光电子与微电子器件及集成重点专项2019年度项目申报
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2019年度山东重点研发计划〔重大科技创新工程第一批〕项目申报指南【一】人工智能人工智能是引领以后的战略性技术,是推进供给侧结构性改革、振兴实体经济的新机遇,是建设制造强国和网络强国的新引擎。
为全面拓展“智能+”,为制造业转型升级赋能,切实增强我省人工智能创新活力,创建和引进人工智能研究团队和创新型企业,按照有限目标、重点突破的原那么,2019年重点围绕人工智能关键核心技术、大数据、信息安全、专用设备、高端软件、人工智能产业示范应用等六个研究方向,支持重点领域人工智能产品研发,攻克一批制约人工智能创新进展的重大技术瓶颈,提升制造业智能化水平,推动社会生产和消费从工业化向自动化、智能化转变,形成我省创新新优势。
〔一〕关键核心技术研究以数据、算法、模型、智能识别为核心,以提升感知识别、认知推理、人机交互能力为重点,研究跨媒体计算核心技术,实现跨媒体知识表征、分析、挖掘、推理、演化和利用;研究混合增强智能新架构与新技术,构建自主适应环境的混合增强智能系统及支撑环境;研究虚拟现实智能建模技术,实现虚拟现实、增强现实等技术与人工智能的有机结合和高效互动;研究自然语言处理技术,推进人类与机器的有效沟通和自由交互,实现多风格多语言多领域的自然语言智能理解和自动生成。
〔二〕大数据关键技术研究加强大数据技术与人工智能的结合,加速数据融合应用,构造技术先进、生态完备的产品体系。
研究海量网络数据猎取方法和技术,为智能感知提供全面、精准的数据源;研究数据的认知方法和分析模型,研究结构清晰、易于评估的知识表示方法,构建面向典型领域的知识图谱;基于深度神经网络、机器学习、知识推理和模式识别等理论和方法;运用大数据可视化技术,辅助知识表示,直观展示数据的分析模型、表示方法。
〔三〕信息安全关键技术研究围绕人工智能应用的安全需求,研究有效保障大数据安全的算法与机制,利用安全多方计算与同态加密等理论与技术完成对大数据的安全分析与协同计算,研发可靠的数据存储核心安全产品;构建可管可控可溯的区块链安全管控及溯源机制,研发区块链安全管控平台;研究可对物联网芯片、物联网设备固件、物联网设备密码算法等进行漏洞挖掘的方法和技术,研发系列相关的工具;研究工业互联网领域安全核心技术,研发相关产品。
附件12018~2019年“第三代半导体材料与器件”重大专项申报指南根据省委和省政府有关工作部署,结合国家和省“十三五”科技创新规划确定的目标、任务和重点领域,以国家战略和广东产业发展需求为牵引,按照全链条部署、一体化推进思路和专项实施方案的要求,瞄准国际最前沿,集中力量联合研发关键核心技术,制定行业标准,取得若干标志性成果,特制定2018~2019年度第三代半导体材料与器件重大专项申报指南。
2018~2019年度指南共设置7个专题,每个申报项目需要覆盖专题全部内容,均需产学研联合申报,采用竞争性评审、无偿资助方式。
专题一:6-8英寸4H-SiC衬底产业化关键技术研究(专题编号:0126)研究内容:面向SiC电力电子器件和微波器件的需求,研制出高质量6-8英寸n型和半绝缘SiC衬底,突破制约SiC衬底成品率的关键技术,形成我国具有自主知识产权的6-8英寸低缺陷高品质SiC衬底产业化制备成套关键技术。
开展6-8英寸SiC温场精确控制技术和扩径生长技术研究;突破位错、微管、夹杂物等缺陷降低技术;开展6-8英寸SiC单晶材料杂质控制技术、电阻率控制技术及电阻率均匀性控制技术研究;开发6-8英寸SiC单晶生长工艺及晶体批量切、磨、抛加工技术。
考核指标:通过本项目的实施,形成高质量n型6-8英寸SiC 衬底年产能达到5万片;形成半绝缘6-8英寸SiC衬底年产能达到4万片;6-8英寸SiC材料品质达到国际先进水平,形成6件技术标准,申请发明专利20项,发表有国际影响力高水平论文10篇,引进3个以上高精尖团队。
具体指标如下:①6英寸SiC材料:SiC单晶材料直径≥6英寸;衬底微管密度≤0.5个/cm2;n型衬底电阻率≤30 mΩꞏcm,半绝缘衬底电阻率≥1×107Ωꞏcm;衬底总腐蚀坑密度≤5000个/cm2;衬底翘曲度(Warp)≤45μm;衬底弯曲度(|bow|)≤25 μm;衬底总厚度变化(TTV)≤15 μm;衬底局部厚度变化(LTV)≤5 μm;衬底表面粗糙度≤0.2nm (测量面积:10μm×10μm);X射线半峰宽≤60"。
附件5“制造基础技术与关键部件”重点专项2019年度项目申报指南为落实《国家中长期科学和技术发展规划纲要(2006—2020年)》《国家创新驱动发展战略纲要》和《中国制造2025》等规划,国家重点研发计划启动实施“制造基础技术与关键部件”重点专项。
根据本重点专项实施方案的部署,现发布2019年度项目指南。
本重点专项总体目标是:以高速精密重载智能轴承、高端液压与密封件、高性能齿轮传动及系统、先进传感器、高端仪器仪表以及先进铸造、清洁热处理、表面工程、清洁切削等基础工艺为重点,着力开展基础前沿技术研究,突破一批行业共性关键技术,提升基础保障能力。
