DMZ6005耗尽型MOS,600V 5MA

600v的半导体放电管600V的半导体放电管在现代电子技术中扮演着重要的角色。

它是一种能够在高压环境下实现电流控制的器件，具有很多应用领域。

在本文中，我们将探索半导体放电管的工作原理、特性以及应用。

半导体放电管是一种半导体器件，能够在电压超过一定阈值时产生放电现象。

这种器件通常由多个半导体材料层叠而成，其中包含N 型和P型硅等材料。

当电压施加到半导体放电管上时，电子和空穴会在半导体材料中产生，并形成电流。

当电压超过一定阈值时，半导体放电管中的电子和空穴会发生复合，产生能量释放，从而引发放电现象。

半导体放电管的特性使得它在许多领域得到了广泛应用。

首先，它可以用作电子开关，因为它能够在开关状态间快速切换。

这使得它在电力系统中的保护装置中得到了广泛应用，可以有效地防止电流过载和短路等故障。

其次，半导体放电管还可以用于电磁干扰的抑制。

它可以通过在电路中引入一个阻抗，将电磁干扰分散或吸收，从而减少电子设备之间的干扰。

此外，半导体放电管还可以用于光电子器件和激光器等高科技领域。

除了以上应用外，半导体放电管还可以用于电力电子转换器、医疗设备、通信设备等领域。

它的小体积、高效率和可靠性使得它成为了现代电子技术中不可或缺的一部分。

尽管半导体放电管在电子技术中起着重要的作用，但它也存在一些局限性。

首先，它的工作电压范围相对有限，通常在几百伏特至几千伏特之间。

其次，半导体放电管对温度变化非常敏感，过高或过低的温度都可能影响其性能。

此外，半导体放电管还存在寿命限制，长时间使用后可能出现性能下降或故障。

600V的半导体放电管是一种重要的半导体器件，具有广泛的应用领域。

它的工作原理和特性使得它成为现代电子技术中不可或缺的一部分。

然而，它也存在一些局限性，需要在实际应用中加以考虑。

通过深入了解半导体放电管的工作原理和应用，我们可以更好地利用它的优点，为现代电子技术的发展做出贡献。

5n60m场效应管参数及代换5N60M场效应管参数及代换一、引言场效应管是一种常见的电子器件，广泛应用于各种电路中。

5N60M 场效应管是一款常用的型号，本文将介绍其参数及代换。

二、参数介绍1. 额定电流（Id）：5N60M场效应管的额定电流为5A，表示在正常工作条件下，电流不应超过此值，否则可能会导致器件损坏。

2. 额定电压（Vds）：5N60M场效应管的额定电压为600V，表示在正常工作条件下，电压不应超过此值，否则可能会导致器件损坏。

3. 阻态漏极电流（Idss）：5N60M场效应管的阻态漏极电流为25mA，表示在漏极与源极之间的电流，在器件处于关闭状态时的最大值。

4. 最大漏极-源极电压（Vdss）：5N60M场效应管的最大漏极-源极电压为600V，表示在正常工作条件下，漏极与源极之间的最大电压。

5. 阈值电压（Vth）：5N60M场效应管的阈值电压为4V，表示在漏极与源极之间的电压达到此值时，场效应管开始导通。

三、代换方法在某些情况下，我们需要更换场效应管，但是可能找不到完全相同的型号。

此时，可以根据参数进行代换。

常见的代换方法如下：1. 静态工作点匹配：选择代换管时，应确保其静态工作点与原管相近。

静态工作点通常由Id、Vds和Vth决定。

2. 动态特性匹配：选择代换管时，应确保其动态特性与原管相近。

动态特性包括开关速度、输入电容和输出电容等。

3. 功率匹配：选择代换管时，应确保其功率能够满足实际需求。

功率由额定电流和额定电压决定。

四、代换示例假设我们需要代换一款5N60M场效应管，但是找不到完全相同的型号。

我们可以根据参数进行代换。

我们需要确定代换管的静态工作点。

假设我们选取了一款型号为A 的场效应管，其额定电流为4A，额定电压为500V，阻态漏极电流为20mA，最大漏极-源极电压为500V，阈值电压为3.5V。

接下来，我们需要比较代换管的动态特性。

假设型号为A的场效应管的开关速度、输入电容和输出电容与5N60M场效应管相近。

常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资1.IRF系列：IRF540N、IRF840、IRF3205等IRF系列是一种N沟道MOS管，具有低电源电流和高开关速度特点，可以工作在高频率下。

常用的封装有TO-220、TO-247、D2-Pak等。

-IRF540N参数：导通电阻：0.077Ω最大耗散功率：150W最大漏电流：50μA最大栅源电压：100V最大漏源电压：100V最大栅极电荷：49nC-IRF840参数：导通电阻：0.85Ω最大耗散功率：125W最大漏电流：10μA最大栅源电压：500V最大漏源电压：500V最大栅极电荷：90nC-IRF3205参数：导通电阻：8mΩ最大耗散功率：110W最大漏电流：250μA最大栅源电压：20V最大漏源电压：55V最大栅极电荷：75nC2.IRFP系列：IRFP250N、IRFP460等IRFP系列是一种P沟道MOS管，具有低导通电阻和高开关速度特点，适合高频率下的应用。

常用的封装有TO-247、TO-3P等。

-IRFP250N参数：导通电阻：0.095Ω最大耗散功率：200W最大漏电流：250μA最大栅源电压：100V最大漏源电压：200V最大栅极电荷：73nC-IRFP460参数：导通电阻：0.27Ω最大耗散功率：180W最大栅源电压：500V最大漏源电压：500V最大栅极电荷：123nC3.IRL系列：IRL540N、IRL3713等IRL系列是一种低电平驱动的MOS管，具有低导通电阻和高开关速度特点，适合低电平驱动电路。

