板式PECVD作业指导书

CENTROTHERM管式PECVD操作说明书按压START真空泵启动按钮，启动真空泵。

（图
图6.1.2
打开并检查气源。

打开压缩空气阀，N2阀，NH3阀，
6kg /cm2—7kg /cm2。

其他气体4 kg /cm2—10kg /cm2范围
开启SIH4阀（图4）
图（4）阀（图6）
图（6）开总电源。

用手扳住电柜外部的红色按钮，机器上指示灯
图（8）
VAT控制器灯亮，可确定总电源已开启（图8）。

启动CMI程序。

开总电源后计算机自动启动。

输入密码后自动进入Windows桌面。

用鼠标左键双击“CMI”图标，启动CMI。

进入CMI 画面，检查设备状态：
SLS=UP ，DOOR=CLOSED ，PLC=OK ，LIFT=READY ，TUBE=READY ，TGA FREE=YES
SET/ACT POSITION=0 ，PROCFLAG=OK（整体界面图9）
选择工艺程序，生产。

插片。

用小车承载石墨舟，在插片房中插满硅片。

向机器进车。

向机器推入装完片的石墨舟小车。

计算机
在“LOTS”里输入自己名字的拼音缩写，在舟号里输入舟的号码。

选择对应的工艺文件。

设备自动进行工艺生产。

(整体界面图10)
图（10）。

保密级别C文件种类作业指导书文件编号LW－PT3－015－A0编制部门工艺技术部编制/日期修订/日期审核/日期批准/日期PECVD作业指导书1..目的指导生产2 适用范围电池制造部PECVD工序OTB设备。

3 定义无4 职任、权限适用于PECVD工序OTB设备的车间作业人员5 工作流程图无6 正文6.1 操作目的在硅片表面沉积一层起减反射和钝化作用的氮化硅膜。

6.2 设备及工具OTB设备、载片盒、高温隔热手套、PVC手套、口罩、镊子、不锈钢桌架、椭偏仪6.3 材料与工艺气体HF清洗后合格的多晶硅片、硅烷、氨气、氩气、氮气、压缩空气。

6.4 车间洁净管理进入车间必须穿戴工作服，操作时戴洁净的手套、口罩。

并且保证每班清理现场及设备卫生，以保证车间的洁净度。

6.5准备工作6.5.1 设备准备确认设备正常运行,工艺真空度要求、工艺温度、冷却水压力、特气压力及流量正常. 6.5.2 原材料准备检查RANA湿法刻蚀后的硅片,将合格硅片传送至DEPX加载位置，准备生产；不合格片不能投入.6.5.3 工装工具准备备齐用于工艺生产的载片盒、隔热手套、PVC手套、口罩、镊子、椭片仪等。

6.6 机械装片机械手自动传送至DEPX24006.6.1 自动装舟自动上片，机械手依次装满3×4的石英舟，然后，进入载入室进行抽真空等步骤。

6.6.2 LMS传送系统磁悬浮轨道的自动传送，使石英舟在整个真空环境下与底部导轨无接触的传输完成整个工艺过程。

手动取片盒：首先将一排的3个载片盒依次取出，然后放到指定位置或传送至下道工序印刷。

注意事项：取片盒时一定要轻，防止硅片掉出片盒，增加不必要的碎片，保持载片盒的竖直取放和移动。

将合格硅片随流程单一起转下工序，严禁不合格硅片转入下道工序。

将合格硅片与随工单一起转下工序。

常见不合格硅片有崩边、缺角、裂纹、碎片、变色、斑点、穿孔、颜色不均匀等。

6.7 操作控制6.7.1 绒面硅片经PECVD镀膜后减反射膜厚度目标平均值为88±2nm，表面折射率平均目标值应为 2.08±0.03。

版本Re v.编写人Preparedby编写日期PreparedDate审核人Checkedby审核日期CheckedDate批准人Approvedby批准日期ApprovedDate1.目的：规范操作，为生产车间操作规范化提供依据2.范围：适用于PECVD设备使用工序.3. 职责：3.1.1负责PECVD设备的开机和关机程序。

