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电工学电子技术第七版第十五章答案

电工学电子技术第七版第十五章答案
电工学电子技术第七版第十五章答案

《电工学-电子技术-下册》试题及解答

第九章:半导体二极管和三极管、第十章:基本放大电路 一、 单项选择题 *1.若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏,好的管子应为( C ) A 、正、反向电阻相等 B 、正向电阻大,反向电阻小 C 、反向电阻比正向电阻大很多倍 D 、正、反向电阻都等于无穷大 *2.电路如题2图所示,设二极管为理想元件,其正向导通压降为0V ,当U i =3V 时,则U 0的值( D )。 A 、不能确定 B 、等于0 C 、等于5V D 、等于3V **3.半导体三极管是具有( B )PN 结的器件。 A 、1个 B 、2个 C 、3个 D 、4个 5.晶体管的主要特性是具有( D )。 A 、单向导电性 B 、滤波作用 C 、稳压作用 D 、电流放大作用 *6.稳压管的稳压性能是利用PN 结的( D )。 A 、单向导电特性 B 、正向导电特性 C 、反向截止特性 D 、反向击穿特性 8.对放大电路进行动态分析的主要任务是( C ) A 、确定静态工作点Q B 、确定集电结和发射结的偏置电压 C 、确定电压放大倍数A u 和输入、输出电阻r i ,r 0 D 、确定静态工作点Q 、放大倍数A u 和输入、输出电阻r i ,r o *9.射极输出器电路如题9图所示,C 1、C 2足够 大,对输入的交流信号u 可视作短路。则输出电压u 0 与输入电压u i 之间的关系是( B )。 A 、两者反相,输出电压大于输入电压 B 、两者同相,输出电压小于且近似等于输入电 压 C 、两者相位差90°,且大小相等 D 、两者同相,输出电压大于输入电压 *11.在共射极放大电路中,当其他参数不变只有 负载电阻R L 增大时,电压放大倍数将( B ) A 、减少 B 、增大 题2图 题9图

电工学与电子技术B复习题及参考答案_

一、 选择题 6、欲使放大器净输入信号削弱,应采取的反馈类型是(D ) A .串联反馈;B 并联反馈;C .正反馈;D.负反馈。 7、由一个三极管组成的基本门电路是(B ) A .与门;B .非门;C .或门;D.异或门。 8、在脉冲门电路中,应选择(B )的三极管。 A .放大能力强; B .开关速度快; C .价格便宜;D.集电极最大耗散功率高。 9、数字集成门电路中,目前生产最多且应用最普遍的门电路是( D ) A .与门;B .非门;C .或门;D.与非门。 24、对半导体而言,其正确的说法是(C ) A .P 型半导体多数载流子为空穴,所以它带正电; B .N 型半导体多数载流子为自由电子,所以它带负电; C .P 型半导体和N 型半导体本身都不带电; D .在N型半导体中,空穴是多子,自由电子是少子 25、在放大电路中,若测得某晶体管3个极的电位分别为9V 、4V 、3.7V ,则这3 个极分别为(A ) A . C 、B 、E ; B .C 、E 、B ; C .E 、C 、B 。 26、在放大电路中,若测得某晶体管3个极的电位分别为-6V 、-2.3V 、-2V ,则这-2.3 V 的那个极为(B ) A .集电极; B .基极; C .发射极。 27、在放大电路中,若测得某晶体管3个极的电位分别为6V 、1.2V 、1V ,则该管为(C ) A .NPN 型硅管;B . PNP 型锗管; C .NPN 型锗管;D . PNP 型硅管。 28、对某电路中的一个NPN 型硅管测试,测得U BE >0,U BC >0,U CE >0, 则此管工作在(B ) A .放大区;B .饱和区;C .截止区。 29、对某电路中的一个NPN 型硅管测试,测得U BE <0,U BC <0,U CE >0, 则此管工作在(C ) A .放大区;B .饱和区;C .截止区。 30、对某电路中的一个NPN 型硅管测试,测得U BE >0,U BC <0,U CE >0, 则此管工作在(A ) A .放大区;B .饱和区;C .截止区。 31、晶体三极管的控制方式为(B ) A .输入电流控制输出电压; B .输入电流控制输出电流; C .输入电压控制输出电压。 32、场效晶体管的控制方式为(C ) A .输入电流控制输出电压; B .输入电压控制输出电压; C .输入电压控制输出电流。 33、射极输出器(A ) A .有电流放大作用,没有电压放大作用; B .有电流放大作用,也有电压放大作用; C .没有电流放大作用,也没有电压放大作用。 34、某测量放大电路,要求输入电阻高,输出电流稳定,应引入(B ) A .并联电流负反馈; B .串联电流负反馈; C .串联电压负反馈; D .并联电压负反馈。 35、与D C B A ???相等的为(C ) A .D C B A ???;B .)()(D C B A +?+;C . D C B A +++。 36、与BC A A +相等的为(B ) A .A+B ;B .A+BC ;C .BC A +。 37、若1=+=AC B A Y ,则(C )

