武汉理工大学2016-2017模拟电子技术基础试卷

一、判断(共计50分,每题2.5分)1、多极放大电路常用的耦合方式有三种：阻容耦合、直接耦合和变压器耦合。

A. 正确B. 错误错误:【A】2、正弦波振荡电路是由放大电路、反馈网络、选频网络、稳幅环节四个部分组成。

A. 正确B. 错误错误:【A】3、将交流电变换成脉动直流电的电路称为整流电路，全波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压（即变压器副边电压）有效值的0.9倍。

A. 正确B. 错误错误:【A】4、将一个RC低通电路与一个RC高通电路并联在一起，可以组成带阻滤波器。

A. 正确B. 错误错误:【A】5、凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。

（）A. 正确B. 错误错误:【A】6、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中，共集组态带负载能力强。

A. 正确B. 错误错误:【A】7、正反馈是指反馈信号增强净输入信号；负反馈是指反馈信号减弱净输入信号。

A. 正确B. 错误错误:【A】8、可以说任何放大电路都有功率放大作用；（）A. 正确B. 错误错误:【A】9、负反馈对放大电路性能的改善体现在：提高增益的稳定性、减小非线性失真、抑制反馈环内噪声、扩展频带。

A. 正确B. 错误错误:【A】10、直流电源一般由下列四部分组成，它们分别为：电源变压器、整流电路、滤波电路、稳压电路。

A. 正确B. 错误错误:【A】11、对于耗尽型MOS管，当栅源电压等于零时，有导电沟道存在。

A. 正确B. 错误错误:【A】12、N型半导体中电子是少数载流子。

（）A. 正确B. 错误错误:【B】13、结型场效应管利用栅源极间所加的反向电压来改变导电沟道宽度。

（）A. 正确B. 错误错误:【A】14、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

（）A. 正确B. 错误错误:【B】15、场效应管利用栅源之间电压的电场效应来控制漏极电流。

A. 正确B. 错误错误:【A】16、场效应管放大电路有共源、共栅、共漏三种组态。

3．F3F3四、（共12分）设计一个三人举手表决电路，要求输出Y的状态与三人A、B、C中多数的状态一致：1．列出真值表并写出逻辑表达式；（6分）2．用3/8线译码器74138和与非门实现上述逻辑函数，画出电路图。

（6分）74138集成译码器功能表及符号输入输出G1G2A G2B A2A1A0Y0Y1Y2Y3Y4Y5Y6Y70X X X X X11111111X1X X X X11111111X X1X X X111111111000000111111110000110111111100010110111111000111110111110010011110111100101111110111001101111110110011111111110五、（共12分）分析下列由计数器74LS290和数据选择器74LS151组成的电路：1．画出图中74LS290输出的状态转换图；（3分）2．写出图中74LS151输出Y的逻辑表达式；（3分）3．对照CP画出输出Y的波形图；（3分）4．说明电路的逻辑功能。

（3分）武汉理工大学教务处 试题标准答案及评分标准用纸课程名称 数字电子技术 （ A 卷）一、填空（每空1分，共16分）1.（ 111111.11）B ＝（77.7）O =（3F.C ）H ＝（01100011.01110101）8421BCD 2．()()F A BB C =++，()()'F A B B C =++3．A=C=1，F AB BC AC =++ 4．速度快 5．-5V6．10，8，8 7．0，1，2二、化简（每小题6分，共12分）1．代数法化简：()()()F A B ABC A(B AB)A B AC A A B A+C A A BC A A BC A B+C AB+AC=•+++=•++=++=++=+==2．卡诺图法化简：Y(A,B,C,D)=(0,2,3,4,6,12)(1,7,8,10,14,15)∑+∑m d 三、写表达式（每小题4分，共12分）1．1F A B C =⋅⋅ 2．2F A B B C =⋅+⋅ 3．3F 1= 四、1．真值表：（略）（3分）逻辑表达式：()Y 3,5,6,7m =∑（3分） 2．电路图：（6分）1GA74LS138G 2212AGAY 4 1 Y Y 5 Y2 Y 6 Y Y 7Y 3 0A B C10 0Y图1 例1逻辑五、1．七进制；（3分）2．输出Y 的逻辑表达式()Y 0,1,3,4,5m =∑；（3分）3．1101110；（3分）4．序列码发生器。

武汉理工大学继续教育学院《电工及电子技术基础》试题(B)20XX机电专业20XX年12月____________一、填空：（本大题包括10小题，每小题2分，共计20分）1．实际电压源的内阻越小，其特性越接接近于理想________源。