3.1.2负责PECVD设备的日常维护。

3.1.3负责发现作业过程中其设备出现问题怎样解决。

4. 名词定义：无5. 设备使用程序：5.1 使用环境及工作条件5.1.1 环境温度＜25℃5.1.2 相对湿度＜75%5.1.3 净化等级1000级~10000级5.1.4 电源三相五线，380V/50HZ，≤50KW/管5.1.5 供水水压0.2MPa~0.4MPa5.1.6 供气SiH4NH3N2O2CF4五路气体，气压0.2MPa~0.45MPa5.1.7 配排风排毒装置5.2对环境及能源的影响PECVD设备本身对环境及能源没有任何影响，若用户采用不同的工艺，使用不同的气体可能对环境稍有影响，但由于用气量非常小，不会造成任何危害。

5.3安全版本Re v.编写人Preparedby编写日期PreparedDate审核人Checkedby审核日期CheckedDate批准人Approvedby批准日期ApprovedDate本设备在设计过程中已充分地考虑了安全因素，只要用户不违反操作规程绝不会出现安全事故。

唯一可能在工艺过程中使用易燃气体SiH4，气体源应远离操作台，工作场地禁止使用明火，工作人员禁止吸烟。

所有气路管道不允许有任何泄漏点。

5.4使用前的准备5.4.1 接通整机电源；5.4.2 接通本机水路；5.4.3 接通各路气路。

若设备停止工作时，应该将反应管内部抽成真空，停止加热，其目的是为了防止真空管路过热，会使压力传感器严重零漂，影响压力测量。

待温度低于250℃再停水，并关断NH3、SiH4等气体的手动阀。

PECVD作业指导书PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）被广泛应用于半导体、微电子和涂层行业，用于制备高品质的薄膜材料。

本文将介绍PECVD的基本原理，工作过程以及在不同领域的应用。

一、基本原理PECVD是一种基于化学气相沉积的薄膜制备技术，其核心原理是利用等离子体激活气体分子，在较低的温度下生成和沉积薄膜。

其主要步骤包括气体进样、气体激活、离子束加速和沉积薄膜。

通常，PECVD系统由真空室、进气系统、高频发生器和沉积室等部分组成。

二、工作过程1. 气体进样：待沉积的薄膜材料会以气体形式通过进气系统输入到PECVD系统中。

常用的气体包括硅烷、氨气、二甲基酮等。

2. 气体激活：高频发生器产生的高频电场作用下，原质子分解为阳极、阴极和自由电子，形成等离子体。

等离子体释放出的电子和原子之间发生碰撞，激活气体分子。

3. 离子束加速：在等离子体激活气体的作用下，离子在电场的作用下被加速，形成离子束。

离子束的能量和速度决定了薄膜生长的速度和质量。

4. 沉积薄膜：离子束撞击基片表面，使原子重新排列并沉积在基片上，形成薄膜。

具体沉积过程中，离子以电子作为中间体，通过吸附、解离和重组等反应形成化学键。

三、应用领域1. 半导体工业：PECVD被广泛应用于半导体器件的制造中。

例如，可以使用PECVD在晶圆上沉积硅氮氧化物作为绝缘层，或者沉积多晶硅用于构建晶体管等。

2. 微电子工业：PECVD可以在平板显示器、光伏电池和传感器等微电子器件的制造过程中发挥重要作用。

例如，PECVD可用于制备SiNx和SiOx薄膜用于光学薄膜和阻隔层。

3. 涂层工业：PECVD还被应用于不同类型的涂层，例如防反射涂层、耐磨涂层和阻隔膜等。

通过控制沉积参数，可以调节薄膜的光学、电学和机械性能，以满足不同的应用需求。

总之，PECVD作为一种重要的化学气相沉积技术，在半导体、微电子和涂层领域发挥着重要作用。

承认确认作成3、 4、1.确认小车完好2.确认石墨舟完好3.核对物卡数量4.放置硅片5.小车放置区域6.石墨舟向前倾斜7.准备吸片8.插片9.注意事项10.检查硅片11.放置空篮12.空花篮劳动防护用品：13.空花篮放置区14.一面装片完成15.石墨舟复位16.旋转180°改定履历年月日改定内容123454.确认流程单数量与实际数量一致且硅片表面无异常，无崩边缺角。

