激光精密刻蚀机技术参数
1.用途说明：
设备加工对象主要包括聚酰亚胺等聚合物材料、陶瓷（氧化铝、氮化铝、氧化锆、氮化硼等）、玻璃、石英、磷化铟等非金属材料，以及不锈钢、铸铁、钨铜等各种金属及合金材料；
设备可对平面及曲面施行精细微加工；
设备各部件高效集成，可实现高精度钻孔、切割及表面材料刻蚀等加工工艺。
2. 系统概述:
主要构成
3. 主要技术规格及要求:
部件规格型号
1)紫外激光器型号：Belin 生产厂家：美国技术
2)运动机构型号：非标定制生产厂家：德龙激光
设备配备有X/Y/Z轴与A/B旋转轴，用于工件位置移动与调焦，其中旋转轴用于工件向心加工。
*注：以上精度数据参考JIS标准。
3)振镜光学模组型号：Intelliscan 生产厂家：德国 SCANLAB AG
4)CCD影像相关
旁轴影像系统（旁轴安装，用于定位）
5)光路传输系统
6)防尘系统
7)软件相关
4. 设备关键部件品牌及产品
5. 设备工作环境
1)设备安装空间：3000mm（W）×3000mm（L）×2500mm（H）
2)电力需求：380V/20A 50HZ ，整机功率5000W
3)空气需求：除油除水的压缩空气
4)环境温度：20-25℃
5)环境湿度：湿度40%～60%，变异量小于5%℃/8Hrs
6)其他：机房附近无强烈震动，强磁场，强电场等干扰源
7)洁净度：10万级或10万级以上无尘环境
6. 附件与其它要求
随设备提供中文资料一套，资料清单见下表。
7. 技术服务要求
1)设备整体自最终验收签字之日起保质期为12个月。
2)机床的维修保障应及时有效，在接到用户故障报告后，卖方应在12小时内响应24小时到达现场，五个
工作日内恢复机床工作。
3)若设备在保质期内发生故障，卖方不能在五个工作日内恢复生产，卖方负责免费为买方完成相关的紧
急加工任务。
4)保修期内卖方应在设备交付后每季度前往买方现场进行巡检，检查设备运行情况，更换需要更换的部
件，所产生的费用由卖方负责。
8. 设备安装调试及技术培训
1)卖方派有经验的机械、电气、操作人员到买方工厂负责设备的安装、调试；设备到达买方现场后，买
方负责设备的卸车及就位，卖方在买方现场安装、调试，买方可以提供必要的帮助。
在设备集成生产地进行不少于6天的培训，在用户现场进行不少于5天的培训，卖方应对用户的工艺、操作、维修等人员进行培训。所有费用（包含往返机票、食宿、交通、保险）由卖方负责。
激光喷码机工作原理及应用 喷码机采用先进的密闭的二氧化碳激光技术。使用激光刻蚀机可以在物品材质的表层通过刻蚀的方式形成无法拭除的永久标识。 激光喷码机分为划线式和点阵式激光机技术用于标注文本，图形和可变数据在各种不同的材质表面，如塑料、玻璃、纸张和纸板箱等。因激光机无需墨水和其他的耗材，因此激光的喷印方式较经济，对环境也无影响。划线式激光喷码机，例如S系列和DSL1就是运用了镜片偏转连续激光束的原理，该镜片由高速旋转的微电机控制。高速旋转电机技术使得在移动或者静止的产品表面进行高速标刻成为可能。超凡的印刷体字符打印效果高可靠性：无需消耗品以及经久考验的二氧化碳激光管技术无论对静止物品还是高速生产线上，喷码效果一样出色信息打印方向无限制可打印出各种类型的图形最少量的维护工作以及对环境无碍点阵式激光喷码机工作原理点阵式激光喷码机使用自有的7根激光管技术。运用RF 能量激励DDC3激光头中的激光。由激光产生垂直方向的7个独立的圆点能量依次在产品表面汇聚烧灼。该系统依赖于产品的移动来达成点阵式字符的标刻.主要优势能适应非常高速的生产线并能打印出近似印刷字体的文本高可靠性：无需消耗品激光管的波长保证了包装的完整性，并实现从标签到PET等多种材质的标刻.不同类型的打印机不仅它们的物理结构、应用领域不相同，而且打印原理也有本质的区别，至于打印技术就更是完全不同了。下面就当今打印机领域应用最为广泛的针式打印机、喷墨打印机、激光打印机和热转换打印机等的工作原理作一描述。 在描述打印机工作原理以前，首先介绍一下打印机是如何打印汉字的。打印机通常有两种打印方式，即文本方式和图形方式。西文均采用文本方式打印，而汉字可采用文本和图形两种打印方式处理；对于打印机来说分为带汉字库的和不带汉字库的两种，对于自带汉字库的打印机可以用文本方式接收计算机传送的汉字内码后直接打印，这种打印机通常称为汉字打印机；而不带汉字库的打印机通常由汉字操作系统提供字库，但打印速度较慢，效率低。针式打印机的特点是：结构简单、技术成熟、性能价格比好、消耗费用低。针式打印机虽然噪声较高、分辨率较低、打印针易损坏，但近年来由于技术的发展，较大地提高了针式打印机的打印速度、降低了打印噪声、改善了打印品质，并使针式打印机向着专用化、专业化方向发展，使其在银行存折打印、财务发票打印、记录科学数据连续打印、条形码打印、快速跳行打印和多份拷贝制作等应用领域具有其他类型打印机不可取代的功能。目前，市场上主要有9针和24针两种针式打印机。 激光技术的应用与发展非常迅猛在工业标识领域引起了革命性变革，很快在食品、饮料、医药、烟草等多个行业得到了广泛的应用，并在产业化上有了飞速发展，为科学技术、国民经济和国防建设做出了积极贡献。激光喷码技术是目前激光加工领域应用最广泛、最成熟的一项技术,激光喷码机比其他激光加工机的机型品种和年产、销量都要大，深受各界企业用户的欢迎。激光喷码技术先进，优点很多，也是其应用广泛的重要原因。激光喷码对所承受物体没有热影响，不会引起变形，与机械冲击打标机相比，激光喷码对零件没有作用力、无机械接触。在计算机控制下可打出各种图形、文字和符号，更换序列号或改变日期都十分方便，包括自动打出当前的年、月、日、时、分、秒，在连续不断生产过程中，实时跟踪改变这些数据。在很多异形物体上激光喷码机也能从容应对，而且打标加工速度飞快，可以说瞬间即得，适合于在大量生产的产品上打标。打标精度非常，
