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模拟电子电路复习重点

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第0章 绪论

电子系统组成：

模电的核心主线：“电压放大”

模电/数电的区别与联系：信号上：时间/幅度上 是否离散/量化

器 件：三极管工作区域：放大 / 饱和、截至

联系： 理论：采样定理/电路：AD/DA转换

课程要求：基本概念+基本电路+基本分析方法+一定的设计综合（应用）能力。

第1章 常用半导体基础（数/模电基础）

本征/杂志半导体中的两种载流子：多子/少子的概念

PN结原理：多子扩散/少子漂移的平衡及偏置对平衡的影响结果

PN结单向导电性：

二极管等效电路：

三极管特性：（三极2结）

放大原理：

Ib控制IC（流控电流源—>电流分配）

Ube控制IC（压控电流源）

三极管的输入输出特性曲线与三个工作区：

放大（模拟）/饱和截至（数字电路）

温度对三极管输入输出曲线、特性等的影响：温度影响电路性能的本质！

ICBO：增加1倍/10°。

输入曲线：左移 输出曲线：上移动（与二极管相同：沿远点逆时针转动）

场效应管（不要求）

第2章 **基本放大电路（三种放大电路接法）----重点！

放大概念：（电压/电流/功率放大:突出有源器件的作用之一）

衡量电路放大性能的参数及其意义：

Ri：从前往后看到底，包含RL，不含RS

Ro: 从后往前看到底，包含Rs，不含RL

负载效应/匹配的概念---》举例：大马拉小车/小马拉大车

AU/ AUS /AUL定义（负载效应）

其他参数：通频带/非线性失真系数/最大不失真输出电压/最大功率效率等

线性失真/非线性失真区别。

放大电路原理：

直流偏置与信号放大的关系：

非线性系统的分段线性化：

y=kx:线性系统

y=kx+b线性，本质上非线性系统（齐次性+叠加性）

直流分析：正确偏置Q点在线性区!发射结正偏，集电结反偏，会正确判断

交流分析：图解法：特征点/交直流负载线

参数法：h参数低频交流小信号模型

等效参数：

三种方法电路的比较：

共射/共集/共基

等效电阻的“看法”：

三种放大电路接法：

第3章 多级放大电路

1、 耦合方式：直接耦合/非直接耦合比较

2、 多级放大电路的计算（输入输出电阻/放大倍数）： Ri：看到底，往往决定于第一级

Ro：看到底，往往决定于最后级

Au: 多级放大倍数之积(特别注意负载效应！)

后级输入是前级的负载

前级输出是后级的信号源内阻。

3.直接耦合的温漂/零漂问题。（前放的重要性！）

4.**差分放大电路：

VCCRb1+u11Rc1-VEEuoReRb2-u12Rc2T1T2EIE1IE2IB1IB2IC1IC2Idu1Bi1BioduiRoRRc1Rc2+-rbe1rbe2Rb1Rb2+-2BiRL/2RL/22Bi

差模信号:(Ua-Ub) 之差

共模信号:(Ua+Ub)/2 之平均（非之和）

四种接法的比较：

5.有源负载：

电流源偏置：直流电阻很小

电流源负载：交流电阻很大。

6.集成电路性能定量分析

第4章 集成运算放大电路

1. 组成：输入/中间/输出/偏置

2. 基本电流源：镜像/比例（计算） /微电流源（识别，不要求计算）

3. 电流源做负载的优势！ 4. 性能定量估算（结合第三章多级级联）

第5章 频率响应

1. 低通/高通电路的频率响应与波特图

2. 三极管高频等效模型：（不要求计算，会过程）

上、下限频率决定于C所在回路时间常数！）

3. 放大电路频率响应：

4. *多级放大电路频响应（要求频率响应与Bｏｄｅ图之间转换）

上下限频率的计算（要求）

5. 基本电流源：镜像/比例（计算） /微电流源（识别，不要求计算）

5. 电流源做负载的优势！

第6章 ＊＊＊放大电路的反馈

１. 概念：有无：不决定于“结构”而是实质的有无（反馈是否作用）

极性:瞬时极性法

组态：输出（电压）短路法。

４种组态的判断分析与设计！

判断：同端：电压／并联

异端：电流／串联

集成运放／分立元件

设计：会连

反馈组态的判断方法：（直观经验判断，概念验证）

集成运放:

并联取样:电压反馈(Rf与RL并联)

