武汉大学2014—2015学年度第二学期
《数字电子技术基础》试卷（A）
学号姓名院（系）分数
一、填空题，每空1分(共20分)
1.逻辑函数有多种表达方式，其中的四种为()，()，()和()。
2、(25.7)10=()2=()16。
3、可以实现线与功能的逻辑门电路包括()，()和()。
4、JK触发器若J=K，则可实现()触发器的功能；若J=K，则可实现()触发
器的功能。
5、5位环形和扭环形计数器，若初态均为10110(低位在左)，则26个CP后环形计
数器的并行输出为()，扭环计数器的并行输出为()。
6、128K×16的只读存储器，其寻址地址线数目是()根，字长是()位，字数是
()，总容量是()。
7、可以实现更大规模逻辑电路的可编程器件主要包括()和()。
8、设四位D/A转换器的满刻度输出电压30V，则输入数字量是1011时的输出模拟
电压为()V。
二、单项选择填空，每空2分(共20分)
1、编码(11111100.11010100)2421对应的十进制数为()。
A．97.64B．86.54C．96.74D．85.74
2、逻辑函数F=A B C
⨯+且BC=0的卡诺图中，最小项和无关项个数分别为()个。
A．4,2B．3,2C．3,3D．2,4
3、下列说法正确的共有()个。
(1)按制造门电路晶体管的不同，门电路可分为MOS型和双极型；
(2)TTL电路相对CMOS电路的特点是速度快，但功耗大；
(3)CMOS电路的静态功耗很小，主要是动态功耗；
(4)TTL器件驱动CMOS器件主要需要校验灌电流是否满足要求；
A．1B．2C．3D．4
4、已知题2.4图中的门电路是74系列的TTL门电路，则电路的输出电平是()。
A．高电平B．高阻C．低电平D．无法判断
5、要将方波脉冲的周期扩展10倍，可采用()。
A．10级施密特触发器B．10位二进制计数器
C．十进制计数器D．10位D/A转换器
第1页共4页6、用4片4K×16的RAM构成4K×16的存储器，扩展后地址空间最高的一片4K×16
的RAM的寻址范围是()。
A．1000H-1FFFH B．2000H-2FFFH C．3000H-3FFFH D．4000H-4FFFH 7、VHDL语言中，下列标识符定义正确的个数有()。
(1)my_counter(2)2FFT(3)Sig_N(4)ALL_RST_(5)return
A．2B．3C．4D．5
8、用555定时器组成施密特触发器，当输入控制端引脚5外接8V电压时，回差电
压为()。(555定时器的功能表见附录)
A．2.67V B．4V C．3.33V D．6.67V
9、在ADC工作过程中包括保持a、采样b、编码c和量化d四个过程，它们的先
后次序应该是()。
A．abcd B．bcda C．cbad D．badc
10、通常DAC中输出端运算放大器的作用是()。
A．倒相B．放大C．积分D．求和
题2.4图题4.1图题4.2图
三、函数化简题，每小题5分(共10分)
1、代数法化简F=AB BD+CE+AD
2、卡诺图法化简F=∑m(3,6,8,9,11,12)+∑d(0,1,2,13,14,15)
四、分析简答题，(共20分)
1、分析题4.1图所示电路的逻辑功能，要求写出完整的步骤。(6分)
2、题4.2图中为用TTL电路驱动CMOS电路的实例，试计算上拉电阻的取值范围，
TTL与非门在V OL≤0.2V时最大输出电流为10mA，输出管截止时有100μA电流，CMOS门输入电流可忽略，要求加到CMOS或非门的电压V IH≥4.2V，V IL≤0.2V,电源电压为5V。(6分)
第2页共4页3、电路如题4.3图所示，设初态均为0。试画出对应CP作用下Q0、Q1、φ1、φ2、
φ3、φ4的波形。(不考虑门的延迟，74LS139的功能表见附录)(8分)
题4.3图
五、分析设计题，每小题10分(共30分)
1、试用一片74HC151设计一个8421码的检码电路，要求当输入大于等于3且小于
等于7时输出1，否则电路输出0。(74HC151的引脚图和功能表见附录)
2、试用集成计数器74HC161一块，数据选择器74HC151两块及适当的门电路组合
设计一个序列信号发生器。序列输出信号依次为11001110101，以此循环反复。
(74HC161和74HC151的引脚图和功能表见附录)
3、试用两片中规模通用集成电路555设计带延时的声音报警电路。当出现告警信
号后1秒后才发声告警，要求给出延时环节相关元件的参数。(555的引脚图和功能表见附录)(提示：前一块555构成单稳触发器，后一块555构成多谐振荡器)
附录
1、555定时器的逻辑引脚图和功能表
第3页共4页2、74LS139的功能表
3、74HC151逻辑引脚图和功能表
4、74HC161逻辑引脚图和功能表
第4页共4页所长签字：教学院长签字：