2．电路中电位参考点发生变化后，其它各点的电位_______________________。

3．在对称三相电路中，若负载作三角形连接，其相电流i AB=5sin(314t+60°)A。

则线电流i A=________________________A。

4．某正弦交流电压u的初相位为45°，在t=0时u=220V，则u的有效值为_______V。

5．若电源电压有效值保持不变，而电源频率提高时，R、C串联正弦交流电路的电流有效值将_________。

6．二极管最重要的特性是_________________。

7．三极管由放大状态变为截止状态后，电路中将出现的特征是________________。

8．某三极管发射结反偏，集电结也反偏时，此三极管的工作状态为_____________。

9．单相桥式整流电路，接负载R L=100Ω，电源电压u2=2×20sinωt V，则负载电流的平均值I L为_____________。

10．基本R-S触发器，输入端R D、S D禁用的状态为________________。

二、单项选择题：（本大题包括16小题，每小题1.5分，共计24分）（选择唯一正确答案，并将其编号填入括号内。

选错或未选均无分）11．有一阻值为100kΩ的电阻与另一阻值为1kΩ的电阻并联后，再与一阻值为1kΩ的电阻串联，根据工程近似的的观点，它们并、串联后的等效电阻值为（）A．0.5kΩB．1kΩC．2kΩD．100kΩ12．基尔霍夫电压定律、电流定律（）A．与电路结构有关，与元件性质无关B.与电路结构有关，与元件性质也有关C．与电路结构无关，与元件性质有关D.与电路结构无关，与元件性质也无关13．直流电路如图1所示，E=15V，I K=5A，R=5Ω，恒压源E的工作状况是（）A．发出功率75W B．吸收功率75W C．发出功率30WD．吸收功率30W14．R、L串联的正弦交流电路如图2所示，若u R=52sin(ωt+10°)V，u L=52sin(ωt+100°)V，则总电压u为（）A．5sin(ωt+45°)V B．10sin(ωt+55°)VC．52sin(ωt+110°)V D．102sin(ωt+70°)V15．有关图3中所示电路电流•I的下列计算公式中，错误．．的是（）图1 题13电路图A ．R U R •B ．Cj UC ω•C ．•C U C j ωD ．)1(Cj R U ω+•16．负载为△连接的三相对称电路，若每相负载有功功率为30W ，则三相有功功率为（ ）A ．0B ．303WC ．90WD ．903W 17．三相异步电动机的电磁转矩T 与（ ）A ．定子电流成反比B ．定子电压成正比C ．定子电压平方成反比D ．定子电压平方成正比18．在掺杂半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（ ）A ．杂质浓度B ．掺杂工艺C ．晶体缺欠D ．温度 19．PN 结的空间电荷的组成是（ ）A ．正离子与电子B ．负离子与空穴C ．正离子与负离子D ．电子与空穴 20．PN 结未加外部电压时，扩散电流与漂移电流是（ ）A ．只有扩散电流没有漂移电流B ．只有漂移电流没有扩散电流C ．扩散电流与漂移电流均存在，且前者大于后者D ．扩散电流与漂移电流均存在，且相等 21．锗二极管的死区电压约为（ ）A ．0.1 V 左右B ．0.3 V 左右C ．0.5 V 左右D ．0.7 V 左右22．PNP 型与NPN 型三极管主要区别为（ ）A ．必需由两种不同材料（硅、锗）制造B ．必需掺杂不同的元素C ．N 区与P 区的位置安排不同D ．掺杂的浓度不同 23．处于放大状态的三极管，其发射结（e 结）及集电结（c 结）的偏置情况为（ ）A ．c 结反偏，e 结正偏B ．c 结正偏，e 结反偏C ．c 结正偏，e 结正偏D ．c 结反偏，e 结反偏 24．对半导体三极管而言，不正确的说法是（ ）A ．三极管的参数β与温度有关B ．硅材料只能制造NPN 型三极管C ．三极关在放大状态时，e 结为正偏，c 结为反偏D ．三极管的参数I CEO 与温度有关 25．单相桥式整流电路，交流电源U 2=20V ，工作中突然发生一只二极管脱焊，则输出电压U L 等于（ ）A ．20VB ．18VC ．10VD ．9V 26．表示基本触发器的置0端的文字符号为（ ）A ．S DB ．R DC ．QD ．__Q三、简 析 题：（本大题包括4小题，每小题4分，共计16分）27．通常电灯开得愈多，总负载电阻愈大还是愈少，为什么？28．在图4所示正弦交流电路中，若电源角频率ω=1000 ra d ∕ s ，R =100Ω，欲使输出电压u 2超前输入电压u 1的相位角为60°，则电感L 应取多大值？ 29．在图5所示电路中，E =5V ，R =5k Ω，试分析并分别求出图5（a ）、(b )、（c ）各图中电流表（即mA 表）的读数。