FIBERBLADE Cutting System 光纤激光切割机 一、Messer激光切割系统介绍 1、机器原理 梅塞尔公司在工业用激光切割机的开发和制造领域已有近40年的经验. 其激光技术得到 了世界范围的认可, 并在许多不同领域得到应用. 划时代的技术发展, 如专利激光切割头, 表明了梅塞尔公司的技术能力. 在此领域为激光加工建立的新标准将为客户带来巨大的利益. 产品系列包括: 2维激光切割系统 3维激光切割系统
激光焊接系统 自动化设备 装料及卸料系统 通过与世界领先的激光器厂商的常年合作, 保证机器与激光的最佳组合. 其大激光功率及用户友好式的CNC数控系统适应高速切割及广泛的生产制造领域. Fiberblade具备良好的动态性能, 在宽广范围内可实现切割与零件重量无关的高精度无挂渣的成品零件. 机器配合编程软件及相应自动套料程序, 可实现快速高效的零件编程, 扩展机器应用. 应用激光束作为工具, 切割速度快, 成品部件割缝窄, 精度高. 可无困难地实现复杂轮廓的切割. 切口边缘光洁、无毛刺, 绝大多数场合下无需后续处理. Fiberblade主要应用领域为金属加工, 特别是碳钢、不锈钢和铝材. 该系统既可应用氧气切割, 也可采用保护气体实现高压切割. 经测试其可切割性后, 该系统可切割金属合金、塑料以及非金属材料机器设计理念除了实现最佳切割结果外, 同样关注环境保护问题. 采用抽烟除尘装置可满足最严格的排放标准. 机器可满足现有安全规程, 满足相关CE标准. 2、功能描述
Fiberblade激光切割机,是一个集最新动力工程，电脑数控和光纤激光器技术的全新技术 发展水平的设计它是市面上最先进的紧凑型中规格工业级光纤激光切割系统；无需激光器 维护的低维修费系统，高效率、低功耗。 机器工作台采用交换式工作台系统，减少上料时间. 该系统交替使用两块台面. 切割一块台面上的板材, 同时另一块台面位于工作区域外. 操作员可取下成品部件并换上新板, 机器同时进行切割. 另一台面上的工件完成后, 由工作区域换出, 新板就位. 板材置于工作台支架上并确定位置后, 切割头随垂直定位轴下降. 传感控制器保证切割头维持正确定位, 可避免板材变形引起的问题. 激光束通过光纤传输到切割头上, 然后由透镜聚焦. 切割头沿工件轮廓移动, 但不与工件接触, 激光束和切割气体通过割嘴聚集到工件上. 横向运动通过溜板滑动定位实现. 纵向运动由车架自行移动实现. 两套同步驱动伺服电机确保设备的高精度, 轴向运动的高加速度, 可变激光功率控制, 可切割如窄条, 尖角等的复杂图形部件. 通过CNC数控系统可自动设定切割参数如气体种类, 气体压力, 激光参数. CNC数控系统内的切割数据及图形数据的分离, 可实现快速变化的工作要求, 并增加机器功能的灵活性, 适用范围更广. 由随动式直接抽风系统, 把切割过程中产生的尘粒抽出, 并经过烟尘过滤后, 达到安全及环境规范的排放要求. 二、标准配置介绍 1、机器构造
磁控溅射台技术参数 一、设备名称：磁控溅射台 二、采购数量：1台 三、技术参数及配置要求： 1.真空室：不锈钢真空室 2.极限真空：6.7×10-5 Pa（环境湿度≤55%）； 3.真空室漏气率：≤5.0×10-7 Pa?L/s； 4.抽气速率：系统短时间暴露大气并充干燥N2开始抽气，溅射室30分钟可达到9.0×10-4 Pa； 5.真空室保压：系统停泵关机12小时后真空度：≤5Pa； 6.溅射材料：至少3inch向下兼容；各种金属、合金、化合物、陶瓷、超导、铁磁、铁电、热电、磁性材料薄膜 7.溅射靶：Φ60mm可弯曲磁控溅射靶三只（其中一只为强磁靶），上置安装，靶基距6~10cm范围内可调； 8.溅射不均匀性：≤±5%（共溅工位Φ75mm范围内，直溅工位Φ37.5mm范围内） 9.溅射室规格：内空容量≥0.1m3 10工件台旋转：中心工位自转，转速5~30rpm可调， 11样品加热：样品衬底可加热，共溅加热温度≥600℃，直溅三工位加热温度均达到≥400℃，多段控温模式，控温精度±1%， 12．载片量：Φ75mm 样片一片。 13．高效实验模式。一炉可以完成不少于3次的相互无污染的独立工艺试验。 14．进口射频电源：600W，一台。 15．进口直流电源，1000W，一台。 16．偏压电源，一台。 17．质量流量控制器2台，气路三条Ar、O2、N2，并提供气体Ar、O2、N2各一瓶，以及相关减压阀。 18．复合分子泵，600升/秒，设备选用不低于中科科仪产品。 19．外企生产机械泵：8升/秒，设备选用不低于日本真空独资宁波爱发科产品。
20．超高真空插板阀。 21．自动压力控制系统，配套进口规管。 22．全自动控制系统，包括进口控制模块、工控机、控制软件。 23．配套循环冷却水机、静音空气压缩机。 24. 配套靶材7种：Al、Cu、Cr、Ti、Si、SiO2、Au（其中靶材Au为Φ60mm*3mm，纯度不低于99.99%，其他6种为Φ60mm*5mm，高纯）。 四、安装、售后及培训： 1、交货期：合同正式生效后30天内到货。 2、质保期：自验收之日起，仪器设备至少免费保修三年。 3、包含该设备运输，上楼搬运，所需气路实验室内部铺设。仪器安装、验收：专业工程师提供免费的安装调试，并按照出厂指标验收。 4、培训：免费提供该仪器设备培训；提供本设备全套操作教学视频。
SD-20A 光纤激光打标机 使用说明书安装、使用产品前请阅读使用说明
