宁波江东区MOS测试报告

MOS测试报告1概述 (3)1.1语音质量测试方法及原理 (3)1.2测试工具 (4)1.3测试项目 (5)2DTX功能对MOS值的影响（EFR情况下） (6)2.1测试目的 (6)2.2测试原理 (6)2.3开启UL_DTX，关闭DL_DTX (6)2.4开启DL_DTX，关闭UL_DTX (6)2.5关闭UL_DTX和DL_DTX (7)2.6开启UL_DTX和DL_DTX (7)2.7DTX对MOS的影响小结 (7)3上下行功率控制对MOS值的影响（无线环境较好） (8)3.1测试目的 (8)3.2开启UL_PWRC，关闭DL_PWRC (8)3.3开启DL_PWRC，关闭UL_PWRC (8)3.4关闭UL_PWRC和DL_PWRC (8)3.5开启UL_PWRC和DL_PWRC (8)3.6功率控制对MOS的影响 (9)4话音编码速率不同对MOS值的影响（无线环境较好） (10)4.1测试目的 (10)4.2测试原理 (10)4.3采用增强型全速率编码 (11)4.4采用全速率编码 (11)4.5采用半速率编码 (11)4.6话音编码速率不同对MOS的影响 (12)5话音编码速率不同对MOS值的影响（无线环境较差） (13)5.1测试目的 (13)5.2采用增强型全速率编码 (13)5.3采用全速率编码 (13)5.4采用半速率编码 (13)5.5话音编码速率不同对MOS的影响 (14)6切换对MOS值的影响 (15)6.1测试目的 (15)6.2测试原理 (15)6.3设置为EFR时的测试情况 (15)6.4设置为HR时的测试情况 (16)6.5设置为EFR＋HR时的测试情况 (17)6.6切换对MOS值的影响小结 (18)7总结 (19)1概述随着运营商之间的竞争日趋激烈，用户对网络质量的要求也越来越高，网络质量成为市场竞争的最主要因素。

由于通过RXQUAL或比特误码率来评估语音质量的方法存在较大的局限性，目前陆续开始采用MOS测试法，可对语音质量进行较客观的评估，做好MOS指标优化对于提高市场竞争力将具有重要意义。

EFR，FR和HR MOS课题研究 Nokia Siemens Networks目录1概述 ______________________________________________________________________ 42专题研究流程图_____________________________________________________________ 53语音质量测量和量化标准的发展史 _______________________________________________ 73.1MOS语音质量量化的定义_____________________________________________________ 7 3.2PESQ评估方法的介绍 ________________________________________________________ 8 3.3PESQ的基本原理____________________________________________________________ 8 3.4PESQ的应用 _______________________________________________________________ 84MOS的测试方法___________________________________________________________ 104.1NEMO Outdoor ____________________________________________________________ 10 4.1.1测试系统的要求____________________________________________________________ 10 4.1.2测试系统的解决方案_________________________________________________________ 10 4.2NetQual __________________________________________________________________ 12 4.2.1测试系统的组成____________________________________________________________ 12 4.2.2语音质量的测试____________________________________________________________ 13 4.3TEMS INVESTIGATION ______________________________________________________ 14 4.4华星MOS Flywireless前台测试 ________________________________________________ 16 4.4.1Flywireless配置与运行_______________________________________________________ 16 4.4.2设备连接__________________________________________________________________ 17 4.4.3设备配置__________________________________________________________________ 18 4.4.4测试任务设置 ______________________________________________________________ 18 4.4.5开始测试__________________________________________________________________ 21 4.5华星MOS Flywireless后台处理 ________________________________________________ 22 4.5.1MOS文件的处理___________________________________________________________ 22 4.5.2华星GSM Flywireless后台数据处理____________________________________________ 255华星MOS 现场测试结果_____________________________________________________ 285.110130 小区EFR, FR 和HR MOS测试结果 _______________________________________ 29 5.1.1EFR _____________________________________________________________________ 29 5.1.2FR ______________________________________________________________________ 29 5.1.3HR ______________________________________________________________________ 30 5.2其他小区的MOS定点测试。