一、单项选择题：（每小题1分，共15分）1．某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（ C ）。

A)10kΩ B)2kΩ C)4kΩ D)3kΩ2．为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入（ C ）。

A)共射电路 B)共基电路 C)共集电路 D)共集-共基串联电路3．某电路有用信号频率为2kHz，可选用（C ）。

A)低通滤波器 B)高通滤波器 C)带通滤波器 D)带阻滤波器4．与甲类功率放大方式比较，乙类OCL互补对称功放的主要优点是（C ）。

A)不用输出变压器 B)不用输出端大电容 C)效率高 D)无交越失真5．有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。

在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（ B ）。

A)输入电阻大 B)输入电阻小 C)输出电阻大 D)输出电阻小6．共模抑制比KCMR越大，表明电路（C ）。

A)放大倍数越稳定 B)交流放大倍数越大C)抑制温漂能力越强 D)输入信号中的差模成分越大7．多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（B ）。

A)变宽 B)变窄 C)不变 D)与各单级放大电路无关8．某仪表放大电路，要求Ri大，输出电流稳定，应选（A ）。

A)电流串联负反馈 B)电压并联负反馈C)电流并联负反馈 D)电压串联负反馈9．电流源的特点是直流等效电阻( B )。

A)大 B)小 C)恒定 D)不定10．差动放大器由双端输入变为单端输入，差模电压增益是（C ）。

A)增加一倍 B)为双端输入时的一半 C)不变 D)不确定12．当放大电路的电压增益为-20dB时，说明它的电压放大倍数为（D ）。

A)20倍 B)-20倍 C)-10倍 D)0.1倍13．当用外加电压法测试放大器的输出电阻时，要求（A ）。

模拟综合试卷一一．填充题1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ，b 。

2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a ,b 。

3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。

4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。

5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为。

6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。

7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压ui1=ui2,则输出电压为 V；若ui1=1500µV, ui2=500µV，则差模输入电压uid为µV，共模输入信号uic为µV。

8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。

9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。

10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。

频带最宽的是组态。

二．选择题1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO,uBE的变化情况为（）。

A．β增加，ICBO,和 uBE减小 B. β和ICBO增加，uBE减小C．β和uBE 减小，ICBO增加 D. β、ICBO和uBE都增加2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（）A. 输入电阻B. 输出电阻C. 击穿电压D. 跨导3．双端输出的差分放大电路主要（）来抑制零点飘移。

A. 通过增加一级放大B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（）。

A. 变大B. 变小C. 不变D. 无法判断5．差分放大电路的共模抑制比KCMR越大，表明电路（）A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大D. 抑制零漂的能力越强6．负反馈放大电路以降低电路的（）来提高嗲路的其他性能指标。

（C ）C L R /2= 题三图如图所示，换路前已处于稳态，t=0时开关闭合，试求换路后的电容两端电压题四图题五图武汉理工大学教务处（A 卷）一、填空题（每空1分，共16分）1. －1A 、2V 、1A2. 1000 、 3π 、503. 电压、电流4. 滞后 、容性5. N1/N2、N2/N16. 改变电源相序7.变电源频率f 、变电机极数P 、变转差率S二、单选题（每题2分，共20分）1～5：A B B D C 6～10：A B A A C 三、（10分）解：c 点电位为Vc=1×10=10V （3分）b 点与c 点电位差为U bc =4×3/（4+2）=2V ，故Vb=Vc+U bc =12V （4分） a 点电位为Va=Vb-3=9V （3分） 四、（12分）解：（1）开关未闭合时，电路处于稳态，计算)0(-C U 如图3.1所示，Uab ＝20V ，故101020)0(=-=-C U V （3分） （2）根据换路定则，)0()0(-=+C C U U ＝10V （2分） （3）当电路再次进入稳态后，)(∞C U如图4.2所示，)(∞C U ＝20×（1/4）-10=-5V （3分）(4)等效电阻R ＝10K Ω，故时间常数RC ＝10K Ω×10μF=0.1s （2分） 根据三要素法，可得t C e t U 10155)(-+-=V 。