7.装卸片时吸笔要保证干净.8.硅片顺着槽壁滑进槽内，由工艺点定位，注意速度和角度。

9.检查插片是否漏片，是否贴合槽壁。

工序目的：使用部品材料： 吸笔，花篮，小车，石墨舟制作晶体硅电池的减反射膜及钝化 1、PE机10.插片顺序应从左到右，从上到下。

12.石墨舟倾斜度根据操作员高度，台架高度来调整，合适的角度利于操作。

定位置管理说明格式编号：HCZY 011．穿戴好劳保用品。

2.保证小车运转平稳。

3.确认石墨舟叶片完好，螺丝紧固，在小车放置平稳。

5.硅片放置平稳，确保非扩散面贴向槽壁。

页码信息：HCBZZZ040 总 4 页01PECVD镀膜操作作业指导书文书编号版 本修改日期第 1 页年 月 日 年 月 日作成日期1.应遵守的要点及注意事项设备名/设备编号： 2、使用夹具、 工具：每舟规定资料及判定标准管理要点测定法目测无杂物5.双手扶着石墨舟缓慢调整倾斜，避免手臂接触石墨舟。

2.改定色彩均匀管理項目3pcs/舟沉积面确认承认频度样品数电极头11.插片时硅片扩散面朝外，非扩散面贴着槽壁。

13.石墨舟必须复位扶正水平时方可旋转。

备 考3.目测单晶硅片。

作业手顺·遵守事项●作业手顺扩散硅片手套（PVC),口罩，网孔布鞋。

样式编号：AAAE02。

目的:制定设备保养的具体要求、执行步骤和标准设备\工具:吸尘器，tools，眼罩环境\安全要求: 见文末1.控制方案:2.控制标准: 3处理方案: 操作规程:一.Plasma SourceQuartz tube: 石英管，inner conductor: 内置铜导管，high density plasma area: 高密度等离子体区域，coaxial outerconductor: 同轴外导体，magnet system: 外加磁场系统，thin film deposition plasma: 薄膜敷层等离子体，depositionshield: 敷层防护槽，gas supply: 气体供应，substrates: 载片Deposition Shield 沉积敷层护槽Front Deposition Shield 前部沉积敷层护板●Cooling Water Supply (Inlet)冷却水入口❍Cooling Water Supply (Outlet) 冷却水出口⏹Gas Supply (NH3) 氨气供应口☐Gas Supply (SiH4) 硅烷供应口☐Gas Supply (SiH4) 硅烷供应口❑SiH4 Gas Shower 硅烷输出口❒Cooling Water System 冷却水系统♦Magnet System 磁性系统线性等离子体源的基本构造Removing the Quartz Tubes 拆卸石英管当设备运行工艺一段时间后，由于工艺腔内部会产生1到2簿膜层，然而这些簿膜层将会直接影响到敷层的效率，因此我们在用石英管30-40小时后更换，装卸步骤如下：(1)首先停止工艺，关闭泵，vent三个腔体，打开所有的盖子；(2)拆除微波产生器外部的盖子；(3)拔出每一侧与微波产生器相连的铜制天线；(4)向上轻提将侧部的敷层护板拆除；检修频次：40小时或工艺需要工艺要求更换(5)用设备提供的半月形工具先嵌人卡口互锁插头的孔中然后在向顺时针旋转；(6)将卡口互锁插头拔出；(7)最后将石英管及其配件沿竖直方向托出；(8)用吸尘器将它的源头和法栏处的微粒杂质吸出；2．Removing the Deposition Shields 拆卸敷层防护槽有时候当等离子体源经过长时间的工作后，也由于沉积过多并附着在敷层防护槽上，在这种情况下对防护槽的清洁也是非常重要的，因此我们需要将防护槽卸下来通常通过喷沙处理和超声波清洗并与酒精结合处理；特殊的T型工具（左）和维护操作过程开关比较（右）拆卸敷层防护槽的步骤：(1)先用真空吸尘器将槽内的敷层颗粒及杂质除去；(2)再用设备的T型工具固定住防护槽的一字栓后顺时针旋转90度；(3)沿竖直方向拔出防护槽；(4)清洁防护槽及其备件；(5)再次之后可用酒精将剩余的杂质祛除；检修频次：季度是否变形，完好度的判断更换，清洁，如果要更换敷层防护槽子可根据的拆除敷层防护槽的操作顺序相反进行操3 Cleaning the Plasma Source 清洁等离子体源作设备中的等离子体源也要定期的进行维护和清洁。

