光刻过程中的暴光方法
暴光可采用接触式、非接触式、以及投影式的形式。在后 者的情况下,可对掩膜的图形缩小10倍
光刻过程中的暴光 ——GCA 6700 STEPPER
光刻技术制备的显微防伪标记
尺度单位为55m
光刻流程中的刻蚀
SiO2层的刻蚀
存在两种刻蚀方法: 湿法(化学溶剂法), 干法(等离子体法)
由高密度等离子体实现的SiO2的各 向异性刻蚀
25nm788nm
集成电路多层 布线技术
镶嵌式(左):绝缘层光刻-金属层PVD-化学机械抛光 标准式(右):金属层光刻-绝缘层CVD-化学机械抛光
光刻技术的未来: 莫尔定律(Moore’s Law)
为协调半导体技术的发展,国际半导体行业协会(SIA)每年都在制 定International Technology Roadmap for Semiconductors, ITRS
氧化:形成SiO2层
溶解:去除部分光刻胶 加热:光刻胶固化
涂敷:涂光刻胶 SiO2层的刻蚀
加热:光刻胶预固化 掩膜对准
溶解或灰化:去除光刻胶
不仅SiO2, 其他的材料,如Si, Al, 也可由光刻方法进行刻蚀
Automatic coat and develop track
依次可完成清洗、涂胶、暴光、刻蚀等工序
未来的光刻技术
当今主流的光刻技术已是90nm线宽的技术;下一 代光刻技术则是所谓的65nm、45nm线宽的技术
目前主要使用的光刻光源是波长为193nm的ArF 激光。下一代光刻技术据说将使用波长为157nm 的F2激光、13nm的极紫外光
离子能量(eV)
离化率
100-1000
10-6-10-3