（2分） 五、（12分）解：（1）求开路电压Uab 。

如图5.1所示电路。

Uab ＝16V （4分） （2）等效电阻R0＝8Ω,如图5.2所示。

（4分） （3）I ＝Uab/(R0+24)=0.5A ，如图5.3所示，（4分）六、（15分）解：由已知条件可知，︒∠=0380ABU V ，s rad /314=ω，则 A 、B 、C 相电压分别为︒-∠=30220A U V ，︒-∠=150220B U V ，︒+∠=90220C U V ，（3分） Ω=⨯⨯==-10108.313143L X L ω，Ω=⨯⨯==-10)10318314/(1)/(16C X C ω（3分）︒-∠==3022/R U I A A A ，︒-∠=-=6022)/(C B B jX U I A ，︒∠==022)/(LC C jX U I A ，（3分） 图4.1 t ＝0－等效电路A I I I I CB A N 3060-∠=++=∙∙∙∙（2分） 相量图如下图所示。

模拟电子技术课程作业第1章 半导体器件1将PN 结加适当的正向电压，则空间电荷区将( b )。

(a)变宽 (b)变窄 (c)不变2半导体二极管的主要特点是具有( b )。

(a)电流放大作用 (b)单向导电性(c)电压放大作用3二极管导通的条件是加在二极管两端的电压( a )。

(a)正向电压大于PN 结的死区电压 (b)正向电压等于零 (c)必须加反向电压4理想二极管的反向电阻为( b )。

(a)零 (b)无穷大 (c)约几百千欧5电路如图1所示，设1D ，2D 均为理想元件，已知输入电压i u =150sin t ωV 如图2所示，试画出电压O u 的波形。

答：6电路如图1所示，设输入信号I1u ,I2u 的波形如图2所示，若忽略二极管的正向压降，试画出输出电压O u 的波形，并说明t 1,t 2时间内二极管D 1，D 2的工作状态。

D D u O+- 图1图2u i u iuI2D1图1图2uI1u答：电压波开如图：在t1时间内D1导通，D2截止。

在t2时间内D1截止，D2导通。

7电路如图所示，试分析当u I V=3时，哪些二极管导通？当uIV=0时，哪些二极管导通？（写出分析过程并设二极管正向压降为0.7 V）。

答：当U I=3V时，D2D3D4导通；当U I=0V时，D1导通。

当U I=3V时，5V电源有两个回路，右边D2D3D4的压降各为0.7V，所以该给回路中的电阻压降是5V-3*0.7V=2.9V,电阻下端是5V的电源正极为+5V，因此a点电位为2.1V，由于D1左边电位为+3V，因此D1不会导通。

第2章基本放大电路1下列电路中能实现交流放大的是图(b)。

D1D2D342图示电路，已知晶体管60=β，V 7.0BE =U ，Ω=k 2C R ，忽略U BE ，如要将集电极电流I C 调整到1.5mA ，R B 应取( a )。

(a)480k Ω (b)120k Ω (c)240k Ω (d)360k Ω3电路如图所示，R C ＝3k Ω，晶体管的β＝50，欲使晶体管工作在放大区， R B 应调至(c)。

武汉理工大学考试试题纸（ 卷）备注：学生不得在试题纸上答题（含填空题、选择题等客观题）一、填空题（本大题共20分，每空1分，）：1.理想二极管的正向电阻为 零 ，反向电阻为 无穷大 。

2.当正向电压 小于死区电压的绝对值 ，或反向电压 低于击穿电压 时，二极管截止。

3.当PNP 型锗管处在放大状态时，在三个电极电位中，以 发射 极电位最高， 集电 极电位最低， 基 极和 发射 极电位之差约等于 -0.3V 。

4.设某共射极基本放大电路原来没有发生削波失真，现增大c R ，则静态工作点向 左 方向移动，较容易引起 饱和 失真。

5.设某负反馈放大电路的开环放大倍数1000A ∙=，反馈系数0.01F = ，若A ∙变化5%，则f A 变化 0.45% 。

6. 电流并联 负反馈能使放大电路的输入电阻减小，输出电阻变大； 电压并联 负反馈能使放大电路的输入电阻增大，输出电阻减小。

7.若12id i i v v v =-是 差模 电压，12()2ic i i v v v =+是 共模 电压，则差分电路两输入端的电压分别为1i v = 2ic id v v + ，和2i v = 2ic id v v - 。

