PNP型单级共射放大电路

测判三极管的口诀三极管的管型及管脚的判别是电子技术初学者的一项基本功，为了帮助读者迅速掌握测判方法，笔者总结出四句口诀：“三颠倒，找基极；PN结，定管型；顺箭头，偏转大；测不准，动嘴巴。

”下面让我们逐句进行解释吧。

一、三颠倒，找基极大家知道，三极管是含有两个PN结的半导体器件。

根据两个PN结连接方式不同，可以分为NPN型和PNP型两种不同导电类型的三极管，图1是它们的电路符号和等效电路。

测试三极管要使用万用电表的欧姆挡，并选择R×100或R×1k挡位。

图2绘出了万用电表欧姆挡的等效电路。

由图可见，红表笔所连接的是表内电池的负极，黑表笔则连接着表内电池的正极。

假定我们并不知道被测三极管是NPN型还是PNP型，也分不清各管脚是什么电极。

测试的第一步是判断哪个管脚是基极。

这时，我们任取两个电极(如这两个电极为1、2)，用万用电表两支表笔颠倒测量它的正、反向电阻，观察表针的偏转角度；接着，再取1、3两个电极和2、3两个电极，分别颠倒测量它们的正、反向电阻，观察表针的偏转角度。

在这三次颠倒测量中，必然有两次测量结果相近：即颠倒测量中表针一次偏转大，一次偏转小；剩下一次必然是颠倒测量前后指针偏转角度都很小，这一次未测的那只管脚就是我们要寻找的基极(参看图1、图2不难理解它的道理)。

二、PN结，定管型找出三极管的基极后，我们就可以根据基极与另外两个电极之间PN结的方向来确定管子的导电类型(图1)。

将万用表的黑表笔接触基极，红表笔接触另外两个电极中的任一电极，若表头指针偏转角度很大，则说明被测三极管为NPN型管；若表头指针偏转角度很小，则被测管即为PNP型。

三、顺箭头，偏转大找出了基极b，另外两个电极哪个是集电极c，哪个是发射极e呢?这时我们可以用测穿透电流ICEO的方法确定集电极c和发射极e。

(1) 对于NPN型三极管，穿透电流的测量电路如图3所示。

根据这个原理，用万用电表的黑、红表笔颠倒测量两极间的正、反向电阻Rce和Rec，虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小，但仔细观察，总会有一次偏转角度稍大，此时电流的流向一定是：黑表笔→c 极→b极→e极→红表笔，电流流向正好与三极管符号中的箭头方向一致(“顺箭头”)，所以此时黑表笔所接的一定是集电极c，红表笔所接的一定是发射极e。

三极管放大电路,说说三极管放大的基本电路 三极管放大电路,说说三极管放大的基本电路三极管是电流缩小气件，有三个极，折柳叫做集电极C，基极B，发射极E。

分红NPN和PNP两种。

我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基础原理。

下面的理解仅看待NPN型硅三极管。

如上图所示，我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib；把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流Ic。

这两个电流的方向都是流起程射极的，所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。

三极管的放大作用就是：集电极电流受基极电流的管制（假定电源能够提供应集电极足够大的电流的话），并且基极电流很小的变化，会惹起集电极电流很大的变化，且变化餍足肯定的比例干系：集电极电流的变化量是基极电流变化量的β倍，即电流变化被放大了β倍，所以我们把β叫做三极管的放大倍数（β通常远大于1，例如几十，几百）。

借使我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极之间，这就会引起基极电流Ib的变化，Ib的变化被放大后，招致了Ic很大的变化。