mos工艺流程实验报告下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。

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MOS测试报告1概述 (3)1.1语音质量测试方法及原理 (3)1.2测试工具 (4)1.3测试项目 (5)2DTX功能对MOS值的影响（EFR情况下） (6)2.1测试目的 (6)2.2测试原理 (6)2.3开启UL_DTX，关闭DL_DTX (6)2.4开启DL_DTX，关闭UL_DTX (6)2.5关闭UL_DTX和DL_DTX (7)2.6开启UL_DTX和DL_DTX (7)2.7DTX对MOS的影响小结 (7)3上下行功率控制对MOS值的影响（无线环境较好） (8)3.1测试目的 (8)3.2开启UL_PWRC，关闭DL_PWRC (8)3.3开启DL_PWRC，关闭UL_PWRC (8)3.4关闭UL_PWRC和DL_PWRC (8)3.5开启UL_PWRC和DL_PWRC (8)3.6功率控制对MOS的影响 (9)4话音编码速率不同对MOS值的影响（无线环境较好） (10)4.1测试目的 (10)4.2测试原理 (10)4.3采用增强型全速率编码 (11)4.4采用全速率编码 (11)4.5采用半速率编码 (11)4.6话音编码速率不同对MOS的影响 (12)5话音编码速率不同对MOS值的影响（无线环境较差） (13)5.1测试目的 (13)5.2采用增强型全速率编码 (13)5.3采用全速率编码 (13)5.4采用半速率编码 (13)5.5话音编码速率不同对MOS的影响 (14)6切换对MOS值的影响 (15)6.1测试目的 (15)6.2测试原理 (15)6.3设置为EFR时的测试情况 (15)6.4设置为HR时的测试情况 (16)6.5设置为EFR＋HR时的测试情况 (17)6.6切换对MOS值的影响小结 (18)7总结 (19)1概述随着运营商之间的竞争日趋激烈，用户对网络质量的要求也越来越高，网络质量成为市场竞争的最主要因素。

由于通过RXQUAL或比特误码率来评估语音质量的方法存在较大的局限性，目前陆续开始采用MOS测试法，可对语音质量进行较客观的评估，做好MOS指标优化对于提高市场竞争力将具有重要意义。

语音质量（MOS）专题分析PESQ MOS专题分析：目前话音质量分析主要采用语音感知MOS指标、下行误码率指标（rxqual）。

其中语音感知MOS指标包含了下行误码率、切换、时延等多种因素。

本专题主要针对第一阶段的数据对MOS指标进行专题分析。

表：GSM第一阶段人工和自动路测MOS指标对比表备注：2G中，人工测试均为华星的MOS盒；3G和自动路测均采用鼎利的MOS盒。

一鼎利MOS盒分析，五网质量对比情况）；华星仪表为直接PESQ值（2.2），三者之间有一定的关系，但并不一致。

从上图分析可以看出，指标排名如下：1)以2.5为标准，质量高低分别为联通W网、电信C网、联通GSM网络、移动GSM网络、移动TD-SCDMA网络；2)以3.3分为标准，质量高低分别为联通W网络、电信C网络、移动GSM网络、联通GSM网络、移动TD-SCDMA网络；3)以大于3.5为标准，质量高低分别为联通W网络、移动GSM网咯、联通GSM网络、移动TD-SCDMA网络、电信CDMA网络；结论：从自动路测（鼎利）的PESQ计算方法上看，电信CDMA网络话音质量高于3.5分的比例较低，但是高于3.3和3.1分的比例很高。

按照大于3.3（或者3.3以下）的比例，CDMA的MOS质量要好于联通和移动的GSM网络。

二华星MOS和分析，三网对比测试情况；结论：从flywire（华星）的PESQ计算方法上看，电信CDMA网络话音质量一直很低，在各个分数段均明显低于联通和移动的GSM网络。