8.电流源作为放大电路的有源负载，主要是为了提高 电压增益 ，因为电流源的 交流电阻 大。

二、单项选择题（本大题共20分，每空1分）1.当PN 结外加反向电压时，扩散电流（ B ）漂移电流，耗尽层（ D ）。

A.大于B.小于C.等于D.变宽E.变窄F.不变2.正偏时，对于某个确定的工作点，普通二极管的交流电阻D r 和直流电阻D R 相比，（ A ）。

A.D D r R <；B.D D r R =；C.D D r R >；D.说不定哪个大3.在下图（二3）所示电路中，设1Z D 的稳定电压为7V ，2Z D 的稳定电压是为13V ，则输出电压等于（ C ）。

4.某晶体管的发射极电流等于1mA ，基极电流等于20μA ，则它的集电极电流等于（ A ）。

电子技术基础试题（七）一．填空题：(每题3分,共30分)1、N型半导体又称电子型半导体，它主要靠自由电子导电。

3、NPN型晶体三极管工作在放大状态时，三个极中电位最高的是 c (集电极) 极。

PNP型晶体三极管工作在放大状态时，三个极中电位最高的是e（发射极）极4、单级共射放大器对信号有放大和反相两个作用。

6、串联负反馈能提高放大器的输入电阻，并联负反馈能降低放大器的输入电阻。

7、差分放大器可以放大差模信号，抑制共模信号。

8、（25）10=（11001 ）29、逻辑函数F=ABC+A+B+C的逻辑值为 1 。

10、时序逻辑电路的特点是电路任何时刻的输出状态不仅取决于该时刻的输出状态，而且还取决于该电路的原有状态。

11、与非门构成的基本RS触发器中，设S=0，R=1时，其输出状态是 1 。

12、能够暂时存放二进制数据的电路称为寄存器。

二．选择题（每题3分，共30分）1．将交流电变换为脉动直流电的电路称为：（ A ）A.整流电路B.滤波电路C.稳压电路D.放大电路2．固定偏置共发射极放大电路中，三极管工作在放大区，如果将Rc增大，此时三极管为放大状态，则集电极电流Ic将：（ B ）A.显著减小B.不变C.显著增加D.无法确定3．放大器若要提高输入电阻，降低输出电阻，应引入的反馈类型是：（B ）A.电压并联负反馈B.电压串联负反馈C.电流并联负反馈D.电流串联负反馈4．单管功率放大器，在阻抗匹配时，输出的不失真交流功率达到最大，此时功率放大器的效率为：（ C ）A.100％B.75％C.50％D.25％１5．已知某差动放大电路的差模放大倍数为100，共模放大倍数为2，则共模抑制比K CMR为（B）A .100 B. 50 C .1/50 D.1/1006．正弦波振荡器的振荡频率f取决于（B ）A.放大电路的放大倍数B.反馈网络元件的参数C.正反馈的强弱D.电源电压的高低7．右图TTL电路中1端输入数字信号，2，3端悬空，则Y=（ B ）A. 0B. 1C .A D. A8．要表示十进制数的十个数码需二进制数码的位数至少为（C ）A .2位B .3位 C. 4 位 D. 5位9．已知某逻辑门的真值表如图所示，则对应的门的逻辑符号是（C ）A. B. C. D.10．将JK 触发器J K两端短接，就可以接成（ C ）A.RS触发器B.D触发器C.T触发器D.T’触发器三、分析计算题：（每题10分，共40分）1．分析下面组合逻辑电路的逻辑功能（要求写出函数表达式，列出真值表）。

模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷一专升本试卷及其参考答案试卷一（总分150分）（成人高等学校专升本招生全国统一考试电子技术基础试卷之一）一、选择题（本大题10个小题，每小题4分，共40分。