电工学电子技术:下册》期末试题汇总

第九章:半导体二极管和三极管、第十章:基本放大电路 一、单项选择题 1.若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏,好的管子应为( C ) A 、正、反向电阻相等 B 、正向电阻大,反向电阻小 C 、反向电阻比正向电阻大很多倍 D 、正、反向电阻都等于无穷大 2.电路如题2图所示,设二极管为理想元件,其正向导通压降为0V ,当U i =3V 时,则U 0的值( D )。 A 、不能确定 B 、等于0 C 、等于5V D 、等于3V 3.半导体三极管是具有( B )PN 结的器件。 A 、1个 B 、2个 C 、3个 D 、4个 4.晶体管的主要特性是具有( D )。 A 、单向导电性 B 、滤波作用 C 、稳压作用 D 、电流放大作用 5.稳压管的稳压性能是利用PN 结的( D )。 A 、单向导电特性 B 、正向导电特性 C 、反向截止特性 D 、反向击穿特性 6.对放大电路进行动态分析的主要任务是( C ) A 、确定静态工作点Q B 、确定集电结和发射结的偏置电压 C 、确定电压放大倍数A u 和输入、输出电阻r i ,r 0 D 、确定静态工作点Q 、放大倍数A u 和输入、输出电阻r i ,r o 7.射极输出器电路如题7图所示,C 1、C 2足够大,对输入的交流信号u 可视作短路。则输出电压u 0与输入电压u i 之间的关系是( B )。 A 、两者反相,输出电压大于输入电压 B 、两者同相,输出电压小于且近似等于输入电压 C 、两者相位差90°,且大小相等 D 、两者同相,输出电压大于输入电压 8.在共射极放大电路中,当其他参数不变只有负载电阻R L 增大时,电压放大倍数将( B ) A 、减少 B 、增大 C 、保持不变 D 、大小不变,符号改变 9.在画放大电路的交流通路时常将耦合电容视作短路,直流电源也视为短路,这种处理方法是( A )。 A 、正确的 B 、不正确的 C 、耦合电容视为短路是正确的,直流电源视为短路则不正确。 D 、耦合电容视为短路是不正确的,直流电源视为短路则正确。 10.P N 结加适量反向电压时,空间电荷区将( A )。 A 、变宽 B 、变窄 C 、不变 D 、消失 11.题11图示三极管的微变等效电路是( D ) 题2图 题7

《电工学-电子技术-下册》期末试题汇总

2013年电工学下册复习试卷《内部资料》 第九章:半导体二极管和三极管、第十章:基本放大电路 一、单项选择题 1.若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏,好的管子应为( C ) A 、正、反向电阻相等 B 、正向电阻大,反向电阻小 C 、反向电阻比正向电阻大很多倍 D 、正、反向电阻都等于无穷大 2.电路如题2图所示,设二极管为理想元件,其正向导通压降为0V ,当U i =3V 时,则U 0的值( D )。 A 、不能确定 B 、等于0 C 、等于5V D 、等于3V 3.半导体三极管是具有( B )PN 结的器件。 A 、1个 B 、2个 C 、3个 D 、4个 4.晶体管的主要特性是具有( D )。 A 、单向导电性 B 、滤波作用 C 、稳压作用 D 、电流放大作用 5.稳压管的稳压性能是利用PN 结的( D )。 A 、单向导电特性 B 、正向导电特性 C 、反向截止特性 D 、反向击穿特性 6.对放大电路进行动态分析的主要任务是( C ) A 、确定静态工作点Q B 、确定集电结和发射结的偏置电压 C 、确定电压放大倍数A u 和输入、输出电阻r i ,r 0 D 、确定静态工作点Q 、放大倍数A u 和输入、输出电阻r i ,r o 7.射极输出器电路如题7图所示,C 1、C 2足够大,对输入的交流信号u 可视作短路。则输出电压u 0与输入电压u i 之间的关系是( B )。 A 、两者反相,输出电压大于输入电压 B 、两者同相,输出电压小于且近似等于输入电压 C 、两者相位差90°,且大小相等 D 、两者同相,输出电压大于输入电压 8.在共射极放大电路中,当其他参数不变只有负载电阻R L 增大时,电压放大倍数将( B ) A 、减少 B 、增大 C 、保持不变 D 、大小不变,符号改变 9.在画放大电路的交流通路时常将耦合电容视作短路,直流电源也视为短路,这种处理方法是( A )。 A 、正确的 B 、不正确的 C 、耦合电容视为短路是正确的,直流电源视为短路则不正确。 D 、耦合电容视为短路是不正确的,直流电源视为短路则正确。 题2图 题7