感谢您使用珊达科技公司光纤激光打标机! 请在使用光纤激光打标机前仔阅读此说明书! 第一章概述 1.1光纤激光打标机简介 激光打标机是利用激光束在各种物质表面打印上永久的标记。 激光打标机的效应主要是： 1、通过激光光能对目标物质表层的蒸发而露出物质深层； 2、通过激光光能导致表层物质的化学物理变化而"刻"出所需图案文字； 3、通过激光光能烧掉部分物质，从而显出所需刻蚀的图案、文字。 光纤激光打标机主要由：光纤激光器、振镜（打标头）、软件控制板卡、工控电脑、机箱机柜、放工件的水平台等组成。 1.2光纤激光打标机工作原理 是利用光纤激光器产生激光并用光纤导出激光然后配合光学高速扫描振镜进行工件标记的，其核心部件为光纤激光器。 光纤激光器采用掺稀土元素的光纤作为增益介质。由于光纤激光器中光纤纤芯很细，在泵浦光的作用下光纤极易形成高功率密度，造成激光工作物质的激光能级“粒子数反转”。因此，当适当加入正反馈回路构成谐振腔便可形成激光振荡。另外由于光纤基质具有很宽的荧光谱，因此，光纤激光器一般都做成可调谐的（既其波长在一定围可以调节），在打标时可以标记出几种颜色（对应材质）。 1.3特点如下： 1.SD-20A光纤激光打标机采用光纤激光器，寿命可达10万小时，性能优越世界排名靠前。 光束质量高，为基模（TEM00）输出，聚焦光斑直径不到20um。发散角是半导体泵浦激光器的1/4。单线条更细，特别适用于精细、精密打标。 2.体积小，耗电量小，整机耗电不到500W；置风冷冷却方式，抛弃了笨重的水冷机组，占地面积更小，安装更简便，真正做到了节能和便携。 3.电光转换效率高，简单易用，无须光学调整或维护，结构紧凑，系统集成度高，故障少。 4.无需进行任何维护，使用寿命长，适用于恶劣环境工作。 5.加工速度快，是传统打标机的2-3倍，光学扫描振镜，激光重复频率高，高速无畸变。
Vol.34,No.5Journal of Semiconductors May2013 Reactive ion etching of Si2Sb2Te5in CF4/Ar plasma for a nonvolatile phase-change memory device Li Juntao(李俊焘)1;2; ,Liu Bo(刘波)1; ,Song Zhitang(宋志棠)1,Yao Dongning(姚栋宁)1, Feng Gaoming(冯高明)3,He Aodong(何敖东)1;2,Peng Cheng(彭程)1;2, and Feng Songlin(封松林)1 1State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences,Shanghai200050,China 2University of Chinese Academy of Sciences,Beijing100049,China 3United Laboratory,Semiconductor Manufacturing International Corporation,Shanghai201203,China Abstract:Phase change random access memory(PCRAM)is one of the best candidates for next generation non- volatile memory,and phase change Si2Sb2Te5material is expected to be a promising material for PCRAM.In the fabrication of phase change random access memories,the etching process is a critical step.In this paper,the etching characteristics of Si2Sb2Te5films were studied with a CF4/Ar gas mixture using a reactive ion etching system.We observed a monotonic decrease in etch rate with decreasing CF4concentration,meanwhile,Ar concentration went up and smoother etched surfaces were obtained.It proves that CF4determines the etch rate while Ar plays an im- portant role in defining the smoothness of the etched surface and sidewall edge https://www.doczj.com/doc/f75709359.html,pared with Ge2Sb2Te5, it is found that Si2Sb2Te5has a greater etch rate.Etching characteristics of Si2Sb2Te5as a function of power and pressure were also studied.The smoothest surfaces and most vertical sidewalls were achieved using a CF4/Ar gas mixture ratio of10/40,a background pressure of40mTorr,and power of200W. Key words:reactive ion etching;phase-change material;Si2Sb2Te5 