在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的，把所选项前的字母填在题后的括号内。

）1. 用万用表的R ×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Ω，若改用R ×1k 档，测量同一二极管，则其正向电阻值（ ）a. 增加b. 不变c. 减小d. 不能确定 2. 某三极管各电极对地电位如图2所示，由此可判断该三极管（ ）a. 处于放大区域b. 处于饱和区域c. 处于截止区域d. 已损坏图23. 某放大电路在负载开路时的输出电压为6V ，当接入2k Ω负载后，其输出电压降为4V ，这表明该放大电路的输出电阻为（ ）a. 10k Ωb. 2k Ωc. 1k Ωd. 0.5k Ω 4. 某放大电路图4所示.设V CC >>V BE,L CEO ≈0，则在静态时该三极管处于（ ） a.放大区 b.饱和区 c.截止区 d.区域不定图45. 图5所示电路工作在线性放大状态，设L R '=R D //R L ,则电路的电压增益为（ ）a.Lm R g ' b.s m Lm 1R g R g +'-C.L m R g '- d.m L /g R '-图56. 图5中电路的输入电阻R i 为（ ）a. R g +(R g1//R g2)b. R g //(R g1+R g2)c. R g //R g1//R g2d.[R g +(R g1//R g2)]//(1+g m )R S7. 直流负反馈是指（ ） a. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 b. 放大直流信号时才有的负反馈 c. 直流通路中的负反馈 d. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 8. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是（ ） a. 输入信号所包含的干扰和噪声 b. 反馈环内的干扰和噪声 c. 反馈环外的干扰和噪声 d. 输出信号中的干扰和噪声 9. 在图9所示电路中，A 为理想运放，则电路的输出电压约为（ ） a. －2.5V b. －5V c. －6.5V d. －7.5V图910. 在图10所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid 为（ ）a. 10mVb. 20mVc. 70mVd. 140mV图10二、填空题（本大题共7个小题，18个空，每空2分，共36分。

一、 选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。

每小题2分，共14分） 1． 电路如图1所示，二极管的导通电压0.7V D U =，则图1中二极管的工作状态及输出电压值为（ ）。

A.D1导通，D2截止，0.7V OU =B.D1截止，D2导通， 5.3V O U =-C.D1截止，D2截止，12V O U =D.D1导通，D2导通，0.7V OU =2． 图2所示共射放大电路，设静态时2mA CQ I =，晶体管饱和管压降0.6V CES U =，当输入信号幅度增大到一定值时，电路将首先出现（ ）失真，其输出波形的( )将削去一部分。

A. 饱和；底部B. 饱和；顶部C. 截止；底部D. 截止；顶部3． 在图2所示电路中，已知U T =26mV ，静态时2mA CQ I =，晶体管参数：100β=，bb'200r =Ω，正弦交流输入电压i t u ω=，则交流输出o u 为（ ）。

A．o )u t ωπ=+ B．o )u t ω= C．o )u t ωπ=+D．o )u t ω=4． 根据不同器件的工作原理，可判断下图中（ ）可以构成复合管。

（A）（B）（C）（D ）5． 对于RC 耦合单管共射放大电路，若其上、下限频率分别为H f 、L f ，则当L f f =时，下列描述正确的是（ ）。

A ．o U 滞后iU 45︒B ．o U 滞后iU ︒135 C ．o U 超前iU ︒45D ．o U 超前iU 135︒6． 某负反馈放大电路，其开环增益9.9mS iu A =，反馈系数10ui F k =Ω，开环输入电阻5.0i R K '=Ω，可推算出其闭环输入电阻if R '=（ ）。

A. 500k Ω；B. 50k Ω；C.50Ω；D. 5Ω图17． 如下图4所示单相桥式整流、电容滤波电路，电容量足够大时，已知副边电压有效值为210V U =，测得输出电压的平均值() 4.5V O AV U =，则下列描述正确的是（ ）。