三PESQ MOS指标测试研究从1..5.1和1.5.2可以看出，华星PESQ MOS的分值和鼎利PESQ MOS分值相差较大。

特别是CDMA 的MOS分值，在对比中的排名完全相反。

因此我们对PESQ的MOS算法进行了专题测试和研究分析。

1.研究结论如下：1．不同测试厂家的MOS盒使用不同标准，如自动路测采用P862.1标准，分数为PESQ-LQ；华星flywire MOS算法采用P862.2标准，所选值为PESQ score；3G测试MOS盒采用P862.2标准，选值为PESQ-MOS分值；2．语音样本格式不同，华星采用PCM格式，鼎利使用WAV格式，规范定义采用WAV格式（两者相差微小）；3．MOS盒硬件实现方式不同：MOS盒测试CDMA差别大，其中华星MOS盒原因为MOS到手机两端均为耳塞插孔，失真较大；而鼎利MOS盒在CDMAMOS评估的时候采用模块化的设计，失真较少。

场效应晶体管参数测量的实验报告(共9篇)实验2、场效应晶体管参数测量实验二场效应晶体管特性的测量与分析一前言场效应晶体管不同于一般的双极晶体管。

场效应晶体管是一种电压控制器件。

从工作原理看，场效应晶体管与电子管很相似，是通过改变垂直于导电沟道的电场强度去控制沟道的导电能力，因而称为“场效应”晶体管。

场效应晶体管的工作电流是半导体中的多数载流子的漂移流，参与导电的只有一种载流子，故又称“单极型”晶体管。

通常用“FET”表示。

场效应晶体管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（MISFET）两大类。

目前多数绝缘栅型场效应应为金属-氧化物-半导体（MOS）三层结构，缩写为MOSFET。

本实验对结型、MOS型场效应管的直流参数进行检测。

场效应管按导电沟道和工作类型可分为：???耗尽型??n沟????增强型MOSFET???耗尽型?? FET?p沟??增强型?????JFET?n沟?耗尽型???p沟???检测场效应管特性，可采用单项参数测试仪或综合参数测试仪。

同时，场效应管与双极管有许多相似之处，故通常亦采用XJ4810半导体管图示仪检测其直流参数。

本实验目的是通过利用XJ4810半导体管图示仪检测场效应管的直流参数，了解场效应管的工作原理及其与双极晶体管的区别。

二实验原理1. 实验仪器实验仪器为XJ4810图示仪，与测量双极晶体管直流参数相似，但由于所检测的场效应管是电压控制器件，测量中须将输入的基极电流改换为基极电压，这可将基极阶梯选择选用电压档（伏/级）；也可选用电流档（毫安/级），但选用电流档必须在测试台的B-E间外接一个电阻，将输入电流转换成输入电压。

测量时将场效应管的管脚与双极管脚一一对应，即G（栅极）? B（基极）；S（源极）? E（发射极）；D（漏极）? C（集电极）。

值得注意的是，测量MOS管时，若没有外接电阻，必须避免阶梯选择直接采用电流档，以防止损坏管子。

另外，由于场效应管输入阻抗很高，在栅极上感应出来的电荷很难通过输入电阻泄漏掉，电荷积累会造成电位升高。

场效应晶体管参数测量的实验报告(共9篇)实验2、场效应晶体管参数测量实验二场效应晶体管特性的测量与分析一前言场效应晶体管不同于一般的双极晶体管。

场效应晶体管是一种电压控制器件。

从工作原理看，场效应晶体管与电子管很相似，是通过改变垂直于导电沟道的电场强度去控制沟道的导电能力，因而称为“场效应”晶体管。

场效应晶体管的工作电流是半导体中的多数载流子的漂移流，参与导电的只有一种载流子，故又称“单极型”晶体管。

通常用“FET”表示。

场效应晶体管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（MISFET）两大类。

目前多数绝缘栅型场效应应为金属-氧化物-半导体（MOS）三层结构，缩写为MOSFET。

本实验对结型、MOS型场效应管的直流参数进行检测。

场效应管按导电沟道和工作类型可分为：???耗尽型??n沟????增强型MOSFET???耗尽型?? FET?p沟??增强型?????JFET?n沟?耗尽型???p沟???检测场效应管特性，可采用单项参数测试仪或综合参数测试仪。

