）（108） (107)10.2车门关闭故障（第2位）（109） (107)10.3车门关闭故障（第3位）（110） (107)10.4车门关闭故障（第4位）（111） (107)10.5侧拉门无法压紧 (109)10.6电茶炉故障 (110)10.7水箱0％（924） (111)10.8卫生间异常（192） (112)10.9污物箱80％（197） (113)10.10污物箱满100％（196） (113)10.11管路泄漏报警（925） (114)10.12用水设备不出水 (115)11.行车安全装置 (115)11.1车外异响 (115)第三部分 牵引切除后的最高运行速度 (117)第四部分 限速表 (117)第五部分 故障编码名称对照表 (120)第一部分 故障处理基本操作说明1.故障显示发生故障时，MON屏在当前页面下方会显示“故障发生信息”页面，并伴有报警声响。

中国互联网络发展状况分析报告目录一、中国互联网络宏观状况上网计算机数、上网用户人数、CN下注册的域名数、网站数、网络的国际出口带宽、以及IP地址数等信息可以从整体上反映互联网络在我国的发展程度和普及程度。

对中国互联网络信息中心历次调查中这些基础性统计数据的深入分析，有助于我们从宏观的角度更深刻地认识互联网络在中国的发展状况。

1．上网计算机数截止到2005年6月30日，我国的上网计算机总数已达4560万台，同半年前的调查结果相比，我国的上网计算机总数半年增加了400万台，增长率为9.6%，和上年同期相比增长25.6%（如图7.1所示）。

可见我国上网计算机总数仍然保持增长态势。

图7.1 历次调查上网计算机总数其中专线上网计算机数为670万台，同半年前的调查结果相比，专线上网计算机数半年内减少了30万台，增长率为-4.3%，和上年同期相比增长2.8%；拨号上网计算机数为2070万台，同半年前的调查结果相比，拨号上网计算机数半年内减少了70万台，增长率为-3.3%，和上年同期相比下降1.3%；其他方式上网计算机数为1820万台，同半年前的调查结果相比，其他方式上网计算机数半年内增加了500万台，增长率为37.9%，和上年同期相比增长106.6%（如图7.2所示）。

可见，虽然上网计算机总数保持增长，但专线上网计算机数、拨号上网计算机数首次出现了负增长，只有其他方式上网计算机数则依然呈现出较快的增长态势。

图7.2 历次调查不同方式上网计算机数同半年前的调查结果相比，本次调查结果中上网计算机总数、专线上网计算机数、拨号上网计算机数、其他方式上网计算机数的增长率均呈下降趋势，其中专线上网计算机数、拨号上网计算机数首次出现了负增长（如图7.3所示）。

图7.3 历次调查上网计算机数增长率2．上网用户人数截止到2005年6月30日，我国的上网用户总人数为10300万人，同半年前的调查相比，我国上网用户总人数半年增加了900万人，增长率为9.6%，和上年同期相比增长18.4%（如图7.4所示）。

2020年普光气田7.18事件反思范文普光气田作为国内最大的天然气生产基地，每日输出量达100亿立方米以上。

但就在2020年7月18日，四川省宜宾市屏山县龙华镇周边居民遭遇“停电、断水”事件，造成两万余户村民无法正常生活，直接损失预计超过1.5亿元人民币！这种令人难以想象的灾害给我们带来的沉痛教训让所有人心有余悸：如果没有当时工作人员对此类自然灾害早期的应急准备和相关科学技术储备的掌握，可能现在又会发生什么样的后果？一场悲剧是由许多偶然因素交织而成的，那么今天我要分析一下在这起特大事故背后隐藏着哪些必然性呢？从社会层面讲其实这是一个人们都不愿意看到的事情。

虽说近几十年来我国经济快速增长，已逐渐进入世界前列，但是，我国的资源环境也随之严峻起来，尤其是水资源紧缺问题更加明显。

“民以食为天”，而饮用水的质量则与百姓的健康息息相关。

不仅如此，全球温室效应愈演愈烈导致的极端气候频繁爆发，使人类未来将面临更加复杂严峻的挑战。

我国东部海域受厄尔尼诺现象影响，形势异常严峻。

2019年10月至2020年3月，黄渤海出现罕见暖冬，渤海及莱州湾近海面积较常年同期偏小1/2，连续8个月超过4个月平均水深低于1米，中国近海形成拉尼娜事件等因素叠加影响，导致北上台风次数减少，易出现秋汛。

