一、选择题
1.与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量
（ B ）。
A. 比绝缘体的大
B.比绝缘体的小
C. 和绝缘体的相同
2.受主杂质电离后向半导体提供（ B ），施主杂质电离后向半
导体提供（ C ），本征激发向半导体提供（ A ）。
A. 电子和空穴
B.空穴
C. 电子
3.对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费
米能级会（ B ）。
A.上移
B.下移
C.不变
4.在热平衡状态时，P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为
常数，它和（ B ）有关
A.杂质浓度和温度
B.温度和禁带宽度
C.杂质浓度和禁带宽度
D.杂质类型和温度
5.·
6.MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型
（ B ）。
A.相同
B.不同
C.无关
7.空穴是( B )。
A.带正电的质量为正的粒子
B.带正电的质量为正的准粒子
C.带正电的质量为负的准粒子
D.带负电的质量为负的准粒子
8.砷化稼的能带结构是（ A ）能隙结构。
A. 直接
B. 间接
9. 将Si 掺杂入GaAs 中，若Si 取代Ga 则起（ A ）杂质作
用，若Si 取代As 则起（ B ）杂质作用。
A. 施主
B. 受主
C. 陷阱
D. 复合中心
10. 在热力学温度零度时，能量比F E 小的量子态被电子占据的概率为
（ D ），当温度大于热力学温度零度时，能量比F E 小的量子态被电子占据的概率为（ A ）。
·
A. 大于1/2
B. 小于1/2
C. 等于1/2
D. 等于1
E. 等于0
11. 如图所示的P 型半导体MIS 结构
的C-V 特性图中，AB 段代表
（ A ），CD 段代表（B ）。
A. 多子积累
B. 多子耗尽
C. 少子反型
D. 平带状态
12. P 型半导体发生强反型的条件（ B ）。
A. ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=i A S n N q T k V ln 0
B. ⎪⎪⎭
⎫ ⎝⎛≥i A S n N q T k V ln 20 C. ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=
i D S n N q T k V ln 0 D. ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛≥i D S n N q T k V ln 20 13. -
14. 金属和半导体接触分为：（ B ）。
A. 整流的肖特基接触和整流的欧姆接触
B. 整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触
C.非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触
D.非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触
15.一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，若光照
忽然停止tτ=后，其中非平衡载流子将衰减为原来的（ A ）。
A. 1/e
B. 1/2
C. 0
D. 2/e
16.载流子的漂移运动是由（ A ）引起的，反映扩散运动强
弱的物理量是（ B ）。
A.电场
B.浓度差
C.热运动
D. μ
E. P D
F.τ
17.对掺杂的硅等原子半导体，主要散射机构是：（B ）。
—
A.声学波散射和光学波散射
B.声学波散射和电离杂质散射
C.光学波散射和电离杂质散射
D.光学波散射
二、证明题
对于某n型半导体，试证明其费米能级在其本征半导体的费米能级之上。即E Fn>Ei。
三、 计算画图题
1. 三块半导体Si 室温下电子浓度分布为，
16310343
0102031.010, 1.010, 1.010n cm n cm n cm ---=⨯=⨯=⨯,（N C =3*1019cm -3，N V =1*1019cm -3，n i =1010cm -3，ln3000＝8, ln1000＝）则
"
（1）、计算三块半导体的空穴浓度
（2）、画出三块半导体的能带图
（3）、计算出三块半导体的费米能级相对与C V E E 或的位置
（要求n 型半导体求E C －E F ，p 型半导体求E F －E v ）（15分） 2. 室温下，本征锗的电阻率为47cm Ω，试求本征载流子浓度。
若锗原子的浓度为2234.410cm -⨯，掺入施主杂质，使每610个锗原子
中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴浓度(设杂质全部电离)。试求该掺杂锗材料的电阻率。设s V cm n ⋅=/36002μ，
s V cm p ⋅=/17002μ 且认为不随掺杂而变化。
若流过样品的电流密度为252.3/mA cm ，求所加的电场强度。
3. 画出金属和N 型半导体接触能带图（m s W W >，且忽略间隙），并
分别写出金属一边的势垒高度和半导体一边的势垒高度表达式。
4. ￥
5. 如图所示，为P 型半导体MIS 结构形成的能带图，画出对应的电
荷分布图。（6分）
6. 光均匀照射在电阻率为6cm ⋅Ω的n 型Si 样品上，电子－空穴对的
产生率为4×1021cm -3s -1，样品寿命为8µs 。试计算光照前后样品的电导率。（s V cm n ⋅=/36002μ，s V cm p ⋅=/17002μ）