常用的封装有TO-220、D2-Pak等。

-IRL540N参数：导通电阻：0.054Ω最大耗散功率：120W最大漏电流：50μA最大栅源电压：55V最大漏源电压：100V最大栅极电荷：32nC-IRL3713参数：导通电阻：7.5mΩ最大耗散功率：60W最大漏电流：50μA最大栅源电压：20V最大栅极电荷：20nC以上是常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资的介绍，不同型号的MOS管具有不同的特点和适用场景，用户可以根据实际需求选择适合的型号和封装方式。

AP73T02GH-HF SOT-252 AP/富鼎 SMD/MOS N场 25V 57A 0.0126ΩAP83T02GH-HF SOT-252 AP/富鼎 SMD/MOS N场 25V 75A 0.006Ω2SK3918-ZK-E1-AZ/JM SOT-252 NEC SMD/MOS N场 25V 48A 0.0075Ω2SK4212-ZK-E1 SOT-252 NEC SMD/MOS N场 25V 48A 0.0078Ω2SK4213-ZK-E1 SOT-252 NEC SMD/MOS N场 25V 64A 0.006Ω2SK3919 NEC DIP/MOS N场 25V 64A 0.0056ΩSPD30N03S2L-10 SOT-252 infineon SMD/MOS N场 30V 30A 0.0104Ω2N03L10 SOT-252 infineon SMD/MOS N场 30V 30A 0.0104ΩPSMN004-25B,SOT-263,PHILIPS,SMD/MOS,N场,25V,75A,0.004ΩPHB87N03LT,SOT-263,NXP/恩智浦,SMD/MOS,N场,25V,75A,0.0095ΩFDD6680A,SOT-252,FAIRCHILD,SMD/MOS,N场,30V,56A,0.0095ΩIRL3715ZS,SOT-263,IR,SMD/MOS,20V,50A,N场,0.011Ω 全新原装正品!价格优惠!现货供应! 以优势说话IRL3715STRL,SOT-263,IR,SMD/MOS,20V,54A,N场,0.014Ω 全新原装正品!价格优惠!现货供应! 以优势说话IRL3715ZCS,SOT-263,IR,SMD/MOS,20V,50A,N场,0.011Ω 全新原装正品!价格优惠!现货供应! 以优势说话IRL3714STRR,SOT-263,IR,SMD/MOS,20V,36A,N场,0.02Ω 全新原装正品!价格优惠!现货供应! 以优势说话IRL3714ZS,SOT-263,IR,SMD/MOS,20V,36A,N场,0.016Ω 全新原装正品!价格优惠!现货供应! 以优势说话IRL2703STRL,SOT-263,IR,SMD/MOS,30V,20A,N场,0.04Ω 全新原装正品!价格优惠!现货供应! 以优势说话IRL3102STRL,SOT-263,IR,SMD/MOS,20V,61A,N场,0.015Ω 全新原装正品!价格优惠!现货供应! 以优势说话IRF3711ZS,SOT-263,IR,SMD/MOS,20V,92A,N场,0.006Ω 全新原装正品!价格优惠!现货供应! 以优势说话IRF3704STRR,SOT-263,IR,SMD/MOS,20V,77A,N场,0.009Ω 全新原装正品!价格优惠!现货供应! 以优势说话IRF3707ZS,SOT-263,IR,SMD/MOS,30V,59A,N场,0.0095Ω 全新原装正品!价格优惠!现货供应! 以优势说话IRF3709STRR,SOT-263,IR,SMD/MOS,30V,90A,N场,0.009Ω 全新原装正品!价格优惠!现货供应! 以优势说话2SK3467-ZK,2SK3467,K3467 05 NEC SOT-263 20V 80A2SK3572-ZK,2SK3572,K3572 05 NEC SOT-263 20V 80A 0.0057Ω2SK3638-ZK-E1,2SK3638,K3638 05 NEC SOT-252 20V 64A 0.0085Ω2SK3639-ZK-E1,2SK3639,K3639 06/05 NEC SOT-252 20V 64A 0.0055ΩAOB414,B414 04NPB AO SOT-263 30V 110A 0.0042ΩAOD404,D404 05NPB AO SOT-252 30V 85A 0.007ΩAOD412,D412 05NPB AO SOT-252 30V 85A 0.007ΩAOD452,D452 09 AO SOT-252 25V 55A 0.0085ΩAOD448,D448,SOT-252,AO,SMD/MOS,30V.75A.0.005ΩAP60N03S,AP60N03,60N03S,60N03 03 AP/富鼎SOT-263 30V 55A 0.0135ΩAP70L02GH,AP70L02,70L02GH,70L02 04 AP/富鼎SOT-252 25V 66AAP70T03GH,AP70T03,70T03GH,70T03 07 AP/富鼎SOT-252 30V 60AAP72T02GH 09 AP/富鼎SOT-252 25V 62A 0.009ΩAP80N03S,AP80N03,80N03,80N03S 02 AP/富鼎SOT-263 30V 80AAP85L02GH 07 AP/富鼎SOT-252 25V 85AAP85L02S 03 AP/富鼎SOT-263 25V 85AAP86T02GH 09 AP/富鼎SOT-252 25V 75A 0.006ΩBSC020N03MSG 08NPB infineon P-TDSON-8 30V 100A 0.002ΩBSC024N025SG 08NPB infineon P-TDSON-8 25V 100A 0.0024ΩBSC025N03MSG 08NPB infineon P-TDSON-8 30V 100A 0.0025ΩBSC026N02KSG 08NPB infineon P-TDSON-8 20V 100A 0.0026ΩBSC029N025SG 08NPB infineon P-TDSON-8 25V 100A 0.0029ΩBSC030N03LSG 08NPB infineon P-TDSON-8 30V 100A 0.003ΩBSC030N03MSG 09NPB infineon P-TDSON-8 30V 100A 0.003ΩBSC032N03SG 07NPB infineon P-TDSON-8 30V 100A 0.0032ΩBSC048N025SG 08NPB infineon P-TDSON-8 25V 89A 0.0048ΩBSC050N03LSG 09NPB infineon P-TDSON-8 30V 80ABSC052N03SG 05NPB infineon P-TDSON-8 30V 80A 0.0052ΩBSC080N03LSG 08NPB infineon P-TDSON-8 30V 53A 0.008ΩBSC080N03MSG 08NPB infineon P-TDSON-8 30V 53A 0.008ΩCEB71A3 03 CET/华瑞SOT-263 30V 70ACEB8030L 00 CET/华瑞SOT-263 30V 75AFDB6670AL 03 FAIRCHILD SOT-263 30V 80AFDB6676 05 FAIRCHILD SOT-263 30V 84AFDD6692 04/05 FAIRCHILD SOT-252 30V 54AFDD8880 08 FAIRCHILD SOT-252 30V 58A 0.009ΩFDD8896 07/09 FAIRCHILD SOT-252 30V 94A 0.0057ΩGFB70N03 01 通用SOT-263 30V 70AGFB75N03 03 通用SOT-263 30V 75AH7N0307LMTR 01 HIT SOT-263 