“半导体制造技术”题库
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半导体基础知识单选题100道及答案解析1. 半导体材料的导电能力介于()之间。
A. 导体和绝缘体B. 金属和非金属C. 正电荷和负电荷D. 电子和空穴答案:A解析:半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。
2. 常见的半导体材料有()。
A. 硅、锗B. 铜、铝C. 铁、镍D. 金、银答案:A解析:硅和锗是常见的半导体材料。
3. 在纯净的半导体中掺入微量的杂质,其导电能力()。
A. 不变B. 减弱C. 增强D. 不确定答案:C解析:掺入杂质会增加载流子浓度,从而增强导电能力。
4. 半导体中的载流子包括()。
A. 电子B. 空穴C. 电子和空穴D. 质子和中子答案:C解析:半导体中的载流子有电子和空穴。
5. P 型半导体中的多数载流子是()。
A. 电子B. 空穴C. 正离子D. 负离子答案:B解析:P 型半导体中多数载流子是空穴。
6. N 型半导体中的多数载流子是()。
A. 电子B. 空穴C. 正离子D. 负离子答案:A解析:N 型半导体中多数载流子是电子。
7. 当半导体两端加上电压时,会形成()。
A. 电流B. 电阻C. 电容D. 电感答案:A解析:电压作用下,半导体中有电流通过。
8. 半导体的电阻率随温度升高而()。
A. 增大B. 减小C. 不变D. 先增大后减小答案:B解析:温度升高,载流子浓度增加,电阻率减小。
9. 二极管的主要特性是()。
A. 单向导电性B. 放大作用C. 滤波作用D. 储能作用答案:A解析:二极管具有单向导电性。
10. 三极管的三个电极分别是()。
A. 基极、发射极、集电极B. 正极、负极、地极C. 源极、漏极、栅极D. 阳极、阴极、控制极答案:A解析:三极管的三个电极是基极、发射极、集电极。
11. 场效应管是()控制器件。
A. 电流B. 电压C. 电阻D. 电容答案:B解析:场效应管是电压控制型器件。
12. 集成电路的基本制造工艺是()。
A. 光刻B. 蚀刻C. 扩散D. 以上都是答案:D解析:光刻、蚀刻、扩散都是集成电路制造的基本工艺。
选择题:
在半导体制造中,下列哪项技术常用于制作微小电路图案?
A. 化学气相沉积
B. 光刻技术(正确答案)
C. 湿法刻蚀
D. 干法刻蚀
下列哪项是半导体材料的主要特性之一?
A. 良好的导电性
B. 在特定条件下导电性可发生变化(正确答案)
C. 完全绝缘
D. 恒定的电阻值
半导体行业中的“摩尔定律”主要描述了什么?
A. 晶体管数量每两年翻一番(正确答案)
B. 芯片尺寸每年缩小一半
C. 处理器速度每年提升一倍
D. 半导体材料成本逐年下降
下列哪项不是半导体器件的常见类型?
A. 二极管
B. 晶体管(正确答案)
C. 二极管
D. 集成电路
在半导体生产中,下列哪项是衡量芯片制造精度的重要指标?
A. 线程数量
B. 工艺节点(正确答案)
C. 缓存大小
D. 主频速度
下列哪项技术不是半导体存储器的常见类型?
A. DRAM
B. SRAM
C. Flash存储器
D. SSD(正确答案,SSD是固态硬盘,不是半导体存储器类型)
半导体行业中的“FinFET”技术主要用于提升什么?
A. 芯片的尺寸
B. 芯片的功耗
C. 芯片的性能(正确答案)
D. 芯片的成本
下列哪项不是半导体测试中的常见步骤?
A. 功能测试
B. 可靠性测试
C. 外观检查(正确答案)
D. 性能测试
在半导体封装中,下列哪项技术常用于连接芯片与外部电路?