渤海海冰区主要位于山东半岛北岸、辽东湾西部、胶州湾南部、辽东湾南部、渤海海峡北部、庙岛群岛附近海域等，影响范围包括京津冀鲁辽吉黑苏皖等13个省（市）。

2018-2019年冬季渤海冰情最为严重，全区平均海冰厚度33厘米左右，其中莱州湾等海域平均厚度38厘米，创历史纪录。

正因如此，政府才在“大力治理污染，保护生态环境”方面做出了决策并付诸行动。

从技术层面讲这些年来中国在经济上取得了重大突破，高铁系统稳定运营，航空客流量迅猛增加；互联网飞速发展，移动支付在人们日常消费中占据重要地位……同时，我们也注意到美国在高新科技领域依旧保持领先地位，其他国家正努力赶上，国际竞争异常激烈。

计算机耗材管理办法浅析计算机耗材管理办法浅析随着计算机应用技术的不断发展和普及，计算机已成为人们工作和生活中必不可少的工具。

计算机的使用过程中，需要耗材作为支撑，如打印机纸、墨盒等。

计算机耗材的管理因此显得尤为重要。

本文旨在对计算机耗材的管理进行分析探讨，提出有效的管理办法。

一、计算机耗材的种类计算机耗材是指在计算机使用过程中，因使用而需要不断更换的物品。

常见的计算机耗材有：打印机耗材、传真机耗材、扫描仪耗材、计算机主机耗材、显示器耗材等。

不同种类的耗材具有不同的特点，因此需要针对性的管理。

1、打印机耗材所谓打印机耗材，就是指在打印机使用过程中，因使用而需要不断更换的物品，如打印机墨盒、维护盒、定影器等。

打印机耗材的质量和稳定性将直接影响到打印机的使用效果，因此应当及时更换、管理。

2、传真机耗材传真机耗材主要包括传真纸、传真墨盒、传真胶带等。

可以说，在传真机使用过程中，传真纸和传真墨盒是不可或缺的部分。

及时更换传真机耗材，可以保证传真机的正常运行，提高效率。

3、扫描仪耗材扫描仪耗材主要包括扫描头、马达、皮带等，扫描仪耗材的质量和适配性非常重要，只有配合扫描仪的使用才能正常工作，提高效率，确保扫描效果清晰。

4、计算机主机耗材计算机主机耗材包括主板、CPU、硬盘等，主机是计算机重要组成部分，因此主机耗材的管理十分重要。

及时更新计算机主机耗材，能够提高计算机运行效率，确保计算机的正常使用。

5、显示器耗材显示器耗材主要包括屏幕、灯管等。

及时更新显示器耗材，既能提高显示器的利用率，同时又不会影响显示器的运行效果，确保显示屏幕的清晰度。

二、计算机耗材管理的重要性计算机耗材的管理是非常重要的一项工作，直接影响到计算机设备的正常使用和维护。

正确的计算机耗材管理方式可带来以下几点好处：1、提高设备的使用寿命适时更新计算机耗材是提高其使用寿命的主要方法之一。

通过对计算机耗材的科学管理，能够更好地延长设备的使用寿命，并减少维修和更换的花费。

中国网站、网页发展现状一、网站发展现状1、网站基本概况网站是在互联网上拥有域名或地址并提供一定网络服务的主机，是存储文件的空间，以服务器为载体。

在早期，域名、空间服务器与程序是网站的基本组成部分，随着科技的不断进步，网站的组成也日趋复杂，多数网站由域名、空间服务器、DNS域名解析、网站程序、数据库等组成。

人们可通过浏览器等进行访问、查找文件，也可通过远程文件传输(FTP)方式上传、下载网站文件。

网站可分为门户类、个人类及WAP 类。

2、网站数量互联网通过跟传统产业紧密结合，渗透到国民经济的各个行业，而网站是行业向外提供服务的重要窗口，一个行业内网站数量的多少，也是这个行业信息化水平的衡量标准之一。

从网站数量上看，我国网站总量规模较大，可以称得上是“网络大国”，但在国际上有一定竞争力的网站数量仍然有限，在影响力和竞争力上仍有较大的发展空间。

2014-2017年中国网站数量增长稳定，2018、2019年中国网站数量下降，2018年中国网站数量523万个，比上年减少10万个，同比下降1.88%；2019年中国网站数量497万个，比上年减少26万个，同比下降4.97%。