30V 60AIRFR3711Z 04 IR SOT-252 20V 93AIRFU3706TRL 06 IR 252三脚反贴20V 75AIRFU3709Z 05NPB IR 252三脚反贴30V 86AIRLR7833 07 IR SOT-252 30V 140A 0.0045ΩIRLR7843PBF 07NPB IR SOT-252 30V 161A 0.0033ΩNTD110N02RTG4 06NPB ON SOT-252 24V 110ANTD4302-1 08 ON SOT-252 30V 68ANTD4810NHT4G 06NPB ON SOT-252 30V 54ANTD60N02RT4G 08 ON SOT-252 24V 62ANTD70N03RT4 05 ON SOT-252 25V 70A 0.0056ΩNTD80N02T4 06 ON SOT-252 24V 80A 0.005ΩNTD85N02RT4G 08 ON SOT-252 24V 85AP0403BDG 09 NIKO SOT-252 25V 75A 0.004ΩP75N02LDG 09 NIKO SOT-252 25V 75APFD2500 05 达晶SOT-252 25V 55A 0.009ΩPFD2502 05 达晶SOT-252 25V 83A 0.006ΩPFD2510 05 达晶SOT-252 25V 94A 0.014ΩPFD3002 04 达晶SOT-252 30V 86A 0.0075ΩPFD3008 04 达晶SOT-252 30V 76A 0.009ΩPFD3014 04 达晶SOT-252 30V 94A 0.0063ΩPFS3000 04 达晶SOT-263 30V 54A 0.0125ΩPH4830L 08NPB NXP/恩智浦SOT669 30V 84A 0.0048ΩPH7030L 05NPB PHILIPS SOT669 30V 68APHB96NQ03LT 05NPB PHILIPS SOT-263 25V 75ASDB65N03L 02 SamHop SOT-263 30V 65ASDB75N03L 07 FAIRCHILD SOT-263 30V 75ASDB85N03L 02 SamHop SOT-263 30V 85ASTB100NH02LT4 04 ST SOT-263 24V 60ASTD150NH02LT4 08NPB ST SOT-252 24V 150A 0.0035ΩSTD70N02L 07 ST SOT-252 24V 60ASUB85N03-04 04 VISHA Y SOT-263 30V 85ASUD50N024-06P 04 VISHA Y SOT-252 24V 80ASUD50N025-06P-E3 06NPB VISHA Y SOT-252 25V 78A 0.0062ΩSUD70N03-06P 04 VISHA Y SOT-252 30V 70ATM3503FD 06 TechMos SOT-252 25V 65ATPC8032-H SOP-8 TOSHIBA SMD/MOS N场30V 15A 0.0065ΩTPC8A02-H SOP-8 TOSHIBA SMD/MOS N场30V 16A 0.0056ΩTPC8020-H SOP-8 TOSHIBA SMD/MOS N场30V 13A 0.009ΩTPCS8303 TSSOP-8 TOSHIBA SMD/MOS 双P -20V -5A 0.021ΩTPCS8302 TSSOP-8 TOSHIBA SMD/MOS 双P -20V -5A 0.035ΩTPCS8208 TSSOP-8 TOSHIBA SMD/MOS 双N 20V 6A 0.017ΩTPCS8210 TSSOP-8 TOSHIBA SMD/MOS 双N 20V 5A 0.03ΩTPC8018-H SOP-8 TOSHIBA SMD/MOS 双N 30V 18A 0.0046ΩTPC8210 SOP-8 TOSHIBA SMD/MOS 双N 30V 8A 0.015ΩSUP85N03-04 TO-220 VISHA Y DIP/MOS N场30V 85A 0.0043ΩHUF76145P3 TO-220 FAIRCHILD DIP/MOS N场30V 75A 0.0045ΩHUF76143P3 TO-220 FAIRCHILD DIP/MOS N场30V 85A 0.0055ΩAO4466 SOP-8 AO SMD/MOS N场30V 9.4A 0.23ΩIPD03N03LAG SOT252 08NPB infineon SMD/MOS N场 25V 90A 0.0032ΩIPD03N03LA SOT252 08NPB infineon SMD/MOS N场 25V 90A 0.0032ΩIPD03N03 SOT252 08NPB infineon SMD/MOS N场 25V 90A 0.0032Ω03N03LAG SOT252 08NPB infineon SMD/MOS N场 25V 90A 0.0032Ω03N03LA SOT252 08NPB infineon SMD/MOS N场 25V 90A 0.0032ΩIPD03N03LBG SOT252 08NPB infineon SMD/MOS N场 30V 90A 0.0033ΩIPD03N03LB SOT252 08NPB infineon SMD/MOS N场 30V 90A 0.0033Ω03N03LBG SOT252 08NPB infineon SMD/MOS N场 30V 90A 0.0033Ω03N03LB SOT252 08NPB infineon SMD/MOS N场 30V 90A 0.0033ΩIPD06N03LBG SOT252 08NPB infineon SMD/MOS N场 30V 50A 0.0061ΩIPD06N03LB SOT252 08NPB infineon SMD/MOS N场 30V 50A 0.0061ΩIPD06N03 SOT252 08NPB infineon SMD/MOS N场 30V 50A 0.0061Ω06N03LBG SOT252 08NPB infineon SMD/MOS N场 30V 50A 0.0061Ω06N03LB SOT252 08NPB infineon SMD/MOS N场 30V 50A 0.0061Ω06N03 SOT252 08NPB infineon SMD/MOS N场 30V 50A 0.0061ΩIPP09N03LA TO220 08NPB infineon DIP/MOS N场 25V 50A 0.0092ΩIPP09N03 TO220 08NPB infineon DIP/MOS N场 25V 50A 0.0092Ω09N03LA TO220 08NPB infineon DIP/MOS N场 25V 50A 0.0092Ω09N03 TO220 08NPB infineon DIP/MOS N场 25V 50A 0.0092ΩP09N03LA TO220 08NPB infineon DIP/MOS N场 25V 50A 0.0092ΩH6N03LAG SOT252 08NPB infineon SMD/MOS N场 30V 30A 0.0062Ω 2VH9N03LAG SOT252 08NPB infineon SMD/MOS N场 25V 30A 0.0092Ω 2VH5N03LAG SOT252 08NPB infineon SMD/MOS N场 25V 50A 0.0052Ω 2V IPDH6N03LAG SOT252 08NPB infineon SMD/MOS N场 30V 30A 0.0062Ω 2VIPDH9N03LAG SOT252 08NPB infineon SMD/MOS N场 25V 30A 0.0092Ω 2V IPDH5N03LAG SOT252 08NPB infineon SMD/MOS N场 25V 50A 0.0052Ω 2V。