串联取样:电流反馈(Rf与RL串联) 同端输入:并联反馈(运放输入同端)

异端输入:串联反馈(运放输入异端)

分立放大(三极管b极输入为例):

同端取样:电压反馈(C/E同端)

异端取样:电流反馈(C/E异端)

同端输入:并联反馈(B/E同端或者双端输入同端)

异端输入:串联反馈(B/E同端或者双端输入异端)

２. 深度负反馈的计算：（与基本放大电路“无关“）

方法１：利用深度负反馈的概念

方法２：虚短／虚断(结合第７章)

３. 深度负反馈的改善性能：（１＋AF）

４. 负反馈的稳定性与补偿：超前／滞后补偿

第7章 基本运算放大电路

１. 基本运算：同相／反相比例

同相／反相求和

积分／微分

２. 结合仪表运放，对优缺点比较

３. 采用虚短／虚断概念的放大倍数计算，输入输出电阻定性估算

４. 加深有源放大与无源分压电路的本质理解

５．一定的设计能力

６．滤波（四种滤波器概念，传递函数推到和分析）

第8章 波形转换

（１）正弦振荡电路（纹式桥）

“三点式”振荡电路分析：不要求！！ （２）比较器（滞回比较）

（３）波形转换（Ｘ）

第9章 功放

１. 几种功放类型（甲／乙／甲乙／丙／丁）概念

２. OCL功放的计算

３. 功放管参数的选择（X）

第10章 电源

重点：串联稳压电源的原理与计算

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模电各章重点内容及总复习 (2)

模电各章重点内容及总复习 (2)

学习必备

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《模电》第一章重点掌握内容

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一、概念

1、 半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。

2、 半导体奇妙特性：热敏性、光敏性、掺杂性。

3、 本征半导体：完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。

4、 本征激发：环境温度变化或光照产生本征激发，形成电子和空穴，电子带负电，空穴带正电。它们在外电场作用下均能移动而形成电流，所以称载流子。

5、 P型半导体：在纯净半导体中掺入三价杂质元素，便形成P型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，空穴为多数载流子（称多子）而电子为少子。

6、 N型半导体：在纯净半导体中掺入五价杂质元素，便形成N型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，电子为多子、而空穴为少子。

7、 PN结具有单向导电性：P接正、N接负时（称正偏），PN结正向导通，P接负、N接正时（称反偏），PN结反向截止。所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的，而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。

8、 二极管按材料分有硅管(Si管)和锗管(Ge管)，按功能分有普通管，开关管、整流管、稳压管等。

9、 二极管由一个PN结组成，所以二极管也具有单向导电性：正偏时导通，呈小电阻，大电流，反偏

时截止，呈大电阻，零电流。其死区电压：Si管约0。5V，Ge管约为0。1 V ，

其死区电压：Si管约0.5V，Ge管约为0.1 V 。

其导通压降：Si管约0.7V，Ge管约为0.2 V 。这两组数也是判材料的依据。

10、稳压管是工作在反向击穿状态的：

①加正向电压时，相当正向导通的二极管。（压降为0.7V，）

②加反向电压时截止，相当断开。

③加反向电压并击穿（即满足U﹥UZ）时便稳压为UZ 。

11、二极管主要用途：整流、限幅、继流、检波、开关、隔离（门电路）等。

模电各章重点内容及总复习.

模电各章重点内容及总复习.

《模电》第一章重点掌握内容：

一、 概念

1、 半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。

2、 半导体奇妙特性：热敏性、光敏性、掺杂性。

3、 本征半导体：完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。

4、 本征激发：环境温度变化或光照产生本征激发，形成电子和空穴，电子带负电，空穴带正电。它们在外电场作用下均能移动而形成电流，所以称载流子。

5、 P型半导体：在纯净半导体中掺入三价杂质元素，便形成P型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，空穴为多数载流子（称多子）而电子为少子。

6、 N型半导体：在纯净半导体中掺入五价杂质元素，便形成N型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，电子为多子、而空穴为少子。

7、 PN结具有单向导电性：P接正、N接负时（称正偏），PN结正向导通，P接负、N接正时（称反偏），PN结反向截止。所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的，而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。

