模电练习题

一、填空题1、P型半导体的多子是，N型半导体的多子是,二极管的最主要特性是。

2、三极管是控制元件，场效应管是控制元件。

3、欲构成一个正弦波振荡电路，电路的组成部分应包括、、和。

4、多级放大器级间耦合方式主要有耦合、耦合、耦合和耦合等。

5、当温度升高时，三极管的集电极电流Ic ，发射结压降UBE 。

6、集成运放作线性应用是，必须构成组态；做非线性应用时，必须构成和组态。

7、半导体三极管有两个PN结，即和；三极管的输出特性曲线可以分成三个区,分别是，, 。

8.、乙类互补功放存在失真，可以利用类互补功放来克服9.、在共射、共集两种基本放大电路中，电压放大倍数小的是组态；输入电阻大的是组态，；输出电阻大的是组态；带负载能力强的是组态。

11、放大电路中某三极管三个管脚测得的对地电压分别为5V，1V，1.7V的类型是。

（写出材料和管型）。

12、振荡电路的起振条件包括和。

13、欲构成一个正弦波振荡电路，电路的组成部分应包括、、和环节。

14、按照三极管的工作状态的不同，功率放大电路可以分为、和。

15、若采用市电供电，则通过、、和后可得到稳定的直流电。

16、集成运放作线性应用是，必须构成组态；做非线性应用时，必须构成和组态。

17、三极管放大电路有输入信号时的状态称，此时电路中既有分量，又有分量。

18、三极管放大电路共有三种组态、、放大电路。

19、半导体三极管有两个PN结，即和；三极管的输出特性曲线可以分成三个区,分别是，, 。

20. PN结具有 ， 偏置时导通， 偏置时截止。

21. 正常情况下稳压管工作在 区，具有稳压作用。

22. 温度升高时，晶体管的电流放大系数 ，反向饱和电流I CBO ，发射结正向导通电压U BE 。

23. 放大电路的电压放大倍数为负值，说明输出信号与输入信号相位相差 。

24. 三极管具有电流放大作用的实质是利用 电流实现对 电流的控制。

25．理想运算放大器的开环差模电压放大倍数A ud可认为 ，输入阻抗R id为 ，输出阻 抗R o为 。

2、测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）型。

A (E、B、C) B(B、C、E) C(B、E、C) D(PNP) E(NPN)4、放大器的输入电阻高，表明其放大微弱信号能力（）。

A、强B、弱C、一般为了使放大器带负载能力强，一般引入（）负反馈。

A、电压B、电流C、串联振荡器的输出信号最初是由（）而来的。

A基本放大器 B 选频网络C干扰或噪声引入并联负反馈，可使放大器的（）。

A、输出电压稳定B、反馈环内输入电阻增加C、反馈环内输入电阻减小8、工作在线性区的运算放大器应置于（）状态。

B、A、深度反馈B、开环C、闭环单相桥式整流电容波电路输出电压平均在Uo=( )U2。

A 0.45B 0.9C 1.2P型半导体是在本征半导体内掺杂( )价元素。

A、3B、5C、2D、42、稳压管工作于( )状态下，可以稳定电压。

A、正偏导通B、反偏截止C、反向击穿3、三极管放大的外部条件( )。

A、正偏导通，反偏截止B、正偏截止，反偏导通C、正偏导通，反偏导通D、正偏截止，反偏截止4、既能放大电压，也能放大电流的电路( )。

A、共发射极B、共集电极C、共基级D、以上均不能5、共模抑制比越大，表明电路（）。

A、放大倍数越稳定；B、交流放大倍数越大；C、抑制温漂能力越强；D、输入信号中的差模成分越大。

6、放大电路中为增大输入电阻应引入（）反馈，为稳定输出电压应引入（）反馈，为稳定输出电流应引入（）反馈，为减小输出电阻，应引入（）反馈。

A、电压B、电流C、串联D、并联7、振荡电路中其振荡频率特别稳定的是（）。

A、RC振荡电路B、LC振荡电路C、石英晶体振荡电路2 差模信号是指两个输入信号的（）A、幅值相同相位相同B、幅值不同相位不同C、幅值相同相位相反D、幅值不同相位相反3 要使放大器向信号源索取电流小，同时带负载能力强，应引入________负反馈，射极跟随器是________负反馈。