概述M6005是一款适用于低功率AC/DC 充电器和适配器的高性能离线PSR 控制器。

用于原边检测和调节场合。

因此，省去光耦和TL431。

专有的恒压和恒流控制集成，在CC 控制下，电流和输出功率设置可以由Cs 电阻外部调整完成。

在CV 控制下，采用多模式操作来实现高性能和高效率。

另外，通过建立线性补偿实现优良的负载调节率。

重载条件下器件工作于PFM /CC 模式，在轻/中型负载时，它工作频率降低。

极低的工作电流，可以实现低于30mW 的待机功耗来满则严格的待机功耗标准。

M6005提供全面保护功能和自恢复功能，包括逐周期电流限制，VDD 过压保护，反馈回路保护，开路保护，内置前沿消隐，VDD 欠压锁定（UVLO），OTP 等。

M6005提供SOT23-6封装。

特点原边感应调节，无需TL431和光耦高精度恒压和恒流调节多模式PWM/PFM 模式，提高工作效率满足30mW 空载待机功耗标准良好的动态响应可编程的CV 和CC 调节内置线性电压和初级绕组电感补偿可编程线补无需控制回路补偿精确的内部过温保护自动降噪装置内置前沿消隐（LEB）超低启动电流（典型值1uA）和低工作电流（典型值360uA）可恢复综合保护VDD 过压保护VDD 与滞后欠压锁定（UVLO）环路电流限制反馈回路保护输出短路保护过温保护应用适配器/剃须刀、手机、无声电话充电器，掌上电脑，MP3和其他便携设备备用电源和辅助电源引脚功能描述：脚位名称功能1FB反馈电压2GND 地3CS 电流检测4ED 使能驱动5BD 外部三极管基极驱动6VDD供电图片2典型应用电路参数数值VDD电压-0.3to30VFB输入电压-0.3to7VCS输入电压-0.3to7VED输入电压-0.3to7VBD输入电压-0.3to7V最小/最大工作结温-40to150℃最小/最大储存温度-55to150℃焊接温度(10s)260℃注：最大极限值是指超出该工作范围，芯片有可能损坏。

SVD501DEAG 说明书30mA 、600V N 沟道耗尽型场效应管描述SVD501DEAG N 沟道耗尽型高压功率MOS 场效应晶体管，采用士兰微电子的平面高压VDMOS 工艺技术制造。