如果集电极电流Ic是流过一个电阻R的，那么遵循电压计算公式U=R*I能够算得，这电阻上电压就会发生很大的变化。

我们将这个电阻上的电压取进去，就获得了放大后的电压信号了。

三极管 微波三极管广州首套房贷利率优吉峰农三极管在现实的放大电路中行使时，还必要加适当的偏置电路。

这有几个由来。

首先是由于三极管BE结的非线性（相当于一个二极管），基极电流必需在输入电压大到一定水平后才华孕育发生（对于硅管，常取0.7V）。

当基极与发射极之间的电压小于0.7V时，基极电流就可以以为是0。

但实际中要放大的信号不时远比0.7V要小，如果不加偏置的话，这么小的信号就不够以引起基极电流的改动（由于小于0.7V时，基极电流都是0）。

如果我们事前在三极管的基极上加上一个合适的电流（叫做偏置电流，上图中那个电阻Rb就是用来提供这个电流的，事实上三极管作用。

《模拟电子技术》复习资料答案一、填空题1.半导体不同于导体利绝缘体的三大独特件质为掺杂性、热敏性、光敏性；其电阻率分別受佳质、温度、光照的增加而下降。

2.用于制造半导体器件的材料通常是_硅、错和帥化稼。

3.当外界温度、光照等变化时，半导体材料的导电能力会发生很大的变化。

4.纯净的、不含杂质的半导体，称为本征半导体。

5.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。

6.本征半导体中掺入III族元素,例如B、A1 ,得到P型半导体。

7.木征硅中若掺入五价元素的原了，则多数载流了应是一电子,掺杂越多，则其数量一定越一多，而少数载流子应是—空穴，掺杂越多，则其数量一定越一少。

8.半导体中存在着两种载流子：带正电的空穴和带负电的.电子。

9.N型半导体小的多数载流子是_电子，少数载流子是一空穴。

10.杂质半导体分N型（电子）和P型（空穴）两大类。

11.N型半导体多数载流了是一电了，少数载流了是_空穴。

P型半导体多数载流了是一空穴，少数载流子是_电子。

12.朵质半导体中，多数载流子浓度主要取决于掺杂浓度，而少数载流子则与温度有很大关系。

13.PN结的主要特性是一单向导电性。

14.PN结是多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动处于动态平衡而形成的,有时又把它称为空间电荷区（势垒区）或耗尽区（阻挡层）。

15.PN结加正向电压时，空间电荷区变窄；PN结加反向电压时，空间电荷区变宽。

16.PN结在无光照、无外加电压吋，结电流为零°17.PN结两端电压变化时，会引起PN结内电荷的变化，这说明PN结存在电容效应。

18.二极管是由—个PN结构成，因而它同样具有PN结的单向导电特件。

19.二极管的伏安特性可川数学式和Illi线來描述，其数学式是上去屋佟LL，其曲线又口J分三部分：1I-：向特性、反向特性、击穿特性。

20.品体二极管的正向电阻比其反向电阻小，稳压二极管的反向击穿电压通常比一般二极管的止，击穿区的交流电阻乂比正向区的小o21.有两个晶体三极管A管的［3二200, /CEO=200M A； B管的卩二50, /CEO=10M A,其他参数人致相同，相比之下旦管的性能较好。

P N P型单级共射放大电路PNP 型单级共射放大电路一、 实验目的1、设计一个PNP 型共射放大器，使其放大倍数为80，工作电流为80mA 。

二、 实验仪器1、示波器2、信号发生器3、数字万用表4、交流毫伏表5、直流稳压源三、 实验原理1、PNP 型单级共射放大器电路图如下：2、静态工作点的理论计算：静态工作点可由以下几个关系式确定：434B CC R U V R R =+ 5B BEC E U U I I R -≈=由以上式子可知，当管子确定后，改变CC V 、3R 、4R 中任意参数值，都会导致静态工作点的变化。

当电路参数确定后，静态工作点主要通过P R 调整。

工作点偏高，输出信号波形易产生饱和失真；工作点偏低，输出波形易产生截止失真。

但当输入信号过大时，管子将工作在非线性区，输出波形会产生双向失真。

当输出波形不很大时，静态工作点的设置应偏低，以减小电路的静态损耗。

3、电压放大倍数的测量与计算电压放大倍数是指放大电路输出端的信号电压（变化电压）与输入端的信号电压之比， 即：ou iu A u =电路中有 12(//)u beR R A r β=-、 26'(1)be bb EQmVr r I β=++ 其中，'bb r 一般取300Ω。

当放大电路静态工作点设置合理后，在其输入端加适当的正弦信号，同时用示波器观察放大电路的输出波形，在输出波形不失真的条件下，用交流毫伏表或示波器分别测量放大电路的输入、输出电压，再按定义式计算即可。

四、 实验内容及结果1、按图连接电源，确认电路无误后接通电源。

2、在放大器的输入端加入频率f=1KHz ，幅值约为10mV 的正弦信号，用示波器观察，同时，用示波器的另一端监视放大器的输出电压Uo 的波形。

调整Rp 的阻值，使静态工作点处于合适位置，此时，输出波形最大而不失真。

3、测量电路工作电流Ic 并与理论计算值比较测得工作电流：11.139C I mA =- 理论计算值为：43443(12) 4.376.943B CC R U V V R R ==-=-++ 5 4.30.710500B BEC E U U I I mA R ---≈=== 经比较，实际工作电流与理论工作电流基本相等，实验电路正确。

