第八章 光电传感器
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光电传感器工作原理光电传感器是一种利用光电效应将光信号转化为电信号的器件,广泛应用于各个领域,如工业自动化、光学通信、医疗设备等。
了解光电传感器的工作原理对于正确选择和使用光电传感器至关重要。
本文将详细介绍光电传感器的工作原理。
一、光电效应光电传感器的工作原理基于光电效应。
光电效应是指当光照射到某些物质表面时,会产生电子的释放或者挪移。
光电效应的基本原理分为三种类型:光电发射效应、光电吸收效应和内光效应。
1. 光电发射效应光电发射效应是指当光照射到金属表面时,金属表面的电子会被激发,从而从金属表面逸出。
这种效应主要用于光电传感器中的光电二极管。
2. 光电吸收效应光电吸收效应是指当光照射到某些物质表面时,物质会吸收光的能量,产生电子的激发或者挪移。
这种效应主要用于光电传感器中的光电三极管和光敏电阻。
3. 内光效应内光效应是指当光照射到半导体材料中时,会产生电子和空穴的激发和挪移。
这种效应主要用于光电传感器中的光电二极管和光电三极管。
二、光电传感器的组成光电传感器通常由光源、光电元件和信号处理电路组成。
1. 光源光源是光电传感器的重要组成部份,它提供光照射到光电元件上。
常见的光源有发光二极管(LED)、激光二极管等。
不同的应用场景需要选择不同类型的光源。
2. 光电元件光电元件是光电传感器的核心部份,它负责将光信号转化为电信号。
常见的光电元件有光电二极管、光电三极管和光敏电阻等。
- 光电二极管是最常见的光电元件之一,它基于光电发射效应工作。
当光照射到光电二极管上时,光电二极管的导电能力会发生变化,从而产生电信号。
- 光电三极管是一种具有放大功能的光电元件,它基于光电吸收效应或者内光效应工作。
光电三极管能够将光信号转化为电信号,并放大电信号的幅度。
- 光敏电阻是一种基于光电吸收效应的光电元件,它的电阻值会随着光照射的强度变化而变化。
光敏电阻常用于光强检测和光敏电路的控制。
3. 信号处理电路信号处理电路负责将光电元件输出的电信号进行处理,使其能够满足特定的应用需求。
第八章光电式传感器§8-1 真空光电器件作业题1.光电管由一个和一个封装在一个内组成。
它的技术特性主要取决于。
(阴极;阳极;光电阴极材料)2.光电管的光谱特性主要取决于的特性,光电管对入射光的具有选择性,这是因为对入射光的有选择性。
(光电阴极材料;频谱;光电阴极;频谱)3.光电管的伏安特性是指,与的关系。
当阳极电压较小时,光电流随而增加。
到电压以后,光电流,这是因为单位时间内发射的光电子全部被阳极收集了。
(一定光适量照射下;阴极电压;光电流;阳极电压增加;饱和;饱和;发射的光电子)4.光倍增管的结构与基本一样,也是在壳内,安装和,只是在之间再安装几个。
(光电管;玻璃;阳极;阴极;阳极与阴极;倍增级)5.光电倍增管倍增系数大约为数量级,故光电倍增管的极高。
随着的升高,倍增系数也增加。
(106;灵敏度;工作电压)6.当入射光不变时,被照物体在单位时间内与成正比。
(频谱;发射的光电子数;入射光强度)§8-2 光敏元件作业题1.物体受到光照以后,物体内部的原子释放出电子,这些电子仍留在物体内部,使物体的或产生的现象称为。
(电阻率发生变化;光电动势;内光电效应)2.在光线的作用下,半导体的的现象称光电导效应。
(电导率增加)3.光照射使半导体原子中的吸收光子能量激发出的现象,称本征光导效应;光照射使半导体杂质吸收光子能量激发出的现象,称非本征光导效应,它的激发比本征光导效应。
(价电子;自由电子同时产生空穴;自由电子;容易)4.某种半导体能否产生光电效应,决定于照射光的,而光的强度只取决于产生的。
(频率;光子数目的多少)5.光敏电阻是用制成的,极性,是个电阻。
使用时可以加电压,亦可加电压。
不同下电阻值不同,对不同的入射光有的灵敏度。
(光导体;没有;纯;直流;交流;材料;波长;不同)6.将光敏电阻置于室温、条件下,经过一定稳定时间后,测得的阻值称暗电阻;在条件下,测得的阻值称为。
(无光照全暗;光照;亮电阻)7.一定电压作用下,与的关系称为光敏电阻的光电特性。
第八章光电传感器及其应用§8-1传感器及其特性一.传感器的组成:图8-1传感器组成方块图二.传感器的分类P113表7-1三.传感器的一般特性(一).静态特性:线性度、灵敏度、迟滞、重复性1)线性度:传感器的输入——输出是线性关系。
1.优点如下:①.简化理论分析及设计计算;②.方便仪器定标和数据处理;③.使仪表度盘均匀刻度,工艺性好,精度高。
④.避免了非线性补偿。
2.只含有奇次非线性的传感器线性特性好(线性范围大)。
实际传感器一般为非线性,可表示为多项式(不考虑迟滞、蠕变):y=a0+a1x+ a2x2+……+ a n x n不考虑零位输出a0①当仅有偶次非线性项(图b)y= a1x+a2x2+ a4x4+……没对称性,零位附近线性范围窄,很少采用。
②当仅有奇次非线性项(图c)y=a1x+a3x3+ a5x5+……y(-x)=-〔a1x+a3x3+ a5x5+……〕=- y(x)关于原点对称,零位附近线性范围宽,较多使用。
图8-2 传感器的静态特性例如:差动传感器就有较宽的线性范围。
差动传感器一边的输出为:y 1=a 0+a 1x+ a 2x 2+……+ a n x n (例: sin θ) 另一边的反向输出为:y 2=a 0-a 1x+ a 2x 2+……+(-1)na n x n (例: -sin θ) 差动输出为:y= y 1-y 2=2(a 1x +a 3x 3+ a 5x 5+…… ) (例: 2sin θ) 仅含有奇次非线性项,有较宽的线性范围。
3.线性度(误差)e 1=±Y max FS100℅Δmax : 最大非线性绝对误差; y FS :输出满量程。
2) 灵敏度 Sn =dxdy对线性传感器: Sn =dx dy=y/x=a 1 即斜率 差动传感器:Sn = dxdy=d(y 1-y 2)/ dx=2 a 1 比一般传感器的灵敏度高一倍。
3)e 2=±Y max FS∆100℅输出最大误差与满量程之比。