发光

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氮化物的红荧光粉的发光性质在LED上的应用

TENG Xiaoming(滕晓明),ZHUANG Weidong(庄卫东),HU Yunsheng(胡运生),HUANG

Xiaowei(黄小卫)

(National Engineering Research Centerfor Rare Ennh Materials,General

Research Institutefor Non-Ferrous Metals,and Grimm Advanced Materials

Co.Ltd..Beijing100088,China)

Received 31 January 2008;revised 16 March 2008

摘要:Eu2+-掺杂入有三个组成的氮化物荧光粉Sr2Si5N8:Eu2+,是由高温固相烧结的方而合成。X射线衍射(XRD)图谱表明可以得到Sr2Si5N8的单相。随着Eu2+浓度的增加,发射峰的位置会发生红移。激发光谱表明两个激发带来自于基体和Eu2+离子的从4f7→4f65d1的跃迁.比较在不同温度下的Sr2Si5N8:Eu2+和CaS:Eu2+荧光粉的发光性质,可以明显的看到随着温度的增加两组荧光粉的强度会逐渐的降低。从Sr2Si5N8:Eu2+的强度高于CaS:Eu2+,可以表明前者的发光性质要比后者好得多。

关键词:发光;碱土;氮化物;白色LED;稀土

由于白色发光二级管在液晶显示器的背光源,功率下降灯等方面的突出应用,使得其已经被广泛关注。白光可以通过多芯片LED或者芯片和荧光粉的结合而产生。目前,在白色LED方面Y3A15O12:Ce3+ (YAG:Ce3+)荧光粉已经被作为一个优秀的黄荧光粉而被广泛的使用[3-5]。可是,类似于像氧化物和硫化物之类的红荧光粉不会被考虑因为它们不是有着低的发光效率就是有着差的稳定性。近来,一种氮化物基的红荧光粉在白色LED应用方面显示出了它独特的发展前景,这是因为它拥有着优秀的发光性质和极好的热稳,化学稳定性[8-10]。

在本文中,我们通过运用高温固相合成的方法来制备Sr2Si5N8:Eu2+。我们主要探讨和研究Eu2+的浓度不同的情况下对其发光性能的影响。再者,不同温度下粉料发光的性质也是我们研究的一个重点。

1 实验

首先,运用化学计量的方法称量出Sr3N2,Si3N4(99%)和Eu203(99.99%)的原料。把Eu(III)按照不同的摩尔浓度从0.1到0.5分成5份,每逢间隔是0.1.

然后,把他们放在玛瑙研钵中一起混合和研磨。之后,再把混合物转入氧化铝坩埚。所有的这些步骤都必须严格在纯净的氩手箱里完成。随后,把混合物在氮氧体积比为95:5的气氛下烧结,混合物要在1400度的温度下的管式炉中烧结大约9小时。在得到Sr2Si5N8:Eu2+荧光粉以后,样品必须要进行研磨和过筛。

荧光粉的晶体结构主要是通过荷兰帕纳科公司生产制造的X’Pert PRO M PDX

X射线衍射仪器来进行测定和研究的。那么,激发光谱,发射光谱和温度特性都被来自美国生产制造的Fluoro MAX-Ⅱ型分光光度计所记录下来。

2 结果与讨论

2.1 X射线衍射分析

图1(1)是未经掺杂纯的Sr2Si5N8的XRD图谱。Sr2Si5N8本身拥有者一个正交结构。它的晶格参数是:a=0.5710nm,b=0.6822nm和c=0.9341nm(JCPDS

85-0101)。而且另外我们从图1(1)中可以很容易看出尽管存在着SrSi202N2杂质,但是Sr2Si5N8依然是主导产品。为了实验的方便,我们选择三氧化二铀作为我们铀的主要来源,Eu2O3会在反应的过程中降低化合价而转化为二价的Eu。

图1(2)显示的是Eu掺杂在Sr2Si5N8里以后的XRD的图谱。除了Sr2Si5N8:Eu2+主相以外,还存在少量的SrSi202N2杂质,这些杂质可能是在反应的时候由于发生了氧化而形成并在反应系统中保留下来了。有Eu掺杂的Sr2Si5N8晶格参数是a=0.5708nm,b=0.6820nm,而c=0.9339nm,这些数据都是根据TREOR90

方案而计算得到的。显而易见的是,与那些未经掺杂的Sr2Si5N8相比,经过掺杂的Sr2Si5N8晶格参数相对缩小了,这主要是由于小半径的Eu2+离子(0.109nm)有机会去占据大半径的Sr2+离子(0.112nm)的位置。

图示1 纯Sr2Si5N8(1)和掺Eu2+ 的Sr2Si5N8 (2)的XRD图

(“。”表示SrSi202N2衍射峰)

