S100各种Flash烧录指导文档

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[S100各种FLASH烧录指导文档]
Prepared by
拟制贺飞
Date
日期
2012-12-15
Reviewed by 评审人Date
日期
yyyy-mm-dd
Approved by
批准
Date
日期
yyyy-mm-dd
深圳创维数字技术股份有限公司
Revision Record 修订记录
Table of Contents 目录
目录
1Purpose 目的 (4)
2Scope 范围 (4)
3NAND FLASH芯片型号选择 (4)
4S100烧录器NAND FLASH烧录指南 (5)
5S100烧录器历史问题和解决方法 (10)
1 Purpose 目的
为确保创维数字技术股份有限公司(以下简称创维数字)在产品开发项目中的工作产品质量稳定,对S100烧录器烧录各种Flash过程进行规范化描述,特制定本文档。

制定此文档的目的是为了达到以下预期:
1.对正在使用的各种平台各种FLASH进行整理
2.建立完善的各平台FLASH数据库
3.了解并正确使用S100烧录器对Flash进行烧录操作
4.控制和预防在烧录贴片文件过程中存在的各种风险
2 Scope 范围
S100烧录器适用于各平台大部分Flash的烧录
3 NAND FLASH芯片型号选择
[在本节中,列举了这篇文档中所使用的所有缩写和简称等术语。

]
4 S100烧录器NAND FLASH 烧录指南
请在使用S100烧录器之前确认好硬件连接无误,使用烧录软件正确。

4.1 将Flash 放入到烧录器烧录座上,打开烧录器;打开烧录工具S100
(桌面上有,或者
E:\bin\s100.exe )
4.2 选择“器件”,打开器件选择对话框,输入芯片的完整或部分型号字母,选
择相应的算法,确认后会弹出相应的Flash 信息,选择对应的算法。

4.3装载烧录软件,选择点击打开,选择分区表和数据文件,并按确认键确认。

确认后将自
动加载。

加载需要时间,请耐心等待。

4.4选择字节反转(此步骤若无要求,禁止执行)。

选择点击打开,点击编辑框中
“交换”会出现字交换选择框,选择反转字节后确认,待字节反转后按“确定”退出。

4.5选择器件配置字。

点击打开“器件配置字”,按下图要求填写,并确认进行下一步操作
1.芯片一般工作电压在一个范围内,假设是
2.7-
3.6V,那么烧录器默认提供的电压为折中值为3.3V,那么V Adust默认的值10就是表示3.3V的电压,该16进制数每增加或者减少1,电压值会相应的增加或减少0.1V。

2.UBA(use block area):在烧录时我们可以设定指定范围内区块的烧写及校验。

3.设定指定范围内坏块的检测。

4.是否使用spare区,若不使用点disable,否则选择used。

5.选择坏块处理模式,常用的是skip和partition方式,Hardcopy方式是无论是读写都不考虑坏快标记位,不考虑芯片
出厂的坏快标记位。

6.只有Boot Check Assert选择Enable,上述1和2的功能才能正式被开启。

7.按照默认设置即可。

8.按照默认设置即可
4.6编辑烧录步骤。

点击“编辑AUTO”进入编辑框,根据需要编辑烧录步骤,NAND FLASH 烧录
时建议选择“Erase-〉Program-〉Verify”三步,顺序不可倒置。

点击确认进行下一步操作
4.7开始烧录。

所有设置OK后,选择烧录工具左侧“Auto”进行烧录即
可。

烧录过程如下图:
当出现校验成功的提示时,烧录完成,烧录成功。

5 S100烧录器历史问题和解决方法
5.1若烧录过程中出现“缓冲区地址、数据”报错,如下图,需进行“硬擦除”处理:
[文档名称]
Copyright © 深圳创维数字技术股份有限公司 Page 11, Total 11 第11页,共11页
操作:重新选择“器件配置字”,如下图设置并确认。

然后点击烧录器软件左侧“Erase ”选项进行擦除操作,会提示擦除成功。

然后再重新设置“器件配置字”,进行烧录操作。