模电自测练习--填空、选择题（A）====== 二极管 =======*******（填空题）********1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。

PN结在正偏时导通，反偏时截止，这种特性称为单向导电性。

PN结具有单向导电性能，即加正向电压时，PN结导通，加反向电压时，PN结截止。

导通后，硅管的管压降约为 0.7V ，锗管约为 0.2V 。

2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载流子是空穴。

3、PN结的正向接法是P型区接电源的正极，N型区接电源的负极。

P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是电子。

N型半导体中的多数载流子是电子、少数载流子是空穴。

4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。

5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。

稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。

8．硅稳压二极管的稳压电路是由限流电阻、硅稳压二极管与负载电阻组成。

6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。

7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。

8．半导体是一种导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。

半导体按导电类型分为 N 型半导体与 P型半导体。

N型半导体主要靠电子来导电，P型半导体主要靠空穴来导电。

半导体中的空穴带正电。

9、PN结中的内电场阻止多数载流子的扩散运动，促进少数载流子的漂移运动。

10．晶体二极管主要参数是最大正向电流与最高反向电压。

11．晶体二极管按所用的材料可分为锗和硅两类，按PN结的结构特点可分为点接触型和面接触型两种。

按用途可把晶体二极管分为检波二极管，整流二极管；稳压二极管；开关二极管，变容二极管等。

12、点接触型晶体二极管因其结电容小，可用于高频和超高频的场合；面接触型晶体二极管因其接触面积大，可用于大功率的场合。

模电练习题2021-第1章试题及答案1. 纯净的半导体称为本征半导体。

[判断题]对错(正确答案)2. 自由电子带负电，空穴带正电。

[判断题]对(正确答案)错3. 自由电子是载流子，空穴不是。

[判断题]对错(正确答案)4. 本征半导体导电性能很差。

[判断题]对(正确答案)错5. 在半导体内部，只有自由电子是载流子。

[判断题]对错(正确答案)6. 在 P 型半导体中，空穴浓度大于自由电子浓度。

[判断题]对(正确答案)错7. P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。

[判断题]对错(正确答案)8. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度。

[判断题]对(正确答案)错9. 与多数载流子相比，少数载流子的浓度受温度影响大。

[判断题]对(正确答案)错10. 因电场作用所产生的运动称为扩散运动。

[判断题]对错(正确答案)11. PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

