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湿度传感器HS11011引言湿度传感器是根据某种物质从其周围空气中吸收水分后引起的物理或化学性质的变化，从而获得该物质的吸水量和周围空气的湿度。

湿度传感器分为电阻式和电容式两种，产品的基本形式都是在基片涂覆感湿材料形成感湿膜。

空气中的水蒸汽吸附于感湿材料后，元件的阻抗、介质常数发生很大的变化，从而制成湿敏元件。

湿敏电容一般是用高分子薄膜电容制成的，由于它具有灵敏度高、产品互换性好、响应速度快、湿度的滞后量小、便于制造、容易实现小型化和集成化，其精度一般比湿敏电阻要低一些。

但电阻对温度的敏感因而限制了器件在较大温度范围内的应用，因而电容湿度传感器越来越受到重视。

2 湿敏元件及变送器芯片特性目前，生产湿敏电容的主要厂家是法国Humirel 公司。

它生产的HS1101 测量范围是0%,100%RH，电容量由162PF 变到200PF，其误差不大于?2%RH;响应时间小于5S;湿度系数为0.34PF/?;年漂移量0.5%RH/年，长期稳定。

图1 为HS1101湿敏电容的湿度-电容响应曲线。

湿度变送器采用了美国 BB 公司生产的XTR105芯片，该变送器具有以下特点:a 工作范围宽;b 测量精度高;c 电路简单;d 可靠性好，使用寿命长;e 抗干扰能力强;f 工作温度范围宽(-40,+85?)3 湿度测量电路HS1101在电路中相当于一个电容器件，它的电容量随着所测空气湿度的增加而增大，为了能将电容的变化转换成电压的变化，我们设计了振荡电路、消除零点电容影响电路、整流电路、积分电路、电压—电流转换电路、放大电路等，其工作原理简图如图2 所示。