加强基础数据库、工业性验证平台、核心技术标准研究,为提升关键部件和基础工艺的技术水平奠定坚实基础。
通过本专项的实施,进一步夯实制造技术基础,掌握关键基础件、基础制造工艺、先进传感器和高端仪器仪表的核心技术,提高基础制造技术和关键部件行业的自主创新能力;大幅度提高交通、航空航天、数控机床、大型工程机械、农业机械、重型矿山设备、新能源装备等重点领域和重大成套装备自主配套能力,—1—强有力地支撑制造业转型升级。
本重点专项按照产业链部署创新链的要求,从基础前沿技术、共性关键技术、应用示范三个层面,围绕关键基础件、基础制造工艺、先进传感器、高端仪器仪表和基础技术保障五个方向部署实施。
专项实施周期为5年(2018—2022年)。
2019年指南在五个方向,按照基础前沿技术类、共性关键技术类和应用示范类,拟启动不少于28个项目,安排国拨经费总概算约4.5亿元。
为充分调动社会资源投入制造基础技术与关键部件的技术创新,在配套经费方面,共性关键技术类项目,配套经费与国拨经费比例不低于1:1;应用示范类项目,配套经费与国拨经费比例不低于2:1。
项目申报统一按指南二级标题(如1.1)的研究方向申报。
每个项目拟支持数为1~2项,实施周期不超过3年。
申报项目的研究内容必须涵盖二级标题下指南所列的全部研究内容和考核指标。
集成电路项目立项申请尊敬的领导:我代表本团队向贵单位提交一份集成电路项目立项申请。
我们团队经过认真调研和分析,发现集成电路技术在现代化产业中的重要性和广泛应用,因此希望能够开展相关领域的集成电路项目,以推动我国在该领域的发展。
一、项目背景和目标随着信息技术的快速发展和应用需求增加,集成电路作为信息技术发展的重要基础和关键支撑,已经成为国家经济建设和国防现代化建设的重要组成部分。
当前,我国集成电路产业发展中存在一些问题,如核心技术受制于人、高端市场依赖进口等,这些问题制约了我国集成电路产业的发展。
因此,我们立项的目标是通过开展集成电路项目,加强国内集成电路的研发能力和生产能力,构建我国自主可控的集成电路产业体系。
二、项目内容和技术路线本项目主要以集成电路的设计、制造和封装为核心内容,涉及的技术包括半导体材料、工艺制程、设计软件和设备等。
我们计划与各大高校、科研院所和企业进行合作,共同研发、推广和应用自主可控的集成电路产品。
具体的技术路线包括:加强半导体材料的研发和生产能力,优化工艺流程,提高集成电路的制造效率和质量;引进和培养设计软件和设备,提高集成电路的设计能力和自动化水平。
通过持续的技术创新和产业链的完善,实现集成电路的自主可控,提升我国在该领域的核心竞争力。
三、项目预期效益1.结合我国现有的产业和市场需求,通过集成电路项目的开展,将增加我国的产业增长点,促进经济的稳定增长,并提高经济结构的调整能力。
2.集成电路产业的发展将带动相关产业链的发展,提高我国整个产业链的国际竞争力,提升高端制造能力。
4.推动集成电路技术的发展,将促进科技进步和创新能力的提升,加快我国从“制造大国”向“智造强国”的转变。
四、项目实施计划和资金需求我们计划以三年为周期,分为前期准备、中期研发和后期推广三个阶段进行实施。
前期准备包括项目组建、技术调研和市场分析等工作;中期研发主要包括技术攻关和样品生产等;后期推广将进行产品批量生产和市场推广。
2019年度陕西省重点研发计划项目申报指南一、重点产业创新链(群) (16)(一)工业领域 (16)1.高性能特种材料 (16)1.1重卡汽车用高性能摩擦材料 (16)1.2轻质高导热碳纤维增强复合材料制备技术 (16)1.3陶瓷基复合材料紧固件 (17)1.4耐高温高强韧抗腐蚀铁铝基共晶复合材料制备技术 (17)1.5高性能动力锂离子电池、电极关键材料的技术 (18)1.6新型宽温FFS液晶显示材料技术研究 (18)1.7太赫兹产生与探测晶体材料与应用 (19)1.8面向航空航天的润滑耐磨复合材料 (19)1.9掺杂压电单晶材料研究 (20)1.10电子级高纯试剂材料研究 (20)2.石墨烯 (21)2.1新型三维石墨烯制备及其自驱动集成天线应用研究 (21)2.2石墨烯透明导电薄膜及低成本宏量制备技术研究 (21)2.3晶圆级多层石墨烯制备及其在柔性光电器件应用研究 (21)2.4大幅面石墨烯智能复合材料及其智能结构的制造与应用 (22)2.5石墨烯轻质结构吸波材料的制备技术与应用开发 (22)2.6石墨烯改性炭纤维及其复合材料制备技术与应用开发 (23)2.7石墨烯生产膨/晶化产业化设备 (23)2.8以天然石墨为原料的石墨烯大规模产业化工艺技术 (24)2.9高性能石墨烯基超级电容设计及应用研究 (24)2.10石墨烯改性润滑剂(油/脂)规模化制备技术 (24)3.