2014-2017年中国(cn)网站数量呈快速发展趋势，2018、2019年增速放缓，2018年中国(cn)网站数量326万个，比上年增加11万个，同比增长3.49%；2019年中国(cn)网站数量341万个，比上年增加15万个，同比增长4.60%。

2014-2018年期间，中国被篡改网站数总体是呈下降趋势，但2019年增长迅猛，被篡改网站数185573个，比上年增加178524个，同比增长2532.61%。

2014年中国政府被篡改网站数达到1763个，为近年来中国政府被篡改网站数最多的一年，2015年后呈下降趋势，至2018年中国政府被篡改网站数216个，比上年减少402个，同比下降65.05%；2019年中国政府被篡改网站数515个，比上年增加299个，同比增长138.43%。

百度K站事件为所有的站长敲响了警钟来源：靓包包6.28和7.18事件，大部分站长确实让百度给一下打回解放前了。

百度此次已经下很非常大的决心来整理百度生存环境，可以说是宁杀错不放过。

导致成片得无快照网站产生，和部分网站快照停止不前。

可以说现在的站长们全都人心惶惶，下一个又会轮到谁的站呢。

经过2次事件和看到很多站长写的经验分享，小弟总结出一些经验看法分享给大家。

1、利益冲突现在是人就能看到网络可以给予带来的直接利益。

网站排名已经非常火爆。

各种SEO 公司或个人众多，SEO市场价格混乱。

导致百度竞价排名利益受损。

2、净化自身产品SEO领域入门，门槛偏低，只要懂些网站知识，在加上软件工具的辅导，很快就能将小型网站优化上去。

导致过多的垃圾信息与虚假信息。

尤其医疗行业，严重导致信息无法确认是否准确。

3、百度早有预谋在4月份百度已经对论坛外链给予算法调整，降低输出权重。

更加重视社会性网站的外链权重。

4、服务器要求的严格3月份以来对网站的打开速度，有了严格的处理要求。

百度蜘蛛会不定时的来检查，你的网站。

如果代理空间过慢，将不会收录网站。

应该说大部分站长包括我本人在内，都把全部的重心放在百度这块市场上。

百度为我们站长提供了生存空间，现在也让我们失去生存空间。

可谓是成也百度，败也百度。

最终原因还是我们发展空间局限，太过于依赖百度生存，未能更深入的进入互联网市场这块市场。

百度为我们站长敲响了警钟。

为什么我们站长从来未想过品牌效益，从未想过自身原创，没有一个明确的目标。

我们都在模仿中前行，眼睛中都是关键字排名。

我们失去了SEO给我们带来的机会。

先不说，糗事百科和轻微博。

就说我们站长身边近的，admin5论坛大家都上过，很多站长只知道A5发外链好，收录快，但A5论坛的宣传语是什么，(网站、域名、源码、安全放心交易)。

在看28推，他的口号是(让网络营销和网络推广变的更简单)。

这都是我们热衷的外链论坛，但他们都是不一样的。

他们有信念有目标，有灵魂。

中国互联网络信息中心发布第46次《中国互联网络发展状况统计报告》中国互联网络信息中心发布第46次《中国互联网络发展状况统计报告》近日，中国互联网络信息中心（CNNIC）发布了第46次《中国互联网络发展状况统计报告》。