[判断题]对(正确答案)错12. 在 PN 结中，P 区的电势比 N 区高。

[判断题]对错(正确答案)13. 当 PN 结外加反向电压时，扩散电流大于漂移电流。

[判断题]对错(正确答案)14. PN 结具有单向导电性，施加正向电压时处于导通，施加反向电压时处于截止，其导通电流的方向由 P 区流向 N 区。

[判断题]对(正确答案)错15. 在 PN 结形成过程中，空穴的扩散运动方向是从 P 区到 N 区。

[判断题]对(正确答案)错16. 漂移运动方向是从 N 区到 P 区。

[判断题]对(正确答案)错17. PN 结形成后，参与扩散运动的载流子数量大于参与漂移运动的载流子数量。

[判断题]对错(正确答案)18. PN 结外加正向电压变化时，结电容近似为扩散电容。

[判断题]对(正确答案)错19. PN 结的单向导电性与外加电压频率无关。

[判断题]对错(正确答案)20. 结电容是常量。

[判断题]对错(正确答案)21. 本征半导体在温度升高后（） [单选题]自由电子和空穴数目都不变自由电子和空穴数目都增加且增量相同(正确答案)22. 在杂质半导体中，温度变化时，（） [单选题]载流子的数目变化(正确答案)少子与多子变化的数目不相同少子与多子浓度的变化相同23. N 型半导体中多数载流子是（） [单选题]空穴自由电子(正确答案)24. 内部自由电子数量和空穴数量相等的半导体是（） [单选题] P 型半导体N 型半导体本征半导体(正确答案)25. 下列半导体材料热敏特性突出的是（） [单选题]本征半导体(正确答案)P 型半导体N 型半导体26. 半导体获得广泛应用的原因是（） [单选题]半导体的电阻介于导体与绝缘体之间半导体可以制作成非常纯净的晶体半导体可以通过掺杂工艺制成 N 型半导体和 P 型半导体半导体具有热敏性、光敏性和特殊的掺杂特性(正确答案)27. 本征半导体中，自由电子和空穴的数目（） [单选题]相等(正确答案)自由电子比空穴的数目多自由电子比空穴的数目少28. P 型半导体的空穴数目多于自由电子，则 P 型半导体呈现的电性为（） [单选题]负电正电电中性(正确答案)29. PN 结加正向电压时，空间电荷区将（） [单选题]变窄(正确答案)基本不变变宽30. 当 PN 结达到动态平衡时，参与扩散运动的载流子数目（）漂移运动的载流子数目。

1.二极管电路如图（a）所示，设二极管为理想的。

（1）试求电路的传输特性（v o～v i特性），画出v o～v i波形；
（2）假定输入电压如图（b）所示，试画出相应的v o波形。

2.测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图所示。

（1）判断它们各是NPN管还是PNP管，在图中标出e，b，c极；
（2）估算(b)图晶体管的 值。

3. 测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。

在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。

3.在图2.8所示电路中，由于电路参数不同，在信号源电压为正弦波时，测得
输出波形如图 2.7（a）、（b）、（c）所示，试说明电路分别产生了什么失真，如何消除。

图 2.7
图2.8
三、计算题
r=100Ω。

电路如下图所示，晶体管的 ＝100，
'
bb
(1)求解电路的Q点；
A 、输入电阻R i和输出电阻R o；
(2) 求电压放大倍数
u
(3) 若R b2和R b1分别断开时，问电路能否正常工作？简述理由。