有色金属 (25)3.1高性能钛合金丝材制备技术 (25)3.2高强韧钛合金大规格板材制备技术 (25)3.3大规格钛基复合材料制备关键技术开发 (26)3.4高纯钼单晶材料制备技术 (27)3.5核用高性能钼合金制备技术 (27)3.6核用高精度锆合金薄壁管材制备技术研究 (27)3.7难熔铌合金深过冷凝固制备技术 (28)3.8高稳定性大容量难熔金属/铜合金高压触头材料及关键制备技术 (29)3.9超大规格锆板材及锆/钢复合板材关键技术 (29)3.10高性能镁合金热机械精密成型技术 (30)4.航空航天零部件制造 (30)4.1飞机总装智能生产线建模与仿真优化技术 (30)4.2复合材料机翼自治愈结构制造技术 (31)4.3航空发动机叶片类零件抗疲劳制造技术 (31)4.4大尺寸复合材料整体壁板液体成型技术 (32)4.5航空通用智能测试系统 (33)4.6航空机载传感器 (34)4.7航空航天结构功能一体化部件制造技术 (34)4.8航空复合材料构件自动铺丝技术与设备 (35)4.9高强度大尺寸蒙皮成形新技术 (36)4.10仿生微小通道换热器设计及加工工艺技术研究 (37)5.智能电网 (38)5.1能源互联网关键技术与应用 (38)5.2强电磁脉冲对关键电气设备的损伤机理研究及样机设计 (38)5.3综合能源服务关键技术与系统化平台 (38)5.4中高压交流限流器关键技术开发与应用 (39)5.5中压直流开断关键技术开发与应用 (39)5.6智能配电网就地化保护关键技术及装备 (39)5.7智能配电网中性点柔性接地技术 (40)5.8高压气体断路器数字化平台建设及关键技术 (40)5.9接入中压直流配电网的分布式能源多端口变换系统 (41)5.10智能变压器设备规模化运维监控平台技术 (41)6.通信 (41)6.1民用HF/VHF信息传输与组网系统研发 (41)6.2智能机器设备的实时远程控制无线通信关键技术研发 (42)6.3大规模高动态高效接入与组网架构 (42)6.4大规模MTC与uRLLC异构共存技术研究与验证 (43)6.5 5G基站预商用设备关键技术研究 (43)6.6 5G组网技术研究及网优工具研发 (44)6.7基于5G终端试验样机关键技术研究 (44)6.8 5G多网融合互联网环境下5G终端智能制造关键技术研究与验证 (45)6.9面向任务的高可靠智能数据链 (45)6.10面向无缝覆盖的空基通信组网技术 (46)7.北斗导航与卫星应用 (46)7.1北斗星地增强传感器 (46)7.2北斗导航智能终端 (47)7.3北斗机载多模导航引导设备 (47)7.4北斗位置雷达及自动避障技术 (47)7.5 SAR高精度数字高程模型(DEM)图重建技术 (48)7.6多源高分遥感数据应用制作及三维可视化技术 (48)7.7低轨遥感卫星高动态指向跟踪技术 (48)7.8遥感卫星数据移动接收站 (49)7.9便携式卫星遥感终端 (49)7.10泛北斗卫星综合应用创新示范 (49)8.大数据与云计算 (50)8.1政务大数据开放共享关键技术及应用 (50)8.2工业领域实时大数据异构处理优化技术 (50)8.3云数据中心智能管理优化技术 (51)8.4数字化人文及文化资源大数据智能分析与利用关键技术 (51)8.5区域生态监管大数据处理技术与应用 (52)8.6领域并行处理云服务关键技术及其应用示范 (52)8.7基于“云-边-端”的工业装备自主保障技术 (52)8.8智能制造生产线质量大数据分析技术 (53)8.9基于多源异构数据融合的公共安全管理平台 (53)8.10面向“一带一路”的高效物流数据分析与服务 (54)9.网络安全 (54)9.1物联网数据安全保护关键技术及系统 (54)9.2面向互联网服务的隐私保护关键技术 (55)9.3云平台安全支撑关键技术与平台研发 (55)9.4云环境下密文数据库系统开发与应用 (56)9.5基于AI的恶意加密流量检测与防御技术 (56)9.6大型勒索软件检测与防御平台 (57)9.7移动智能终端安全防护技术和产品 (57)9.8中低轨卫星通信安全组网关键技术研究与平台开发 (58)9.9面向云计算的高性能国产密码服务设备研发 (58)10.量子信息 (59)10.1参考系和测量设备无关的即插即用型量子密钥分发技术 (59)10.2量子通信网络测试与评估技术 (59)10.3多场景条件下基于多粒子纠缠态的信息传输关键技术 (59)10.4量子雷达探测关键技术研究 (60)10.5量子深度神经网络目标识别技术 (60)10.6量子通信系统用高性能压电单晶致动器 (61)10.7基于高性能电光晶体的低驱动电压电光调制器 (62)10.8基于高性能非线性晶体材料的波长转换器件 (62)10.9弱信号量子探测关键技术研究 (63)10.10复杂天候光学量子成像技术 (63)11.物联网与区块链 (64)11.1支持匿名授权的可信物联网关键技术及示范应用 (64)11.2基于NB-IoT的物联网系统架构及示范应用 (64)11.3物联网异构互联与数据共享交换关键技术研发 (65)11.4 RFID系统安全性关键技术研究 (65)11.5基于区块链存储的物联网数据自主管控研究 (66)11.6区块链评测体系与评测方法研究 (66)11.7基于区块链的多域物联网可信受控共享技术及系统 (67)11.8基于区块链的数据隐私保护与可监管研究 (67)11.9区块链数字发票系统研发 (68)11.10区块链大规模数据安全存储与传输研究 (68)12.