同时，场效应管与双极管有许多相似之处，故通常亦采用XJ4810半导体管图示仪检测其直流参数。

本实验目的是通过利用XJ4810半导体管图示仪检测场效应管的直流参数，了解场效应管的工作原理及其与双极晶体管的区别。

二实验原理1. 实验仪器实验仪器为XJ4810图示仪，与测量双极晶体管直流参数相似，但由于所检测的场效应管是电压控制器件，测量中须将输入的基极电流改换为基极电压，这可将基极阶梯选择选用电压档（伏/级）；也可选用电流档（毫安/级），但选用电流档必须在测试台的B-E间外接一个电阻，将输入电流转换成输入电压。

测量时将场效应管的管脚与双极管脚一一对应，即G（栅极）? B（基极）；S（源极）? E（发射极）；D（漏极）? C（集电极）。

值得注意的是，测量MOS管时，若没有外接电阻，必须避免阶梯选择直接采用电流档，以防止损坏管子。

另外，由于场效应管输入阻抗很高，在栅极上感应出来的电荷很难通过输入电阻泄漏掉，电荷积累会造成电位升高。

MOS测试报告1概述 (3)1.1语音质量测试方法及原理 (3)1.2测试工具 (4)1.3测试项目 (5)2DTX功能对MOS值的影响（EFR情况下） (6)2.1测试目的 (6)2.2测试原理 (6)2.3开启UL_DTX，关闭DL_DTX (6)2.4开启DL_DTX，关闭UL_DTX (6)2.5关闭UL_DTX和DL_DTX (7)2.6开启UL_DTX和DL_DTX (7)2.7DTX对MOS的影响小结 (7)3上下行功率控制对MOS值的影响（无线环境较好） (8)3.1测试目的 (8)3.2开启UL_PWRC，关闭DL_PWRC (8)3.3开启DL_PWRC，关闭UL_PWRC (8)3.4关闭UL_PWRC和DL_PWRC (8)3.5开启UL_PWRC和DL_PWRC (8)3.6功率控制对MOS的影响 (9)4话音编码速率不同对MOS值的影响（无线环境较好） (10)4.1测试目的 (10)4.2测试原理 (10)4.3采用增强型全速率编码 (11)4.4采用全速率编码 (11)4.5采用半速率编码 (11)4.6话音编码速率不同对MOS的影响 (12)5话音编码速率不同对MOS值的影响（无线环境较差） (13)5.1测试目的 (13)5.2采用增强型全速率编码 (13)5.3采用全速率编码 (13)5.4采用半速率编码 (13)5.5话音编码速率不同对MOS的影响 (14)6切换对MOS值的影响 (15)6.1测试目的 (15)6.2测试原理 (15)6.3设置为EFR时的测试情况 (15)6.4设置为HR时的测试情况 (16)6.5设置为EFR＋HR时的测试情况 (17)6.6切换对MOS值的影响小结 (18)7总结 (19)1概述随着运营商之间的竞争日趋激烈，用户对网络质量的要求也越来越高，网络质量成为市场竞争的最主要因素。

由于通过RXQUAL或比特误码率来评估语音质量的方法存在较大的局限性，目前陆续开始采用MOS测试法，可对语音质量进行较客观的评估，做好MOS指标优化对于提高市场竞争力将具有重要意义。

实验一：TTL集成逻辑门的逻辑功能与参数测试一、实验目的1、掌握TTL集成与非门的逻辑功能和主要参数的测试方法2、掌握TTL器件的使用规则3、进一步熟悉数字电路实验装置的结构，基本功能和使用方法二、实验原理本实验采用四输入双与非门74LS20，即在一块集成块内含有两个互相独立的与非门，每个与非门有四个输入端。

其逻辑框图、符号及引脚排列如图2－1(a)、(b)、(c)所示。

(b)（a） (c)图2－1 74LS20逻辑框图、逻辑符号及引脚排列1、与非门的逻辑功能与非门的逻辑功能是：当输入端中有一个或一个以上是低电平时，输出端为高电平；只有当输入端全部为高电平时，输出端才是低电平（即有“0”得“1”，全“1”得“0”。