这份报告详细地归纳了中国互联网的发展情况和趋势，为我们提供了洞察力并展示了中国互联网快速发展的势头。

报告指出，截至2021年12月，中国网民总数达到了9.06亿，互联网普及率达到了66.6%。

这表明中国已成为全球互联网使用最广泛的国家之一。

随着智能手机和移动互联网技术的迅速普及，中国的互联网普及率不断提高。

报告还显示，移动互联网已成为中国互联网发展的主要驱动力。

2021年，我国移动互联网用户数量达到了8.86亿，占总网民数的97.7%。

智能手机的普及使得人们可以随时随地上网，推动了移动互联网的快速发展。

在互联网应用方面，短视频、在线教育和网购等领域表现出色。

短视频用户数量已达到了7.18亿，领先于其他各类应用。

在线教育在疫情期间经历了快速增长，并在未来仍有巨大发展潜力。

网购是中国互联网的重要组成部分，2019年我国网络零售额达到10.6万亿元人民币，占社会消费品零售总额的19.5%。

此外，报告还关注到了网络安全的问题。

随着互联网的快速发展，网络安全问题也愈发凸显。

报告指出，2021年，我国互联网用户遭受网络侵害的比例达到了62%，包括个人隐私泄露、网络诈骗等。

网络安全已成为互联网发展过程中亟待解决的难题之一。

对于未来的发展趋势，报告预测，中国互联网将继续向着更加智能化、高效化和便捷化的方向发展。

随着新技术的应用，如人工智能、大数据和5G等，互联网将进一步渗透到各个行业和领域，推动中国经济的转型升级。

《中国互联网络发展状况统计报告》是对中国互联网发展的全面调查和分析，为政府、企业和公众提供了重要的参考。

报告的发布不仅可以帮助我们了解中国互联网的现状和趋势，还为互联网相关产业的发展提供了指导和支持。

青少年网瘾的调查报告关于青少年网瘾的调查报告现在的青少年有许多都有网瘾，以下是小编为大家精心搜集和整理的关于青少年网瘾的调查报告，希望大家喜欢!第一篇：关于青少年网瘾的调查报告一、调查目的为了了解青少年为什么会行成网瘾还有网瘾带给青少年哪些危害二、调查方法从网上收集资料三、调查结果综合新华社电中国青少年网络协会18日发布《中国青少年网瘾数据报告(2014)》显示，目前我国网瘾青少年约占青少年网民总数的9.72%，将近50%的网瘾青少年主要的上网目的是聊天或交友。

报告指出，在网瘾青少年和非网瘾青少年的具体活动中也存在着较大的差别。

如，网瘾青少年中玩网络游戏的比例(40.77%)高于非网瘾青少年(28.61%)将近13个百分点，而聊天或交友虽然也属于娱乐性的活动，但网瘾青少年和非网瘾青少年中，参与这一活动的比例几乎没有差别。

根据数据显示，娱乐性活动和实用性活动比例在网瘾和非网瘾青少年之间差距很大。

其中玩网络游戏和获取信息的网瘾青少年与非网瘾青少年比例差距较为悬殊。

中国青少年网络协会秘书长郝向宏认为，这说明网瘾青少年更偏重于玩网络游戏，而非网瘾青少年则更偏重于借助网络获取信息以及学习或工作。

因此，正确引导青少年利用网络获取信息可以在一定程度上抑制上网成瘾，而对于青少年玩网络游戏的放纵则可能促使其上网成瘾。

报告指出，青少年网络成瘾问题仍然是不容忽视的。

网瘾青少年比例接近10%，需要各方继续对青少年网瘾问题加以关注，并采取各种措施来预防青少年上网成瘾。

报告显示，男性青少年网民上网成瘾比例(13.29%)约比女性青少年网民上网成瘾比例(6.11%)高出7.18个百分点。

男性青少年比女性青少年更易于沉溺网络。

报告显示，18岁至23岁青年网瘾比例较高，达到了11.39%。

报告指出，网瘾青少年和非网瘾青少年均对娱乐休闲类游戏有较高的偏好。

有超过60%的非网瘾青少年对娱乐休闲类游戏有较高的偏好，而网瘾青少年则对角色扮演类和比赛竞技类游戏有较高的偏好。

互联网法院后又一创举!这个执法平台办案又快又准执法记录仪多少钱一台今天，浙江省市场监管互联网执法办案平台正式启用，该平台的启用是继杭州互联网法院之后，浙江又一大互联网治理创举。

国家市场监管总局副局长甘霖表示，这是全国市场监管部门深化监管机制创新的一件标志性大事。

平台的建成使用，标志着全国市场监管互联网执法办案创新试点工作取得重大突破，意义重大。

互联网经济呼唤新监管模式2022年，中国网络购物交易规模达7.18万亿元，拥有5亿多的庞大网上支付用户群体，网购平台模式不断创新，为网络消费高速增长提供着强劲动力。

与此同时，以电子商务、大数据、人工智能为代表的互联网新经济发展迅猛，已经成为浙江乃至全国经济发展的新引擎。

全省拥有淘宝、天猫、网易考拉、蘑菇街、贝贝网等众多知名网购平台，网络零售额占全国70%以上，淘宝村数量全国第一，治理好网络空间特别是网络市场秩序，对浙江经济和社会发展尤显重要。