机器人与无人机 (69)12.1高海拔偏远地区无人机应急物资输送平台研究 (69)12.2基于人工智能的巡检无人机 (69)12.3高层建筑消防特种灭火无人机产品研发和推广应用 (70)12.4高可靠无人机自主与智能飞控技术 (70)12.5无人机高精度多源信息容错与自主导航技术 (70)12.6垂直起降固定翼无人机系统 (71)12.7高危环境无人自主交互操作技术与装备 (71)12.8复合型智能自主移动操作机器人 (72)12.9外骨骼机器人关键技术研究 (72)12.10多移动机器人协作控制关键技术研究 (73)13.人工智能 (73)13.1 VR/AR 与智能机器人 (73)13.2大数据人工智能 (74)13.3互联网人工智能 (74)13.4群体智能技术 (75)13.5人工智能基础理论与关键技术 (76)13.6深度学习技术与系统 (77)13.7无人系统 (77)13.8智能感知技术 (78)13.9智能交通技术 (79)13.10智能教育与智能政务 (79)14.高端制造装备 (80)14.1基于互联网+装备制造云服务系统开发及应用 (80)14.2高强钢钢板生产工艺装备研发 (80)14.3高精度五轴卧式加工中心 (81)14.4高端跨尺度多功能精密去除制造装备 (81)14.5轴齿高效复合柔性加工单元与智能管控技术 (82)14.6轨道交通系统车轴智能磨削专用数控磨床 (82)14.7耐高温复合材料的先进抛光技术与装备 (83)14.8绿色环保印刷、包装技术与高端装备 (83)14.9高端器件制造微操作技术与装备 (84)14.10高品质混凝土骨料回收再利用技术与装备 (84)15.新能源汽车和智能汽车技术 (85)15.1电动汽车检测线核心装备及数据融合关键技术 (85)15.2插电/增程式混合动力系统关键技术 (85)15.3电动汽车高性能动力电机及其新型控制关键技术 (86)15.4电动汽车高密度锂电池性能提升与能量管理系统关键技术 (86)15.5重型L4级自动驾驶混合动力矿用车关键技术 (87)15.6电动汽车高转速电机-传动一体化变速增扭关键技术 (87)15.7商用车辆新能源开发、应用一体化关键技术 (88)15.8自动驾驶开放道路测试监管大数据平台关键技术 (88)15.9无人车环境感知及多源信息融合关键技术 (89)15.10甲醇汽车关键技术 (90)15.11智能网联汽车车内无线通信组网技术研究 (90)16.精细化工 (91)16.1绿色含氟化学品的开发及工程制备技术 (91)16.2煤焦油提取酚制备芳香醚的绿色甲基化工艺开发 (91)16.3苯酚合成苯甲醚绿色环保工业化技术开发 (92)16.4新型功能性化学品研发 (92)16.5油田用绿色化学品的制备及其应用 (93)16.6高性能催化剂和工艺助剂的制备关键技术开发 (93)16.7成品油添加剂关键技术开发 (94)16.8抗氧剂类精细化学品清洁生产 (94)16.9航天器用流体润滑剂的工业研发 (95)16.10煤基高值精细化学品开发 (95)17.科技文化融合 (96)17.1文化艺术展演技术集成系统装备的研发与应用 (96)17.2数字内容创意产业链关键共性技术研究 (96)17.3新型文化消费产品或设备开发中的关键共性技术研究 (97)17.4新媒体关键共性技术研究 (97)17.5文化创意产品开发中的关键共性技术研究 (97)17.6数字出版数字设计关键共性技术研究 (97)17.7动漫产业关键共性技术研究 (98)18.科技服务业 (98)18.1科技服务业在相关行业领域应用支撑技术与示范 (98)18.2技术转移服务中的关键共性技术与示范 (98)18.3创业孵化服务中的新技术、新模式等技术与示范 (98)18.4科技金融服务业关键技术与示范 (99)18.5研发服务外包中的关键共性技术研究 (99)18.6研发设计和工业设计关键共性技术及示范 (99)(二)农业领域 (99)1.农业农村资源循环利用与绿色发展技术集成与示范 (99)1.1秸秆资源在农田土壤的综合利用技术开发与示范 (100)1.2玉米废弃物资源产业化研发及示范 (100)1.3畜禽养殖废弃物(粪污和病死畜禽)无害化处理及资源化利用技术集成与示范 (101)1.4种养结合系统中资源高效利用技术集成与示范 (101)1.5污染农田土壤的修复技术、制剂研发与示范 (102)1.6农村生活垃圾处理与处置技术集成与示范 (102)1.7适宜关中、陕北、陕南农村的生态环保智慧厕所研发及示范 (103)1.8城乡建设废料在乡村空间资源化利用技术集成与示范 (103)2.