DOI:10.1088/1674-4926/34/5/056001PACC:7360F;8160 1.Introduction Nowadays,phase change random access memory (PCRAM)has been regarded as one of the most promising non-volatile memories,and has received more and more attention because of its superior performance and other mer-its?1;2 .It was devised by Ovshinsky in1968?3 based on the rapid reversible phase change effect in some materials under the influence of an electric current pulse,and the different resistances between crystalline and amorphous states define the logic state of an individual bit. Phase change Si2Sb2Te5material,expected as a promising material for PCRAM,possesses a wider band-gap comparing to Ge2Sb2Te5.The band-gap width of amorphous and poly-crystalline Si2Sb2Te5are determined to be0.89and0.62eV by means of Fourier transform infrared spectroscopy?4 .The mate-rial possesses a low threshold current from amorphous to poly-crystalline state in voltage–current measurement,and shows a good data retention.These properties prove Si2Sb2Te5is a po-tential material?4;5 . In this paper,the reactive ion etching(RIE)process of Si2Sb2Te5films in CF4/Ar plasma is described.The etch rate and surface roughness were examined systematically as a func-tion of pressure,power,and Ar concentration in the CF4/Ar mixture gas.A smooth surface was successfully obtained us- ing the optimization approach described below. 2.Experiment In this study,Si2Sb2Te5films were deposited with the ra- dio frequency(RF)-magnetron sputtering method using single element targets at room temperature.The thickness of the films was about400nm measured by a cross-sectional scanning elec- tron microscope(SEM,Hitachi S-4700).The compositions of films were determined by means of energy dispersive spec- troscopy(EDS).Shipley6809photo-resist was used for pattern definition.An Oxford80plus RIE system with a maximum RF power of600W was used to etch the Si2Sb2Te5films.The etch gas ratio was controlled by mass flow controllers,and the gas pressure in the chamber was adjusted by a clapper valve. The temperature of the sample holder was controlled by heat transfer fluid(Hexid)and held at30?C.The experimental con-trol parameters were the gas flow rate,chamber background pressure,CF4/Ar ratio and the incident RF power applied to the lower electrode.A total flow rate of CF4C Ar was50sccm throughout the experiment,while the CF4/Ar ratio was varied as an optimization parameter. Etching