先进的工艺及原胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于电子镇流器，低功率开关电源。

特点♦ 30mA ，600V ♦ 耗尽型（常开器件） ♦ 提升了ESD 能力 ♦开关速度快♦提升了dv/dt 能力命名规则产品规格分类产品名称 封装形式 打印名称 环保等级 包装 SVD501DEAGTRSOT-23501DE无卤编带极限参数参数名称符号参数范围单位漏源电压V DS600 V 栅源电压V GS±20 V漏极电流T C=25°CI D0.03A T C=70°C 0.024漏极冲击电流I DM0.12 A耗散功率（T C=25°C）-大于25°C每摄氏度减少P D0.8 W0.007 W/°C工作结温范围T J-55～+150 °C 贮存温度范围T stg-55～+150 °C热阻特性参数名称符号参数范围单位芯片对管壳热阻RθJC150 °C/W 芯片对环境的热阻RθJA250 °C/W 电性参数(除非特殊说明，TC=25°C)参数名称符号测试条件最小值典型值最大值单位漏源击穿电压BV DSS V GS=-5V，I D=250µA 600 -- -- V 漏源漏电流I D(off)V DS=600V，V GS=-5V -- -- 0.1 µA 栅源漏电流I GSS V GS=±20V，V DS=0V -- -- ±10 µA 栅极阈值电压V GS(th)V DS=3V，I D=8µA -2.7 -- -1.0 V 导通漏极电流I DSS V GS=0V，V DS=25V 12 -- -- mA导通电阻R DS(on)V GS=0V，I D=3mA -- 310 700ΩV GS=10V，I D=16mA -- 330 700输入电容C issV DS=25V，V GS=-5V，f=1.0MHZ -- 10.03pF输出电容C oss-- 2.92 反向传输电容C rss-- 0.12开启延迟时间t d(on)V DD=300V，I D=0.01AV GS=-5~7VR G=6Ω(注1,2) -- 12.36ns开启上升时间t r-- 60.44 关断延迟时间t d(off)-- 25.48 关断下降时间t f-- 100栅极电荷量Q g V DS=400V，I D=0.01AV GS=-5~7V(注1,2) -- 2.75nC栅极-源极电荷量Q gs-- 0.55 栅极-漏极电荷量Q gd-- 1.61源-漏二极管特性参数参数名称符号测试条件最小值典型值最大值单位源极电流I S MOS管中源极、漏极构成的反偏P-N结-- -- 0.03A源极脉冲电流I SM-- -- 0.12源-漏二极管压降V SD I F=16mA，V GS=-5V -- -- 1.2 V反向恢复时间T rr I F=0.01A，V R=300V，dI F/dt=100A/µs -- -- 367 ns反向恢复电荷Q rr-- -- 963 nC 注：1. 脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；2. 基本不受工作温度的影响。