优质专用小麦新品种选育及面制品工业化技术集成与示范 (104)2.1小麦特异性状遗传资源挖掘与利用 (104)2.2高直链淀粉小麦品种选育 (105)2.3强筋小麦新品种选育与示范 (105)2.4彩色及糯质小麦新品种选育与示范 (105)2.5小麦绿色栽培技术集成与应用 (106)2.6 陕西传统面制主食品产业提升及示范 (106)2.7 小麦全麦粉食品工业化生产与示范 (107)2.8 利用小麦加工副产品开发新健康食品技术集成与示范 (107)3.羊乳全产业链生产技术研发与示范 (108)3.1新型婴幼儿配方奶粉研发与中试 (108)3.2新型功能性中老年配方羊奶粉关键技术集成及产业化示范 (108)3.3特殊医学人群及特殊人群功能性羊乳研发及应用示范 (109)3.4特色生物活性羊乳制品关键技术研究及应用 (109)3.5羊乳及羊乳制品质量安全控制技术研究及应用 (110)3.6液态羊乳及发酵羊乳加工关健技术研究与示范 (110)4.蔬菜绿色生产关键技术研发与示范 (110)4.1蔬菜抗性种质资源创制与新品种选育 (111)4.2蔬菜灾害性病虫发生规律与绿色防控关键技术研究应用 (111)4.3蔬菜精准施药与农药控施增效技术研究与示范 (112)4.4半封闭式玻璃温室栽培环境智能化调控技术研究与示范 (112)4.5设施蔬菜有机基质栽培技术研发与应用 (112)4.6设施蔬菜栽培环境实时监测智能系统开发 (113)4.7蔬菜提质增效生产技术模式及绿色生产技术体系构建与示范推广 (113)5.饲草繁育和高效栽培加工利用产业链 (114)5.1苜蓿-根瘤菌共生抗逆基因挖掘与育种体系构建。
附件2019年度重点研发计划主动设计申报指南工业领域一、智能硬件与产品(一)神经网络处理器芯片研发及应用。
主要研究内容:研究深度学习计算技术,研制适合工业需要的嵌入式神经网络处理器(NPU)芯片与相应的硬件产品和传感元件,重点突破新领域与新产品的智能化后的适应性、可靠性等关键技术。
实施目标:完成基于深度学习计算芯片的整体设计方法,开发出深度学习计算芯片、嵌入式NPU芯片及相关智能硬件产品,并实现示范应用。
申报主体:企业或企业牵头产学研联合申报。
(二)图像处理芯片研发及应用。
主要研究内容:研究用于多种用途的图像处理算法及其硬件实现技术,研制专用图像处理芯片,实现嵌入人工智能(AI)加速,以提高卷积计算、弹性张量计算、数据局部性与稀疏访存优化、负载均衡稀疏化等效率。
开发基于深度网络的模型压缩和快速执行方法的图像处理芯片,降低图像处理所需的内存空间和执行时间。
实施目标:开发出基于嵌入式AI技术、深度学习的图像处理芯片产品,并实现示范应用。
申报主体:企业或企业牵头产学研联合申报。
(三)专用系统级芯片研发及应用。
主要研究内容:面向不同应用场景或特定用途,研究专用系统级(SoC)芯片的系统功能确定、软硬件划分及设计等全过程制备技术,突破微处理器、功率管理模块、模拟IP核、数字IP核和存储器或片外存储控制接口的芯片集成关键技术。
实施目标:设计并开发出全自主专用SoC芯片产品,并实现示范应用。
申报主体:企业或产学研联合申报。
(四)工业互联网智能传感器、芯片研发及应用。
主要研究内容:研究基于工业互联网的智能制造核心部件,包括智能分布式工业传感器、网络集成驱动芯片、专用处理器、内置OPC-UA 的驱动器等基础件与核心件,开展制备技术、工艺设计与产品可靠性研究。
实施目标:开发基于工业互联网的数字传感器、集成驱动芯片、专用处理器、内置OPC-UA等驱动的智能传感基础件与核心件产品,并实现示范应用。
申报主体:企业或企业牵头产学研联合申报。
附件22019年度“电子信息关键材料”重点专项申报指南为落实《“十三五”广东省科技创新规划(2016-2020年)》,根据《广东省重点领域研发计划实施方案》,围绕国家重大战略、重大工程核心需求、我省战略性新兴产业发展关键材料与技术支撑需要,结合国际新材料前沿技术发展趋势,重点关注产业发展需求程度高的关键领域,启动实施“电子信息关键材料”重点专项。
本重点专项目标是:面向我省新一代信息技术等战略性新兴产业对关键电子信息材料的迫切需求,强化重点领域关键材料的自研自给能力,开展关键材料与核心器件攻关,全力抢占若干电子信息材料的技术和产业战略制高点,逐步构建电子信息材料支撑体系。
本专项按照芯片制造用光敏材料、芯片封装用陶瓷劈刀、高品质聚酰亚胺、半导体溅射靶材四个专题共部署5个项目,每个项目支持1项,实施周期为3-4年。
申报时项目研究内容必须涵盖该专题/项目下所列的全部内容,项目完成时应完成该专题/项目下所有考核指标。
每个专题/项目参研单位总数不得超过10个。
除特别说明外,本专项要求企业牵头申报,项目完成时项目成果需实现量产和销售。
鼓励大企业联合创新型中小企业、高校、科研院所等,产学研联合申报。
专题一:高端芯片减薄工序临时键合光敏材料及关键装备(专题编号:20190180)研究内容:面向高端芯片/器件的高精度超薄晶圆级加工需求,研发满足临时键合/解键合的光敏材料、关键设备及成套工艺。
主要研究内容如下:(1)紫外激光响应材料的设计、配方优化及合成技术开发;(2)临时键合胶材料的配方设计及性能研究;(3)整套临时键合材料的工艺开发和验证;(4)紫外激光拆键合自动化设备的开发。