3.1 振荡电路振荡电路的作用是将电容的变化量转化为频率可变的方波。

由图3 可知，这是一个非对称多谐振荡器。

或非门G1 工作在电压传输特性的转折区，把它的输出电压直接连接到或非门G2 的输入端。

G2即可得到一个介于高低电平之间的静态偏置电压，从而使G2 的静态工作点也处于电压传输特性转折区上。

1-204HSMD-TX00HSME-TX00HSMG-TX00HSMH-TX00HSMS-TX00HSMY-TX00Device Selection GuideDH AS HighHigh AlGaAs EfficiencyPerformanceEmerald Red Red Orange Yellow Green Green HSMH-HSMS-HSMD-HSMY-HSMG-HSME-Description T400T400T400T400T400T40012 mm Tape, 7" Reel,2000 Devices T500T500T500T500T500T50012 mm Tape, 13" Reel,8000 Devices T600T600T600T600T600T6008 mm Tape, 7" Reel,2000 Devices T700T700T700T700T700T7008 mm Tape, 13" Reel,8000 DevicesSurface Mount LED Indicator Technical DataFeatures• Compatible with Automatic Placement Equipment • Compatible with Infrared and Vapor Phase Reflow Solder Processes• Packaged in 12mm or 8mm tape on 7" or 13" Diameter Reels• EIA Standard Package • Low Package Profile • Nondiffused PackageExcellent for Backlighting and Coupling to Light PipesDescriptionThese solid state surface mount indicators are designed with a flat top and sides to be easily handled by automatic placementequipment. A glue pad is provided for adhesive mounting processes.They are compatible withconvective IR and vapor phase reflow soldering and conductive epoxy attachment processes.The package size and configura-tion conform to the EIA-535BAAC standard specification for case size 3528 tantalum capacitors. The folded leadsH5964-9359Epermit dense placement and provide an external solder joint for ease of inspection.These devices are nondiffused,providing high intensity forapplications such as backlighting,light pipe illumination, and front panel indication.1-205Package DimensionsTape and Reel SpecificationsHewlett Packard surface mount LEDs are packaged tape and reel in accordance with EIA-481A,Taping of Surface MountComponents for Automatic Placement . This packaging system is compatible with tape-fed automatic pick and place systems. Each reel is sealed in avapor barrier bag for added protection. Bulk packaging in vapor barrier bags is availableupon special request.Absolute Maximum Ratings at T A = 25°CDH AS High HighAlGaAs Efficiency Perf.Emerald Parameter Red Red Orange Yellow Green Green Units DC Forward303030303030mA Current[1]Peak Forward3009090609090mA Current[2]Average202525202525mA ForwardCurrent[2]LED Junction95°C TemperatureTransientForwardCurrent[3](10 µs Pulse)500mA Reverse Voltage5V (I R = 100 mA)Operating-40 to +85-20 to +85°C TemperatureRangeStorage-40 to +85°C TemperatureRangeReflow SolderingTemperatureConvective IR235°C Peak, above 185°C for 90 seconds.Vapor Phase 215°C for 3 minutes.Notes:1. Derate dc current linearly from 50°C: For AlGaAs red, high efficiency red, and green devices at 0.67 mA/°C. For yellow devices at0.44mA/°C.2. Refer to Figure 5 showing Maximum Tolerable Peak Current vs. Pulse duration to establish pulsed operating conditions.3. The transient peak current is the maximum non-recurring peak current the device can withstand without damaging the LED die andwire bond. The device should not be operated at peak currents above the Absolute Maximum Peak Forward Current.1-2061-207DH AS AlGaAs Red HSMH-TX00ParameterSymbol Min.Typ.Max.Units Test Conditions Luminous Intensity I v 9.017.0mcd I F = 10 mA Forward VoltageV F 1.8 2.2V I F = 10 mA Reverse Breakdown Voltage V R 5.015.0V I R = 100 µAIncluded Angle Between Half Intensity Points [1]2θ1/2120deg.Peak Wavelength λPEAK 645nm Dominant Wavelength [2]λd 637nm Spectral Line Half Width ∆λ1/220nm Speed of Response τs 30ns Time Constant, e -t/τCapacitance C 30pF V F = 0, f = 1 MHz Thermal Resistance R θJ-pin 180°C/W Junction-to-Cathode Luminous Efficacy [3]ηv80lm/WHigh Efficiency Red HSMS-TX00ParameterSymbol Min.Typ.Max.Units Test Conditions Luminous Intensity I v 2.06.0mcd I F = 10 mA Forward VoltageV F 1.9 2.5V I F = 10 mA Reverse Breakdown Voltage V R 5.030.0V I R = 100 µAIncluded Angle Between Half Intensity Points [1]2θ1/2120deg.Peak Wavelength λPEAK 635nm Dominant Wavelength [2]λd 626nm Spectral Line Half Width ∆λ1/240nm Speed of Response τs 90ns Time Constant, e -t/τCapacitance C 11pF V F = 0, f = 1 MHz Thermal Resistance R θJ-pin 160°C/W Junction-to-Cathode Luminous Efficacy [3]ηv145lm/WNotes:1. θ1/2 is the off-axis angle where the luminous intensity is half the on-axis value.2. The dominant wavelength, λd , is derived from the CIE Chromaticity Diagram and represents the color of the device.3. The radiant intensity, I e , in watts per steradian, may be found from the equation I e = I v / ηv , where I v is the luminous intensity in candelas and ηv is luminous efficacy in lumens/watt.Electrical/Optical Characteristics at T A = 25°Cs s1-208Orange HSMD-TX00ParameterSymbol Min.Typ.Max.Units Test Conditions