实验二单级共射放大电路一、实验目的1、学会放大电路静态工作点的调试方法，分析静态工作点对放大电路性能的影响。

2、掌握放大电路电压放大倍数、输入电阻、输出电阻及最大不失真输出电压的测试方法。

3、熟悉常用电子仪器及模拟电路实验设备的使用。

二、实验设备与器件1、模拟电路实验装置2、双踪示波器3、交流毫伏表4、万用表三、实验原理图2－1为电阻分压式工作点稳定单管共射放大电路实验原理图。

它的偏置电路采用R B1和R B2组成的分压电路，并在发射极中接有电阻R E，以稳定放大电路的静态工作点。

当在放大电路的输入端加入输入信号u i后，在放大电路的输出端便可得到一个与u i相位相反，幅值被放大了的输出信号u0，从而实现了电压放大。

图2－1 共射极单管放大电路实验电路在图2－1电路中，当流过偏置电阻R B1和R B2 的电流远大于晶体管T 的 基极电流I B 时（一般5～10倍），则它的静态工作点可用下式估算: CC B2B1B1B U R R R U +≈U CE ＝U CC －I C （R C ＋R E ） 电压放大倍数beL C V r R R βA // -=输入电阻R i ＝R B1 // R B2 // r be 输出电阻 R O ≈R C由于电子电路件性能的分散性比较大，因此在设计和制作晶体管放大电路时，离不开测量和调试技术。

在设计前应测量所用元电路件的参数，为电路设计47µF47µFR P1 100KR B11 4.7KR B12 10KR E1 51510 C 3R C1 2KCEBEB E I R U U I ≈-≈提供必要的依据，在完成设计和装配以后，还必须测量和调试放大电路的静态工作点和各项性能指标。

一个优质放大电路，必定是理论设计与实验调整相结合的产物。

因此，除了学习放大电路的理论知识和设计方法外，还必须掌握必要的测量和调试技术。

放大电路的测量和调试一般包括：放大电路静态工作点的测量与调试，消除干扰与自激振荡及放大电路各项动态参数的测量与调试等。

PNP与NPN管放大电路输出波形失真情况仿真比较牧仁【摘要】许多模拟电子技术教材在讨论放大电路输出波形失真情况时,均以NPN管放大电路作为对象来分析,对于PNP管放大电路并没有详细介绍.在此对PNP管放大电路与NPN管放大电路输出波形的失真情况从理论及实验结果两方面做了详细的说明和比较.对帮助初学者掌握和理解问题具有重要意义.【期刊名称】《现代电子技术》【年(卷),期】2010(033)002【总页数】2页(P164-165)【关键词】PNP管放大电路;NPN管放大电路;饱和失真;截止失真【作者】牧仁【作者单位】内蒙古民族大学,内蒙古,通辽,028000【正文语种】中文【中图分类】TN101;TN710在模拟电子技术教材中讨论放大电路输出波形失真情况时，均以NPN管放大电路作为分析对象分析其输出波形的失真情况[1-5]。

对于NPN管放大电路，在发生饱和失真时，输出波形的负半周产生失真，即为削底失真，在发生截止失真时，输出波形的正半周产生失真，即为削顶失真。

而对于PNP管放大电路来说，波形失真情况恰恰相反，在发生饱和失真时，输出波形的正半周产生失真，即为削顶失真，在发生截止失真时，输出波形的负半周产生失真，即为削底失真[6]。