考核指标:(1)紫外激光响应材料:热稳定性大于400℃(TGA,5wt%失重时温度);涂覆层厚度<500nm,且厚度可调;涂覆层紫外吸收率>95%(308nm-UV),涂覆层紫外吸收率>80%(355nm-UV);355nm-UV吸收率批次波动性小于5%,低温储存条件下质量稳定性大于6个月以上,材料产能达120升/月。
阅读下面四则材料,完成7-9题。
材料一近日中兴通讯遭到美国商务部打压,禁止美国企业向其销售芯片元器件,据称期限为7年。
美国元器件的断粮,对中兴来说固然危急,其他企业也开始未雨绸缪,4月19日有消息称Facebook正组建团队拟自主设计半导体,以减少对芯片供应商高通等的依赖。
也许对脸书来说,中兴的危机就是预防针,而国内各大媒体以及投资者一时间则认为国内芯片行情的机会要来了。
据了解, 4月16日,有媒体报道称美国商务部透露,将禁止美企向中兴销售元器件,时间为7年。
对于元器件的断供,中兴并未回应对公司有多大影响,但据业内人士预计目前的库存只能支撑公司2个月的生产。
据了解,国内芯片的生产确实不尽人意。
目前国内芯片的资产率仅有7%。
显然中国政府已经意识到了这一点,早在2015年国务院发布的《中国制造2025》中就提出,2020年我国芯片自给率将达40%。
如此看来,国产芯片发展空间非常之大。
如今看来,不仅国内市场,美国国内的企业也意识到掌握核心技术才是王道,技术受制是关乎企业生存的最大隐患。
脸书已经开始组建团队拟自主设计半导体,一方面降低对英特尔、高通等公司的供应依赖,另一方面希望能自给自足,苹果也与谷歌合作研发自己的AI 芯片。
——齐鲁财富网2018-04-19 16:59材料二北京交通大学副教授李浥东最近有些忧虑,他看到在对中兴事件与国家芯片的讨论中,关注技术差距的多,关注人才问题的少。
在他看来,高校的芯片产业人才储备堪忧。
几乎所有人都在做计算机应用的东西,而不是基础的东西。
根据2017年5月发布的《中国集成电路产业人才白皮书(2016-2017)》,中国芯片人才缺口高达40万。
围绕芯片人才差距的主题,中国工程院院士李国杰也提到,“头重脚轻”的大学教育,偏向教学生怎么用计算机,而不是教学生怎么造计算机。
与此同时,试错成本、原创发明难度更高的芯片领域,论文难发,然而对计算机人才的考核,恰恰以发表论文为主要评价标准,加上芯片研发专业人薪资水平,远不及BAT等热门的互联网行业,导致人才出现巨大缺口。
附件:年度市科技计划项目入库申报指南一、重大科技专项专题一:重大科技专项项目(一)申报内容根据市委、市政府加快培育超千亿产值产业集群的战略计划部署,本专项主要围绕我市五金刀剪产业升级、高端不锈钢以及机械制造、装备制造等产业的发展需求和未来趋势,以产业关键技术攻关为突破口,促进产业快速发展。
重点开展高端金属粉未材料、高性能合金材料及应用、高功率激光应用、机械制造等方面关键技术研发,通过前沿技术研究、共性关键技术及装备攻关,解决我市产业生产的核心技术问题,提升行业的产品品质量。
推动我市产业向高端化和新型化发展,不断增强我市支柱产业的综合创新能力和市场竞争力。
(二)申报要求、申报项目技术水平须达到国内领先水平。
、申报单位必须具有与项目内容相对应的工作基础、行业背景和科研团队,具有较高的产业技术研究水平与协同能力。
项目负责人原则上须具有副高以上专业技术职称,负责人应具有完成聞創沟燴鐺險爱氇谴净祸測。
该项目所需的相关专业基础知识、科学研究或产业化经历以及组织协调能力。
、项目实施周期年,项目申报书上的技术经济指标必须明确客观,并将作为项目验收时的考核指标。
、每个项目实施期必须申请发明专利项以上。
(三)联系方式市科技局产学研科:梁国强、陈成鹏业务咨询电话:二、产业技术创新专项专题二:产学研协同创新项目(一)申报内容本专题旨在引导和支持我市企业与高校、科研院所开展合作,吸引高校、科研院所的成熟高新技术及创新成果在我市转化及应用,促进我市传统产业转型升级和战略性新兴产业的发展。
(二)申报要求、企业必须与省内外高校或科研院所等联合开展项目,并签有责权利明确的项目合作协议,分工和进度明确,经费预算合理,知识产权归属清晰。
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、项目实施周期年,各方任务分工明确、研发或产业化进度科学,经费预算合理,知识产权归属清晰,具有优势互补、强强联合的特点。
项目申报书上的技术经济指标必须明确客观,并将作为项目验收时的考核指标。
附件4“光电子与微电子器件及集成”重点专项2019年度项目申报指南为落实《国家中长期科学和技术发展规划纲要(2006—2020年)》《2006—2020年国家信息化发展战略》提出的任务,国家重点研发计划启动实施“光电子与微电子器件及集成”重点专项(以下简称“本重点专项”)。
根据本重点专项实施方案的部署,现提出2019年度项目申报指南。