8、 二极管按材料分有硅管(Si管)和锗管(Ge管)，按功能分有普通管，开关管、整流管、稳压管等。

9、 二极管由一个PN结组成，所以二极管也具有单向导电性：正偏时导通，呈小电阻，大电流，反偏

时截止，呈大电阻，零电流。其死区电压：Si管约0。5V，Ge管约为0。1 V ，

其死区电压：Si管约0.5V，Ge管约为0.1 V 。

其导通压降：Si管约0.7V，Ge管约为0.2 V

。这两组数也是判材料的依据。

10、稳压管是工作在反向击穿状态的：

①加正向电压时，相当正向导通的二极管。（压降为0.7V，）

②加反向电压时截止，相当断开。

③加反向电压并击穿（即满足U﹥UZ）时便稳压为UZ 。

11、二极管主要用途：整流、限幅、继流、检波、开关、隔离（门电路）等。

二、应用举例：（判二极管是导通或截止、并求有关图中的输出电压U0 。三极管复习完第二章再判）

参考答案：a、因阳极电位比阴极高，即二极管正偏导通。是硅管。b 、二极管反偏截止。 f 、因V的阳极电位比阴极电位高，所以二极管正偏导通，（将二极管短路）使输出电压为U0=3V 。G、因V1正向电压为10V，V2正向电压13V，使V2 先导通，（将V2短路）使输出电压U0=3V，而使V1反偏截止。h 、同理，因V1正向电压10V、V2正向电压为7V，所以V1先导通（将V1短路），输出电压U0=0V，使V2反偏截止。（当输入同时为0V或同时为3V，输出为多少，请同学自行分析。）

模电总结复习模拟电子技术基础

模电总结复习模拟电子技术基础

模电总结复习模拟电子技术基础

Document serial number【NL89WT-NY98YT-NC8CB-NNUUT-NUT108】

模电复习资料

第一章 半导体二极管

一.半导体的基础知识

1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。

6. 杂质半导体的特性

*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7. PN结

* PN结的接触电位差---硅材料约为~，锗材料约为~。

* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。

8. PN结的伏安特性

二. 半导体二极管

*单向导电性------正向导通，反向截止。

*二极管伏安特性----同ＰＮ结。

*正向导通压降------硅管~，锗管~。

*死区电压------硅管，锗管。

3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:

若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);

若 V阳

1）图解分析法

该式与伏安特性曲线

的交点叫静态工作点Q。

2) 等效电路法

➢ 直流等效电路法

模电第一章期末知识点总结

模电第一章期末知识点总结

模拟电子技术基础复习要点

一、常用半导体器件

1. 半导体二极管

（1）掌握二极管具有单向导电的特性。用电位的方法来判断二极管是否导通，即，哪个二极管的阳极电位最高，或哪个二极管的阴极电位最低，哪个二极管就优先导通。

（2）注意：理想二极管导通之后相当短路，截止后相当开路。

（3）掌握二极管的动态电阻小，静态电阻大的概念（直流通路恒压源，交流通路小电阻）。

交流的时候把二极管当成一个交流的小电阻，用静态工作点和公式求二极管的电阻值

（4）熟悉二极管的应用（开关、钳位、隔离、保护、整流、限幅）作业：1.3

2. 半导体稳压管

（1）掌握稳压管工作在反向击穿区的特点

只要不超过稳压管的最大功率，电流越大越好

（2）掌握稳压管与一电阻串联时，在电路中起的稳压作用。 （3）掌握稳压管的动态电阻小，静态电阻大的概念。

（3）熟悉稳压管的应用（稳压、限幅）作业：1.5 , 1.6

3. 晶体三极管

（1）熟悉晶体管的电流放大原理（重点掌握Ic=βIb）

（2）掌握NPN型三极管的输出特性曲线。

晶体管有三个级，必然就有BE间的输入，CE间的输出，所以有两组特性曲线。

iB和Ube之间的关系，但是保证Uce是一个恒定值

iC和Uce之间的关系，保证Ib是一个恒定值

关于NPN型管子：管子处于何种状态要根据电压之间的关系来确定。主要是饱和区和截止区之间的区别

（3）掌握三极管的放大、饱和与截止条件。

（4）理解CEOCBOII和的定义及其对晶体管集电极电流的影响。作业：1.9，1.12 ，

共射交流放大倍数β，共基交流放大倍数α≈1

4. 场效应管

（1）能够从转移特性曲线和输出特性曲线识别场效应管类型。

（2）掌握结型场效应管(N沟道)的转移特性和输出特性的意义。

（3）掌握绝缘栅N沟道增强型MOS的转移特性和输出特性的意义。

（4）掌握电流方程，1.4.4 式和1.4.5式 作业：1.14