秦曾煌 电工学下册 电子技术课后答案

第14章 本书包括电路的基本概念与基本定律、电路的分析方法、电路的暂态分析、正弦交流电路、三相电路、磁路与铁心线圈电路、交流电动机、直流电动机、控制电机、继电接触器控制系统、可编程控制器及其应用等内容。 晶体管起放大作用的外部条件,发射结必须正向偏置,集电结反向偏置。 晶体管放大作用的实质是利用晶体管工作在放大区的电流分配关系实现能量转换。 2.晶体管的电流分配关系 晶体管工作在放大区时,其各极电流关系如下: C B I I β≈ (1)E B C B I I I I β=+=+ C C B B I I I I ββ?= = ? 3.晶体管的特性曲线和三个工作区域 (1)晶体管的输入特性曲线: 晶体管的输入特性曲线反映了当UCE 等于某个电压时,B I 和BE U 之间的关系。晶体管的输入特性也存在一个死区电压。当发射结处于的正向偏压大于死区电压时,晶体管才会出现B I ,且B I 随BE U 线性变化。 (2)晶体管的输出特性曲线: 晶体管的输出特性曲线反映当B I 为某个值时,C I 随CE U 变化的关系曲线。在不同的B I 下, 输出特性曲线是一组曲线。B I =0以下区域为截止区,当CE U 比较小的区域为饱和区。输出特性曲线近于水平部分为放大区。 (3)晶体管的三个区域: 晶体管的发射结正偏,集电结反偏,晶体管工作在放大区。此时,C I =b I β,C I 与b I 成线性正比关系,对应于曲线簇平行等距的部分。 晶体管发射结正偏压小于开启电压,或者反偏压,集电结反偏压,晶体管处于截止工作状态,对应输出特性曲线的截止区。此时,B I =0,C I =CEO I 。 晶体管发射结和集电结都处于正向偏置,即CE U 很小时,晶体管工作在饱和区。此时,C I 虽然很大,但C I ≠b I β。即晶体管处于失控状态,集电极电流C I 不受输入基极电流B I 的控制。 14.3 典型例题

电工学 期末复习天津理工大学

《电工与电子技术C 》直流电路部分补充题 一.单选题 1 图 示 电 路 中,理 想 电 压 源 发 出 的 功 率 P 为 ( )。 (a) 6 W (b) -6W (c) 18 W U I 6V 2S S 2 Ω 4 A 6 V . .+ 2 图 示 电 路 中,I S1 ,I S2 和 U S 均 为 正 值,且 I S2 >I S1 ,则 供 出 功 率 的 电 源 是( )。 (a) 电 压 源 U S (b) 电 流 源 I S2 (c) 电 流 源 I S2 和电压源 U S I I U S1S2S .. + 3. 在 图 示 电 路 中,已 知:当 -12 V 电 源 单 独 作 用 时,A 点 电 位 为 -6 V ,那 么 当 +12 V 电 源 单 独 作 用 时 ,A 点 电 位 V A 为 ( )。 (a) 9 V (b) 6 V (c) 3 V A 12V 1KΩ2KΩ- 12V u +12V R 2 k 1 k ..ΩΩ 4. 图 示 电 路 中,理 想 电 流 源 发 出 的 功 率 P 为 ( )。 (a) 6 W (b) -24 W (c) 24 W U I 6V 2S S 2 Ω 4 A 6 V . .+