Luminous Intensity I v 1.55.0mcd I F = 10 mA Forward VoltageV F 1.9 2.5V I F = 10 mA Reverse Breakdown Voltage V R 5.030.0V I R = 100 µAIncluded Angle Between Half Intensity Points [1]2θ1/2120deg.Peak Wavelength λPEAK 600nm Dominant Wavelength [2]λd 602nm Spectral Line Half Width ∆λ1/240nm Speed of Response τs 260ns Time Constant, e -t/τCapacitance C 4pF V F = 0, f = 1 MHz Thermal Resistance R θJ-pin 160°C/W Junction-to-Cathode Luminous Efficacy [3]ηv380lm/WYellow HSMY-TX00ParameterSymbol Min.Typ.Max.Units Test Conditions Luminous Intensity I v 2.05.0mcd I F = 10 mA Forward VoltageV F 2.0 2.5V I F = 10 mA Reverse Breakdown Voltage V R 5.050.0V I R = 100 µAIncluded Angle Between Half Intensity Points [1]2θ1/2120deg.Peak Wavelength λPEAK 583nm Dominant Wavelength [2]λd 585nm Spectral Line Half Width ∆λ1/236nm Speed of Response τs 90ns Time Constant, e -t/τCapacitance C 15pF V F = 0, f = 1 MHz Thermal Resistance R θJ-pin 160°C/W Junction-to-Cathode Luminous Efficacy [3]ηv500lm/WNotes:1. θ1/2 is the off-axis angle where the luminous intensity is half the on-axis value.2. The dominant wavelength, λd , is derived from the CIE Chromaticity Diagram and represents the color of the device.3. The radiant intensity, I e , in watts per steradian, may be found from the equation I e = I v / ηv , where I v is the luminous intensity in candelas and ηv is luminous efficacy in lumens/watt.s s1-209High Performance Green HSMG-TX00ParameterSymbol Min.Typ.Max.Units Test Conditions Luminous Intensity I v 4.010.0mcd I F = 10 mA Forward VoltageV F 2.0 2.5V I F = 10 mA Reverse Breakdown Voltage V R 5.050.0V I R = 100 µAIncluded Angle Between Half Intensity Points [1]2θ1/2120deg.Peak Wavelength λPEAK 570nm Dominant Wavelength [2]λd 572nm Spectral Line Half Width ∆λ1/228nm Speed of Response τs 500ns Time Constant, e -t/τCapacitance C 18pF V F = 0, f = 1 MHz Thermal Resistance R θJ-pin 160°C/W Junction-to-Cathode Luminous Efficacy [3]ηv595lm/WNotes:1. θ1/2 is the off-axis angle where the luminous intensity is half the on-axis value.2. The dominant wavelength, λd , is derived from the CIE Chromaticity Diagram and represents the color of the device.3. The radiant intensity, I e , in watts per steradian, may be found from the equation I e = I v / ηv , where I v is the luminous intensity in candelas and ηv is luminous efficacy in lumens/watt.Emerald Green HSME-TX00ParameterSymbol Min.Typ.Max.Units Test Conditions Luminous Intensity I v 1.01.5mcd I F = 10 mA Forward VoltageV F 2.2 2.27V I F = 10 mA Reverse Breakdown Voltage V R 5.050.0V I R = 100 µAIncluded Angle Between Half Intensity Points [1]2θ1/2120deg.Peak Wavelength λPEAK 558nm Dominant Wavelength [2]λd 560nm Spectral Line Half Width ∆λ1/228nm Speed of Response τs 500ns Time Constant, e -t/τCapacitance C 52pF V F = 0, f = 1 MHz Thermal Resistance R θJ-pin 120°C/W Junction-to-Cathode Luminous Efficacy [3]ηv680lm/WNotes:1. θ1/2 is the off-axis angle where the luminous intensity is half the on-axis value.2. The dominant wavelength, λd , is derived from the CIE Chromaticity Diagram and represents the color of the device.3. The radiant intensity, I e , in watts per steradian, may be found from the equation I e = I v / ηv , where I v is the luminous intensity in candelas and ηv is luminous efficacy in lumens/watt.4. Refer to Application Note 1061 for information comparing high performance green with emerald green light output degradation.s s1-210V – FORWARD VOLTAGE – V FI – F O R W A R D C U R R E N T – m AF Figure 1. Relative Intensity vs. Wavelength.Figure 2. Forward Current vs. Forward Voltage.Figure 3. Relative Luminous Intensity vs. Forward Current.300280260240220200180160140120100804020V – FORWARD VOLTAGE – V FI – F O R W A R D C U R R E N T – m AF DH AS AlGaAs RED3.02.52.01.51.00.50.0I – DC FORWARD CURRENT – mA FR E L A T I V E L U M I N O U S I N T E N S I T Y (N O R M A L I Z E D A T 10 m A )DH AS AlGaAs RED4.03.02.01.00.0I – DC FORWARD CURRENT – mAFR E L A T I V E L U M I N O U S I N T E N S I T Y (N O R M A L I Z E D A T 10m A )WAVELENGTH – nmR E L A T I V E I N T E N S I T Y1.00.50500550600650700750HER, ORANGE, YELLOW,HIGH PERFORMANCE GREEN AND EMERALD GREENHER, ORANGE, YELLOW,HIGH PERFORMANCE GREEN AND EMERALD GREEN1-211Figure 6. Relative Intensity vs. Angular Displacement.Figure 5. Maximum Tolerable Peak Current vs. Pulse Duration (I DC MAX per MAX Ratings).ηv – R E L A T I V E E F F I C I E N C Y (N O R M A L I Z E D A T 10 m A )I PEAK – PEAK FORWARD CURRENT – mA307010509020608040HER, ORANGE, YELLOW,HIGH PERFORMANCE GREEN AND EMERALD GREENHER, ORANGE, YELLOW,HIGH PERFORMANCE GREEN AND EMERALD GREENFigure 4. Relative Efficiency (Luminous Intensity per Unit Current) vs. Peak Current.。