（4）若电容C e开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？。

【1】电路如图(a)所示。

设为A理想的运算放大器，稳压管DZ的稳定电压等于5V。

（1）若输入信号的波形如图(b)所示，试画出输出电压的波形。

（2）试说明本电路中稳压管的作用。

图(a) 图(b)【相关知识】反相输入比例器、稳压管、运放。

【解题思路】（1）当稳压管截止时，电路为反相比例器。

（2）当稳压管导通后，输出电压被限制在稳压管的稳定电压。

【解题过程】（1）当时，稳压管截止，电路的电压增益故输出电压当时，稳压管导通，电路的输出电压被限制在，即。

根据以上分析，可画出的波形如图(c)所示。

图(c)（2）由以上的分析可知，当输入信号较小时，电路能线性放大；当输入信号较大时稳压管起限幅的作用。

【2】在图(a)示电路中，已知, ，，设A为理想运算放大器，其输出电压最大值为，试分别求出当电位器的滑动端移到最上端、中间位置和最下端时的输出电压的值。

反馈类型？图(a)【相关知识】反相输入比例器。

【解题思路】当时电路工作闭环状态；当时电路工作开环状态。

【解题过程】（1）当的滑动端上移到最上端时，电路为典型的反相输入比例放大电路。

输出电压（2）当的滑动端处在中间位置时，画出输出端等效电路及电流的参考方向如图(b)所示。

图中。

图(b)由图可知以上各式联立求解得代入有关数据得（3）当的滑动端处于最下端时，电路因负反馈消失而工作在开环状态。

此时，反相输入端电位高于同相输入端电位，运放处于负饱和状态。

输出电压。

【3】电压－电流转换电路如图所示，已知集成运放为理想运放，R2＝R3＝R4＝R7＝R，R5＝2R。

求解i L与u I之间的函数关系。

【相关知识】集成运放工作在线性区的特点，“虚短”和“虚断”的分析方法，基本运算电路的识别。

【解题思路】（1）由图判断出集成运放A1和A2分别引入的局部电压反馈为负反馈。

（2）识别集成运放A1和A2分别组成的基本运算电路类型。

（3）根据运算电路类型以及“虚短”和“虚断”的分析方法分别求解u O1以及u O2的表达式，从而得到i L与u I之间的函数关系。

模电考试大题及答案一、计算题（共4题，每题15分，共60分）题目1：共发射极放大电路计算已知共发射极放大电路中，晶体管的静态工作点为Icq=2mA，Vcc=12V，Rc=2.2kΩ，Rb=560Ω，β=100，Re=1.8kΩ，求电路的静态工作点和放大倍数。

答案1：1. 计算静态工作点Icq和Vceq：- Icq = 2mA- Vceq = Vcc - Icq Rc = 12V - 2mA 2.2kΩ = 12V - 4.4V = 7.6V2. 计算静态工作点Ibq：- Ibq = Icq / β = 2mA / 100 = 20μA3. 计算放大倍数A：- A = -β (Rc / (Re + (1 + β (Rc / (Rb + (1 + β (Re / Rc))))) Rc)= -100 (2.2kΩ / (1.8kΩ + (1 + 100 (2.2kΩ / (560Ω + (1 + 100 (1.8kΩ / 2.2kΩ))))) 2.2kΩ) = -100 (2.2kΩ / (1.8kΩ + (1 +100 (2.2kΩ /(560Ω + (1 + 100 (1.8kΩ / 2.2kΩ))))) 2.2kΩ) ≈ -96题目2：差分放大电路计算已知差分放大电路中，两输入端的电压分别为V1=1V，V2=0V，电源电压Vcc=12V，电阻R1=R2=10kΩ，R3=20kΩ，R4=5kΩ，R5=R6=2kΩ，求电路的输出电压。

答案2：1. 计算差分放大电路的静态工作点：- 由于V1=V2，差分放大电路的静态工作点为0V。

2. 计算输出电压Vout：- Vout = (V1 - V2) (R4 / (R3 + R4)) = (1V - 0V) (5kΩ / (20kΩ + 5kΩ)) = 1V (5kΩ / 25kΩ) = 0.2V题目3：运算放大器电路计算已知运算放大器电路中，输入电压Vin=1V，反馈电阻Rf=10kΩ，输入电阻Ri=1kΩ，求电路的输出电压Vout。

模拟电子技术基础试卷及答案一、填空（18分）1．二极管最主要的特性是 单向导电性 . 3．差分放大电路中，若u I1=100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id =20μV;共模输入电压u Ic=90μV 。

4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时,可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。

6．乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。

这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78。

5％ ，但这种功放有 交越 失真.二、选择正确答案填空（20分）1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，—10 V ，-9。

3 V ，则这只三极管是（ A )。

A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管 D 。

PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为( D ）。

A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管C 、N 沟道增强型MOS 管D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。

A ．输入电阻高B 。

输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大 6。

RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D )。

A. 基本共射放大电路 B 。

基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路7。

已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示，该电路可能是（ A ）. A.积分运算电路 B.微分运算电路 C 。