600v大功率mos管型号600V大功率MOS管是一种常用的功率电子器件，用于控制和开关高电压和大电流。

它具有许多优点，如低导通电阻、高开关速度、低驱动功率和可靠性等。

在本文中，我们将介绍一些常见的600V 大功率MOS管型号，并讨论它们的特点和应用。

1. IRFP460：IRFP460是一款常用的600V大功率N沟道MOS管。

它具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于高频开关电源、电机驱动器和逆变器等应用。

IRFP460的最大漏极电流为20A，漏极-源极电压为600V。

2. IRFB3207：IRFB3207是另一款常见的600V大功率N沟道MOS管。

它具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于高效率的开关电源和电机控制器等应用。

IRFB3207的最大漏极电流为75A，漏极-源极电压为600V。

3. IRFB4110：IRFB4110是一款600V大功率N沟道MOS管，适用于高效率的开关电源和马达控制器等应用。

它具有低导通电阻和高开关速度的特点，最大漏极电流为180A，漏极-源极电压为600V。

4. IRF840：IRF840是一款常用的600V大功率N沟道MOS管。

它具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于高频开关电源和电机驱动器等应用。

IRF840的最大漏极电流为8A，漏极-源极电压为600V。

除了上述型号外，还有许多其他600V大功率MOS管可供选择。

这些MOS管通常采用不同的材料和结构，以满足不同应用的需求。

其中一些常用的材料包括硅和碳化硅等。

此外，大功率MOS管还可以根据其工作方式分为增强型和耗尽型两种。

600V大功率MOS管在许多领域都有广泛的应用。

其中一个主要的应用是高效率开关电源。

在开关电源中，MOS管用于控制电源的开关和调节输出电压。

通过控制MOS管的导通和截止，可以实现高效率的能量转换和稳定的输出电压。

另一个重要的应用是电机控制器。

在电机控制器中，MOS管用于控制电机的启动、停止和转向。

常用小功率mos管型号常用小功率MOS管型号有多种，如2N7000、IRLML6402、BS170等。

本文将对这些常用小功率MOS管型号进行介绍和比较，以便读者了解其特点和适用领域。

我们来介绍2N7000型号的小功率MOS管。

2N7000是一款N沟道增强型MOS管，具有低电压驱动、低导通电阻和快速开关特性。

该型号的最大漏源电压为60V，最大漏源电流为200mA，适用于低功率应用，如开关电路、电源管理和模拟信号处理等领域。

接下来是IRLML6402型号的小功率MOS管。

IRLML6402是一款P沟道增强型MOS管，具有低电压驱动、低导通电阻和高开关速度的特点。

该型号的最大漏源电压为20V，最大漏源电流为 3.7A，适用于低电压、低功率的开关电路和功率放大应用。

BS170型号的小功率MOS管也是常用型号之一。

BS170是一款N沟道增强型MOS管，具有低电压驱动、低导通电阻和快速开关特性。

该型号的最大漏源电压为60V，最大漏源电流为500mA，适用于低功率开关应用，如电源开关、电机驱动和LED驱动等领域。

在比较这些常用小功率MOS管型号时，可以从以下几个方面进行考虑。

首先是电气特性方面，包括最大漏源电压、最大漏源电流和导通电阻等参数。

其次是开关速度，即开关时的响应时间。

此外，还可以考虑价格和供货情况等因素。

2N7000型号的小功率MOS管具有较高的最大漏源电流和导通电阻，适用于一些对功率要求不高的应用领域。

IRLML6402型号的小功率MOS管具有较高的最大漏源电压和较低的导通电阻，适用于一些对电压和功率要求较高的应用领域。

BS170型号的小功率MOS管则具有较高的最大漏源电流和较低的导通电阻，适用于一些对电流和功率要求较高的应用领域。

总的来说，常用小功率MOS管型号有2N7000、IRLML6402和BS170等。

它们具有各自的特点和适用领域，选择合适的型号取决于具体的应用需求。

在选择时，需要考虑电气特性、开关速度、价格和供货情况等因素，并根据具体的应用要求进行合理的选择。

HAT600系列双电源自动切换控制器(HAT600/HAT600I/HAT600B/HAT600BI)用户手册郑州众智科技股份有限公司目录1概述 (3)2性能和特点 (3)3规格 (4)4操作 (5)4.1操作面板 (5)4.2按键功能描述 (5)5LCD显示 (6)5.1主界面 (6)5.2主菜单界面 (7)6试机操作 (7)7参数配置 (8)7.1参数配置表 (8)7.2输入/输出口功能描述 (11)8定时试机 (12)9日期时间设置 (13)10控制器信息 (13)11ATS操作运行 (13)11.1手动操作运行 (13)11.2自动操作运行 (13)11.3ATS供电电源 (13)12通信配置及连接 (14)13输入输出接口图 (15)14典型应用图 (16)15安装尺寸 (20)16故障排除 (20)1 概述HAT600系列双路电源自动切换控制器一种具有可编程功能、自动化测量、LCD显示，数字通讯为一体的智能化双电源切换模块。

它集数字化、智能化、网络化于一身，测量及控制过程实现自动化，减少人为操作失误，是双电源切换的理想产品。

HAT600系列双路电源自动切换控制器由微处理器为核心构成，可精确地检测两路三相电压，对出现的电压异常(过压、欠压、缺相、过频、欠频)做出准确的判断并输出无源控制开关量。

该装置充分考虑了在多种ATS(负载自动转换系统)上的应用，可直接用于专用ATS开关、接触器组成的ATS、空气开关组成的ATS等。

其结构紧凑、电路先进、接线简单、可靠性高，可广泛应用于电力、邮电、石油、煤炭、冶金、铁道、市政、智能大厦等行业、部门的电气装置、自动控制以及调试系统。

2 性能和特点★系统类型可设置为1#市电2#市电、1#市电2#发电、1#发电2#市电、1#发电2#发电；★LCD为128x64，带背光，两种语言(简体中文、英文)显示，轻触按钮操作；★采集并显示两路三相电压、频率参数；一路二路线电压Uab，Ubc，Uca 线电压Uab，Ubc，Uca相电压Ua，Ub，Uc 相电压Ua，Ub，Uc频率F1 频率F2★具有过压、欠压、缺相、逆相序、过频、欠频功能；★设有自动／手动状态切换，在手动方式下，可强制开关合分闸；★所有参数现场可编程，采用二级口令，防止非专业人员误操作；★现场可设定为带载／不带载模式进行发电机组的试机操作；★具有开关重合闸及断电再扣功能；★合闸输出可设为脉冲或持续输出；★可适用于一个分断位、两个分断位和无分段位开关；★两路N线分离设计；★实时时钟显示；★具有定时开停发电机组功能，可设定单次运行、每月一次或者每周一次，且均可设定是否带载运行。