由于许多教材没有详细分析介绍，而初学者在学习中常会遇到这一类的问题，因而造成了初学者理解和掌握上的困难。

为此，这里利用作图法及仿真实验的方法对这一问题做详细的说明。

1 理论分析NPN管组成的放大电路失真情况在模拟电子技术基础教材中已有详尽分析说明，这里不再重复。

下面对PNP管放大电路的失真情况利用图解法做详细分析。

与NPN管组成的放大电路相比较，PNP管组成的放大电路ic与uce均为负，故画出其输出特性曲线如图1所示。

设交流负载线与输出特性曲线相交于Q1及Q2两点。

即当将放大电路基极偏置电阻Rb的阻值取成较小值时，放大电路工作点变高，如Q1 点，接近饱和区；当将放大电路基极偏置电阻Rb的阻值取成较大值时，放大电路工作点变低，如Q2 点，接近截止区。

pnp+npn 电压射随电路在电子电路中，pnp和npn电晶体是常见的器件，它们在各种电路中起着至关重要的作用。

其中，pnp+npn电压射随电路是一种常用的电路结构，用来实现电压的射随放大。

本文将从浅入深，深入探讨pnp+npn电压射随电路的原理、特点和应用。

1. 电压射随放大器的基本原理在了解pnp+npn电压射随电路之前，首先需要理解电压射随放大器的基本原理。

电压射随放大器是一种电子放大器，它可以实现输入电压信号的放大，并保持输出电压与输入电压成正比。

这种放大器通常由一个共集极的npn晶体管和一个共射极的pnp晶体管组成，通过它们之间的配合可以实现电压射随放大。

2. pnp+npn电压射随电路的结构特点pnp+npn电压射随电路通常由pnp晶体管和npn晶体管组成，它们之间通过共集极和共射极的连接方式实现电压的射随放大。

与单个晶体管的电压放大相比，pnp+npn电压射随电路具有更高的增益和更宽的工作频率范围，适用于更多的应用场景。

3. pnp+npn电压射随电路的应用pnp+npn电压射随电路广泛应用于各种电子设备中，如音频放大器、功率放大器、信号处理器等。

它具有高增益、低噪声、低失真等特点，能够有效地满足各种电子设备对信号放大和处理的需求。

总结通过对pnp+npn电压射随电路的原理、特点和应用的深入探讨，我们可以更好地理解这种电路结构在电子领域中的重要作用。

它不仅可以实现高质量的电压射随放大，还可以为各种电子设备提供稳定、高效的信号处理能力，为电子技术的发展和应用提供了重要支撑。

个人观点和理解作为一种常见的电子电路结构，pnp+npn电压射随电路在现代电子技术中扮演着至关重要的角色。

通过对其原理和特点的深入理解，我们可以更好地设计和应用这种电路结构，为电子设备的性能提升和创新提供更多可能性。

我相信，在未来的科技发展中，pnp+npn电压射随电路将继续发挥重要作用，为电子技术的进步做出更大的贡献。

任务4.1共发射极放大电路习题解答一、测试（一）判断题1、若Ue>Ub>Uc,则电路处于放大状态，该三极管必为NPN管。

答案：F解题：是PNP型三极管。

2、正弦信号经共射放大器放大后出现上半周失真，表明偏置电阻RB的阻值太大。

答案：T解题：上半周失真表示输入信号负半周被失真。

静态点偏低，RB电阻偏大。

3、在基本共发射极放大电路中，当系统电源U CC增大时，若电路其他参数不变，则电压放大倍数应增大。

答案：F解题：系统电源提升，电路不改变工作区，放大倍数不变。

4、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。

答案：F解题：只要有电流或电压放大就可以实现放大作用。

5、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。

答案：T解题：放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作.6、三极管电压放大倍数A u反映了放大电路对电压的放大能力，定义为放大电路的输出电压U o与输入电压U i之比。

答案：T解题：三极管电压放大倍数Au反映了放大电路对电压的放大能力，定义为放大电路的输出电压Uo与输入电压Ui之比。

7、三极管放大电路的输入电阻Ri是从放大电路的输入端看进去的交流等效电阻，它等于放大电路输入电压与输入电流的比值。

答案：T解题：三极管放大电路的输入电阻Ri是从放大电路的输入端看进去的交流等效电阻，它等于放大电路输入电压与输入电流的比值。

8、在共发射极放大电路中，温度上升, 反向饱和电流I CBO增加, 穿透电I CEO=(1+β)I CBO也增加。

答案：T解题：在共发射极放大电路中，温度上升, 反向饱和电流I CBO增加, 穿透电I CEO=(1+β)I CBO也增加。

9、在分压偏置电路中，发射极电阻R E实现静态工作点的稳定，因为当温度上升使I C增大时，I E随之增大，U E也增大；因基极电位U B=U BE+U E保持恒定，故U E增大使U BE减小，引起I B减小，使I C相应减小，从而抑制了温升引起的I C的增量，即稳定了静态工作点。