过零比较器 D 。

滞回比较器8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。

a ．不用输出变压器b ．不用输出端大电容c ．效率高d ．无交越失真 9．稳压二极管稳压时,其工作在（ C ），发光二极管发光时，其工作在（ A )。

模电期末考试题目及答案一、选择题（每题3分，共30分）1. 在理想运算放大器中，输入端的输入电阻是（）。

A. 有限值B. 零C. 无穷大D. 零或无穷大答案：C2. 共发射极放大电路中，若要使输出电压增大，应使基极电流（）。

A. 增大B. 减小C. 保持不变D. 先增大后减小答案：A3. 差分放大电路中，当输入信号为零时，输出电压为（）。

A. 零B. 正半周期C. 负半周期D. 正负半周期答案：A4. 场效应管工作在饱和区的条件是（）。

A. VDS > VGSB. VDS < VGSC. VDS > (VGS - Vth)D. VDS < (VGS - Vth)答案：C5. 理想运算放大器的输出电阻是（）。

A. 有限值B. 零C. 无穷大D. 零或无穷大答案：C6. 晶体三极管的放大作用是利用（）。

A. 电子的发射B. 电子的扩散C. 电子的漂移D. 电子的注入答案：C7. 共基极放大电路的输入阻抗与输出阻抗相比（）。

A. 输入阻抗大B. 输出阻抗大C. 相等D. 不确定答案：B8. 差分放大电路的差模输入信号是（）。

A. 两个输入端电压相等B. 两个输入端电压相反C. 两个输入端电流相等D. 两个输入端电流相反答案：B9. 场效应管的跨导是（）。

A. 漏极电流与栅源电压之比B. 漏极电流与漏源电压之比C. 漏极电流与栅漏电压之比D. 漏源电压与栅源电压之比答案：C10. 理想运算放大器的共模抑制比是（）。

A. 有限值B. 零C. 无穷大D. 零或无穷大答案：C二、填空题（每题2分，共20分）1. 在共发射极放大电路中，若要提高电压放大倍数，可以增大________。

答案：集电极电阻2. 差分放大电路的共模抑制比定义为差模电压放大倍数与共模电压放大倍数的________。

答案：比值3. 场效应管的漏极电流与栅源电压之间的关系是________。

答案：非线性关系4. 晶体三极管的电流放大系数β定义为集电极电流与基极电流之________。

模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷三及其参考答案试卷三一、选择题（这是四选一的选择题，选择一个正确的答案填在括号内）（共16分）1．有两个增益相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。

在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（）a. 输入电阻大b. 输入电阻小c. 输出电阻大d. 输出电阻小2．共模抑制比K CMR越大，表明电路（）。

a. 放大倍数越稳定b. 交流放大倍数越大c. 抑制温漂能力越强d. 输入信号中的差模成分越大3．多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（）。

a. 变宽b. 变窄c. 不变d. 与各单级放大电路无关4．一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。

当信号频率恰好为上限频率或下限频率时，实际的电压增益为（）。

a. 43dBb. 40dBc. 37dBd. 3dB图1-4 图1-55．LC正弦波振荡电路如图1-5所示，该电路（）。

a. 满足振荡条件，能产生正弦波振荡b. 由于无选频网络，不能产生正弦波振荡c. 由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡d. 由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡6．双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。

已知静态时，V o=V c1－V c２＝０，设差模电压增益100vd =A ，共模电压增益mV 5V mV,10,0i2i1c ===V A V ，则输出电压o V 为（ ）。

a. 125mVb. 1000 mVc. 250 mVd. 500 mV图1-6 图1-77．对于图1-7所示的复合管，假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流，则复合管的穿透电流CEO I 为（ ）。

a. CEO2CEO I I =b. CEO2CEO1CEO I I I +=c. CEO1CEO I I =d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++=8．某仪表放大电路，要求R i 大，输出电流稳定，应选（ ）。

坑爹的模电试卷编号01………………………………………………………………………………………………………………一、填空（本题共20分，每空1分）：1．整流电路的任务是__________；滤波电路的任务是__________。

2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__________而产生的，漂移运动是__________作用下产生的。

3．放大器有两种不同性质的失真，分别是__________失真和__________失真。

4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是__________的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__________的影响。

5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是__________；引入交流负反馈的作用是___________。

6．正弦波振荡电路一般由__________、__________、__________、__________这四个部分组成。

7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__________，总的放大倍数为__________。

8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__________信号的放大无影响，对__________信号的放大具有很强的抑制作用。