本重点专项的总体目标是:发展信息传输、处理与感知的光电子与微电子集成芯片、器件与模块技术,构建全链条光电子与微电子器件研发体系,推动信息领域中的核心芯片与器件研发取得重大突破,支撑通信网络、高性能计算、物联网等应用领域的快速发展,满足国家发展战略需求。
本重点专项按照硅基光子集成技术、混合光子集成技术、微波光子集成技术、集成电路与系统芯片、集成电路设计方法学和器件工艺技术6个创新链(技术方向),共部署49个重点研究任务。
专项实施周期为5年(2018—2022年)。
2019年度项目申报指南在核心光电子芯片、光电子芯片共性支撑技术、集成电路与系统芯片、集成电路设计方法学和器件工—1—艺技术5个技术方向启动19个研究任务,拟安排国拨总经费概算6.75亿元。
凡企业牵头的项目须自筹配套经费,配套经费总额与专项经费总额比例不低于1:1。
各研究任务要求以项目为单元整体组织申报,项目须覆盖所申报指南方向二级标题(例如:1.1)下的所有研究内容并实现对应的研究目标。
除特殊说明外,拟支持项目数均为1~2项。
指南任务方向“1.核心光电子芯片”和“2.光电子芯片共性支撑技术”所属任务的项目实施周期不超过3年;指南任务方向“3.集成电路与系统芯片”、“4.集成电路设计方法学”和“5.器件与工艺技术”所属任务的项目实施周期为4年。
基础研究类项目,下设课题数不超过4个,参研单位总数不超过6个;共性关键技术类和应用示范类项目,下设课题数不超过5个,参与单位总数不超过10个。
项目设1名项目负责人,项目中每个课题设1名课题负责人。
指南中“拟支持项目数为1~2项”是指:在同一研究方向下,当出现申报项目评审结果前两位评分评价相近、技术路线明显不同的情况时,可同时支持这2个项目。
2个项目将采取分两个阶段支持的方式。
建立动态调整机制,第一阶段完成后将对2个项目执行情况进行评估,根据评估结果确定后续支持方式。
1.核心光电子芯片1.1多层交叉结构的光子集成芯片(基础研究类)研究内容:聚焦基于硅基多维度交叉结构的光子集成芯片,—2—研究硅基层内和层间交叉结构及其三维集成技术,包括理论数值模型和优化设计方法与多层交叉连接机理、任意层间实现高效低串扰波导耦合的方法;研究层内可快速重构光交叉连接器、超小尺寸层内和层间光交叉连接器、以及任意层间可快速重构三维光交叉连接器等核心单元器件技术;研制CMOS兼容的硅基多层三维集成芯片及其工艺技术、三维多层光子芯片的高效快速测试方法。
考核指标:每层包含≥4×4光交叉连接阵列,任意两层间可实现可重构光互连,从而构成规模≥4×4×3的三维可重构光交叉阵列。
交叉连接重构时间≤10ns,层内波导损耗≤1dB/cm,层内光交叉连接插损≤3dB,层间耦合结构尺寸≤10μm×10μm,层间耦合效率≥80%,层间三维光交叉连接插损≤4dB,层间波导串扰≤-50dB。
实现典型场景的应用演示,申请发明专利20项以上。
1.2硅基可编程重构全光信号处理芯片(基础研究类)研究内容:聚焦可编程宽带全光处理集成芯片,突破超低损耗、超高密度、大规模硅基光子信号处理芯片的关键技术,制备CMOS工艺兼容的硅基可编程重构光子信号处理芯片,实现多功能可重构滤波器、各类非线性信号处理器件(逻辑运算、再生等),并在此基础上实现硅基多通道全光混叠集成器件,实现整个芯片的电学、光学封装,完成驱动电路和控制芯片以及可编程控制软件,进行系统应用实验,从而支撑高速多功能信号处理的发展。
—3—考核指标:研制出波导损耗≤0.6dB/cm,Q值≥1×105、低插入损耗可调滤波器;研制出可编程重构信号处理芯片,带宽可调,范围≥100MHz-40GHz;FSR可调,范围≥10GHz-200GHz;研制出单通道100Gb/s硅基可编程光子逻辑阵列器件和高维度多值逻辑运算器件;实现高阶调制格式的信号再生,非线性转换效率不低于-15dB;实现可编程重构全光信号处理芯片复杂逻辑功能和多维运算灵活拓展;实现不少于8个通道的电学、光学封装,完成外部驱动电路和控制芯片,具有软件可编程功能并实现系统验证。
申请发明专利20项以上。
1.3宽带微波光子信号调控核心器件与技术(共性关键技术类,拟支持2项)研究内容:聚焦模拟光通信系统对宽带微波光子信号调控核心器件与技术的需求,突破宽带微波光子信号调控技术,研制同时具备数字和模拟域调控功能控芯片,宽带光子混频芯片,宽带射频光子对消芯片;研制1×8和32×32光开关阵列,光学空间模式控制芯片,多信道采集芯片与模块,以及多节点采集网络系统;研制宽带信号光域调控与采样系统。
考核指标:同时具备数字和模拟域调控的功能调控芯片,频率范围达到25GHz、时间带宽积达到200、适用不低于6种动态信号;宽带光子混频芯片,工作频率DC-60GHz,转换效率≥-10dB,杂散抑制比≥40dB,无杂散动态范围≥115dB•Hz2/3;宽—4—带射频光子对消芯片,工作频段5~40GHz,对消带宽≥1GHz,对消抑制比≥50dB;1×8光开关阵列,消光比≥20dB、插入损耗≤10dB、开关时间≤10μs;32×32光开关阵列,插入损耗≤15dB、消光比≥20dB、开关时间≤100μs;光学空间模式控制芯片,可分辨点数≥100,光谱分辨≤0.5nm,空间模式转换速度≤1μs;多信道采集芯片与模块,工作频段DC-20GHz,信道数目≥8;多节点采集网络系统,网络节点数目≥8,网络中所有节点信道数之和≥20,网络覆盖范围≥20km;宽带信号光域调控与采样系统,频段范围2~40GHz,边带抑制比≥30dB,数据压缩比≤10%,带宽压缩比≤10%,可处理数据量≥1Tbit,采样带宽≥2GHz;上述芯片实现典型应用场景的演示验证,申请发明专利30项以上。