depths were measured using a surface profile- *Project supported by National Key Basic Research Program of China(Nos.2010CB934300,2011CBA00607,2011CB9328004),the Na-tional Integrate Circuit Research Program of China(No.2009ZX02023-003),the National Natural Science Foundation of China(Nos. 60906004,60906003,61006087,61076121,61176122,61106001),the Science and Technology Council of Shanghai(Nos.11DZ2261000, 11QA1407800),and the Chinese Academy of Sciences(No.20110490761). ?Corresponding author.Email:jet_lee@https://www.doczj.com/doc/f75709359.html,;liubo@https://www.doczj.com/doc/f75709359.html, Received25August2012,revised manuscript received3December2012?2013Chinese Institute of Electronics
等离子体刻蚀机原理 什么是等离子体？ ?随着温度的升高，一般物质依次表现为固体、液体和气体。它们统称为物质的 三态。 ?当气体的温度进一步升高时，其中许多，甚至全部分子或原子将由于激烈的相 互碰撞而离解为电子和正离子。这时物质将进入一种新的状态，即主要由电子和 正离子（或是带正电的核）组成的状态。这种状态的物质叫等离子体。它可以称 为物质的第四态。 等离子体的应用 等离子体的产生
等离子体刻蚀原理 ?等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或游离基，这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位，在那里与被刻蚀材料进行反应，形成挥发性反应物而被去除。 ?这种腐蚀方法也叫做干法腐蚀。 等离子体刻蚀反应
?首先，母体分子CF4在高能量的电子的碰撞作用下分解成多种中性基团或离子。 CF4→CF3，CF2，CF，C，F ?其次，这些活性粒子由于扩散或者在电场作用下到达SiO2表面，并在表面上发生化学反应。 ?生产过程中，在CF4中掺入O2，这样有利于提高Si和SiO2的刻蚀速率。 等离子体刻蚀工艺 ?装片 在待刻蚀硅片的两边，分别放置一片与硅片同样大小的玻璃夹板，叠放整齐，用夹具夹紧，确保待刻蚀的硅片中间没有大的缝隙。将夹具平稳放入反应室的支架上，关好反应室的盖子。 检验方法 ?冷热探针法 检验原理 ?热探针和N型半导体接触时，传导电子将流向温度较低的区域，使得热探针处
电子缺少，因而其电势相对于同一材料上的室温触点而言将是正的。 ?同样道理，P型半导体热探针触点相对于室温触点而言将是负的。 ?此电势差可以用简单的微伏表测量。 ?热探针的结构可以是将小的热线圈绕在一个探针的周围，也可以用小型的电烙 铁。 检验操作及判断 ?确认万用表工作正常，量程置于200mV。 ?冷探针连接电压表的正电极，热探针与电压表的负极相连。 ?用冷、热探针接触硅片一个边沿不相连的两个点，电压表显示这两点间的电压为负值，说明导电类型为p，刻蚀合格。相同的方法检测另外三个边沿的导电类型是否为p型。 ?如果经过检验，任何一个边沿没有刻蚀合格，则这一批硅片需要重新装片，进行刻蚀。 一．等离子体刻蚀工艺原理: 等离子体刻蚀机是基于真空中的高频激励而产生的辉光放电将四氟化碳中的氟离子电离出来从而获得化学活性微粒与被刻蚀材料起化学反应产生辉发性物质进行刻蚀的。同时为了保证氟离子的浓度和刻蚀速度必须加入一定比例的氧气生成二氧化碳。 二．主要用途及适用范围： 该设备主要对太阳能电池片周边的P—N结进行刻蚀，使太阳能电池片周边呈开路状态。也可用于半导体工艺中多晶硅，氮化硅的刻蚀和去胶。 三．使用环境及工作条件： 1）环境温度：5℃—40℃； 2）相对湿度：<70%； 3）环境净化等级：>10000级； 4）大气压强：一个标准大气压； 5）电源：三相交流380（1±10%）V，频率50 （1±10%）Hz； 6）所用气体压力：0.1Mpa—0.2 Mpa；所用气体为四氟化碳、氧气和氮气。 7）每台设备要有良好的，独立的接地且接地电阻最好小于0.1Ω；四．总体结构： 本设备由真空管路系统、气路系统、反应室、压力控制系统、SY型射频功率源、电源供电及控制部分组成。 1）真空管路系统主要由2X—15型旋片式真空泵、电磁隔断放气阀、波纹管、碟阀、预抽阀、电磁隔断阀组成。 2）气路系统主要由控制四氟化碳、氧气、尾气、稀释、氮气的电磁阀及不锈钢管和软管组成。其中为了精确控制四氟化碳和氧气10:1的混合比例，在控制四氟化碳和氧气电磁阀的后级加了质量流量计。（这里要附带讲一下关于工作压差的问题，我们所用的质量流量计的工作压差为0.1Mpa—0.5Mpa。而反应室的辉光工作压力为80Pa或更低，尤其是在充气瞬间。因此这就是为什么要求供气压力设定为0.1Mpa—0.2 Mpa的原因。以前出现过由于硅片刻不通，操作