共模抑制比K CMR为__________之比。

9．某放大电路的对数幅频特性如图1所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为__________dB。

图1二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）：1、（）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。

2、（）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。

3、（）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。

4、（）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。

清华大学华成英
hchya@ 华成英hchya@
讨论一
1. 用NPN 型晶体管组成一个在本节课中未见
过的共射放大电路。

2. 用PNP 型晶体管组成一个共射放大电路。

3.画出图示电路的直流通路和交流通路。

讨论二 华成英hchya@ 讨论一
1. 在什么参数、如何变化时Q 1→Q 2→Q 3→Q 4？
2. 从输出电压上看，哪个Q 点下最易产生截止失真？哪
个Q 点下最易产生饱和失真？哪个Q 点下U om 最大？
3. 设计放大电路时，应根据什么选择V CC ？
讨论三 图示两个电路中是否采用了措施来稳定静态工作点？若采
用了措施，则是什么措施？
讨论四：
图示电路为哪种基本接法的放大电路？它们的静态工作点有可能稳定吗？求解静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻的表达式。

三极管连接方式总结：
讨论五：。

模电考试答题及答案一、选择题1. 在模拟电路中，三极管工作在放大区的条件是（）。

A. 基极电流大于零B. 发射结正向偏置，集电结反向偏置C. 发射结反向偏置，集电结正向偏置D. 发射结和集电结都正向偏置答案：B2. 理想运算放大器的输入电阻是（）。

A. 有限值B. 零C. 无穷大D. 负无穷大答案：C3. 共发射极放大电路中，输出信号与输入信号相位（）。

A. 相同B. 相反C. 相差90度D. 相差180度答案：B二、填空题1. 在共基极放大电路中，输出电压与输入电压相位（）。

答案：相同2. 晶体三极管的三种工作状态分别是截止区、放大区和（）。

答案：饱和区3. 运算放大器的两个输入端分别是（）和（）。

答案：反相输入端、同相输入端三、简答题1. 简述差分放大电路的基本工作原理。

答案：差分放大电路是一种具有两个输入端的放大电路，其基本工作原理是利用两个三极管的参数匹配和电路对称性来放大两个输入信号之间的差值。

当两个输入端的电压相等时，输出为零；当两个输入端的电压不等时，电路会放大这两个电压之间的差值，从而实现差分放大的效果。

2. 什么是负反馈？负反馈对放大器性能有哪些影响？答案：负反馈是指将放大器的输出信号的一部分或全部以反相的方式送回到输入端。

负反馈可以提高放大器的稳定性，减小非线性失真，增加放大器的带宽，并且可以提高放大器的输入和输出电阻。

但是，负反馈也会降低放大器的增益。

四、计算题1. 给定一个共发射极放大电路，其静态工作点为Ic=2mA，β=100，Rc=2kΩ，Re=500Ω，求该电路的电压放大倍数Av。

答案：首先，根据静态工作点，我们可以计算出Ie=Ic+Ib=2mA+(2mA/100)=2.02mA。

然后，根据电压放大倍数的公式Av=-β(Rc/Re+1)，代入数值得到Av=-100(2000/500+1)=-500。

2. 给定一个理想运算放大器电路，其输入端电压Vin=1V，反馈电阻Rf=10kΩ，输入电阻Ri=1kΩ，求输出电压Vout。

模电实验考试题库及答案1. 什么是半导体材料的本征导电性？请简述其特点。

答案：半导体材料的本征导电性是指在绝对零度时，半导体材料中电子和空穴的浓度相等，且不为零，从而使得半导体具有导电性。

其特点是在绝对零度下，半导体的导电性不依赖于杂质，而是由于材料本身的电子结构决定。

2. 描述PN结形成的过程及其导电特性。

答案：PN结是由P型半导体和N型半导体接触形成的，形成过程中，P 型半导体中的空穴和N型半导体中的电子会相互扩散，导致在接触区域形成一个耗尽区，其中没有自由载流子。