电脑主板适用场效应管参数及代换器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型2SK 3225-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，34A，40W，32/110ns，Ron=0.018mΩTO-2523353- Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，82A，95W，100/280ns，Ron=14mΩT O-2633354-S 3354-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，83A，100W，100/300ns，Ron=8mΩ2SK3355-ZJ2SK3355-ZJTO-2633355-ZJ N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，83A，100W，130/510ns，Ron=5.8mΩ2SK3354-S-Z2SK3354-S-ZTO-2633366-Z N-MOSFET（耗尽型）用于用于笔记本电脑中的DC-DC转换30V，20A，30W，28/47ns，Ron=21mΩTO-2523367-Z N-MOSFET（耗尽型）用于用于笔记本电脑中的DC-DC转换30V，36A，40W，75/165ns，Ron=9mΩTO-2523377-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，20A，30W，13/43ns，Ron=40mΩTO-2523385-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，30A，35W，22/77ns，Ron=28mΩ2SK3386-Z2SK3386-ZTO-2523386-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，34A，40W，32/98ns，Ron=25mΩ2SK3385-Z2SK3385-ZTO-2523900-ZP N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，82A，104W，18/62ns，Ron=8mΩTO-2633901-ZK N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，60A，64W，12/48ns，Ron=13mΩTO-2633902-ZK N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关60V，30A，45W，10/37ns，Ron=21mΩTO-2633943-ZP N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关40V，82A，104W，29/69ns，Ron=3.5mΩTO-263738-Z N-MOSFET（耗尽型）功率场效应管30V，2A，20W，Ron=0.25ΩTO-252MTD 10N05A N通道，功率场效应管50V，10A，1.8W，Ron=0.1ΩMTD3055ATO-25210N05E 10N05E1N通道，功率场效应管50V，10A，20W，30/45ns，Ron=0.1ΩTO-25210N08E 10N08E1N通道，功率场效应管80V，10A，50W，13/45ns，Ron=0.12ΩTO-252器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型3055A N通道，功率场效应管60V，8A，1.8W，Ron=1.5ΩMTD10N05ATO-2523055A1N通道，功率场效应管60V，8A，20W，Ron=1.5ΩMTD3055E-E1MTD3055E-E1TO-2523055E 3055E1N通道，功率场效应管60V，8A，20W，20/65ns，Ron=0.15ΩMTD3055A1MTD3055A1TO-2523055EL 3055EL1N通道，功率场效应管60V，12A，40W，20/638ns，Ron=0.18ΩMTD3055A1MTD3055A1TO-2523N08L N通道，功率场效应管80V，3A，25W，Ron=0.6ΩTO-2525N05 5N05-1N通道，功率场效应管60V，5A，20W，25/50ns，Ron=0.4ΩMTD5N06MTD5N06TO-2525N06 5N06-1N通道，功率场效应管60V，5A，20W，25/50ns，Ron=0.4ΩMTD5N05MTD5N05TO-2525N08L N通道，功率场效应管60V，5A，1.75W，Ron=0.3ΩMTD3055ATO-252SUB40N06-25L N通道，场效应管60V，40A，90W，20/50ns，Ron=0.022ΩSUB45N05-20LSUB45N05-20LTO-26345N03-13L N通道，场效应管30V，45A，88W，20/70ns，Ron=0.013ΩTO-26345N05-20L N通道，场效应管50V，45A，90W，20/60ns，Ron=0.018ΩSUB40N05-25LSUB40N06-25LTO-26360N06-18N通道，场效应管60V，60A，120W，30/50ns，Ron=0.018ΩSUB70N06-14SUB70N06-14TO-26370N03-09BP N通道，场效应管30V，70A，93W，18/45ns，Ron=0.009ΩSUB70N03-09PSUB70N03-09PTO-26370N03-09P N通道，场效应管30V，70A，93W，20/60ns，Ron=0.09ΩSUB70N03-09BPSUB70N03-09BPTO-26370N04-10N通道，场效应管40V，70A，107W，30/100ns，Ron=0.01ΩTO-26370N06-14N通道，场效应管60V，70A，142W，30/60ns，Ron=0.014ΩSUB75N06-12LTO-26375N03-04N通道，场效应管30V，75A，187W，20/190ns，Ron=0.04ΩSUB85N03-04PTO-26375N03-07N通道，场效应管30V，75A，120W，30/120ns，Ron=0.007ΩSUB85N03-07PSUB85N03-07PTO-26375N04-05L N通道，场效应管`40V，75A，250W，30/260ns，Ron=0.0055ΩSUB75N05-06TO-26375N05-06N通道，场效应管50V，75A，250W，40/100ns，Ron=0.006ΩSUB75N04-05L75N06-07LTO-26375N05-07N通道，场效应管55V，75A，158W，20/160ns，Ron=0.007ΩSUB70N06-14TO-26375N08-07L N通道，场效应管60V，75A，250W，40/300ns，Ron=0.0075ΩSUB75N06-08SUB75N06-08TO-26375N06-08N通道，场效应管60V，75A，250W，40/120ns，Ron=0.008ΩTO-26375N06-12L N通道，场效应管60V，75A，142W，20/150ns，Ron=0.012ΩSUB70N06-14TO-26375N08-09L N通道，场效应管75V，75A，250W，20/200ns，Ron=0.009ΩSUB75N08-10SUB75N08-10TO-26375N08--10N通道，场效应管75V，75A，187W，40/120ns，Ron=0.01ΩSUB75N08-09LSUB75N08-09LTO-26385N02-03N通道，场效应管20V，55A，250W，30/670ns，Ron=0.003ΩSUB85N02-06TO-26385N02-06N通道，场效应管20V，85A，120W，40/120ns，Ron=0.006ΩSUB85N02-03TO-26385N03-04P N通道，场效应管30V，85A，166W，23/75ns，Ron=0.0043ΩSUB75N03-04TO-26385N03-07P N通道，场效应管30V，85A，107W，25/100ns，Ron=0.007ΩSUB75N03-07SUB75N03-07TO-26385N04-03N通道，场效应管40V，85A，250W，25/145ns，Ron=0.0035ΩSUB85N04-04SUB85N04-04TO-26385N04-04N通道，场效应管40V，85A，250W，35/115ns，Ron=0.004ΩSUB85N04-03TUB85N04-03TO-263器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型85N06-05N通道，场效应管60V，85A，250W，25/140ns，Ron=0.0052ΩSUB85N08-08SUB85N08-08TO-26385N08-08N通道，场效应管75V，85A，250W，30/75ns，Ron=0.008ΩSUB86N06-05SUB86N05-05TO-26385N10-10N通道，场效应管100V，85A，250W，25/85ns，Ron=0.0105ΩTO-263器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型注：中功率场效应管主要用在南桥供电，北桥供电，内存供电和AGP供电电路中。

大功率 mosfet
大功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种用于高功率应用的场效应晶体管。

它具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于需要处理大电流和高电压的电路。

以下是一些常见的大功率 MOSFET：
1. Infineon Technologies IRFP4006PBF：这是一款N沟道增强型功率 MOSFET，额定电流为195安培，额定电压为600伏特。

2. STMicroelectronics STW75N60DM2：这是一款N沟道增强型功率 MOSFET，额定电流为75安培，额定电压为600伏特。

3. Fairchild Semiconductor FQA9N90C：这是一款N沟道增强型功率 MOSFET，额定电流为9安培，额定电压为900伏特。

4. International Rectifier IRFB7430PBF：这是一款N 沟道增强型功率 MOSFET，额定电流为195安培，额定电压为300伏特。

这些大功率 MOSFET 在不同的应用中具有不同的特性和参数。

选择适合特定应用的大功率 MOSFET 需要考虑电流和电压需求、开关速度、导通电阻、温度特性等因素。

在选
择时，建议参考厂商提供的数据手册和应用指南，以确保选取合适的器件。

AN -DM40 产品应用手册成都方舟微电子有限公司 版权所有 www.ark 1/1DMZ1520E 在MCU 供电与保护方案中的应用目前常见的MCU 的工作电压大多为2.7V ～5.5V ，在高输入电压供电的应用里，MCU 的供电大多使用耗尽型MOSFET+LDO 的方案。