HSM（Hillstone Security Management™）集中安全管理系统概述HSM使企业和服务提供商可以很容易地管理多个设备，最大程度地降低了管理、监控、维护设备的投入成本，支持企业和服务提供商集中高效地管理多台设备。

HSM为企业提供了全方位基于用户和应用的审计，可针对各类网络访问行为进行审计，包括Web访问、论坛发帖、P2P、IM（即时通讯）、游戏等等，能够满足公安部82号令要求，为数据中心安全防护提供了长期的审计数据存储和统计分析。

HSM通过对全网设备进行状态监控、流量监控、攻击行为分析，找出用户网络的安全威胁和安全漏洞，发现网络脆弱点和安全短板，加强安全策略的应用并检验安全策略应用效果，从而构成安全闭环，对各个行业的互联网安全提供了动态安全防护保障。

HSM系统分为三部分，即HSM代理（Hillstone Security Management Agent）、HSM服务器（Hillstone Security Management Server）和HSM客户端（Hillstone Security Management Client）。

将这三部分合理部署到网络中，并且实现安全连接后，用户可以通过客户端程序，查看被管理安全设备的日志信息、统计信息、设备属性等，监控被管理设备的运行状态和流量信息。

产品特点可视化展现基于设备面板状态监控∙多维度图形化监控∙设备集中状态监控深层次审计分析∙高性能数据处理能力∙高容量数据存储∙多应用数据挖掘和分析∙递进方式关联审计集中管理∙设备配置管理∙批量设备升级∙复杂网络环境应用典型案例HSM应用场景许多大中型企业在全国各地都建有分支机构或者办事处，当企业部署防火墙系统时会面临因分支机构众多而导致对整体安全系统的管理成本过高、整体监控难度过大的问题，集中管理方案的推出正是为了解决这一难题，具体的网络环境示意图如下。

软硬件环境硬件配置需求HSM服务器对硬件的基本配置：HSM客户端对硬件的基本配置：软件配置需求HSM服务器对软件的配置需求：HSM客户端对软件的配置需求：。

HSM电气系统主传动采用交-直-交变频调速系统，全数字矢量控制，实现高精度、高速度控制功能自动化控制采用四级系统实现生产自动化和企业管理的全流程控制。

1)基础自动化系统（L1级）主要完成设备的顺序控制、自动位置控制、速度控制、液压控制、板/卷的温度、厚度、宽度、板形控制，加热炉热工参数控制，各种操作界面和数据采集等任务。

2）过程自动化系统（L2级）主要完成材料跟踪，过程控制参数设定计算、自适应控制、质量数据收集与分析，以及操作指导等任务。

3）生产制造执行系统（MES）主要完成全厂物料跟踪、三库（板坯库、钢卷库和成品库）管理、质量管理、发货管理、磨辊管理、轧制计划的编制、调整和发行，生产实绩数据的收集、处理，以及统计分析报告等任务。

4）企业资源计划管理系统（ERP）主要完成经营决策、采购管理、销售管理、财务管理、人力资源管理、生产计划编制协调、材料申请、将作业计划下发给L3级、并收集L3级的生产实绩，跟踪生产和质量情况,以及组织成品出厂发货等任务。

2、产品大纲碳素结构钢、优质碳素结构钢、低合金结构钢、IF钢、耐候钢、焊接气瓶用钢、压力容器及锅炉用钢、中高牌号无取向硅钢、取向硅钢、船板、管线钢及热轧双相钢等。