5. 在 图 示 电 路 中,已 知 U S = 12 V , I S = 2 A 。B 、A 两 点 间 的 电 压 U BA 为( )。 (a) -18 V (b) 18 V (c) -6 V U I A B S S Ω 3+ 6. 图 2 是 图 1 的 等 效 电 压 源 电 路。已 知 图 2 中 R 0 的 值 是 5 Ω,那 么 图 1 中 R 的 值 应 是 ( )。 (a) 1 Ω (b) 3 Ω (c) 4.5 Ω A B 图 1图 29 Ω 2 Ω 2 ΩS 1U R R U 0S A B +-+- 7. 理 想 电 压 源 的 外 接 电 阻 越 大,则 流 过 理 想 电 压 源 的 电 流( )。 (a) 越 大 (b) 越 小 (c) 不 能 确 定 8. 理 想 电 流 源 的 外 接 电 阻 越 大,则 它 的 端 电 压 ( )。 (a) 越 高 (b) 越 低 (c) 不 能 确 定 二. 填空题 1、把 图 1 所 示 的 电 路 改 为 图 2 的 电 路,其 负 载 电 流 I 1 和 I 2 将 。 2A I I I I 1 2122V 1Ω1Ω1Ω1Ω 2V 2A 图 1 图 2+

秦曾煌《电工学电子技术》(第7版)(上册)(考研真题+习题+题库)(电工测量)【圣才出品】

第13章 电工测量 一、选择题 用准确度为2.5级,量程为30A的电流表在正常条件测得电路的电流为15A时,可能产生的最大绝对误差为()。[华南理工大学研] A.±0.375 B.±0.05 C.±0.25P D.±0.75 【答案】±0.75 【解析】最大绝对误差为:y=±2.5%×30=±0.75。 二、填空题 1.有一低功率因数功率表的额定参数如下: cosψ=0.2,Un-300V,In=5A,αn=150分格,今用此表测量一负载的消耗功率,读数为70分格,则该负载消耗的功率P =______。[华南理工大学研] 【答案】140W 【解析】功率表常数,该负载消耗的功率为:P=70C=70×2W=140W。 2.用一只准确度为1.5级、量程为50V的电压表分别测量10V和40V电压,它们的最大相对误差分别是______和______。[华南理工大学研]

【答案】±7.5%;±1.875% 【解析】该电压表的基本误差:,所以在测量10V 的电压时,501.5%0.75V γ=±?=±最大相对误差为: ,在测量40V 的电压时,最大相对误差为:0.7510%100%7.5%1010 γγ±?=?=?=±100% 1.875% 40γ γ?=?=±3.用准确度为2.5级、量程为30A 的电流表在正常条件下测得电路的电流为15A 时,可能产生的最大绝对误差为______。[华南理工大学研] 【答案】±0.75 【解析】最大绝对误差为:y =±2.5%×30=±0.75。 4.一磁电式电流表,当无分流器时,表头的满标值电流为5mA ,表头电阻为 2012。今欲使其量程(满标值)为1A ,问分流器的电阻应为 ______。[华南理工大学研] 【答案】0.1Ω 【解析】分流器电阻为:

电工学与电子技术B复习题及参考答案

电工学与电子技术B复习题答案 一、选择题 1、一含源二端网络,测得其开路电压为100V ,短路电流为10A,当外接10 Q负载电阻时,负载电流是(B) A. 10A; B.5A; C.15A; D.20A. 2、电动势为10V、内阻为2 Q的电压源变换成电流源时,电流源的电流和内阻是(C) A. 10A , 2 Q; B. 10A , 2 Q; C. 5A , 2Q; D. 2A , 5 Q. 3、正弦交流电压u=100sin(628t+60 o)V,它的频率为(A) A. 100Hz ; B. 50Hz ; C. 60Hz; D. 628Hz . 4、一阻值为3Q、感抗为4 Q的电感线圈接在交流电路中,其功率因数为(B) A. 0.3; B. 0.6; C. 0.5; D. 0.4 5、电力系统负载大部分是感性负载,要提高电力系统的功率因数常采用(B) A .串联电容补偿;B.并联电容补偿;C.串联电感补偿;D.并联电感补偿。 6、欲使放大器净输入信号削弱,应采取的反馈类型是(D) A .串联反馈;B并联反馈;C.正反馈;D.负反馈。 7、由一个三极管组成的基本门电路是(B) A .与门;B.非门;C.或门;D.异或门。 8、在脉冲门电路中,应选择(B)的三极管。 A .放大能力强;B.开关速度快;C.价格便宜;D.集电极最大耗散功率高。 9、数字集成门电路中,目前生产最多且应用最普遍的门电路是(D) A .与门;B.非门;C.或门;D.与非门。 10、在Y形联接的三相对称电路中,相电流与线电流的相位关系是(C) A. 相电流超前线电流30 o; B.线电流超前相电流30 o; C.相电流与线电流同相; D.相电流超前线电流 60 0。 11、在三相四线制中性点接地供电系统中,线电压指的(A)的电压。 A .相线之间;B.零线对地间;C.相线对零线间;D.相线对地间。 12、三相四线制供电的相电压为220V,则线电压为(D) A. 220V; B. 250V; C. 311V ; D. 380V. 13、纯电感电路中,(C) A.电流与电压同相位; B.电流与电压反相位; C.电压超前电流90 o;D .电压滞后电流90 0。 14、阻值为4 Q的电阻和容抗为3 Q的电容串联,总复数阻抗为(D)Q A. Z=3+j4 ; B. Z=3-j4 ; C. Z=4+j3 ; D. Z=4-j3。 15、额定电压都为220V的40W、60W和100W三只灯泡串联在220V的电源中,它们的发热量由大到小排列为(B) A. 100W、60W、40W ; B. 40W、60W、100W; C. 100W、40W、60W; D. 60W、100W、40W。 16、应用戴维南定理求含源二端网络的输入等效电阻的方法是将网络内的电动势(D) A .串联;B.并联;C.开路;D.短接。 17、用一只额定值为110V/100W 的白炽灯和一只额定值为110V/40W的白炽灯串联后接到220V的电源上,当开关闭合时,(C) A.能正常工作; B. 100W的灯丝烧毁; C. 40W的灯丝烧毁; D.两只灯丝全烧毁。 18、有一220V/1000W 的电炉,今欲接在380V的电源上使用,可串联的变阻器是(B)

电工学下册电子技术知识点总结

电工学下册电子技术知识点总结 模拟电路处理模拟信号,数字电路处理数字信号 第14章半导体器件 1.本征半导体概念 2.N型和P型半导体的元素、多数载流子和少数载流子、“复合”运动 3.PN结的单向导电性,扩散运动,漂移运动 4.二极管的伏安特性、等效电阻(14.3.8) 5.稳压二极管的工作区 6.三极管的放大电流特性(非放大电压)、输出特性曲线(放大区、截止区、 饱和区),判断硅管和锗管、PNP型和NPN型(14.5.1,14.5.2,14.5.3) 第15章基本放大电路 1.共发射极放大电路的组成、静态分析、动态分析,计算电压放大倍数(远大 于1,输入输出电压反相)、输入电阻(高)、输出电阻(低) 2.静态工作点的稳定:分压式偏置放大电路的组成 3.非线性失真:饱和失真(静态工作点高)、截止失真(静态工作点低) 4.射极输出器的组成、静态分析(估算法、图解法)、动态分析(微变等效电 路法、图解法),计算电压放大倍数(接近1,但小于1,输入输出电压同相)、输入电阻(高)、输出电阻(低) 5.多级放大电路的放大倍数,耦合方式三种:变压器耦合、阻容耦合(静态工 作点相对独立)、直接耦合(静态工作点相互影响,零点漂移) 6.差分(差动)放大电路:针对缓慢变化的信号,采用直接耦合,共模信号,差 模信号,抑制零点漂移,电路对称性要好 7.功率放大电路状态:甲类、甲乙类、乙类,为避免交越失真,需工作在甲乙 类状态下 第16章集成运算放大器 1.理想运算放大器的理想化条件:开环电压放大倍数∞,差模输入电阻∞,开 环输出电阻0,共模抑制比∞,工作区:线性区和饱和区 2.虚短、虚断

电工学(电工技术、电子技术)复习题及答案[1]