PECVD SOP1．目 的为规范PECVD 操作流程，正确的操作设备、高效的进行生产，特制定本规程。

2．适用范围上海超日太阳能科技发展有限公司辖区内的PECVD 淀积车间。

3. 职 责3.1操作不规范可能引起原材料硅片的损耗，在进行操作之前，务必仔细阅读本规程。

3.2熟练掌握每道操作步骤。

4．定 义4.1PECVD 间只负责按规程操作，更改数据需技术部授权。

5. 程 序5.1 开启设备抽风系统电源。

5.2 向设备部确认SiH 4 和NH 3的供气系统及SiH 4燃烧塔已开启。

5.3 打开分气箱中的SiH 4气体的阀门（图1-1）和NH 3气体的阀门，开始向设备供气，调节压力控制阀来控制所需压力（图1-2）。

（图15.3 开启电控柜中PECVD 总电源，开始向设备供电。

5.4打开冰水机电源（图2-1），检查温度控制器的显示温度是否正常（图2-2），打开制冷开关（图2-3），打开冷液泵（图2-4），开始向系统提供冷却水。

（图2）5.5 打开真空泵电源开关（图3）。

（图3）5.6 在各项检查确认无误后整机开始通电，按下“上电开”按钮（图4-1），按下“加热开”按钮（图4-3），炉体开始加热，通过温度控制器的设定温度控制所需要的温度（图4-2），。

在运行过程中报警器鸣叫（图4-4），可能是停水、超温或断偶其中之一，故障解除后即停止鸣叫。

（图4）5.7 待显示温度达到设定温度时即可进行生产，将插满硅片的石墨舟放置在悬臂桨上，双击桌面上的“PECVD 计算机工艺自动控制系统”快捷键，在登陆界面密码框中输入“SA”，即进入控制系统（图5）。