）其逻辑表达式为 Y＝2、TTL与非门的主要参数(1)低电平输出电源电流ICCL 和高电平输出电源电流ICCH与非门处于不同的工作状态，电源提供的电流是不同的。

ICCL是指所有输入端悬空，输出端空载时，电源提供器件的电流。

ICCH是指输出端空截，每个门各有一个以上的输入端接地，其余输入端悬空，电源提供给器件的电流。

通常I CCL ＞I CCH ，它们的大小标志着器件静态功耗的大小。

器件的最大功耗为P CCL ＝V CC I CCL 。

手册中提供的电源电流和功耗值是指整个器件总的电源电流和总的功耗。

I CCL 和I CCH 测试电路如图2－2(a)、(b)所示。

[注意]：TTL 电路对电源电压要求较严，电源电压V CC 只允许在＋5V ±10％的范围内工作，超过5.5V 将损坏器件；低于4.5V 器件的逻辑功能将不正常。

(a) (b) (c) (d)图2－2 TTL 与非门静态参数测试电路图(2)低电平输入电流I iL 和高电平输入电流I iH 。

I iL 是指被测输入端接地，其余输入端悬空，输出端空载时，由被测输入端流出的电流值。

在多级门电路中，I iL 相当于前级门输出低电平时，后级向前级门灌入的电流，因此它关系到前级门的灌电流负载能力，即直接影响前级门电路带负载的个数，因此希望I iL 小些。

文件编号：
4310测试报告
一．测试项目：
1
二．
三．各项指标测试方法及测试结果：
1、外观检验
2
测试方法：采用直接在被测MOS管Vgs两端加正负驱动电压的方式，记录MOS管G/S极有250ua漏电流的Vgs电压。

测试结果：
3
测试方法：用10K电阻将被测MOS管的G/S极驱动拉低为0V，使MOS管处于截止状态，在D/S极加入正电压，逐渐调高此电压至MOS管D/S极间有250ua漏电流，记录此时的电压
测试结果：
4、MOS管导通内阻（Rds on）
测试方法：在MOS管G/S极间加10V±1V驱动电压，使MOS管处于饱和导通状态，以10A恒定电流流过MOS管的D/S极，用高精度万用表测试被测MOS管D/S 极间电压，再根据欧姆定律计算出MOS管此时的导通内阻。

测试结果：
5、持续带载能力测试
测试方法: 室温条件下,在MOS管G/S极间加10V±1V驱动电压，使MOS管处理导通状态，以10A恒定电流流过MOS管的D/S极，测试30分钟以上,采用温度计测量MOS管表面温度,用此温度减去当前室温,计算出MOS管在10A电流负载情况下的温升。

测试结果:（测试数量：1PCS）。

实验1. MOS管基本特性测试
实验目的：
a)熟悉电路的测试方法
b)观察MOS管的主要特性
实验步骤：
1.根据需要输入图1电路（不一定完全相同）。

图1 参考电路
2.测试MOS管的输出特性。

注意：水平轴为VDD，纵轴为漏级电流I D。

图2 某MOS管的输出特性
3.测试MOS管的转移特性。

转移特性是输出电流对输入电压的关系。

注意设置纵轴为漏级电流I D，横轴为输入电压V GS。

图3 某MOS管的一根转移特性
4.改变VDD，做出一组转移特性。

解释特性中弯曲现象。

5.修改MOS管的W/L，观察输出特性的变化。

总结输出特性和W/L之间的关系。

6.修改MOS管的W/L，观察转移特性的变化。

观察在V GS相同的情况下，g m和W/L之间的
关系。

实验报告：
1.叙述观察结果。

2.分析测试曲线。

解释实验步骤中要求观察的现象。

3.。

河南机电高等专科学校电源实习报告系部：电子通信工程系班级：通信网络与设备111姓名：曹军辉学号：110412101日期：2012年6月10日实习任务书1．时间：2012年05月28日～2012年6月22日2. 实训单位：河南机电高等专科学校3. 实训目的：熟悉电路板制作的整体流程；4. 实训任务：制作MOS管大功率可调稳压电源①熟悉电路板制作整体流程；②了解用油性纸打印pcb图的过程；③掌握将pcb图转印敷铜板的过程，以及细节问题；④转印后的覆铜板进行腐蚀，掌握腐蚀时间及浓度等等；⑤掌握打孔作业；⑥熟练掌握安装元器件的过程以及焊接注意的问题等等；⑦熟练掌握调试的过程及安全问题；⑧联系自己专业知识，总结自己的心得体会；⑨参考相关的的书籍、资料，认真完成实训报告。