紫外激光的刻蚀应用 摘要：文章介绍了紫外激光的产生机理，以及紫外激光加工的特点和优势，举例说明了紫外激光刻蚀的应用及优势。 关键词：紫外；激光；刻蚀 随着对小型电子产品和微电子元器件需求的日益增长，紫外激光是加工微电子元器件中被普遍使用的塑料和金属等材料的理想工具。固态激光器最新技术推动了新一代结构紧凑、全固态紫外激光器的发展，从而使之成为这个领域中更经济有效的加工手段。 1、 紫外激光的产生[1-2] 355nm 紫外激光由 1064nm Nd ∶ YAG 激光的三次谐波获得 ,具体技术途径是用二次谐波晶体腔内倍频1064nm 基波产生 532nm 二次谐波, 基波和谐波再经三次谐波晶体腔内混频产生 355nm 三次谐波。 1、1简单理论 三次谐波的产生分为两个部分，在第一个晶体中，部分 1064nm 基波辐射转换为二次谐波(532nm)；接着，在第二个晶体中，未转换的基波辐射与二次谐波和频产生三次谐波。在非线性晶体中混频的方程式为： *1132111exp()2 dE jK E E j k z E dz γ=--??- *2231221exp()2 dE jK E E j k z E dz γ=--??- *3312331exp()2 dE jK E E j k z E dz γ=-??- 此处的 E j 项为以频率 ωj 在 z 方向上传播的波的综合电矢，ω3=ω1+ω2，波 j 的电场是 E j exp(i ωj t-ik j z)的实数部分，相位失配?k =k 3-(k 1+k 2)正比于相位匹配方向上光路的偏离量?θ，γ1 项为吸收系数。对于三倍频，有 ω2=2ω1，ω3=3ω1，K 2≈2K 1，K 3≈3K 1。为了提高倍频效率及和频光的功率输出，我们要尽量满足位相匹配条件：?k =0。令参量 S 为三倍频晶体中二次谐波功率与总功率之比： 22/()S P P P ωωω=+ 如果以 ω 和 2ω 输入的光子匹配为 1:1，则有 P ω+P2ω 及 S=0.67，理论上在小信号近似情况下，输入光束都能转换为三次谐波。 1、2实验装置 实验装置如图 1 所示。Nd:YVO4 晶体采用 a 轴切割，掺钕浓度为1%，尺寸为3mm ×3mm ×2mm ，一面镀1064nm/532nm 双波长高反膜作为输入镜，另一面镀 808nm 增透膜。输出镜 M 曲率半径为 100mm ，凹面镀 1064nm/532nm 高反膜及 355nm 增透膜，平面镀355nm 高透膜。
DB44 ICS31.260 L51 广东省地方标准 DB44/TXXXX—2014 光纤激光切割机通用技术规范 General technical specifications of fiber laser cutting machine 点击此处添加与国际标准一致性程度的标识 （工作组讨论稿） （本稿完成日期：2014-7-2） XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施
目 次 前言.....................................................................................................................................................................IV 1范围.. (1) 2规范性引用文件 (1) 3术语和定义 (1) 4产品型号与构成 (4) 4.1产品型号 (4) 4.2产品构成 (5) 5技术要求 (5) 5.1工作环境要求 (5) 5.2技术参数 (6) 5.3外观质量 (6) 5.4制造质量 (6) 5.5装配质量 (6) 5.6附件和工具 (6) 5.7电气系统 (6) 5.8数控系统 (6) 5.9气动、冷却和润滑系统 (7) 5.10安全防护 (7) 5.11寿命 (8) 5.12可靠性要求 (8) 5.13噪音要求 (9) 6检验方法 (9) 6.1检验条件 (9) 6.2技术参数检验 (9) 6.3外观质量检验 (9) 6.4制造质量检验 (9) 6.5装配质量检验 (9) 6.6附件和工具检验 (9) 6.7电气系统检验 (9) 6.8数控系统检验 (9) 6.9气动、冷却和润滑系统检验 (9) 6.10安全防护检验 (10) 6.11寿命检验 (10) 6.12可靠性检验 (10) 6.13噪音检验 (10)
紫外激光的刻蚀应用 摘要：文章介绍了紫外激光的产生机理，以及紫外激光加工的特点和优势，举例说明了紫外激光刻蚀的应用及优势。 关键词：紫外；激光；刻蚀 随着对小型电子产品和微电子元器件需求的日益增长，紫外激光是加工微电子元器件中被普遍使用的塑料和金属等材料的理想工具。固态激光器最新技术推动了新一代结构紧凑、全固态紫外激光器的发展，从而使之成为这个领域中更经济有效的加工手段。 1、 紫外激光的产生[1-2] 355nm 紫外激光由 1064nm Nd ∶ YAG 激光的三次谐波获得 ,具体技术途径是用二次谐波晶体腔内倍频1064nm 基波产生 532nm 二次谐波,基波和谐波再经三次谐波晶体腔内混频产生 355nm 三次谐波。 1、1简单理论 三次谐波的产生分为两个部分，在第一个晶体中，部分 1064nm 基波辐射转换为二次谐波(532nm)；接着，在第二个晶体中，未转换的基波辐射与二次谐波和频产生三次谐波。在非线性晶体中混频的方程式为： *1132111exp()2 dE jK E E j k z E dz γ=--??- *2231221exp()2 dE jK E E j k z E dz γ=--??- *3312331exp()2 dE jK E E j k z E dz γ=-??