（图5）5.8点击屏幕左上角的“编辑”按钮（图6）来选取工艺执行文件。

（图6）5.9点击“启动”（图7-1）→点击“确定”→点击“自循环”（图7-2）→点击“加锁”（图7-3），系统按程序自动运行。

（图7）5.10 在运行过程中，要时刻观察操作界面各运行参数是否正常，出舟后，稍作冷却，然后将石墨舟取下，放上第二只石墨舟点击“确定”，即可进行第二次循环操作。

PECVD标准作业指导书1. 目的该标准作业指导书旨在指导操作人员正确进行PECVD（等离子增强化学气相沉积）工艺，确保设备的安全和产品的质量。

2. 适用范围本标准作业指导书适用于所有使用PECVD工艺的设备和产品。

3. 安全要求- 在操作PECVD设备时，必须穿戴适当的个人防护装备，包括但不限于安全眼镜、防护手套和工作服。

- 在操作前，需要对设备进行全面的安全检查，确保设备正常运作并且没有安全隐患。

- 禁止在操作时使用不符合要求的物品，以免引起危险或质量问题。

4. 操作步骤- 开机前检查：检查PECVD设备的各个部件是否完好，确保真空泵、气体流控制系统、加热系统等均正常运转。

- 处理前准备：将待处理的衬底清洗干净并放置在PECVD反应腔中。

- 气体处理：根据工艺要求设置气体流量和流程，确保设备内气体的稳定和纯度。

- 处理参数设置：根据要求设置反应腔的温度、压力、沉积时间等参数。

- 处理结束：待沉积结束后，关闭气体供给和真空泵，将处理后的产品取出并进行必要的后续工艺。

5. 质量控制- 在进行PECVD处理前需要进行质量控制样品的测试，确保设备的稳定性和处理的产品质量符合要求。

- 在处理过程中需要定期检测设备的气体流量、温度、压力等参数，发现异常情况及时进行调整。

- 处理结束后，需要对产品进行外观和性能检测，确保产品质量符合要求。

6. 后续处理- 处理结束后，需要将设备做必要的清洁和维护，确保下次操作的安全和质量。

- 如有异常情况发生，需要及时记录并向相关部门汇报，以便进行故障排除和改进。

7. 相关记录- 操作人员应当及时记录每次PECVD处理的工艺参数、产品质量、设备状态、异常情况等，以供后续追溯和分析。

8. 责任分工- 设备操作人员负责具体的操作过程和设备维护，同时要确保操作安全和产品质量。

- 监督员负责监督操作过程，确保操作符合标准作业指导书的要求，并且做好相应记录和报告。

9. 总结本标准作业指导书介绍了PECVD操作的基本要求和步骤，并指导了在操作过程中应注意的安全和质量控制问题。

《PECVD操作手册》word版操作手册LPS 1 等离子体发射源生产商：Roth & Rau AGGewerbering 3D-09337 Hohenstein-Ernstthal OT Wuestenbrand Germany 目录1 安全指示 (3)1.1 介绍 (3)1.2 安全标志 (3)2 描述 (4)2.1 概要 (4)2.2 线型微波等离子体发射源类型 (5)2.3 线型微波等离子体的产生 (6)3 技术数据 (9)3.1 概要 (9)3.2 性能 (10)3.3 电气数据 (10)3.4 连接 (10)3.4.1 气体连接 (10)3.4.2 水路连接 (10)4 组装 (11)5 设备维护 (12)5.1 石英管的拆卸 (13)5.2 沉积罩的拆卸 (15)5.3 等离子体发射源的清洗 (16)5.4 沉积罩的替换 (17)5.5 玻璃石英管的替换 (17)5.6 安全性能 (21)6 备配件 (22)6.1 介绍 (22)6.2 备配件清单 (22)7 推荐备配件 (27)配图目录图1：线型微波的图解和部件图 (4)图2：线型微波等离子体发射源的工作原理 (5)图3：配备一个石英管的LPS1型微波等离子体发射源的典型断面图 (5)图4：线型微波等离子体产生的原理 (6)图5：以时间为函数的典型的脉冲微波 (7)图6：覆膜均匀性和沉积率的独立控制效果示意图 (8)图7：SiNA型LPS1等离子体发射源的尺寸图 (9)图8：SiNA型LPS1线型等离子体发射源 (11)图9：SiNA系统中整合的小型微波发射头（MW head） (13)图10：在工作位置和维护位置配有铜质天线的小型微波发射头(13)图11：完整的等离子体发射源（左图）和没有横向沉积罩的等离子体发射源（右图） (14)图12：卡口锁定机械装置 (14)图13：设备维护位置时的卡口锁定机械装置 (14)图14：防护罩固定器专用的特殊工具（左图）设备维护和工艺操作时的位置 (15)图15：关闭的氨气吹淋喷头孔（左图）部分关闭的硅烷气体吹淋喷头孔（右图） (16)图16：工艺反应仓仓壁上的微波发射头法兰接口 (16)图17：所有装配部件的正确顺序 (17)图18：铝质罩帽中的装配部件 (18)图19：将石英管挤压进准备好的铝质罩帽 (18)图20：完整的石英管的剖面图 (18)图21：准备好的微波传送系统 (19)图22：完整的微波传送系统 (19)图23：带有环形封口的铝制罩帽 (20)图24：SiNA系统中卡口密封处作为气体泄露指示标志的SiO沉积层 (20)配表目录表1：安全符号的描述 (3)表2：不同等离子体长度（0.1mbar）的Si3N4沉积所用的典型的微波功率（MW-Power） (7)表3：装配部件的功能表 (17)表4：石英玻璃管的规格 (19)表5：备配件清单 (22)表6：补充的推荐备配件清单 (27)安全指示1.1介绍该手册包含了LPS1线型微波等离子体发射源的安装，操作和维护的指导。