2.光电子芯片共性支撑技术2.1面向多波段探测的混合光子集成芯片与器件(共性关键技术类)研究内容:聚焦混合光子集成芯片共性支撑技术,研究有机材料和III-V族材料及金属材料混合集成技术,实现新颖的有机与无机光电功能材料相兼容的探测器件的理论设计、材料生长机理及界面主动修饰工程。
研究Si和III-V族材料及量子点材料混合集成技术,实现异质材料单片集成多波长探测器阵列的原理及多链条综合性能的理论设计、材料生长及各功能器件的制备技术。
研究Si和III-V族材料及滤光微结构混合集成技术,探索亚波长—5—结构在特定光谱探测中的高抑制比,明确多波段滤光微结构集成的波段间串扰机理。
考核指标:可重构的混合集成红外探测原型器件阵列,规模≥64×1(立体),盲元率≤1%;量子点异质混合红外光谱芯片实现单芯片、多波长探测器件阵列,光学信号探测规模≥256×256,工作温度≥200K,单芯片探测光谱范围覆盖0.9~1.7μm,单芯片光谱分辨率≤20nm,单芯片通道数≥100;实现具有1.20μm、1.38μm、1.61μm和2.10μm四波段窄带滤光微结构的探测器阵列,规模512×4(四波段),响应非均匀性≤10%,抗γ辐照≥20krad (Si),盲元率≤1%,峰值探测率≥1×1012cmHz1/2/W;实现典型场景的应用演示,申请发明专利20项以上。
2.2多材料体系融合集成调制和探测芯片与器件(共性关键技术类)研究内容:聚焦多材料体系融合集成共性支撑技术,研究Si 基Ge探测器阵列制备技术;研究单晶薄膜铌酸锂(LNOI)及二维原子晶体新型材料调制器制备技术,实现LNOI的微加工工艺,研究LNOI及二维原子晶体复合纳米波导的高效光耦合技术;研究多材料体系融合混合集成光模块高效耦合与封装技术,混合集成封装光模块制备过程中的在线监测技术及无损伤检测技术。
考核指标:锗PIN和APD探测器阵列带宽≥35GHz,并基于该探测器实现≥50Gb/s的数字信号传输,实现Si基Ge探测器—6—与Si基功能芯片的集成;LNOI及二维原子晶体新型材料高精度微纳加工,制备出传输损耗≤2dB/cm的纳米波导;基于LNOI 及二维原子晶体新型材料的调制器,带宽≥35GHz,LNOI调制器的VπL≤10V•cm;有源激光器芯片与无源光波导芯片间耦合损耗≤1.5dB,实现有源波导与无源波导的片上集成,实现无源光波导芯片与光纤间的耦合损耗≤1.0dB;具备批量生产能力,实现批量推广应用,申请发明专利30项以上。
2.3超大容量硅基多维复用与处理基础研究(基础研究类)研究内容:聚焦大容量、可重构光通信与光互连应用系统中的核心光电子芯片支撑技术,开展硅基多维复用与处理器件技术的研究。
研究硅基多模光子学及器件新结构与新机理、硅基偏振控制及转换器件、硅基多维复用机理与器件;研究硅基片上集成的光功率监测器阵列,并与多维复用解复用器件以及光开关阵列/可调光衰减器等进行单片集成;研究硅基多模波导与少模光纤的耦合问题;研制新一代超大容量的硅基可重构插分复用功能芯片。
考核指标:研制硅基多维可重构插分复用芯片,通道数≥96(其中模式通道数≥3、偏振通道数为2),芯片中包含多维复用解复用单元器件、偏振控制及转换器件、光开关阵列、可调光衰减器阵列、光功率监测器阵列。
实现吞吐量≥10Tb/s的可重构硅基片上多维复用光信号处理及基于少模光纤的传输验证。
申请发明专利30项以上。
—7—2.4高精度光学模数转换芯片(基础研究类,拟支持2项)研究内容:聚焦高精度光学模数转换芯片的共性支撑技术,研究高速低时间抖动高信噪比的超短光脉冲源技术,包括结构与参数的优化设计、重复频率调谐技术;研究宽带光学采样及线性化技术,包括宽带微波信号光学采样技术、电光调制器参数等对光采样特性的影响、非线性失真抑制技术;研究高速高精度量化及编码技术,包括高速光采样信号和低速电量化速率匹配技术;研究高精度量化及编码技术、多通道数据的高精度还原信号恢复算法;研究光学模数转换器的集成化技术的总体架构、各部分的协同工作及优化、器件小型化及集成工艺技术。
考核指标:高速低时间抖动高信噪比的超短光脉冲源,重复频率≥4GHz,脉冲宽度≤3ps,时间抖动≤80fs(测量带宽范围1kHz-10MHz);宽带光学采样,采样速率≥5GS/s,模拟带宽≥40GHz,无杂散动态范围≥50dB;高速高精度量化,单通道工作速率≥5GS/s,通道数≥4,信噪比≥48dB,量化位数≥10bits,有效位数≥7bits;光学模数转换器的集成化,实现输入带宽≥40GHz、采样速率≥5GS/s、有效位数≥7bits的光学模数转换器;申请发明专利20项以上。