- 此处的 E j 项为以频率 ωj 在 z 方向上传播的波的综合电矢，ω3=ω1+ω2，波 j 的电场是 E j exp(i ωj t-ik j z)的实数部分，相位失配?k =k 3-(k 1+k 2)正比于相位匹配方向上光路的偏离量?θ，γ1项为吸收系数。对于三倍频，有 ω2=2ω1，ω3=3ω1，K 2≈2K 1，K 3≈3K 1。为了提高倍频效率及和频光的功率输出，我们要尽量满足位相匹配条件：?k =0。令参量 S 为三倍频晶体中二次谐波功率与总功率之比： 22/()S P P P ωωω=+ 如果以 ω 和 2ω 输入的光子匹配为 1:1，则有 P ω+P2ω 及 S=0.67，理论上在小信号近似情况下，输入光束都能转换为三次谐波。 1、2实验装置 实验装置如图 1 所示。Nd:YVO4 晶体采用 a 轴切割，掺钕浓度为1%，尺寸为3mm ×3mm ×2mm ，一面镀1064nm/532nm 双波长高反膜作为输入镜，另一面镀 808nm 增透膜。输出镜 M 曲率半径为 100mm ，凹面镀 1064nm/532nm 高反膜及 355nm 增透膜，平面镀355nm 高透膜。
等离子体刻蚀 ●集成电路的发展 1958年：第一个锗集成电路 1961年：集成8个元件 目前：集成20亿个元件 对比： 第一台计算机（EN IAC，1946），18000 只电子管, 重达30 吨, 占 地180 平方米, 耗电150 千瓦。奔II芯片：7.5百万个晶体管 ●集成电路发展的基本规律 穆尔法则：硅集成电路单位面积上的晶体管数，每18个月翻一番，特征尺寸下降一半。 集成度随时间的增长： 特征长度随时间的下降：
集成电路制造与等离子体刻蚀 集成电路本质：微小晶体管，MOS场效应管的集成 微小晶体管，MOS场的制作：硅片上微结构制作----槽、孔早期工艺：化学液体腐蚀----湿法工艺 5微米以上 缺点: (a)腐蚀性残液----->降低器件稳定性、寿命 (b)各向同性 (c)耗水量大（why） (d)环境污染
随着特征尺寸的下降，湿法工艺不能满足要求，寻求新的工艺----> 等离子体干法刻蚀，在1969引入半导体加工，在70年代开始广泛应用。
等离子体刻蚀过程、原理： 4
刻蚀三个阶段 (1) 刻蚀物质的吸附、反应 (2) 挥发性产物的形成; (3) 产物的脱附, 氯等离子体刻蚀硅反应过程 Cl2→Cl+Cl Si（表面）+2Cl→SiCl2 SiCl2+ 2Cl→SiC l4（why） CF4等离子体刻蚀SiO2反应过程 离子轰击作用 三种主要作用 （1）化学增强物理溅射(Chemical en2hanced physical sputtering) 例如,含氟的等离子体在硅表面形成的SiF x 基与元素 Si 相比,其键合能比较低,因而在离子轰击时具有较高 的溅射几率, （2）晶格损伤诱导化学反应(damage - induced chemical reaction) 离子轰击产生的晶格损伤使基片表面与气体物质的反 应速率增大 （3）化学溅射(chemical sputtering) 活性离子轰击引起一种化学反应,使其先形成弱束缚的 分子,然后从表面脱附。 其他作用 ?加速反应物的脱附 ---> 提高刻蚀反应速度 ?控制附加沉积物---> 提高刻蚀的各向异性
激光切割机软件使用说 明 (图文笔记版) 一、总体功能概述 ⑴操作软件的三大版块: 图一、ByVision主菜单操作界面。图二、HANDLING-OPERATION操作界面 图三、LaserView操作界面
⑵控制按键的两个部分：图一、操控手柄。
图二、屏幕右侧按键。 停止自动操作如自动交换工作台 释放切割头
二、激光切割机每个版块的具体功能介绍 ⑴ByVision（用户名：CH 密码：1） ①“MAIN（F5）”主菜单：其中包括“管理员”、“视图”、“诊断”、“清屏”、 “信息”、“关闭”。 “管理员”、“视图”：已设置好，一般无需改动。一般级别无法修改的。“诊断”：用于显示机床的通讯状态，绿灯通讯为正常，红灯通讯中断或未建立通讯或没有该硬件（如Byloder）。前两个灯为绿，后一个灯为红，此时为正常。具体的机型不同而有异。 “清屏”：点击后屏幕为白色，此时触摸功能关闭，就可用布来擦拭屏幕。
登录/注销：用于不同级别的用户进入系统，权限不一样的。 详细内容：当提示框出现提示内容的时候，由于显示的内容有限，当出现”……”的提示时可以在详细内容中看见全部的报警和故障。可以用该菜单中的RESET 键进行复位等操作。 信息：关于该机器的全部软件的版本。 关闭：内有可选择的关闭对话框。一般用关闭Byvision项目。 语言选择：根据国旗代表不同的语言。一般英语的故障解释比较确切。 有故障时候尽量用英语将信息记录下来，便于准确判断。 ②“HAND（F6）”手动菜单：其中包括“设置参数机床”、“参数”、“手动功 能”、“特殊功能”“CNC”、“SERV”、“STOP PART”、“STOP WORK”。