1、板坯规格（1）碳钢厚度：230mm(250mm，少量)宽度：900～2150mm长度：9000～11000mm（定尺坯）4500～5300mm（短尺坯）板坯质量：max.38t（2）中、高牌号无取向硅钢、取向硅钢厚度：210mm、230mm宽度：900～1350mm长度：9000～11000mm（定尺坯）4500～5300mm（短尺坯）板坯质量：max.26.6t（3）不锈钢厚度：180mm、200mm2、中间坯规格中间坯规格：厚度35~60 mm宽度900~2130 mm重量：38t（max）精轧入口中间坯温度：≧920 ℃3、产品规格厚度： 1.2~25.4 mm宽度：900~2130 mm钢卷内径：Ф762 mm钢卷外径：Ф 1200~Ф2100 mm钢卷重量：~38t(max)单位卷重：22kg/mm(max)产品平均宽度：1450mm产品平均厚度： 4.2mm4、板坯技术条件厚度偏差：±5mm宽度偏差：±15mm长度偏差：±30mm侧弯及翘曲：长尺≤40mm短尺≤20mm板坯表面质量：全部为无缺陷合格板坯。

1)Max. temperature of the terminals T T = 100/C – Max. Temperatur der Anschlüsse T T = 100/C14028.02.2002US 1A … US 1MUltrafast SwitchingUltraschnelle Si-Gleichrichter Surface Mount Si-Rectifiersfür die OberflächenmontageNominal current – Nennstrom 1 ARepetitive peak reverse voltage 50…1000 V Periodische Spitzensperrspannung Plastic case~ SMA Kunststoffgehäuse~ DO-214ACWeight approx. – Gewicht ca.0.07 gPlastic material has UL classification 94V-0Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziertDimensions / Maße in mmStandard packaging taped and reeled see page 18Standard Lieferform gegurtet auf Rolle siehe Seite 18Maximum ratings GrenzwerteType Typ Repetitive peak reverse voltage Periodische SpitzensperrspannungV RRM [V]Surge peak reverse voltage StoßspitzensperrspannungV RSM [V]US 1A 5050US 1B 100100US 1D 200200US 1G 400400US 1J 600600US 1K 800800US 1M10001000Max. average forward rectified current, R-load T T = 100/C I FAV 1 A Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current f > 15 Hz I FRM 6 A 1)Periodischer SpitzenstromPeak forward surge current, 50 Hz half sine-wave T A = 25/C I FSM 30 A Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms T A = 25/Ci 2t 4,5 A 2s Grenzlastintegral, t < 10 msOperating junction temperature – Sperrschichttemperatur T j – 50...+150/C Storage temperature – LagerungstemperaturT S– 50...+150/C1)I F = 0.5 A through/über I R = 1 A to/auf I R = 0.25 A2)Mounted on P.C. board with 25 mm 2 copper pads at each terminalMontage auf Leiterplatte mit 25 mm 2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß14128.02.2002US 1A ... US 1MCharacteristics KennwerteType TypReverse recovery time Sperrverzugszeitt rr [ns] 1)Forward voltage Durchlaßspannung V F [V] at / bei I F [A]US 1A ... US 1G < 50< 1.01US 1J ... US 1M< 75< 1.71Leakage current T j = 25/C V R = V RRM I R < 10 :A SperrstromT j = 100/CV R = V RRM I R < 100 :A Thermal resistance junction to ambient airR thA < 70 K/W 2)Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Thermal resistance junction to terminal R thT< 30 K/WWärmewiderstand Sperrschicht – Anschluß。

专利名称：一种新的多肽——人肝细胞核因子12和编码这种多肽的多核苷酸
专利类型：发明专利
发明人：毛裕民,谢毅
申请号：CN00111755.6
申请日：20000229
公开号：CN1311200A
公开日：
20010905
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种新的多肽——人肝细胞核因子12,编码此多肽的多核苷酸和经DNA重组技术产生这种多肽的方法。

本发明还公开了此多肽用于治疗多种疾病的方法,如恶性肿瘤,血液病,HIV 感染和免疫性疾病和各类炎症等。

本发明还公开了抗此多肽的拮抗剂及其治疗作用。

本发明还公开了编码这种新的人肝细胞核因子12的多核苷酸的用途。

申请人：复旦大学,上海博道基因技术有限公司
地址：200433 上海市邯郸路220路
国籍：CN
代理机构：复旦大学专利事务所
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目录一、盛密SemeaTech介绍二、盛密产品简述三、氰化氢传感器规格四、氰化氢传感器参数一、盛密SemeaTech介绍SemeaTech.Inc成立于美国洛杉矶，是一家面向全球市场，专注于环境中有害物质的快速检测技术及相关传感器产品的研发和生产的高新技术企业。