PNP 型单级共射放大电路一、 实验目的1、 设计一个PNP 型共射放大器，使其放大倍数为80，工作电流为80mA 。

二、 实验仪器1、示波器2、信号发生器3、数字万用表4、交流毫伏表5、直流稳压源三、 实验原理1、PNP 型单级共射放大器电路图如下：2、 静态工作点的理论计算：静态工作点可由以下几个关系式确定：434B CC R U V R R =+ 5B BEC E U U I I R -≈=由以上式子可知，当管子确定后，改变CC V 、3R 、4R 中任意参数值，都会导致静态工作点的变化。

当电路参数确定后，静态工作点主要通过P R 调整。

工作点偏高，输出信号波形易产生饱和失真；工作点偏低，输出波形易产生截止失真。

但当输入信号过大时，管子将工作在非线性区，输出波形会产生双向失真。

当输出波形不很大时，静态工作点的设置应偏低，以减小电路的静态损耗。

3、 电压放大倍数的测量与计算电压放大倍数是指放大电路输出端的信号电压（变化电压）与输入端的信号电压之比，即：ou iu A u =电路中有 12(//)u beR R A r β=-、 26'(1)be bb EQmVr r I β=++ 其中，'bb r 一般取300Ω。

当放大电路静态工作点设置合理后，在其输入端加适当的正弦信号，同时用示波器观察放大电路的输出波形，在输出波形不失真的条件下，用交流毫伏表或示波器分别测量放大电路的输入、输出电压，再按定义式计算即可。

四、 实验内容及结果1、按图连接电源，确认电路无误后接通电源。

2、在放大器的输入端加入频率f=1KHz ，幅值约为10mV 的正弦信号，用示波器观察，同时，用示波器的另一端监视放大器的输出电压Uo 的波形。

调整Rp 的阻值，使静态工作点处于合适位置，此时，输出波形最大而不失真。

3、测量电路工作电流Ic 并与理论计算值比较测得工作电流：11.139C I mA =- 理论计算值为：43443(12) 4.376.943B CC R U V V R R ==-=-++ 5 4.30.710500B BEC E U U I I mA R ---≈=== 经比较，实际工作电流与理论工作电流基本相等，实验电路正确。