钣金激光切割技术 1、焦点位置控制技术： 激光切割的优点之一是光束的能量密度高,一般>10W/cm2。由于能量密度与4/πd2成正比,所以焦点光斑直径尽可能的小,以便产生一窄的切缝；同时焦点光斑直径还和透镜的焦深成正比。聚焦透镜焦深越小,焦点光斑直径就越小。但切割有飞溅,透镜离工件太近容易将透镜损坏,因此一般大功率CO2激光切割工业应用中广泛采用5〃~7.5〃??(127~190mm)的焦距。实际焦点光斑直径在 0.1~0.4mm之间。对于高质量的切割,有效焦深还和透镜直径及被切材料有关。例如用5〃的透镜切碳钢,焦深为焦距的+2%范围内,即5mm左右。因此控制焦点相对于被切材料表面的位置十分重要。顾虑到切割质量、切割速度等因素原则上<6mm的金属材料,焦点在表面上；>6mm的碳钢,焦点在表面之上；>6mm的不锈钢,焦点在表面之下。具体尺寸由实验确定。 在工业生产中确定焦点位置的简便方法有三种： （1）打印法：使切割头从上往下运动,在塑料板上进行激光束打印,打印直径最小处为焦点。 （2）斜板法：用和垂直轴成一角度斜放的塑料板使其水平拉动,寻找激光束的最小处为焦点。 （3）蓝色火花法：去掉喷嘴,吹空气,将脉冲激光打在不锈钢板上,使切割头从上往下运动,直至蓝色火花最大处为焦点。 对于飞行光路的切割机,由于光束发散角,切割近端和远端时光程长短不同,聚焦前的光束尺寸有一定差别。入射光束的直径越大,焦点光斑的直径越小。为了减少因聚焦前光束尺寸变化带来的焦点光斑尺寸的变化,国内外激光切割系统的制造商提供了一些专用的装置供用户选用： （1）平行光管。这是一种常用的方法,即在CO2激光器的输出端加一平行光管进行扩束处理,扩束后的光束直径变大,发散角变小,使在切割工作范围内近端和远端聚焦前光束尺寸接近一致。
太阳能电池生产设备主要设备 扩散系统 用途: 设备应用于大规模集成电路、分立器件、 光电子器件、电力电子器件、太阳能电池等领域，适用2"～8"硅片退火、氧化、扩散、预沉积等工艺。 主要技术指标 1.可配加工硅片尺寸：3"～8" 2.工作温度范围：400～1300℃ 3.恒温区长度及精度：600～ 1250℃800mm/±0.5℃ 4.单点温度稳定性：600～ 1250℃±1℃/6h 5.最大可控升温速度：15℃/min 6.最大降温速度：5℃/min 7.自动送舟 太阳能电池专用等离 子体刻蚀机 用途: 等离子体刻蚀机是采用高频辉 光放电手段，使气体离解成活性原 子和自由基，与被反应物进行反 应，生成挥发性反应物，达到刻蚀 目的。M42200-3/WJ等离子体刻蚀 机主要用于太阳能电池的周边掺 杂硅的刻蚀。具有占地面积小﹑装 片容量大﹑生产效率高等到优点。 同时还具有手动/自动功，除装卸 片手动操作外其余过程实现了全 自动，保证了工艺的 准确性和重复性，大大提高了产品 质量。 主要技术指标 1．刻蚀介质：掺杂硅氮化硅多晶硅 2．刻蚀部位：晶片周边 3．硅片尺寸：Φ210mm圆片或156×156mm方片 4．生产量： >300片/批 5．射频功率： 13.56MHz 100～1000W可调 6．气路系统：五路路浮子流量计或二路质量流量计＋三路浮子流量计
7．抽气系统：机械泵＋节流阀 8．刻蚀周期：＜25分/批 9．控制方式：手动/自动 10．整机功率： 2.5KW 太阳能电池链式烧结炉 用途： 主要用于太阳能电池片的键合烧结，也可用于其它贴片元件的烧结。主要技术指标： 1．最高温度：1000℃ 2．工作温度：150℃—950℃ 3．控温精度：±3℃/2h（采用日本温控仪） 4．网带宽度：380mm（可根据用户要求改变） 5．炉膛有效高度：10mm（可根据用户要求改变） 6．加热段数：9段（可根据用户要求改变） 7．出口冷却方式：水冷+风冷、风量可调 8．网带速度：1000—5000mm/min 连续可调 9．加热功率：＜100Kw 10.加热方式：近红外灯管加热 11.护功能：有超温、断偶、报警和保护功能 12.温度曲线：按委托方提供的曲线调试 13.网带速度稳定性：优于3% 14.每各温区一路气体，进、出口各一路气体 15.计算机控制 APCVD(常压CVD) 用途: 主要技术指标 1.有效成膜宽度：300mm 2.加热区数量：3个 3.加热区长度:2000mm 3最高加热温度区：700℃ 4.温区控制精度：±2℃, 5.送气路数：5路浮子流量计控制（三路恒温源瓶） 6.加热方式：红外加热器加热 7. 网带速度：700—1500mm/min 连续可调 8.成膜均匀性：±5%
感谢您购买本公司产品,请您在使用设备之前,详细 阅读本说明书. 1、简介 激光打标是利用激光的高能量作用于工件表面，使工件表面达到瞬间气化，并按预定的轨迹，刻写出具有一定深度的文字、图案。 HGL—LSY50型系列激光打标机是利用波长为1064nm的固体YAG激光，通过控制振镜的偏转来达到标刻的目的。 激光振镜打标具有标记速度快、连续工作稳定性好、软件功能强、定位精度和重复精度高等优点，广泛应用于集成电路芯片、电脑配件、工业轴承、钟表、电子及通讯产品、航天航空器件、各种汽车零件、家电、五金工具、电线电缆、食品包装、首饰、烟草等众多领域的图形和文字的标记。 型号说明： HGL—LSY50F 表示进口振镜头 激光器输出功率
YAG激光器 振镜打标机 表示为中小功率激光设备 华工激光 主要技术参数： 激光波长：1064 nm 激光器输出功率：50W 声光调制频率：500 ~ 20 kHz 最大直线刻写速度：3000 mm/s, 视材料 标刻范围：70*70mm(110*110mm,220*220 mm) 重复精度：0.02 mm 定位精度：0.02 mm 标刻线深：0.05 ~ 0.1 mm 供电：三相~ 380V、4.5 KVA 2、激光打标机工作原理 激光电源产生瞬间高压（约2万伏）触发氪灯，并以预设定电
流维持，氪灯点燃；当工作电流达到阈值，光腔输出连续激光；调Q器件对连续激光进行腔内调制，产生准连续激光（频率可调），以提高输出激光的峰值功率；输出激光通过由计算机控制的振镜反射偏转，经F-θ透镜聚集到工作表面，形成高功率密度光斑（约106 w/mm2）使工件表面瞬间气化，刻蚀出一定深度的图案文字。 3、HGL-LSY50激光振镜打标机的构成及各部件功能 3．1 总则 HGL—LSY50型激光振镜打标机是由氪灯泵浦的固体YAG激光打标机，它主要由五部分组成，即：激光器系统、声光调制系统、振镜扫描系统、计算机控制系统及冷却系统，外形结构如图一所示。