A. 焊接
B. 粘接
C. 引线键合(正确答案)
D. 螺丝固定。
半导体制造技术上海工程技术大学智慧树知到答案2024年第一章测试1.“摩尔定律”是()提出的?A:1960 B:1958年 C:1965年 D:1970年答案:C2.第一个晶体管是()材料晶体管?A:硅 B:锗 C:碳答案:B3.戈登摩尔是()科学家。
A:德国 B:法国 C:美国 D:英国答案:C4.第一个集成电路在()被研制。
A:1958 B:1955 C:1965 D:1960答案:A5.()被称为中国“芯片之父”。
1、A:邓中翰 B:吴德馨 C:许居衍 D:沈绪榜答案:A第二章测试1.硅在地壳中的储量为()。
A:第一 B:第四 C:第二 D:第三答案:C2.脱氧后的沙子主要以()的形式。
A:二氧化硅 B:碳化硅 C:硅答案:A3.半导体级硅的纯度()。
A:99.9999999% B:99.999999% C:99.999% D:99.99999%答案:A4.西门子工艺制备得到的硅为单晶硅。
()A:错 B:对答案:A5.一片硅片只有一个定位边。
()A:对 B:错答案:B6.晶面指数(m1 m2 m3): m1 、m2 、m3分别为晶面在X、Y、Z轴上截距的倒数。
()A:对 B:错答案:A第三章测试1.通过薄膜淀积方法生长薄膜不消耗衬底的材料。
()A:对 B:错答案:A2.热氧化法在硅衬底上制备二氧化硅需要消耗硅衬底。
()A:对 B:错答案:A3.二氧化硅可以与氢氟酸发生反应。
()A:对 B:错答案:A4.薄膜的密度越大,表明致密性越低。
()A:错 B:对答案:A5.电阻率,表征导电能力的参数,同一种物质的电阻率在任何情况下都是不变的。
()A:错 B:对答案:A第四章测试1.光刻本质上是光刻胶的光化学反应。
()A:错 B:对答案:B2.一个透镜的数值孔径越大就能把更少的衍射光会聚到一点。
()A:错 B:对答案:A3.使用正胶进行光刻时,晶片上所得到的图形与掩膜版图形相同。
()A:对 B:错答案:A4.使用负胶进行光刻时,晶片上得到的图形与掩膜版上的图形相反。
1.分别简述RVD和GILD的原理,它们的优缺点及应用方向。
快速气相掺杂(RVD, Rapid Vapor-phase Doping) 利用快速热处理过程(RTP)将处在掺杂剂气氛中的硅片快速均匀地加热至所需要的温度,同时掺杂剂发生反应产生杂质原子,杂质原子直接从气态转变为被硅表面吸附的固态,然后进行固相扩散,完成掺杂目的。
同普通扩散炉中的掺杂不同,快速气相掺杂在硅片表面上并未形成含有杂质的玻璃层;同离子注入相比(特别是在浅结的应用上),RVD技术的潜在优势是:它并不受注入所带来的一些效应的影响;对于选择扩散来说,采用快速气相掺杂工艺仍需要掩膜。
另外,快速气相掺杂仍然要在较高的温度下完成。
杂质分布是非理想的指数形式,类似固态扩散,其峰值处于表面处。
气体浸没激光掺杂(GILD: Gas Immersion Laser Doping) 用准分子激光器(308nm) 产生高能量密度(0.5—2.0J/cm2)的短脉冲(20-100ns)激光,照射处于气态源中的硅表面;硅表面因吸收能量而变为液体层;同时气态掺杂源由于热解或光解作用产生杂质原子;通过液相扩散,杂质原子进入这个很薄的液体层,溶解在液体层中的杂质扩散速度比在固体中高八个数量级以上,因而杂质快速并均匀地扩散到整个熔化层中。
当激光照射停止后,已经掺有杂质的液体层通过固相外延转变为固态结晶体。
由液体变为固态结晶体的速度非常快。
在结晶的同时,杂质也进入激活的晶格位置,不需要近一步退火过程,而且掺杂只发生在表面的一薄层内。
由于硅表面受高能激光照射的时间很短,而且能量又几乎都被表面吸收,硅体内仍处于低温状态,不会发生扩散现象,体内的杂质分布没有受到任何扰动。
硅表面溶化层的深度由激光束的能量和脉冲时间所决定。
因此,可根据需要控制激光能量密度和脉冲时间达到控制掺杂深度的目的。
2.集成电路制造中有哪几种常见的扩散工艺?各有什么优缺点?扩散工艺分类:按原始杂质源在室温下的相态分类,可分为固态源扩散,液态源扩散和气态源扩散。
1.分别简述RVD和GILD原理,它们优缺陷及应用方向。
迅速气相掺杂(RVD,Rapid Vapor-phase Doping) 运用迅速热解决过程(RTP)将处在掺杂剂氛围中硅片迅速均匀地加热至所需要温度,同步掺杂剂发生反映产生杂质原子,杂质原子直接从气态转变为被硅表面吸附固态,然后进行固相扩散,完毕掺杂目。
同普通扩散炉中掺杂不同,迅速气相掺杂在硅片表面上并未形成具有杂质玻璃层;同离子注入相比(特别是在浅结应用上),RVD技术潜在优势是:它并不受注入所带来某些效应影响;对于选取扩散来说,采用迅速气相掺杂工艺仍需要掩膜。
此外,迅速气相掺杂依然要在较高温度下完毕。
杂质分布是非抱负指数形式,类似固态扩散,其峰值处在表面处。
气体浸没激光掺杂(GILD:Gas Immersion Laser Doping) 用准分子激光器(308nm) 产生高能量密度(0.5—2.0J/cm2)短脉冲(20-100ns)激光,照射处在气态源中硅表面;硅表面因吸取能量而变为液体层;同步气态掺杂源由于热解或光解作用产生杂质原子;通过液相扩散,杂质原子进入这个很薄液体层,溶解在液体层中杂质扩散速度比在固体中高八个数量级以上,因而杂质迅速并均匀地扩散到整个熔化层中。
当激光照射停止后,已经掺有杂质液体层通过固相外延转变为固态结晶体。
由液体变为固态结晶体速度非常快。
在结晶同步,杂质也进入激活晶格位置,不需要近一步退火过程,并且掺杂只发生在表面一薄层内。
由于硅表面受高能激光照射时间很短,并且能量又几乎都被表面吸取,硅体内仍处在低温状态,不会发生扩散现象,体内杂质分布没有受到任何扰动。
硅表面溶化层深度由激光束能量和脉冲时间所决定。
因而,可依照需要控制激光能量密度和脉冲时间达到控制掺杂深度目。
2.集成电路制造中有哪几种常用扩散工艺?各有什么优缺陷?扩散工艺分类:按原始杂质源在室温下相态分类,可分为固态源扩散,液态源扩散和气态源扩散。
固态源扩散(1). 开管扩散长处:开管扩散重复性和稳定性都较好。