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PIN 光电二极管
(1)结构与工作原理: 为改善PN结耗尽层只有几 微米,长波长的穿透深度 比耗尽层宽度还大,大部 分入射光被中性区吸收, 使光电转换效率低,响应 时间长,响应速度慢的特 性,在PN结中设置一层掺 杂浓度很低的本征半导体 (称为I),这种结构便是 PIN光电二极管。
P+
I
N+
耗尽层
c
hc Eg
• 量子效率的光谱特 性取决于半导体材 料的吸收系数 α (λ)
0.2 0 0.7 0.9 1.1
10%
1.3
1.5
1.7
PIN响应度、量子效率 与波长的关系
3. 响应时间及频率特性
当光电二极管具有单一的时间常数 前沿和脉冲后沿相同,且接近函数 exp(t / 0 ) 和 exp(t /0 ) , 由此得到脉冲响应时间为 2 . 2 r f 0
R
P+
N+
PIN光电二极管原理图
抗反射膜
电极
Ⅱ(N) 掺杂浓度很低; P P+和N+掺杂浓度很高 Ⅱ(N) 。 且I层很厚,约有 N 5~5 0μm,吸收系数 电极 很小,入射光很容易进 PIN光电二极管结构 入材料内部被充分吸收 而产生大量的电子-空 穴对 ,因而大幅度提高 P+层和N+层很薄,吸 了光电转换效率,两侧
0
时,其脉冲
具有一定时间常数的光电二极管,对于幅度一定 ,频率为 f c 的正弦调制信号,截止频率 2 f 1 0.35
fc
20
r
谢谢!
响应度分为电压响应度和电流响应度
• 电压响应度Rv
光电探测器件输出电压与入射光功率之比 • 电流响应度RI