前言：对于现代的任何电子产品都少不了电源的供应，由于市电对于弱电都要进行处理。

现在进行的处理非常的多，比如开关电源、稳压电源等等一个好的电源要求他的波纹系数最低。

这样才能满足负载要求的电能，而且通常情况下要求提供稳定的直流电能。

提供这种稳定直流电能的电源就是直流稳压电源，直流稳压电源在电源技术中占有十分重要的地位。

所以这次我选择了稳压电源进行制作。

一、实验名称MOS 管大功率可调稳压电源二、实验目的1、研究单向桥式整流电路、电容滤波电路、倍压电路原理及其特性。

2、掌握串联型晶体管稳压电源的原理和技术测试方法。

3、完成MOS 大功率可调稳压电源电路的制作。

4、掌握PCB 的制作过程，熟悉电路的分析过程。

三、实验要求1、利用TL431（精密电压基准）和IRF640（MOS 管）设计一个大功率可调线性稳压电源。

2、输入采用24V 变压器，前级线圈接市电220V 。

3、输出电压在DC2.5～24V 之间可调，（最大电流6A ，与变压器功率也有关系。

4、对电路进行分析测试，完善电路的不足之处，使其精益求精。

四、实验器材1、实验仪器和工具万用表、电烙铁、松香、焊锡、细纱布、锜子、剪刀、剥线钳。

Q/JL-CX-07/MOS-02电力变压器试验报告（三绕组）性质：试验制表审核Q/JL-CX-07/MOS-03电力变压器试验报告（双绕组）性质:试验制表审核Q/JL-CX-07/MOS-05变压器变比试验报告性质:试验制表审核Q/JL-CX-07/MOS-06变压器直流电阻试验报告性质:Q/JL-CX-07/MOS-04高压套管试验报告性质:试验制表审核Q/JL-CX-07/MOS-07电流互感器试验报告性质:试验制表审核Q/JL-CX-07/MOS-08电流互感器试验报告(二)性质:试验制表审核Q/JL-CX-07/MOS-09电流互感器试验报告(三)性质:试验制表审核Q/JL-CX-07/MOS-18电磁式电压互感器试验报告性质:Q/JL-CX-07/MOS-19电容式电压互感器试验报告性质:Q/JL-CX-07/MOS-09气体、真空断路器试验报告性质:试验制表审核Q/JL-CX-07/MOS-12避雷器试验报告性质: 试验制表审核HD/JL823.00.13-2002电力电缆试验报告性质:试验制表审核Q/JL-CX-07/MOS-13耦合电容器试验报告性质试验制表审核Q/JL-CX-07/MOS-15集合式电容器试验报告性质:Q/JL-CX-07/MOS-14电力电容器试验报告性质:试验制表审核Q/JL-CX-07/MOS-21接地装置试验报告性质:Q/JL-CX-07/MOS-22绝缘子试验报告性质:试验制表审核Q/JL-CX-07/MOS-17高压开关柜试验报告性质:试验制表审核Q/JL-CX-07/MOS-20隔离开关试验报告性质:试验制表审核Q/JL－2606001避雷器带电测试报告Q/JL－2606002高压套管带电测试报告Q/JL－2606003GIS试验报告性质:试验制表审核Q/JL－2606004串联电抗器试验报告性质:试验：制表：审核：Q/JL－2606005放电线圈试验报告性质:试验制表审核菏泽供电公司油质试验报告站名：取样日期：试验日期：试验：审核：填表：菏泽供电公司色谱分析报告站名：试验用仪器试验：审核：填表：GIS SF6微水测试分析报告站名：天气情况：温度：气压：测试人：测试时间：审核：填表：Q/JL-CX-07/MOS-06消弧线圈试验报告性质:试验审核。