电工学(电工技术、电子技术)复习题 一、单项选择题:在下列各题中,将唯一正确的答案代码填入括号内 1、把图 1 所示的电路改为图 2 的电路,其负载电流I1 和I2 将( )。 (a) 增大 (b) 不变 (c) 减小 2、当三相交流发电机的三个绕组接成星形时,若线电压u BC = 380sin wt V,则相电压u B = ( )。 (a) (b) (c) 3、在图示电路中,开关 S 在t = 0 瞬间闭合,若,则( )。 (a) 0.6 A (b) 0.4 A (c) 0.8A 4、两个铁心线圈除了匝数不同 (N1 > N2) 外,其他参数都相同,若将这两个线圈接在同一交流电源上,它们的磁通F1 和F2 的关系为( )。 (a) F1 > F2 (b) F1 < F2 (c) F1 = F2 5、三相异步电动机的旋转方向决定于( ) 。 (a) 电源电压大小 (b) 电源频率高低 (c) 定子电流的相序 6、在电动机的继电器接触器控制电路中,零压保护的功能是( )。 (a) 防止电源电压降低烧坏电动机 (b) 防止停电后再恢复供电时电动机自行起动 (c) 实现短路保护 7、在中点接地的三相四线制低压供电系统中,为了防止触电事故,对电气设备应采取 ( ) 措施。 (a) 保护接中( 接零 ) 线 (b) 保护接地 (c) 保护接中线或保护接地

8、图 1 与图 2 为两个正弦交流等效电路,已知R = 9 W,R¢= 10 W,C = F, C¢= F,需施加的正弦信号的角频率w为 ( )。 (a) 0.32 rad / s (b) 0.11 rad / s (c) 2 rda/s 9、图示正弦交流电路中,R = XL= 10 W,欲使电路的功率因数l = 0.707,则XC 为 ( )。 (a) 20 W (b) 10 W (c) 5 W 10、在R,L,C串联电路中,总电压,电流 i = 10sin(wt+) A,w=1 000 rad / s,L = 1 H,则R,C分别为 ( )。 (a) 10 W,1 mF (b) 10 W,1 000 mF (c) 0.1 W,1 000 mF 11、图示正弦交流电路中,Z = ( 40 + j 30 ) W,XC= 10 W,有效值U2 = 200 V,则总电压有效值U为 ( )。 (a) 178.9 V (b) 226 V (c) 120 V 12、在R,L并联的正弦交流电路中,R = 40 W,XL= 30 W ,电路的无功功率 Q = 480 var,则视在功率S为 ( )。 (a) 866 VA (b) 800 VA (c) 600 VA

电工学((下册))电子技术基础第4章习题解答

第4章 场效应管放大电路与 功率放大电路 4.1 图4.1所示为场效应管的转移特性,请分别说明场效应管各属于何种类型。说明它的开启电压th U (或夹断电压p U )约是多少。 GS GS (a) (b) (c) 图4.1 习题4.1图 解:(a) N 沟道 耗尽型FET U P =-3V ; (b) P 沟道 增强型FET U T =-4V ; (c) P 沟道 耗尽型FET U P =2V 。 4.2 某MOSFET 的I DSS = 10mA 且U P = -8V 。(1) 此元件是P 沟道还是N 沟道?(2) 计算U GS = -3V 是的I D ;(3) 计算U GS = 3V 时的I D 。 解:(1) N 沟道; (2) )mA (9.3)83 1(10)1(P GS DSS D =-?=-=U U I I (3) )mA (9.18)8 3 1(10)1(P GS DSS D =+?=- =U U I I 4.3 画出下列FET 的转移特性曲线。 (1) U P = -6V ,I DSS = 1mA 的MOSFET ;(2) U T = 8V ,K = 0.2mA/V 2的MOSFET 。 解: (1) (2) 4.4 试在具有四象限的直角坐标上分别画出4种类型MOSFET 的转移特性示意图,并标明各自的开启电压或夹断电压。 解: 4.5判断图4.2所示各电路是否有可能正常放大正弦信号。

