逻辑IC功能和参数测试准实验报告

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电子科技大学
实验报告
学生姓名:鄢传宗,梁成豪学号:2011031030010,2011031030009 指导教师:王向展
实验地点:211楼307 实验时间:2014.5.28
一、实验室名称:微电子技术实验室
二、实验项目名称:逻辑IC功能和参数测试
三、实验学时:4
四、实验原理:
1.MOSIC静态功耗(也称维持功耗)P DD
MOSIC的静态功耗是:当输入端为固定的逻辑电乎,输出端空载,输出状态固定不变时电路所消耗的能量。

静态功耗是温度的函数。

由于静态时从电源到地没有直流通路,MOSIC静态功耗很小,它只取决于漏电情况。

2.输出高电平V OH(低电平V OL),输入高电平V IH(低电平V IL)
(1)当输入端为固定的V CC或V SS,输出端空载时,所输出的固定电平称为输出高电平V OH及输出低电平V OL。

(2)当输出端维持应有的V OH和V OL时,输入端所能输入的最小高电平V IH或最大低电平V IL。

V OH(V OL)越接近V CC(V SS),V IH(V IL)越远离V CC(V SS),其电路性能越好。

3.逻辑功能和最高工作频率f MAX
(1)先根据被测的IC应有的逻辑功能确定输入波形的时序,搭一个相应的测试电路产生这些输入波形并把共送入被测IC的输入端,用示波器或逻辑分析仪测试输入输出波形所对应的时序关系。

(2)最高工作频率f MAX取决于电路各级在动态工作中的充放电速度。

在额定的负载下,保持正确的逻辑关系和额定的波形幅度,电路所能承受的输入脉冲的频率为f MAX。

4.工作功耗P W
静态功耗和动态功耗的总和为电路的工作功耗。

(1)动态功耗包括瞬态功耗P T和交变功耗P A。

其中P T是在动态工作中电源对电容(包括级间栅电容、pn结电容和输出级负载电容等)的充放电所消耗的能量。

(2)P A是由于在交变时波形的上升沿和下降沿使得电路从V CC到V SS有直流通路而消耗的能量。

(3)动态功耗是无法单独测试的,而对于CMOS电路由于P DD很小,因此
(4)在固定负载情况下它与工作频率成正比,在固定工作频率时,它与负载电容成正比。

5、延迟时间t d
延迟时间t d反映电路某输出端对其输入端变化的响应速度,它的定义如图1所示。

(5)
图1 延迟时间定义
五、实验目的:
本实验的目的是熟悉MOSIC的功能和参数的物理意义,掌握其测试方法。

测试包括MOSIC的逻辑功能、最高工作频率、静态功耗、工作功耗、输入高(低)电乎、输出
高(低)电平、输入电流、输出驱动能力及延迟时间等。

通过该实验,使学生对课程中所学到的MOS数字IC主要参数表征及其含义有更深入的理解,并加深对其的感性认识,增强学生的实验与综合分析能力,掌握MOS数字IC 测试技术的基本方法,进而为今后从事科研、开发工作打下良好基础。

六、实验内容:
1 .MOSIC静态功耗(也称维持功耗)P DD。

2 .输出高电平V OH(低电平V OL),输入高电平V IH(低电平V IL)。

3 .逻辑功能和最高工作频率f MAX。

4 .工作功耗P W。

5 .延迟时间t d(上升延迟t r、下降延迟t f)。

七、实验器材:
(1)直流稳压电源一台
(2)数字双踪示波器*一台
(3)信号发生器一台
(4)实验测试板及连接线一套
(5)常见通用数字CMOS IC样品 2-3块
(6)电阻、电容若干
八、实验步骤:
1、首先熟悉数字双踪示波器和信号源的使用,根据指导书要求搭建各参数的测试电路。

注意所选电阻、电容的值,不能确定时要用万用表测量;在测试板上连接测试电路时应注意数字CMOS集成块各管脚的功能,以免连接错误。

2、各参数的测试
1.MOSIC静态功耗
(1)按图3连接测试线路,每个输入端必须接V CC或V SS。

(2)稳压源调至5V,电流表置最小量程,记录稳定电流值。

将A4、B4与V SS断开,观测电流。

(3)用74LS86代替74HC86重复以上实验。

图3 静态功耗测试电路
图4 输入高(低)屯平测试电路2.输入高电平和低电平,输出高电平和低电乎
(1)将图3测试线路中Q
4端与V
SS
之间并入一个电压表,测量Q4端的输出低电平V
OL。

(2)上图中的A
4改接至V
CC
,测量Q
4
端的输出高电平V
OH。

(3)按图4连接测试线路。

(4)电源电压调至5V,调节电位器使V
I 从V
CC
开始降低,直至输出电压从V
OL
开始上升,
此时V
I = V
IH。

(5)调节电位器使V
I 从V
SS
开始上升,直至输出端Q
4
的输出电平从V
OH
开始下降,此时
V I =V
IL。

3、逻辑功能和最高工作频率
(1)用双踪示波器对简单的逻辑电路CD4030测试
1)按图5连接测试线路,可变电容调至15pF,脉冲发生器频率置100kH,V
CC
=5V。

2)用双踪示波器chl、cL2分别测量输入端A
4和B
4
的波形图。

3)用ch1、ch2分别测A
4、Q
4
的波形并记录Q
4
相对A
4
、B
4
的波形图。

4)提高脉冲发生器频率,同时调节时基旋钮,观察波形的变异,测试最高工作频率(CD4030输入端A
4
的频率)。

图5 CD4030逻辑功能测试电路5.延迟时间
1)将图5中可变电容调至15pF,f
C
=100kHz。

2)将双踪示波器的ch1和ch2分别按至A
4、Q
4
,调节时基旋钮记录CD4030的Q
4

对A
4
的延迟时间。

3)变化脉冲发生器频率f
C
=1MHz,重夏上面操作。

4)用74HC86代替CD4030测试高速CMOS的延迟时间和前面测量结果对比。

九、实验数据及结果分析:
1、输出高电平和低电平
表1 CMOS和TTL逻辑输出高电平和低电平测试数据
CMOS TTL 输出高电平 5.32V 4.28V
输出低电平 6.34mV 204mV
2、转移特性测试
表2 CMOS和TTL逻辑阈值电压测试数据
表3 延迟时间测试数据列表
5、最高工作频率
表5最高工作频率测试列表
十、实验结论:
结合课程所学的知识,对74LS04、CD4030等数字MOSIC的主要参数进行了测试,熟悉了数字双踪示波器等常用仪器的使用技巧,掌握了通用数字集成电路的测试方法,同时对课程中相关的理论知识有了更深入的认识。

十一、总结及心得体会:
通过本次实验,熟悉了数字双踪示波器等常用仪器的使用技巧,掌握了通用数字集成电路的测试方法,加深了对所学理论知识的感性认识,增强了自身的实验与综合分析能力,进而为今后从事科研、开发工作打下良好基础。

十二、对本实验过程及方法、手段的改进建议:
在实验过程中,芯片出现了问题,导致实验数据差异较大,浪费了部分时间,希望在实验前,老师能够检查一下仪器和实验用的芯片,以提高效率。

报告评分:
指导教师签字:。