武汉理工《模拟电子技术基础》各章知识点及考试重点半导体基础知识及二极管应掌握的知识点：1.先修知识之放大电路的四种基本模型及用法2.先修知识之电阻串、并、混联的等效变换3.先修知识之kirchhoff's law4.先修知识之戴维南、诺顿等效变换及线性叠加原理5.本征半导体的掺杂特性与本征激发特性以及两种载流子6.掌握P型与N型半导体材料的形成机理7.理解PN结的形成机理8.掌握PN结的单向导电性及伏安特性曲线9.掌握二极管的伏安特性，了解其重要参数10.重点掌握半导体二极管的简化模型分析法之理想、恒压降、折线模型及适用范围、使用方法11.**理解半导体二极管的简化模型分析法之小信号模型及适用范围、使用方法12.重点掌握特殊二极管之稳压二极管特性及应用电路的分析方法13.了解其它特殊二极管特性及应用14.完成并掌握习题2中客观检测题所涉及的基本概念双极型三极管及其放大电路应掌握的知识点：1.掌握三极管（BJT）的结构与符号2.理解BJT内部载流子的传输，掌握电流分配关系3.了解放大电路中BJT具有放大作用的内部与外部条件，掌握BJT具有放大作用的外部偏置条件4.掌握BJT的伏安特性曲线、主要参数及其三个工作区域和安全工作区5.掌握放大电路的基本组成、三种组态和性能指标6.掌握用估算法和图解分析法对放大电路做静态分析的基本思路，能算出典型电路静态工作点具体数值7.掌握利用小信号模型对电路做动态分析的基本思路，能根据要求写出增益、输入、输出电阻的表达式8.掌握静态工作点、直流负载线、最大动态范围、非线性失真、交流负载线、微变电阻等概念9.理解基极分压式射极偏置电路的静态工作点稳定过程10.了解BJT混合参数小信号模型的合理布局，掌握放大电路直流通路与交流通路的画法11.**通过自学与讨论了解多级放大电路耦合方式，掌握其静态与动态分析思路12.完成并掌握习题3中客观检测题所涉及的基本概念场效应管及其放大电路应掌握的知识点：1.了解双极型三极管BJT与单极型三极管FET的共性与个性2.掌握根据特性曲线判断场效应管类型的方法3.掌握JFET的结构与工作原理（外加栅源极电压对沟道导电性能的控制，外加漏源极电压对沟道导电性的影响）4.掌握JFET特性曲线(包括输出特性曲线、转移特性曲线、夹断电压以及预夹断点和三个工作区域的划分)及饱和区内漏极电流与栅源极电压的近似关系5.了解JFET主要参数6.掌握MOSFET的结构工作原理（外加栅源极电压对沟道导电性能的控制，外加漏源极电压对沟道导电性的影响）7.掌握MOSFET特性曲线(包括输出特性曲线、转移特性曲线、夹断或开启电压以及预夹断点和三个工作区域的划分)及饱和区内漏极电流与栅源极电压的近似关系8.了解MOSFET主要参数9.了解场效应管放大电路的常用偏置方式及适用范围，掌握FET放大电路的动、静态分析方法，掌握FET的低频小信号模型，正确认识耗尽型FET自偏压的特性10.完成并掌握习题4中客观检测题所涉及的基本概念功率放大电路应掌握的知识点：1.了解按照导通角对放大电路进行分类的思路2.了解功率放大电路的特征和一般问题3.掌握双电源乙类互补对称功率放大电路(OCL)的结构和工作原理4.掌握基于图解分析对双电源乙类互补对称功放的输出功率、管耗、效率等主要指标参数进行估算的方法5.了解交越失真现象及其产生的原因和消除交越失真的措施6.掌握常用甲乙类功率放大电路的电路结构和工作特点7.了解单电源（OTL）互补对称功放的结构特点及工作原理8.掌握复合管结构特点和分析计算方法9.了解桥式推挽功放的电路结构和工作特点10.掌握功率管的选择依据11.**了解集成功率器件的主要性能参数12.**了解集成功率器件在使用上应注意的主要问题和相关性能指标的估算13.完成并掌握习题5中客观检测题所涉及的基本概念集成运算放大器应掌握的知识点：1.掌握射极偏置差分式放大电路的电路结构、工作特点和静、动态分析方法和主要性能指标的计算2.掌握差模输入信号、共模输入信号、差模输入方式、共模输入方式、差模分量、共模分量、双端输出、单端输出、共模通路、差模通路、共模抑制比等知识点3.理解射极偏置电阻对共模及差模电压增益的影响4.了解差分式放大电路的传输特性5.了解电流源在集成电路中的作用6.**了解常用BJT、FET电流源电路稳定输出电流的原理7.了解集成运算放大器基本组成与特点8.了解集成运算放大器主要性能指标与参数，在实际应用中需要注意的问题9.**了解集成运算放大器的种类和应用场合（信号的运算与处理电路章节将继续深入该内容）10.完成并掌握习题6中客观检测题所涉及的基本概念放大电路的频率响应应掌握的知识点：1.掌握放大电路频率响应的实质和定义2.掌握RC一阶高、低通电路的传递函数、频率特性、特性参数和波特图，掌握多级放大电路频率响应特性表达式与波特图的对应关系3.**了解BJT的低、高频小信号模型及频率参数（56学时不做要求）4.**了解多级放大电路频率响应和波特图、单极放大电路瞬态响应（56学时不做要求）5.完成并掌握习题7中客观检测题所涉及的基本概念负反馈放大电路应掌握的知识点：1.掌握反馈的定义、本质特征和反馈放大电路的组成框图等基本概念2.掌握反馈的分类3.掌握负反馈放大电路根据反馈网络与基本放大电路在输出回路与输入回路的连接方式呈现的四种基本组态及其各自的特征4.能够运用瞬时极性法判断反馈极性，能根据具体电路判断其反馈类型和组态5.掌握负反馈放大电路闭环增益的一般表达式6.了解负反馈对放大电路性能的影响，能够根据需要为基本放大电路引入正确、适当的负反馈7.掌握深度负反馈条件下的近似计算8.**了解负反馈放大电路产生自激振荡的原因和条件9.**理解负反馈放大电路能够稳定工作的条件10.**了解改善放大电路稳定性的常用方法11.完成并掌握习题8中客观检测题所涉及的基本概念信号的运算与处理电路应掌握的知识点（算术运算、滤波器、电压比较器）：1.了解运放的基本组成和传输特性2.掌握理想运放的特点和虚断、虚短的概念3.掌握主要技术指标在理想条件下的近似计算4.掌握同、反相以及差动输入方式的特点5.掌握各种基本运算电路（比例、比例求和、比例求差、微分、积分）的结构特点和分析计算方法6.能根据要求设计基本的运算电路7.**了解集成运算放大器在信号的运算、处理与检测中的应用8.掌握滤波电路的基本概念（通带、阻带、有源、无源、高通、低通、带通、带阻、全通、低阶、高阶等）与分类9.**理解滤波电路的传递函数形式10.**了解常用高阶有源滤波器的基本特征和主要参数11.掌握单门限电压比较器的工作原理12.掌握迟滞电压比较器的工作原理和传输特性、门限电压的计算和设置13.**了解常用集成电压比较器14.了解方波、三角波、和锯齿波产生电路的基本结构和工作原理正弦信号产生电路：1.了解正弦波振荡电路的基本结构，掌握建立及维持振荡的幅度与相位平衡条件；2.掌握文氏桥式正弦波振荡电路的组成与工作原理；3.掌握RC串并联选频网络的选频特性以及谐振频率的计算；4.了解移相式正弦波振荡电路的构成与工作原理；直流稳压电源：1.掌握小功率直流稳压电源的基本结构和工作原理；2.了解稳压电源的主要质量指标；3.了解串联反馈式稳压电路的工作原理；4.掌握三端稳压器（包括固定式和可调式）的工作原理和具体应用方法。