PN结的导电特性表现为单向导电性，即只允许电流从P型半导体流向N型半导体，而不允许反向电流通过。

3. 欧姆定律在半导体二极管中是否适用？为什么？答案：欧姆定律在半导体二极管中不完全适用。

因为半导体二极管的导电特性是非线性的，其电流与电压之间的关系不是简单的线性关系，而是遵循指数关系。

在正向偏置时，二极管的电流随电压增加而急剧增加；而在反向偏置时，电流几乎为零。

4. 什么是晶体三极管的放大作用？请简述其工作原理。

答案：晶体三极管的放大作用是指在适当的偏置条件下，三极管能够将输入信号的电压或电流放大。

其工作原理是：通过控制基极电流的大小，可以改变集电极和发射极之间的电流，从而实现对输入信号的放大。

5. 描述共发射极放大电路的静态工作点，并说明其重要性。

答案：共发射极放大电路的静态工作点是指在没有输入信号时，电路中的工作状态。

具体来说，静态工作点由基极电流IB、集电极电流IC 和集电极-发射极电压VCE组成。

静态工作点的重要性在于，它决定了放大电路的稳定性和放大倍数，如果静态工作点选择不当，可能会导致放大电路的失真或损坏。

6. 什么是反馈？请简述正反馈和负反馈的区别。

答案：反馈是指放大电路输出信号的一部分或全部通过某种方式返回到输入端的过程。

正反馈是指输出信号的反馈与输入信号同相，从而增强输入信号，可能导致电路的振荡或不稳定；负反馈是指输出信号的反馈与输入信号反相，从而减弱输入信号，可以提高电路的稳定性和增益精度。

模电考试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，以下哪个元件不是基本的模拟电路元件？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 逻辑门答案：D2. 运算放大器的开环增益通常在什么范围内？A. 10^1B. 10^2C. 10^3D. 10^5 至 10^6答案：D3. 下列哪个不是模拟信号的特点？A. 连续性B. 可量化性C. 可模拟性D. 可放大性答案：B4. 一个理想的运算放大器具有以下哪个特性？A. 有限的输入阻抗B. 有限的输出阻抗C. 无限的增益带宽积D. 有限的电源电压答案：C5. 在模拟电路设计中，以下哪个不是噪声的来源？A. 电源B. 电阻C. 运算放大器D. 外部电磁干扰答案：B6. 一个二阶低通滤波器的截止频率是1kHz，若要将其转换为高通滤波器，其截止频率将如何变化？A. 增加B. 减少C. 不变D. 无法确定答案：A7. 什么是共模抑制比（CMRR）？A. 差模增益与共模增益的比值B. 差模增益与共模抑制的比值C. 差模抑制与共模增益的比值D. 共模增益与差模增益的比值答案：B8. 一个理想二极管的正向导通电压是多少？A. 0VB. 0.7VC. 1.5VD. 3.3V答案：B9. 在模拟电路设计中，以下哪个不是电源管理的考虑因素？A. 电源纹波B. 电源效率C. 电源稳定性D. 电源的频率响应答案：D10. 什么是增益带宽积（GBW）？A. 放大器的增益与带宽的乘积B. 放大器的增益与截止频率的比值C. 放大器的带宽与截止频率的比值D. 放大器的增益与截止频率的乘积答案：A二、简答题（每题10分，共30分）1. 简述运算放大器的基本应用之一——非反相放大器的工作原理。