石墨舟、推车、吸笔、承载盒、卸片盒、周转箱。

三、岗位工作流程 下料插满单面台面旋转180度流程卡上记录舟号检查吸笔推车台面倾斜25度抬舟上机 检查 内硅片继续前面动作插满另面整理周转箱检查扩散面检查推车和石墨舟正确佩戴手套、口罩PECVD操作规范2 签收上道流入的硅片。

从传递窗内，接收硅检流入的硅片，确认批次信息，如：批号、来源、数量等。

拒收不合格品；作业指导书先检查石墨舟与推车定位是否吻合、贴近，确认石墨舟是否有裂纹破损，螺母是否有松动；5 插片：）左手拿花篮，扩散面朝上（花篮突出面是扩散面为标志），右手拿吸笔；（2）车台面倾斜25度，硅片放入舟中时，硅片要插在三个工艺点与石墨舟片之间；作业指导书（3）单面插满后，把舟平放然后慢速均匀转动台面180度，继续开始的动作，直到一舟全部插满，）在流程卡上记录石墨舟号作业指导书到位，整理承载盒与周转箱；作业指导书7舟上料：首先确认硅片是否插到位，再确认石墨舟电极朝向，确认舟在浆上的位置；作业指导书8 下班之前清洁责任区域车间六、作业注意事项、有缺陷的舟车、石墨舟立刻隔离，标记清楚，并上报班组长。

、按批号顺序把周转箱放置在在途产品指定位置。

、插片前必须检查吸笔贴膜是否完好。

4、插片前必须确认扩散面，凸出面为扩散面。

5、石墨舟旋转时要避免碰到其它物件。

6、中断片不能直接用手取放。

1、插片时，若发现吸不牢片子，调整吸笔吸气气量，使之达到正常力度。

2、吸笔头发黑，及时更换吸笔套。

3、镀膜后出现大量吸笔印，及时检查吸笔，用酒精清理或更换吸笔套。

浙江东辉新能源科技有限公司生产部。

目录1 概述 (1)1.1 水平管PECVD设备的特点 (1)1.2 PECVD设备的主要用途 (1)1.3 使用环境及工作条件 (1)1.4 对环境及能源的影响 (2)2 结构特征与工作原理 (2)2.1 总体结构 (2)2.2 工作原理 (2)2.3 主要部件的功能及其工作原理 (2)3 主要性能指标 (3)3.1主要性能指标 (3)4 安装与调试 (4)4.1 安装 (4)4.3 调试前的检查 (4)4.4 调试 (5)4.5 使用前的准备 (6)5 常见故障分析与排除 (7)6 保养与维修 (8)7 注意事项 (9)7.1 安全性 (9)7.2 设备关闭方法 (9)7.3 设备启动方法 (9)1 概述1.1 水平管PECVD设备的特点1.1.1 该系统是基于标准管式炉的设计。