盛密科技（上海）有限公司位于上海嘉定工业区，全面负责SemeaTech产品在中国地区的生产营销及技术服务。

盛密汇聚了多位来自于国际著名科研机构和企业的资深专业人士，特别是在气体传感器领域，盛密拥有一支具有深厚技术背景的专家团队，他们在材料、方法及应用等多个方面具有突出的专业成果，为产品开发提供了强大的创新基础和助力。

除了常规的电化学传感器外，盛密的研发团队正着力研究低能耗红外CO2、CH4等传感器、传感器模块无线网络技术，以及纳米技术和石墨烯材料在气体检测中的应用。

二、盛密产品简介工业用电化学气体传感器系列盛密掌握多种电化学气体传感器、高灵敏度Gamma射线和X光射线检测传感器技术，生产包括CO，H2S，SO2，NO2，NO，NH3，PH3，CL2，CLO2，H2，ETO，HCL、H CN传感器。

产品应用于安全生产、环境保护、消防、应急救援、医疗、汽车等行业。

民用电化学传感器系列Mini型CO传感器。

高性能、低价位，主要用于家用CO报警仪和智能家居产品。

放射性辐射检测系列盛密哨Gamma-电离辐射检测仪盛密哨-Gamma是一款适合于一般民众使用的X、γ辐射报警系统，用于探知常规环境中是否存在意外的电离辐射。

三、氰化氢传感器规格产品描述本产品用于测量氰化氢气体的浓度，可以通过管脚来替换标准的4系列氰化氢电化学传感器。

性能参数产品尺寸量程:0~50ppm最大荷载:100ppm灵敏度(20℃):0.10±0.02μA/ppm响应时间(T90):≤120s基线(20℃):<±0.2μA基线漂移(-20℃~50℃):<1ppm分辨率:0.2ppm线性度:线性偏工作环境温度范围:-20℃~50℃压力范围:1个标准大气压±10%湿度范围:15%~95%RH(无冷凝)寿命长期稳定性:<2%信号值/月储存温度:0℃~20℃使用寿命:2年(空气中)储存时间:6个月(专用包装盒中)质保期:12个月本质安全数据100ppm HCN时最大电流:<0.5mA 最大开路电压:1.3V最大短路电流:<1.0A安装说明物理性能壳体材料:ABS 重量:5g方位:无电极脚请正确连接，连接位置不对会影响传感器的正常工作；传感器应避免与有机溶剂、涂料、油类及高浓度气体；请勿直接在传感器上或靠近传感器的地方使用粘合剂，以防止塑料外壳的破裂；请不要拆开壳体，防止电解液泄露造成伤害；若在特殊环境下使用，请预先联系我们。