答案：非反相放大器是一种基本的运算放大器应用，其工作原理基于运算放大器的虚短和虚断特性。

在非反相放大器中，输入信号被连接到运算放大器的非反相输入端，输出信号则从运算放大器的输出端获得。

由于运算放大器的高增益，输出信号是输入信号的线性放大版本，其增益由反馈电阻和输入电阻的比值决定。

练习题1、单项选择题。

1、晶闸管可能导通的条件是。

（A）A.阳极加正向电压,门极有正向脉冲B.阳极加正向电压,门极有负向脉冲C.阳极加反向电压,门极有正向脉冲D.阳极加反向电压,门极有负向脉冲2、电阻性负载三相半波可控整流电路中,控制角的范围是（B）A、30～150°B、0°～120°C、15°～125°D、0°～150°3、降压斩波电路中,已知斩波周期T＝3ms,电源电压U d＝15v,负载电压U o＝10V,则开通时t om＝()A、lmsB、2msC、3msD、4ms4、晶体管的输入特性曲线是当u cE为常量时,晶体管与基极和发射极之间的电压u BE的关系。

（A）A、基极电流i BB、集电极电流i cC、集电极最大允许电流I omD、极间间反向电流I CBO5、N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是(C)A、U DsQ≥U GSDB、U DSQ≥U GS(th)C、U DSQ≥U GSQ－U GS(th)D、U DSQ≥U GSQ+U GS(th)6、集成运放工作在非线性区时,下列说法正确的是(C)A、同时存在“虚短”和“虚断”；B、同时不存在“虚短”“虚断”；C、不存在“虚短”存在“虚断”;D、存在“虚短”、不存在“虚断”；所对应的二进制数为（D）7、十六进制数(37.B)16A、(00111101.1011)2B、(00110111.1001)2C、(00111101.1001)2D、(00110111.1011)28、由或非门构成的基本RS触发器,当R D、S D都接高电平时,该触发器具有（C）A、置“1”功能"B、置“0”功能C、保持功能D、不定功能9、有一个稳态和一个暂稳态的电路是（B）A、多谐振荡器B、单稳态触发器C、施密特触发器D、双稳态触发器10、异或逻辑关系的逻辑表达式为（B）A、Y＝A□BB、Y＝A○﹢BC、F＝A·BD、Y＝A+B11、N型半导体是通过在本征半导体中掺入少量的形成的。

模电期末考试试题及答案一、选择题（每题3分，共30分）1. 在理想运算放大器中，输入端的输入电流为（）。

A. 0B. 非零值C. 正无穷D. 负无穷答案：A2. 共发射极放大电路中，若集电极电流增大，则基极电流将（）。

A. 增大B. 减小C. 保持不变D. 无法确定答案：A3. 晶体三极管工作在放大区的条件是（）。

A. VBE > 0.7V，VCE > VBEB. VBE < 0.7V，VCE < VBEC. VBE > 0.7V，VCE < VBED. VBE < 0.7V，VCE > VBE答案：A4. 差分放大电路的差模输入信号是指（）。

A. 两个输入端电压大小相等，相位相反B. 两个输入端电压大小不等，相位相反C. 两个输入端电压大小相等，相位相同D. 两个输入端电压大小不等，相位相同答案：C5. 负反馈可以（）。

A. 增加放大倍数B. 减少非线性失真C. 增加电路的稳定性D. 增加输入电阻答案：C6. 场效应管的漏极电流ID与栅源电压VGS之间的关系是（）。

A. 线性关系B. 非线性关系C. 无关系D. 反比关系答案：B7. 理想运算放大器的开环增益是（）。

A. 有限值B. 很大C. 很小D. 0答案：B8. 共基极放大电路的输入阻抗和输出阻抗分别是（）。

A. 低，高B. 高，低C. 低，低D. 高，高答案：B9. 晶体三极管的电流放大系数β是指（）。

A. 集电极电流与基极电流之比B. 发射极电流与基极电流之比C. 集电极电流与发射极电流之比D. 发射极电流与集电极电流之比答案：A10. 电路中引入负反馈后，可以（）。

A. 增加放大倍数B. 增加非线性失真C. 增加电路的稳定性D. 增加输入电阻答案：C二、填空题（每题2分，共20分）1. 理想运算放大器的输入端输入电流为________，输出电压为________。

答案：0，±Vcc2. 晶体三极管工作在饱和区的条件是VCE ≤ ________。