期末复习填空题（每空1分，共200空）1、下图是N 沟道JFET 的转移特性曲线，可知其饱和漏极电流DSS I mA ，夹断电压为 V 。

2、双极型三极管内部由 个PN 结构成，结型场效应三极管内部有 个PN结,MOS 场效应管共有 种类型。

3、由NPN 管组成的单管共射放大电路中，当静态工作电流太 时，将产生饱和失真，输出电压波形被削去 ；饱和失真时集电结 偏。

4、本征半导体的导电能力比杂质半导体的导电能力 。

电子型半导体称为 型半导体。

5、二极管的正向电流是由 载流子的 运动引起，温度升高时，其反向饱和电流 。

6、二极管最主要的特性是 。

7、如果双极型三极管三个极电位分别为-2.5V ，-3.2V ，-9V ，则可以判断此三极管为型三极管。

8、稳压管通常工作在 区，反向电流在较大范围变化时，两端电压 。

9、PN 结加正向电压，空间电荷区将 ；PN 结加反向电压，空间电荷区将 。

10、双极型三极管是 控制器件，双极型三级管放大电路除共射连接外还有和 连接方式。

场效应管是 控制器件。

11、P 型半导体是在本征半导体中掺入 原子（填“受主”或“施主”）形成的杂质半导体，其少子是 。

12、杂质半导体的导电性能决定于 。

13、PN 结反偏电压越大其势垒电容越 。

14、测得放大状态中三极管三个管脚的直流电位分别是（-11.3V ）、（-5V ）、（-12V ），则U GS (V)该管是管（填“NPN”或“PNP”）。

15、N型半导体是在本征半导体中掺入价元素的原子，其多数载流子是。

16、二极管的伏安特性方程为d i= 。

17、三极管工作在放大状态时，发射结偏，集电结偏。

18、当温度升高时，三极管电流放大倍数变化的趋势是。

19、测得放大状态中三极管三个管脚的直流电位如下图所示，则该管是管（填“NPN”或“PNP”）。

20、下图所示场效应管可能工作在区（填“夹断”或“恒流”）。

21、在NPN型单管共射放大电路中，在信号源电压为正弦波时，测得输出波形如下图所示，该电路产生了失真（填“饱和”或“截止”）。

npn和pnp共射极放大电路交流通路导论1.1 问题引入在电子电路设计中，放大电路是一种十分重要的电路。

而在放大电路中，共射极放大电路是经常用到的一种形式。

在共射极放大电路中，npn和pnp型晶体管的交流通路起着至关重要的作用。

本文将围绕着npn和pnp共射极放大电路交流通路展开讨论，探究其工作原理和特点。

1.2 文章意义本文旨在深入探究npn和pnp共射极放大电路的交流通路，通过解析其特点和工作原理，为读者提供对这一放大电路形式更清晰的认识，帮助读者在实际应用中更灵活地理解和调节相应的电路，提高对电子电路设计的理解和掌握程度。

理论分析2.1 npn型共射极放大电路交流通路npn型晶体管的共射极放大电路是一种常见的放大电路形式。

在这种电路中，交流通路是通过输入信号来控制npn型晶体管的输出，从而实现对信号的放大。

2.2 工作原理当输入信号进入npn型共射极放大电路时，基极-发射极间的电压会发生变化，使得晶体管的工作点发生偏移。

通过这种偏移，晶体管能够将输入信号进行放大，并将放大后的信号输出到负载电阻上，从而实现对输入信号的放大。

2.3 特点npn型共射极放大电路具有输入阻抗较低、增益高、输出阻抗相对较高等特点。

这些特点使得npn型共射极放大电路在实际应用中具有较为广泛的适用性和稳定性。

2.4 优缺点npn型共射极放大电路的优点在于其放大性能较好、线性度高、能够适用于大部分正向工作的电子设备。

但其缺点在于输出信号的相位与输入信号相反、对电源的稳定性要求较高等。

3.1 pnp型共射极放大电路交流通路pnp型共射极放大电路同样是一种重要的放大电路形式。

在这种电路中，pnp型晶体管的交流通路也起着关键作用。

3.2 工作原理pnp型共射极放大电路与npn型共射极放大电路类似，只是其晶体管的极性相反。

当输入信号进入pnp型共射极放大电路时，基极-发射极间的电压变化会使得晶体管的工作点发生偏移，从而实现对输入信号的放大。

三极管及基本放大电路教案2．分类：（1）按内部基本结构不同：NPN 型和PNP 型。

PNP 型和NPN 型三极管表示符号的区别是发射极的箭头方向不同， 这个箭头方向表示发射结加正向偏置时的电流方向。

（2）按功率分：小功率管、中功率和大功率管。

（3）按工作频率分：低频管和高频管。

（4）按管芯所用半导体材料分：锗管和硅管。

目前国内生产硅管多为NPN 型（3D 系列）；目前国内生产锗管多为PNP 型（3A 系列）。

（5）按结构工艺分：合金管和平面管。

（6）按用途分：放大管和开关管。

二、三极管的电流放大作用——发射结正向偏置，集电结反向偏置1．三极管各电极上的电流分配实验电路【原理】载流子的特殊运动(NPN)：发射区向基区扩散电子；电子在基区的扩散和复合；集电区收集电子【电流放大作用】(1)B C I I β=且B C I I >>;(2)B C E I I I +=注意：（1）三极管的电流放大作用，实质上是用较小的基极电流信号控制集电极的大电流信号，是“以小控大”的作用。

（2）要使三极管起放大作用，必须保证发射结加正向偏置电压，集电结加反向偏置电压。

2、三极管的基本连接方式1）．共发射极电路（CE ）：把三极管的发射极作为公共端子。

2）．共基极电路（CB ）：把三极管的基极作为公共端子。

3）．共集电极电路（CC ）：把三极管的集电极作为公共端子。

三、三极管的特性曲线——硅NPN 型三极管1．输入特性曲线输入特性：在V U CE 1 且为某定值时，加在三极管基极与发射极之间的电压BE V 和它产生的基极电流B I 之间的关系。

与二极管的正向伏安特性曲线相似。

当BE V 大于导通电压时，三极管才出现明显的基极电流。

导通电压：硅管0.7 V ，锗管0.3 V 。

2. 输出特性曲线：B I 为某定值，C I 与CE U 之间的关系，一簇几乎与横轴平行的直线。

3、三极管的三个区① 截止区：B I = 0以下的区域。