第十二章 光电探测器(Beta2)[可修改版ppt]

第2章 光电探测器概述

光电探测器

《光电技术(第2版)》第2章光电探测器2

第二章光电探测器1 (1)

iRL1RL2 RLi硅光电池——太阳电池 零偏压pn结光伏探测器 ——光伏工作模式——光电池 硅光电池的用途：光电探测器件，电源硅光电池——太阳电池 硅光电池结构示意图防反射膜

小组成员： 祝卓茂 何小亮周长平孙原超2018/10/81（1）按工作波段分 : 紫外光探测器、可见光探测器、 红外光探测器（2）按应用分： 非成像型光探测器：光信息转换成电信息

紫外探测器：碳化硅（SiC）材质，响应波段200-400nm。应用：火焰探测和控制、紫外测量、控制杀菌灯光、医疗灯光的控制等。————————————————————————————————————————————可见光探测器：硅（Si）材质，响应波段200-1100nm。有室温、热电制冷两种形式，可以带内置前放，有多种封装形式可选。主要用在测温、激光测量、

光电二极管♫ 外加反偏电压于结内电场方向一致，没有光照时，反向电流很小（一般小 于0.1微安），称为暗电流。当有光照时，携带能量的光子进入PN结后，把能 量传给共价键上的束缚电子，

探测器的伏安特性分三种类型：可变电阻型恒流型IΦ1IΦ2Φ1Φ3Φ2 Φ3VVPC器件PV器件，PMT电阻型热探测器 （加反向偏置）（加偏置，不分正负）光生电势型I Φ1 Φ2 Φ

InSb光敏电阻InSb光敏电阻是3~5μm光谱范围内的主要探测器件之一。 InSb材料不仅适用于制造单元探测器件，也适宜制造 阵列红外探测器件。InSb光敏电阻在室温下的长波长可

2013-11-82探测器件热光电探测元件光电探测元件Biblioteka Baidu气体光电探测元件外光电效应内光电效应非放大型真空光电管 充气光电管放大型光电倍增管 变像管 像

光探测器蒋燕义什么是光探测器？物理量Βιβλιοθήκη Baidu（可测量）光热量光辐射探测器电流电压光电探测器光辐射探测器• 又名“光热探测器”晶格振动光热量温度光辐射探测器－

第2章 结型光电探测器2.1 光生伏特效应光生伏特效应：两种半导体材料或金属/半导体相接 触形成势垒，当外界光照射时，激发光生载流子， 注入到势垒附近形成光生电压的现象。光生伏特效

光电探测器(光电二极管)本文介绍了光电与系统的组成，阐述了光电二极管的分类及原理，本文着重介绍了pn 光电二极管，及其结构原理。1引言自年第一台红宝石激光器问世以来,古老的光学发生了革命性的变化与此同时,电子学也突飞猛进地向前发展.光学和电子学紧密联合形成了光电子学这一崭新的学科.由此发展起来的光电子高新技术, 已深入到人们生活的各个领域, 从光纤通信, 镭

七、其它参数光电探测器还有其它一些参数，在使用时必须注意到。 如： 1、暗电流：指没有信号和背景辐射时通过探测器的电 流。 2、光敏面积：指灵敏元的几何面积。 3、探测器电阻、电容

这个区域内多数载流子已扩散到对方并复合掉了， 或者说消耗殆尽了，因此，空间电荷区又称为耗尽层。Ｐ区一侧呈现负电荷，Ｎ区一侧呈现正电荷，因此空间电荷 区出现了方向由Ｎ区指向Ｐ区的电场

5、探测器选择时尤其需要注意选择配套的前置放大器， 才能更大限度的发挥探测器的探测效率；6、选择制冷型探测器时，还要注意对应的温控器选择， 探测器、温控器及前置放大器均需根据需要单

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光电探测器综述摘要：近年来，围绕着光电系统开展了各种关键技术研究，以实现具有高集成度、高性能、低功耗和低成本的光电探测器（Photodetector）及光电集成电路（OEIC）已成为新的重大挑战。尤其是具有高响应速度，高量子效率和低暗电流的高性能光电探测器，不仅是光通信技术发展的需要，也是实现硅基光电集成的需要，具有很高的研究价值。本文综述了近十年来光电探测