晶圆舟由石墨板组成，交替地与射频能量供应系统连接(如图1-1)，在效果上，每对石墨板相当于微型平行板等离子体发生器。

晶圆被放置在石墨板的中间，淀积气体从平行板间流过，局部的等离子体提高了淀积能力。

1.1.2 PECVD主要优点是改装管式反应炉的经济性和高生产效率。

不足之处在于薄膜的化学计量上的较难控制和大而笨重的晶圆承载装置。

图1-1 等离子体生成在石墨舟上1.2 PECVD设备的主要用途1.2.1 利用等离子体聚合法可以容易地形成与光的波长同等程度的膜厚。

这样厚度的膜与光发生各种作用，具有光学功能性。

即：具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用。

由于这种性质的存在，低温沉积Si3N4减反射膜，以提高太阳能电池的光电转换效率。

1.2.2 用于集成光电子器件介质Si Y N X膜的制备，如半导体集成电路的衬底绝缘膜、多层布线间绝缘膜以及表面纯化膜的生长。

1.2.3 在电子材料当中可制成无针孔的均一膜、网状膜、硬化膜、耐磨膜等。

1.2.4 在半导体工艺中不仅用于成膜，而且用于刻蚀，也是一个较为理想的设备，它可刻0.3μm以下的线条。

目录1.目的 (3)2.范围 (3)3.定义 (3)4.规定性引用文件 (3)5.职责 (3)6.内容 (3)一、目的制定标准的PECVD工序操作规程，规范电池片生产中的各项操作。

二、范围用于电池片生产车间内Centrotherm PECVD工序的作业指导。

三、定义无四、规范性引用文件无五、职责5.1技术部负责生产工艺运行的正常性、稳定性并对产线进行检查、监督。

5.2 设备部负责PE设备开关机、故障分析、设备维护及检修。

5.3制造部负责规范所有操作人员的操作方法，必须严格按照本文件进行操作。

六、内容6.1 PECVD车间工艺卫生规定，见4-5页。

6.2 PECVD工序操作作业指导书，见6-8页。

6.3 LE-100PV 膜厚和折射率测试作业指导书，见9-10页。

6.4石墨舟清洗操作作业指导书，见11-14页。

6.5石墨舟拆卸、维护作业指导书，见15-16页。

6.6附件6.6.1膜厚、折射率记录表，见17页。

6.6.2石墨舟清洗记录表，见18页。

6.6.3石墨舟维护记录表，见19页。

PECVD车间工艺卫生规定1. 环境要求1.1 洁净度需控制在10万级内，车间相对通道压差不得小于5帕。

1.2 温湿度：湿度50±5%，温度控制在22±4℃。

2. 人员要求2.1除当班操作人员外,非当班工作人员不得随便进入生产车间。

2.2进入PECVD间的人员需在进入前检查自身着装（工作服、帽、鞋、口罩、手套，帽子应将头发完全遮住,口罩遮住口鼻，头颈、手腕、足踝处牢固系紧）确认着装符合要求后方可进入。

3. 设备要求3.1 设备维修后，需经过设备人员确认机台可以正常运行且达到工艺卫生要求后方能进行生产。

3.2 PE间的所有设备必须保持表面洁净的状态（用干净的布擦拭后，无明显污染物残留）下进行工作。

3.3 PE间严禁存放纸类的盒子和箱子、木质托盘等易产生灰尘的物品。

3.4 CCC控制主机保持常开状态，周围严禁放置承载盒、硅片、笔记本等物品。

PECVD设备操作作业指导书1.目的确保一次PECVD设备处于良好的运行状态。

2.适用范围PECVD设备操作及保养。

3.参考设备管理程序。

4.责任本规程由设备及工艺工程师负责制定，生产部PECVD员工负责日常的生产操作。

5 内容5.1操作顺序开机前确认水、电、气正常，具体解释为：水：冷却循环水压力（压差）达到0.2~0.4Mpa，电：符合说明书中设备规定的标准；气：包括氮气、硅烷、氨气、压缩空气；开启硅烷瓶阀门，检查压力表低压端压力指示处于0.1~0.2Mpa；开启氨气瓶阀门，检查压力表低压端压力指示处于0.4~0.5Mpa；开启气源柜内硅烷和氨气阀门；对于氮气和压缩空气，由于在设备停机后并不关闭，只要检查压力正常即可，氮气压力为0.2~0.3Mpa，压缩空气为0.5Mpa。

