RENA设备工艺介绍

b如果滚轮速度过高,在温度降低仍不能满足要求的情况下,可以加
水,但是仅能以2升为一个单位加入。
前清洗工艺碱槽或酸槽不循环观察设备下面的循环平衡有没有冒泡泡
原因分析:a：可能风刀堵塞,使溶液跑到水槽２中;
b:可能喷淋堵塞;c:可能滤芯塞;解决方法:a：先期在初始界面处可以发现各自对应的模板,在“ｒeaｄy”
生成的P2Ｏ5又进一步与硅作用，生成SiO2和磷原子,由此可见,在磷扩散时，为了促使POCｌ3充分的分解和避免PCl５对硅片表面的腐蚀作用，必须在通氮气的同时通入一定流量的氧气。
（1)去除硅片表面的机械损伤层(来自硅棒切割的物理损伤)
（2)清除表面油污(利用HＦ)和金属杂质(利用HCｌ)
（3)形成起伏不平的绒面,利用陷光原理,增加对太阳光的吸收，在某种程度上增加了PN结面积,提高短路电流(Isｃ），最终提高电池光电转换效率。
２、前清洗工艺步骤:制绒?碱洗?酸洗？吹干
Etchbａth:刻蚀槽,用于制绒。 所用溶液为HF＋HNO3，作用：
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（二）扩散
1．扩散工序的目的:形成ＰN结
２、扩散工艺步骤:
ＬOADING--HEATUP－--SＴABILＩＺＥ-－DEPＯSIＴION -－－DRIVE
IN－-CＯOＬDOWＮ---－UNＬOADING
3.扩散工艺涉及的反应方程式:
PＯCl3是目前磷扩散用得较多的一种杂质源。无色透明液体,具有刺激性气味。如果纯度不高则呈红黄色。比重为1.67，熔点2?，沸点107？，在潮湿空气中发烟。ＰOCl3很容易发生水解,POＣl3极易挥发。
产量,过高的速度风刀很难将硅片吹干。所以如果滚轮速度小于1.０,
需要手动加液,一般按2升HF，5升ＨNO3进行补液。同时可以将温度

多晶清洗培训手册第一章设备及参数简介1.多晶清洗的概念及基本原理。

现行工艺中的多晶清洗是将去损工艺和制绒工艺相结合的清洗工艺。

工艺原理是利用HF-HNO3为反应液在硅片表面进行各向同性腐蚀，使得硅片表面形成类似半球形状的“凹陷”。

2.多晶清洗的设备组成。

图一图二图三图四清洗制绒设备每条线包括一台RENA和自动上卸片机各一台，其中RENA共有六个槽体，分别为刻蚀槽、水洗槽、碱洗槽、水洗槽、酸洗槽（HF+HCL）、水洗槽，最后还包括一个烘干区（如图四）。

其中，刻蚀槽是形成绒面的反应槽，图一显示为刻蚀槽主槽，生产状态下主槽内浸满药液，硅片浸在药液中进行反应（由于反应放热，而我们工艺要求的温度在10度左右，图二为冷却柜，生产状态下药液会经过冷却柜进行循环，以达到降温目的）；碱洗槽的作用是去掉硅片在刻蚀槽中的反应产物多空硅，酸洗槽的作用是去掉重金属离子及表面氧化层，每个槽末端都带有一个风刀，其作用是将药液吹回前一个槽,以防止药液间互相污染；自动上片机的作用是实现自动化上下料，以降低碎片率和人为污染。

注：酸槽、碱槽、三个水洗槽,都如图三为喷淋形式，硅片并未浸在药液中（酸洗槽除外---虽然酸槽为喷淋式，但片子仍要求浸在药液中）。

3.多晶清洗参数控制我们只对经常用到的一些界面参数做简单介绍，若需要进一步了解电机参数，请参照设备说明书。

◆刻蚀槽（1）Firstfill volume：初始配液药液的总体积。

（2）Concentrations of chemical（HNO3）：为初始配液HNO3的设定浓度，单位为g/L。

（3）Concentrations of chemical（HF）：为初始配液HF 的设定浓度，单位为g/L。

（4）Quality（Kg）：此项是对药液使用时间的规范，要求反应掉“100”Kg的硅重新配液。

（5）Sillconentry for replenish HNO3（Kg）：每反应掉（0.050）Kg的硅，自动填加一次HNO3。

• Higher rear reflectance higher Jsc • Higher rear reflectance higher Jsc • Lower rear recombination higher Voc • Lower rear recombination higher Voc
Dr. Daniel Kray
Total ~8-10 min 3. step: Contact Forming by RTA ⇒ High Customer Benefit / CoO
Ag Ni Si
n+ n++ n+
Selective Emitter
Dr. Daniel Kray
Production machine Sel43;
n+
n+ n++
n+
Si Selective Emitter
Easy integration – Established Metallisation Sequence
Dr. Daniel Kray
High Efficiency Metallization
Selective Emitter + Plated Metallization
~120µm
p-base
η ~ 17% η ~ 17%
Full-area rear contact and BSF
Dr. Daniel Kray
Roadmap to higher efficiencies
Limitations of current technology • Low blue response • Low blue response • High recombination • High recombination

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2．F8 Rinse1：水清洗1。下图是在自动状态下 抓拍的。 • • • • • • • 2.1 Mode man：手 动操作模式 2.2 Fill DI： 充水 2.3 Draining: 排放 2.4 Star process: 循环开始 2.5 Stop :停止 2.6 Auto：自动模式 充水时注意，是先 从Rinse 3充，然后 通过溢流管道到 Rinse 2，再到 Rinse 1.
调用补液模式下的子菜单
调用温度曲线下的子菜单 调用过程监控下的子菜单 调用诊断模式下的子菜单 关闭报警声音 调出报警详情和提示
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F9 service服务模式： 1.F9 inputs digital 数字量输入
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2.F8 inputs analog 模拟量输入
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3.F7 outputs digital 数字量输出
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3. F7 Alkaline: 碱槽
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Mode Manual 手动模式 Filling Di 充纯 水 Filling chemie 充碱液 Rinsing 水清 洗 Draining 排放 Star circulation 循环启动 Star Etching 刻蚀开始（当有 片子走过时， RENA会自动按 照设定值补液） Stop 停止 Mode Auto 自 动模式
密码：Administrator 密码：process 密码：service
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功能键介绍
Mode off 轻易不要点，模式关闭后，药液会自动排掉
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模式关闭
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手动模式 服务模式 自动模式