网络交易的迅猛发展，促进了消费，释放了活力，但售假、消费欺诈、虚假宣传等涉网违法案件也急剧增长，传统的办案模式，已无法适应网络治理要求。

浙江是互联网发展重地，电子商务高度聚集，“互联网法院”的成功实践，启迪着浙江作为网络大省的市场监管执法模式创新。

2022年，浙江工商(市场监管)受理网络消费举报投诉16.5万件，2022年突破20万件。

而网络的跨区域、虚拟性，违法行为踪迹难循、证据易灭失等客观因素，造成涉网违法案件发现难、落地案、取证难、执行难，传统的市场监管模式已无法适应互联网监管的要求。

互联网执法办案平台：又一互联网治理创举浙江是中国互联网经济发展的先行地。

作为网络经济监管的主力军工商和市场监管部门深刻认识到，唯有顺应互联网发展大趋势，用互联网的思维解决互联网发展中的问题，用创新的理念不断探索网络执法办案新模式和新机制，才能营造公平有序的网络竞争秩序和环境，才能助推浙江数字经济继续走在全国前列。

这是继杭州互联网法院之后，浙江又一大互联网治理创举。

高考历史“二轮重难点突破”NO20世界近现代科技革命【核心考点】1.经典力学（1）背景①文艺复兴和宗教改革运动解放了人们的思想，科学从神学的桎梏中解放出来，进入到实验科学时代。

②资本主义迅速发展，推动了科学技术的进步。

③伽利略的科学成就为经典力学的出现奠定了基础。

（2）成就1687年，牛顿《自然哲学的数学原理》出版，阐述了物体运动三大定律和万有引力定律。

（3）影响①是人类认识自然的历史上对自然规律第一次进行的理论性概括和总结。

②经典力学体系的建立标志着近代科学的形成，促进了两次科技革命的出现。

③为法国启蒙思想奠定了科学基础。

2．进化论(1)诞生标志：1859年，达尔文《物种起源》的发表。

(2)意义①生物进化论的诞生是人类思想史上划时代的大事，是对封建神学创世说的有力挑战。

②它把发展变化的思想引入生物界，开创了生物科学发展的新时代。

③对处于国家危亡时期的中国思想界也产生巨大震动。

“蒸汽时代”背景早期蒸汽机不能满足工业革命的需要，严重阻碍着机器的进一步推广标志18世纪80年代，瓦特制造了联动式蒸汽机，采用曲柄机构，使往复的直线运动转变为旋转运动影响（1）推动人类社会由此进入“蒸汽时代”；（2）解决了工业发展中的动力问题，蒸汽动力在交通运输工具上的应用，使得世界各地的联系更加密切电气革命过程（1）理论基础：1831年，英国的法拉第发现电磁感应现象；（2）标志：1866年，德意志的西门子发明发电机。

比利时人格拉姆发明电动机；（3）完善：长距离输电技术日趋成熟意义（1）人类进入“电气时代”；（2）改变着社会结构和世界形势，生产和资本的集中促成了垄断组织的形成；（3）使城市的面貌和人们的社会生活发生巨大的变化信息技术的发展过程（1）1946年美国发明了世界上第一台电子计算机，奠定了现代信息技术的基础；（2）诞生：20世纪60年代末，美国出于“冷战”的需要开发信息技术，互联网产生；（3）发展：20世纪90年代以后，互联网进一步发展为全球信息网影响（1）信息社会开始出现；（2）加快了经济全球化的步伐，改变传统产业；（3）改变人们工作、生活、及社会交往方式；（4）给人们特别是青少年带来一定的负面影响(1)背景：19世纪，随着物理学研究的进展，经典力学受到挑战。

中国商务部数据显示：2017亿元，约合1.149起云涌的移动互联网，传统电商IT 件企业又该如何面对IT文/朱文雯传统电商面临技术瓶颈数据库管理系统是企业ＩＴ架构的核心，传统单机数据库采用纵向扩展（Ｓｃａｌｅ－Ｕｐ）思路，通常只能支持几个ＴＢ（Ｔｒｉｌｌｉｏｎｂｙｔｅ万亿字节）的数据存储和处理，远远不能满足当前移动电商发展的实际需求。

为了达到高性能和大容量数据存储要求，采用集群设计的ＯＬＴＰ（Ｏｎ－Ｌｉｎｅ　Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ，联机事务处理）系统逐步成为主流。