编程手册编程手册 (1)第一篇编程指南 (6)1.1简要介绍 (6)1.2一般说明 (6)1.3三倍DES运算 (7)1.3.1密钥的用法 (7)1.3.2密钥的加密方案 (7)1.ANSI X9.17方式 (7)2.变量方式 (7)YYYY YYYY YYYY YYYY (8)BBBB BBBB BBBB BBBB (8)YYYY YYYY YYYY YYYY (8)BBBB BBBB BBBB BBBB (8)CCCC CCCC CCCC CCCC (8)YYYY YYYY YYYY YYYY (8)ZZZZ ZZZZ ZZZZ ZZZZ (8)BBBB BBBB BBBB BBBB (8)CCCC CCCC CCCC CCCC (8)1.4密钥的生成、输入和输出 (8)1.5命令消息格式 (9)1.5.1TCP/IP方式 (9)1.5.2串口Async方式 (9)1.6响应消息格式 (10)1.6.1TCP/IP方式 (10)1.6.2串口Async方式 (11)1.7数据的表示 (11)1.7.1ASCII字符编码 (12)1.7.2EBCDIC字符编码 (12)1.7.3EBCDIC码至ASCII码的转换表 (14)1.8输入/输出流控制 (16)1.9错误控制 (16)1.10多HSM的使用 (17)1.11用户存储 (17)1.11.1分配和使用索引 (18)1.11.2指定存储数据 (19)1.12通过一台连接在HSM上的打印机打印 (20)1.13禁止弱密钥和半弱密钥 (20)1.13.1DES弱密钥 (20)1.13.2DES半弱密钥 (21)1.14本地主密钥 (21)1.14.1LMK表 (21)1.14.2标准测试用LMK集 (22)1.15本地主密钥变种 (23)1.16本地主密钥三DES变量方案 (24)1.16.1一般说明 (24)1.16.2密钥类型表 (25)1.16.3密钥方案表 (26)第二篇主机命令 (27)2.1一般说明 (27)2.2通用密钥管理命令 (27)2.2.1生成密钥 (28)2.2.2生成并打印一个成份 (29)2.2.3由密的成份组成一个密钥 (31)2.2.4输入一个密钥 (32)2.2.5输出一个密钥 (33)2.3区域主密钥（ZMK）管理 (34)2.3.1生成并打印一个ZMK成份 (35)2.3.2由三个ZMK成份组成一个ZMK (37)2.3.3由2到9个ZMK成份组成一个ZMK (38)2.3.4将ZMK由ZMK转为LMK加密 (40)2.4区域PIN密钥（ZPK）管理 (42)2.4.1生成一个ZPK (43)2.4.2将ZPK由ZMK转为LMK加密 (44)2.4.3将ZPK由LMK转为ZMK加密 (46)2.5区域加密密钥，区域认证密钥管理 (47)2.5.1生成一个ZEK/ZAK (48)2.5.2将ZEK/ZAK从ZMK转为LMK加密 (49)2.5.3将ZEK/ZAK从LMK转为ZMK加密 (50)2.6终端主密钥，终端PIN密钥和终端认证密钥管理 (51)2.6.1生成并打印一个TMK、TPK或PVK (52)2.6.2生成一个TMK、TPK或PVK (54)2.6.3将TMK、TPK或PVK从LMK转为另一TMK、TPK或PVK加密542.6.4将TMK、TPK或PVK从ZMK转为LMK加密 (55)2.6.5将TMK、TPK或PVK从LMK转为ZMK加密 (56)2.6.6生成一对PVKs (57)2.7终端认证密钥管理 (60)2.7.1生成一个TAK (61)2.7.2将TAK从ZMK转为LMK加密 (62)2.7.3将TAK从LMK转为ZMK加密 (63)2.7.4将TAK从LMK转为TMK加密 (64)2.8PIN和Offset的生成 (65)2.8.1生成一个随机的PIN (66)2.8.2生成一个VISA的PIN校验值 (67)2.9PIN校验 (68)2.9.1校验一个用VISA方式的终端PIN (68)2.9.2校验一个用VISA方式的、用于交换的PIN (69)2.9.3校验一个用比对方式的终端PIN (70)2.9.4校验一个用比对方式的、用于交换的PIN (71)2.10PIN翻译 (72)2.10.1将PIN从一个ZPK翻译到另一个ZPK（已升级） (73)2.10.2将PIN从TPK翻译到ZPK (75)2.10.3将PIN从ZPK翻译到LMK (76)2.10.4将PIN从TPK翻译到LMK (77)2.10.5将PIN从LMK翻译到ZPK (78)2.11PIN请求数据处理 (79)2.12清除PIN支持 (81)2.12.1加密一个明文的PIN (82)2.13主机口令支持 (82)2.14消息认证码支持 (83)2.14.1生成一个MAC (84)2.14.2校验一个MAC (85)2.14.3校验并转换一个MAC (85)2.14.4用ANSI X9.19方式对大消息生成MAC（MAB） (86)2.14.5用银联方式对大消息生成MAC（MAB） (88)2.15打印输出的格式 (92)2.15.1字格式打印PINs (95)ONE TWO THREE FOUR (95)2.15.2以列形式打印PINs (96)2.15.3装载格式化数据至HSM (97)2.15.4装载附加格式化数据至HSM (98)2.16复合命令 (99)2.16.1退出授权状态 (99)2.16.2生成密钥校验值（非双倍长度ZMK） (100)2.16.3生成密钥校验值 (101)2.16.4完成诊断 (102)2.16.5HSM状态 (103)2.17VISA卡校验值 (104)2.17.1生成CVK对 (105)2.17.2将CVK对由LMK下加密转换为ZMK下加密 (105)2.17.3将CVK对由ZMK下加密转换为LMK下加密 (106)2.17.4生成VISA CVV (107)2.17.5校验VISA CVV (108)2.17.6用EDK密钥加解密数 (109)第三篇PIN格式 (110)3.1一般说明 (110)3.2格式01 (110)3.3格式02 (111)3.4格式03 (111)3.5格式04 (112)3.6格式05 (113)1NP1...PNR...R . (113)第四篇错误代码 (113)4.1错误代码表 (113)第五篇名词表 (115)5.1一般说明 (115)文档修订记录版本创建日期作者校订备注1.02007/12/21第一篇编程指南1.1 简要介绍HSM（Host Security Module）称为主机安全模块（注：以下将主机安全模块均称为HSM），作为主机的外围设备，为主机在一个物理上安全的环境中实现加/解密运算的功能。