习题88.1判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果填入括号内。

（1）与分立元件比较，集成电路的主要优势是低成本和优良的性能。

（）（2）集成放大器采用直接耦合的主要原因是集成电路技术很难制造大容量的耦合电容。

（3）直接耦合的主要缺点是零点漂移。

（）（4）晶体管的参数受温度的影响，但不影响零点漂移。

（）（5）零点漂移受电源电压变化、器件参数老化和温度变化的影响。

（）（6）在集成电路中元件的对称性差。

（）（1）集成放大器主要有由输入级、中间放大级、输出级和偏置电路组成。

（）答：（1）√（2）√（3）√（4）×（5）√（6）×（7）√8.2选择合适答案填入空内。

（1）集成运放电路采用直接耦合方式是因为。

A．可获得很大的放大倍数 B. 可使温漂小C．集成工艺难于制造大容量电容（2）通用型集成运放适用于放大。

A．高频信号 B. 低频信号C. 任何频率信号（3）集成运放制造工艺使得同类半导体管的。

A. 指标参数准确B. 参数不受温度影响C．参数一致性好（4）集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以。

A．减小温漂 B. 增大放大倍数C. 提高输入电阻（5）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用。

A．共射放大电路 B. 共集放大电路C．共基放大电路答：（1）C （2）B （3）C （4）A （5）A8.3 电路如题图8.3所示，已知β1=β2=β3=100。

各管的V B E均为0.7V，试求I C2的值。

题图8.3解：分析估算如下： 100BE1BE2CC =--=RU U V I R μAC2E2C11C1C0C2C0C22C2222(2)111111()2210022B R R I I I I I I I I I I I I A ββββββββββββββμββ++==+===+++++=+=+++==++8.4 多路电流源电路题图8.4所示，已知所有晶体管的特性均相同，V B E 均为0.7V ，β0=β1=β2=β3=100。

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时(截止），所以PN结具有（单向）导电性。

2、漂移电流是（反向）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。

6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（增加），发射结压降（减小）。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共射级）、（并集电极）、（共基极）放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（直流）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（电流）负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（A/1+AF），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/F）。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（1+AF）BW，其中BW=（fH –fL），(1+AF）称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（共模）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（差模）信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙）类互补功率放大器。

13、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路；OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（小于近似等于1），输入电阻（大），输出电阻（小）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（调幅），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（载波信号）。

17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。