常见的企业数据库集群如Ｏｒａｃｌｅ　ＲＡＣ等通常采用Ｓｈａｒｅ　Ｄｉｓｋ（磁盘共享）模式，数据库服务器之间共享资源，如磁盘、缓存等。

当性能不能满足需求时，要依靠升级数据库服务器（一般采用小型机）的ＣＰＵ、内存、磁盘，来达到提升单节点数据库服务性能的目的。

另外，可以增加数据库服务器的节点数，依靠多节点并行和负载均衡来达到提升性能和系统整体可用性的效果。

但当数据库服务器的节点数量增大，节点间的通信就会成为影响系统运行的瓶颈。

此外，处理各个节点对数据的访问控制将受制于事务处理的一致性要求。

从实际案例来看，４节点以上的ＲＡＣ（Ｒｅａｌ　Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ　Ｃｌｕｓｔｅｒｓ，实时应用集群）非常少见。

　　根据摩尔定律，处理器性能每隔１８个月将增加一倍，而ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ　Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ，动态随机存储器）性能大约每１０年才会增加一倍，这令处理器和内存性能形成“剪刀差”。

虽然处理器性能飞速提升，但由于磁盘机械转速与磁臂寻道时间的限制，磁盘存储性能提升缓慢，硬盘的ＩＯＰＳ（Ｉｎｐｕｔ／Ｏｕｔｐｕｔ　Ｐｅｒ　Ｓｅｃｏｎｄ，每秒读写）性能近十年以来基本没有太大提升，基于ＨＤＤ（Ｈａｒｄ　Ｄｉｓｋ　Ｄｒｉｖｅ，硬盘驱动器）的磁盘阵列存储越来越成为集中式存储架构的性能瓶颈，而全闪存阵列受限于高昂成本和擦写寿命，还远达不到大规模商用要求。

宁夏医学杂志 2021 年 1 月第 43 卷第 1 期 Ningxia Med J, Jan. 2021, Vol.43 , No. 1-89 -Doi ： 10.13621/j. 1001 -5949.2021.01.0089宁夏互联网医院电子处方使用情况分析•经验交流•沈萍1，辛Y 媛1，杨小珍2，吕良3，王柏松4，韩云霄5［基金项目］宁夏卫生健康委重点研究项目（2019NW061）［作者单位］1.宁夏医院评价指导服务中心医疗服务指导科，宁夏银川7500022. 宁夏回族自治区人民医院，宁夏银川7500023. 宁夏健康教育所，宁夏银川7500024. 宁夏卫生健康综合服务中心，宁夏银川7500045. 宁 夏 卫 监 所 服 监 ，宁 夏750002［摘要］目的调查银川市互联网医院医疗服务现状，分析电子处方存在问题,为加强互联网医院规范执业及有效监管提供参考依据。

方法 采用分层随机抽样法抽取宁夏互联网医疗服务监管平台中13家互联网医院的 5 321张电子处方，对电子处方各系统疾病的种类、抗菌药物使用情况、处方书写不规范行为等进行调查分析。

结果 互联网医院电子处方使用率最高的为呼吸系统疾病、生殖系统疾病、消化系统疾病，比例依次为20. 88%、 16.50% ,15.17%。

互联网电子处方抗菌药物使用率为22%，其中使用率排在前三位抗菌药物类别的是头抱菌素类、青霉素类、，诺酮类，比例分别为7.18%、5.6% ,3.65%。

开具电子处方存在药师未上传证件、处方无问诊记 录、医师超范围执业比例高,依次为85. 98% ,17.53%、10. 39%。

互联网医院电子处方使用率最高的为呼吸系统疾病，以急性上呼吸道感染、急性扁桃体炎等疾病为主。

抗菌药物电子处方以头抱类药物为主。

结论 应对互联网 医院医疗服务加强监管，更好地规范其执业行为。

［关键词］互联网医院；电子处方；医疗服务;抗菌药物［中图分类号］R95.3 ［文献标识码］B互联网医疗是指以互联网为载体，运用计算机、 网络等信息化技术，开展健康咨询、医疗信息查询、 电子处方、在线问诊、远程会诊、挂号缴费等医疗健 康服务⑴，是实体医疗机构的互联网化和依托实体医疗机构设立的互联网医院［2］0 2015年12月10 日，我国第一张电子处方开具［3］ o 2018年5月8日宁夏互联网医院监管平台在线运行。