检查正常后可以合上墙上总电源。

注意此时设备部分地方已经带电，请注意安全。

5.2非连续性生产5.2.1按下控制面板的“上电开”按钮，计算机将自动启动；按下“加热开”按钮；5.2.2进入计算机的控制系统，并处于手动模式，将反应管内充氮至常压，打开炉门，检查反应管内有无石墨舟，如果有则必须执行一次“取片”动作，将推舟系统下沉至“升降舟下位”，然后进入自动界面跳转至“取片”步；如果反应管内没有石墨舟，则仍然要对推舟系统进行复位（升降舟中位和上位由旋转编码器定位，无断电保持功能），将推舟系统下沉至“升降舟下位”，在上升至“升降舟上位”，待石墨舟放上推舟杆后进入自动界面，跳转至“送片”，程序将执行正常的工艺步奏。

在运行的过程中应该注意每一步运行是否正常，正常的基本标准是：1慢抽步，主要确认炉门关闭良好，炉口无明显的漏气声音。

慢抽时间约三分钟后压力低于900Pa；主抽步，显示屏上“真空”灯变绿，两分钟后压力低于10Pa；恒温步，同主抽步；恒压步，压力低于300Pa，氨气阀打开，硅烷阀打开，主抽打开；淀积步，高频打开，其它同恒压，注意辉光稳定；抽空步，主抽和慢抽打开；清洗充氮步，充氮阀打开，主抽和满抽打开；充氮步，主抽和慢抽关闭，充氮阀打开，约1.5分钟常压灯亮；取片步，常压灯亮，注意推舟系统全过程，注意石墨舟和石英管的安全性；送片步，常压灯亮，注意推舟系统的全过5.3连续性生产：5.3.1按下控制面板的“上电开”按钮，计算机将自动启动；按下“加热开”按钮；5.3.2保证石英管内无石墨舟，将石墨舟放上后启动自动运行程序，并选择自循环方式，跳转至送片步即可。

PEDCV保养作业指导书——翁自力一、简介PECVD（Piasma Enhanced Chemical Vapor Desposition）即“等离子增强型化学气相沉积”。

PECVD是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。

整个系统主要包括以下主要部件：带有阀门和真空泵的真空腔室（装载腔、反应腔、冷却腔、卸载腔）、等离子源、传送系统、工艺气系统、加热系统、冷却和动力系统，整个系统由计算机集中控制。

如下图所示：1-2-3-4-A-VitonB-上盖密封垫的位置1－室门1 2－室门2 3－室门3 4－室门4二、保养（1）保养目的：整个SiNA系统包含4个由4道阀门隔离起来的真空腔室。

由于在等离子反应的原因，将会在腔室内部将会产生一层反应产物覆盖层，这将会增加抽真空的时间，并且影响到等离子反应，因此腔室需要进行周期性的清洁保养。

（2）保养周期：144-168 h（6-7天）。

（3）保养过程1、开启装载腔、冷却腔、卸载腔的上盖。

具体操作步骤：通过选择操作屏上对应的上盖，点击“cover1”、“cover3”、“cover4”按钮，使按键变为淡绿色，在点击“open”按钮，后同时按下控制面板上的两个控制按钮（1＋2）即可打开腔盖。

2、清理装载腔、冷却腔、卸载腔。

①用真空吸尘器吸走三个腔室内所有的杂质灰尘，并用无尘布或无尘纸蘸酒精擦拭冷却腔、卸载腔上盖表面。

俯视装载腔（左面－底部；右面－安装有灯管加热的上盖）冷却腔的俯视图（左-底部，右-上盖）用蘸有酒精的无尘布擦拭卸载腔的俯视图（左面-底部，右面-安装有附加铝板的上盖）②擦拭各个腔室阀门。

用蘸有酒精的无尘布擦拭各个阀门上的Viton 密封垫及其密封面。

矩形的密封门以及密封面③清洁所有腔室的位置传感器。

用带有一根软管的真空吸尘器对位置传感器前面的窗口进行清洁，按住软管直到软管压在最底部。