2.2 光谱分析

前面提到,对于Sr2Si5N8:Eu2+荧光粉来讲,Eu2+离子占据了大半径的Sr2+离子的位置,这些位置是被安排在由Si6N6环组成的通道中,它们沿着[100]晶向。可是,Sr在Sr2Si5N8为基体的晶格中有着两个截然不同的晶体场环境,即:Sr1的8配位数和Sr2的10个配位数(见图2(a)[11])。 Srl-N [2.865(6)]的平均距离比Sr2一N [2.928(7)] [7]小,因此当Sr2+被Eu2+离子替换以后,我们就可以观察到两种不同类型的发射光,因为激发态的电子位于不同的能级范围内(见图2(b))。而且,取代Sr1的位置的Eu2+离子会受到一股更强的晶体场。

图示2(a)晶体结构图

图示2(b) Sr2Si5N8:Eu2+能级图

可是,Sr2Si5N8:Eu2+的发射光谱仅仅有一个单宽的发射带,这就证明了两个Eu2+离子所处的环境相互之间是非常相似的,又或者可能是Eu2+离子对其所处的基体结构的变化不够敏感,最终导致Eu2+的两个发射带在Sr2Si5N8:Eu2+上发生大量的重叠。

图3显示出了在不同的Eu的浓度下,Sr2Si5N8:Eu2+荧光粉的发射光谱随其所发生的变化。发射光谱表明宽带(半高宽为110nm)发射是由于Eu2+离子由4f65d1→4f7跃迁造成的。正是由于N3-离子更高的电负性和电子云重排效应的影响,显著降低了Eu2+离子的5d轨道的重力中心[12]。Eu2+发射带的位置是与Eu2+的浓度密切相关的。随着Eu2+浓度从0.1增加到0.5,发射带由615nm到638nm而发生红移。晶体场的强度与从坐标组到中央正离子的距离成反比关系。因此,更多的Eu2+离子代替了Sr2+离子导致了晶体场强度的增加,并且最终不可避免的产生了红移现象。

图示3 不同Eu2+浓度下的Sr2Si5N8:Eu2+荧光粉的发射光谱

(λex=460nm)

图4说明在不同的Eu的浓度下,Sr2Si5N8:Eu2+荧光粉的激发光谱随其所发生的变化。此激发光谱涵盖了从紫外光到可见光区域内的波长范围并且它还拥有2个激发带。第一个激发带低于350nm是由于基体的导带和价带之间的转换过渡所引起。激发能量通过非辐射的方式由基体到活化剂Eu2+,最终发射出红光。另一个宽激发带在超过350nm的区域,它主要是由Eu2+离子通过4f7→4f65d1跃迁产生。Eu2+离子的最高强度的5d轨道激发带在Sr2Si5N8:Eu2+图谱上的位置大约是395nm区域。5d轨道激发带的最低能级(大约是从450---550nm的很宽的一段)似乎可进一步分解成两到三个子带,尤其是在更高的Eu2+浓度下。5d激发带的铀离子在低能量的位置,是因为EUM-N和一个大的晶体场之间的高的共价键的影响,这共价键会在氮的存在下发生分裂[13]。另外,随着Eu2离子浓度的增加,这些有着更长的波长的子带们会变得更加的集中。

图4 不同浓度Eu2+的Sr2Si5N8:Eu2+荧光粉的激发光谱(λem是发射谱峰值)

2.3 不同温度下的发光性质

为了更深入的去研究Sr2Si5N8:Eu2+光学发光性质,我们又接着探讨了温度猝灭效应。我们记录了当Sr2Si5N8:Eu2+样品被加热到不同温度时的它的发光光谱。现在我们可以拿商业用的CaS:Eu2+来做对比。结果就如下图示5所示。随着温度的增加,因为存在着温度猝灭效应从而使得这两种荧光粉的强度逐渐的降低。当温度上升到120摄氏度时,CaS:Eu2+荧光粉的强度仅仅是在室温下的80%左右;然而,Sr2Si5N8:Eu2+荧光粉的强度大约在87%左右。由以上可以说明,Sr2Si5N8:Eu2+荧光粉的温度性质要比CaS:Eu2+荧光粉的温度性质要好的多。

图5 不同温度下的Sr2Si5N8:Eu2+和CaS:Eu2荧光粉

(浓度时0.1mol∕mol,λex=460nm)

3 结论

新型的红色Sr2Si5N8:Eu2+荧光粉的制备主要是通过高温固相法获得。从X射线衍射图谱可以看出,无论有没有掺杂三氧化二铀的荧光粉的存在,我们都可以获得Sr2Si5N8相。Sr2Si5N8:Eu2+的晶格参数变小的主要是因为Eu2+离子的半径要比Sr2+离子的小一些。Sr2Si5N8:Eu2+的发射光谱仅仅有一个单宽的发射带,这就说明了两个Eu2+离子所处的环境相互之间是极其的相似,又或者可能是Eu2+离子对其所处的基体结构的变化不够敏感。还有,随着Eu2+摩尔浓度从0.1增加到0.5,发射带之后因此而发生红移现象。根据发光性质的结论分析我们最终得出一个结论,Sr2Si5N8:Eu2+荧光粉的温度性质要比CaS:Eu2+荧光粉的性质更胜一筹。

参考文献:

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『41 Schlotter P,Baur J,Hielscher Ch,Kunzer