HS江门市丁氏粘合剂实业有限公司审核：日期：批准：日期：版号：A.0 页码：共页受控印章：生效日期：1．范围本手册依据ISO9001质量管理体系——要求建立起的适用于本公司产品从生产设计/开发到送交顾客与服务的整个过程中的质量管理体系。

２．剪裁ISO9001质量管理体系要求全部适用于本公司，在此声明不作任何剪裁。

３．引用标准3.1 ISO9001质量管理体系——要求3.2 企业产品标准3.3 国家标准3.４国际标准3.5厂标准４．定义本公司采用的供应链术语与本版标准一致，即供方——组织——顾客。

５．产品本公司设计/开发、生产、销售的木用胶粘剂。

６．公司简介：江门市丁氏粘合剂厂创建于1993年，是一间集研究、开发、生产于一体的化工企业。

现位于珠江三角洲地区江门市高新技术工业园，占地12000m2。

本着“专业稳定求精”的原则，在原国防科技大学教授丁佩琴及其领导的研究人员的努力下，本企业开发并生产了多种系列“高强”牌胶粘剂。

其中多项系列产品通过了省级鉴定，并获得广东省科技成果奖和广东省民营科技企业称号。

其中拼板胶系列产品经权威机构检测：各种指标已达到国际行业标准——欧洲D4标准和日本JAS标准。

丁氏粘合剂厂自创建以来一直坚持“顾客第一”的经营理念，不断完善售后服务。

并为此专门配置了多名专职市场服务工程师，为顾客进行产品使用培训及解决生产中出现的问题，并根据顾客的要求义务对相关生产工艺进行指导。

“质量是企业的生命。

”本厂由于采用全面质量控制体系进行质量管理。

因此长期保持了稳定的产品质量。

凭借长期稳定的产品质量、完善的售后服务，赢得了广大顾客的信赖和支持。

在此，我们希望与顾客建立持久的合作关系，并期待与顾客共同发展、共同繁荣。

７．公司质量管理体系文件与ISO9001质量管理体系——要求对照表（见总则附件一）。

８．质量管理体系8．1总要求8.1.1本公司的质量管理体系所需要的过程、顺序和相互作用、运作和控制方法。

hs1m二极管参数HS1M二极管是一种通用整流器二极管，其参数如下：1. 最大反向电压（Max Reverse Voltage）：1000V2. 最大直流工作电流（Max DC Forward Current）：1A3. 最大反向漏电流（Max Reverse Leakage Current）：25μA4. 正向压降（Forward Voltage Drop）：1.1V @ 1A5. 最大工作温度（Max Operating Temperature）：150℃6. 封装形式（Package）：DO-214ACHS1M二极管应用广泛，通常用于电源、无线电、通讯、家电等领域。

它的主要特点是耐压能力强，正向压降低，反向漏电流小，封装形式紧凑，易于安装。

除了以上技术参数，HS1M二极管的一些注意事项也需要注意：1. 在正向工作时，应防止过度驱动和过热2. 在安装前应仔细检查极性3. 应将二极管安装在散热器上，在高温环境下应增加散热措施4. 在使用过程中应避免机械损坏和静电损坏HS1M二极管是一种性能优良、应用范围广泛的通用整流器二极管，具有良好的耐压能力和较低的正向压降，其参数和注意事项需要用户在使用过程中严格遵守。

HS1M二极管是当前市场上较为常用的一种通用整流器二极管，广泛应用于电力、通信、计算机及其周边设备等领域。

它具有价格适中、性能稳定、可靠性高等特点，被广泛认可和应用。

本文将详细介绍HS1M二极管的性能特点、应用领域以及常见问题等相关内容，为用户提供参考。

1. 性能特点（1）耐压能力强：HS1M二极管的最大反向电压可达到1000V，使其在低压电源的应用中异常耐用。

（2）封装形式紧凑：HS1M二极管的封装形式为DO-214AC，体积较小，易于安装，在一些空间有限的场合显得尤为适用。

（3）正向压降低：HS1M二极管的正向压降仅为1.1V @ 1A，这意味着它能够在一定程度上降低功耗，提高整体效率。