工业大学毕业实践实验报告班级：061学号：姓名：MOS晶体管电学特性测量一、实践目的根据半导体器件基础和半导体物理的课程所学知识，利用相关测量设备完成MOS晶体管的测量工作。

希望通过此器件的测量来器件的输入特性，输出特性，转移特性，并要求系统地学习测试设备的工作特性，工作要求以及测量范围，以期为未来工作时可以独立使用相关测试设备作准备。

二、实践要求所完成的测试报告包括器件的选型，生产商提供的基本参数表，测量时的各种曲线图，和生产商提供的进行比较异同点。

还要介绍所使用测量设备的特性：作用，型号，测量范围，基本工作特性和要求，注意事项。

要求：1.MOS晶体管可选自己购置或向老师提出要求来选取，选取前先查阅基本测量范围。

2.厂商提供的基本参数表可上网或查阅相关资料获取。

3.注意保护好测量设备，一定要注意相关工作事项。

4.注意人身安全，根据要求进行测量工作。

5.有条件时可进行同型号或不同型号的多个MOS晶体管的测量，列出表单进行对比，作统计图。

6.注意是否需要其它元器件，如电容，电阻等。

7.进行电压或电流扫描测量,测量要求有输入特性曲线，输出特性曲线，转移特性曲线，根摩尔参数等。

三、实践平台1.半导体特性系统，半导体图示仪，2.不同型号的MOS晶体管3.可参考《双极场效应晶体管原理》或《模拟电子》四、时间：2周五、方案通过用keithley将MOS管各端设定不同的输入参数，测量不同型号MOS管的输入特性曲线，输出特性曲线，转移特性曲线等。

六、步骤绝缘栅场效应管(MOS管)1、场效应晶体管（field effect transistor缩写(fet)）简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.特点:具有输入电阻高（0～00ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.作用:场效应管可应用于放大.由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器.场效应管可以用作电子开关.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.场效应管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恒流源.绝缘栅场效应管的分类：绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。

实验一：TTL集成逻辑门的逻辑功能与参数测试一、实验目的1、掌握TTL集成与非门的逻辑功能和主要参数的测试方法2、掌握TTL器件的使用规则3、进一步熟悉数字电路实验装置的结构，基本功能和使用方法二、实验原理本实验采用四输入双与非门74LS20，即在一块集成块内含有两个互相独立的与非门，每个与非门有四个输入端。

其逻辑框图、符号及引脚排列如图2－1(a)、(b)、(c)所示。

(b)（a） (c)图2－1 74LS20逻辑框图、逻辑符号及引脚排列1、与非门的逻辑功能与非门的逻辑功能是：当输入端中有一个或一个以上是低电平时，输出端为高电平；只有当输入端全部为高电平时，输出端才是低电平（即有“0”得“1”，全“1”得“0”。

）其逻辑表达式为 Y＝2、TTL与非门的主要参数(1)低电平输出电源电流ICCL 和高电平输出电源电流ICCH与非门处于不同的工作状态，电源提供的电流是不同的。

ICCL是指所有输入端悬空，输出端空载时，电源提供器件的电流。

ICCH是指输出端空截，每个门各有一个以上的输入端接地，其余输入端悬空，电源提供给器件的电流。

通常I CCL ＞I CCH ，它们的大小标志着器件静态功耗的大小。

器件的最大功耗为P CCL ＝V CC I CCL 。

手册中提供的电源电流和功耗值是指整个器件总的电源电流和总的功耗。

I CCL 和I CCH 测试电路如图2－2(a)、(b)所示。

[注意]：TTL 电路对电源电压要求较严，电源电压V CC 只允许在＋5V ±10％的范围内工作，超过5.5V 将损坏器件；低于4.5V 器件的逻辑功能将不正常。

(a) (b) (c) (d)图2－2 TTL 与非门静态参数测试电路图(2)低电平输入电流I iL 和高电平输入电流I iH 。

I iL 是指被测输入端接地，其余输入端悬空，输出端空载时，由被测输入端流出的电流值。

在多级门电路中，I iL 相当于前级门输出低电平时，后级向前级门灌入的电流，因此它关系到前级门的灌电流负载能力，即直接影响前级门电路带负载的个数，因此希望I iL 小些。