如图1电路所示，使用耐压值为150V 的DMZ1520E 搭配LDO 给MCU 提供精确的供电电压。

同时，为进一步简化电路和节约成本，也可以仅仅使用DMZ1520E 直接给MCU 供电，如图2电路所示，在1mA ～5mA 的工作电流条件下，DMZ1520E 的输出电压（VDD 电压）约为3.5V 。

电路示意图如下：D S GLDO VinGNDD M Z 1520EVIN VoutMCUVDDGNDDS GMCUVDDGNDDMZ1520EVIN图1.常见的MCU 供电方案 图2.使用DMZ1520E 直接给MCU 供电的方案如图2电路所示，仅仅使用1颗DMZ1520E ，就能给工作电压为2.7V ～5.5V 的MCU 稳定供电，同时为MCU 提供瞬态浪涌保护。

图2电路特点如下：⚫ DMZ1520E 的工作电压最高为150V ，可直接工作于高输入电压条件下。

⚫ DMZ1520E 既能够稳定的给MCU 供电，又能够为MCU 提供良好的瞬态浪涌保护。

⚫DMZ1520E 可靠性高，稳定性好，电路结构简单，可有效节约成本。

通常MCU 的工作电流约为1mA ～5mA ，因此在该条件下使用典型的DMZ1520E 样品按照图2电路进行测试，测得VDD 电压值与电流的关系如图3所示。

此外，该VDD 电压值与DMZ1520E 的阈值电压参数V GS(OFF)相关，典型DMZ1520E 样品的V GS(OFF)参数值随结温的变化关系如图4所示：图3.实测VDD 电压值与电流的关系 图4.DMZ1520E 的V GS(OFF)参数值与结温的关系2.02.53.03.54.04.55.01.01.52.02.53.03.54.04.55.0V D D (V )I DS (mA)2.02.53.03.54.04.55.0-40-2020406080100120140160V G S (O F F )(V )T J ，Junction Temperature(℃)I DS =5mAI DS =1mAT C =25℃ VIN=60V。

4A 、650V N 沟道增强型场效应管描述SVF4N65RD/M/MJ/F/T N 沟道增强型高压功率MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的F-Cell TM 平面高压VDMOS 工艺技术制造。

先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量.该产品可广泛应用于AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压H 桥PWM 马达驱动.特点♦ 4A ，650V ，R DS(on)（典型值）=2.3 @V GS =10V ♦ 低栅极电荷量 ♦ 低反向传输电容 ♦ 开关速度快 ♦提升了dv/dt 能力命名规则士兰F-Cell 工艺VDMOS 产品标识额定电流标识,采用1-2位数字；例如:4代表 4A 额定耐压值，采用2位数字例如：60表示600V封装外形标识例如：FJH:TO-220FJH;F:TO-220F S V F X N X X R X沟道极性标识，N 代表N 沟道版本产品规格分类极限参数(除非特殊说明，TC=25︒C)热阻特性关键特性参数(除非特殊说明，T=25︒C)C源-漏二极管特性参数注：1. L=30mH，I AS=3.6A，V DD=100V，R G=25Ω，开始温度T J=25︒C；2. 脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；3. 基本上不受工作温度的影响。

典型特性曲线图1. 输出特性图2. 传输特性漏极电流 – I D (A )0.01100.1110100漏源电压 – V DS (V)漏极电流 – I D (A )2413栅源电压 – V GS (V)漏极电流 – I D (A)0.20.40.60.8 1.61.4反向漏极电流 – I D R (A )源漏电压 – V SD (V)图4. 体二极管正向压降vs. 源极电流、温度0.111000.11001.0 1.21106810579100.111.503.504.50018漏源导通电阻 – R D S (O N )(Ω)图3. 导通电阻vs.漏极电流5.00353.004.002.5024672.00图6. 电荷量特性栅源电压 – V G S (V )0315总栅极电荷 – Q g (nC)246810121269图5. 电容特性电容(p F )漏源电压 – V DS (V)典型特性曲线(续)0.80.91.11.0-100-50050100200漏源击穿电压（标准化）– B V D S S结温 – T J (°C)图7. 击穿电压vs.温度特性漏源导通电阻（标准化） – R D S (O N )图8. 导通电阻vs.温度特性结温 – T J (°C)1.21500.00.52.01.53.01.02.525507510012515001.02.0漏极电流 - I D (A )壳温 – T C (°C)图 10. 最大漏极电流vs. 壳温4.50.51.52.53.03.54.0漏极电流 - I D (A )图9-2. 最大安全工作区域(SVF4N65RF)漏源电压 - V DS(V)10-210-110010110101102103102漏极电流 - I D (A )图9-1. 最大安全工作区域(SVF4N65RD/M/MJ)漏源电压 - V DS(V)10-210-110010110101102103102漏极电流 - I D (A )图9-3. 最大安全工作区域(SVF4N65RT)漏源电压 - V DS(V)10-210-1100101100101102103102典型测试电路V DSV GS 10V栅极电荷量测试电路及波形图开关时间测试电路及波形图DDV V E AS 测试电路及波形图V DDV BV DSSI ASV DDtpTimeV DS(t)I D(t)E AS =12LI AS 2BV DSS BV DSS V DD封装外形图封装外形图(续)封装外形图(续)重要注意事项：♦士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知。