解: (a) 能放大 (b) 不能放大,增强型不能用自给偏压 (c) 能放大 (d )不能放大,增强型不能用自给偏压。共漏1

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2013 年电工学下册复习试卷《内部资料》 第九章:半导体二极管和三极管、第十章:基本放大电路 一、单项选择题 1.若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏,好的管 子应为( C ) A 、正、反向电阻相等 B 、正向电阻大,反向电阻小 C、反向电阻比正向电阻大很多倍 D、正、反向电阻都等于无穷大 2.电路如题2图所示,设二极管为理想元件,其正向导通压降为0V ,当 U i=3V 时,则 U 0的值 ( D )。 A 、不能确定 B 、等于 0 C、等于 5V D 、等于 3V 题 2 图 3.半导体三极管是具有( B )PN 结的器件。 A 、 1 个B、2 个 C、 3 个 D、 4 个 4.晶体管的主要特性是具有( D )。 A 、单向导电性 B 、滤波作用C、稳压作用D、电流放大作用 5.稳压管的稳压性能是利用PN 结的(D)。 A 、单向导电特性 B 、正向导电特性 C、反向截止特性 D 、反向击穿特性 6.对放大电路进行动态分析的主要任务是(C) A 、确定静态工作点Q B、确定集电结和发射结的偏置电压 C、确定电压放大倍数 A u和输入、输出电阻 r i, r0 r i, r o D 、确定静态工作点Q、放大倍数 A u和输入、输出电阻 7.射极输出器电路如题7 图所示, C1、 C2足够大,对输入的交流信号u 可视作短路。则输出电压u0 与输入电压u i之间的关系是 ( B )。 A、两者反相,输出电压大于输入电压 B、两者同相,输出电压小于且近似等于输入电压 C、两者相位差90°,且大小相等 D、两者同相,输出电压大于输入电压 8.在共射极放大电路中,当其他参数不变只有负载 电阻 R L增大时,电压放大倍数将 ( B ) A 、减少 B 、增大题7 C、保持不变 D、大小不变,符号改变 9.在画放大电路的交流通路时常将耦合电容视作短路,直流电源也视为短 路,这种处理方法是 ( A )。 A 、正确的B、不正确的 C、耦合电容视为短路是正确的,直流电源视为短路则不正确。 D、耦合电容视为短路是不正确的,直流电源视为短路则正确。

《电工学-电子技术-下册》习题册习题解答

《电工与电子技术》 习 题 与 解 答 电工电子教研室 第九章:半导体二极管和三极管、第十章:基本放大电路 一、单项选择题 *1.若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏,好的管子应为(C) A、正、反向电阻相等 B、正向电阻大,反向电阻小 C、反向电阻比正向电阻大很多倍 D、正、反向电阻都等于无穷大 *2.电路如题2图所示,设二极管为理想元件,其正向导通压降为0V,当U i=3V 时,则U0的值( D)。 A、不能确定 B、等于0 C、等于5V D、等于3V **3.半导体三极管是具有( B)PN结的器件。 题2图 A、1个 B、2个 C、3个 D、4个 5.晶体管的主要特性是具有(D)。 A、单向导电性 B、滤波作用 C、稳压作用 D、电流放大作用 *6.稳压管的稳压性能是利用PN结的(D)。 A、单向导电特性 B、正向导电特性 1文档来源为:从网络收集整理.word版本可编辑.

1文档来源为:从网络收集整理.word 版本可编辑. C 、反向截止特性 D 、反向击穿特性 8.对放大电路进行动态分析的主要任务是( C ) A 、确定静态工作点Q B 、确定集电结和发射结的偏置电压 C 、确定电压放大倍数A u 和输入、输出电阻r i ,r 0 D 、确定静态工作点Q 、放大倍数A u 和输入、输出电阻r i ,r o *9.射极输出器电路如题9图所示,C 1、C 2足够 大,对输入的交流信号u 可视作短路。则输出电压u 0 与输入电压u i 之间的关系是( B )。 A 、两者反相,输出电压大于输入电压 B 、两者同相,输出电压小于且近似等于输入电 压 C 、两者相位差90°,且大小相等 D 、两者同相,输出电压大于输入电压 *11.在共射极放大电路中,当其他参数不变只有 负载电阻R L 增大时,电压放大倍数将( B ) A 、减少 B 、增大 C 、保持不变 D 、大小不变,符号改变 13.在画放大电路的交流通路时常将耦合电容视作短路,直流电源也视为短路,这种处理方法是( A )。 A 、正确的 B 、不正确的 C 、耦合电容视为短路是正确的,直流电源视为短路则不正确。 D 、耦合电容视为短路是不正确的,直流电源视为短路则正确。 14.P N 结加适量反向电压时,空间电荷区将( A )。 A 、变宽 B 、变窄 C 、不变 D 、消失 *16.题16图示三极管的微变等效电路是( D ) *19.题19图示放大电路,输入正弦电压u i 后,发生了饱和失真,为消除此失 真应采取的措施是( C ) A.增大R L B.增大R C C.增大R B D.减小R B *21.电路如题21图所示,设二极管为理想组件,其正向导通压降为0V ,则 电路中电流I 的值为( A )。 A.4mA B.0mA C.4A D.3mA *22.固定偏置单管交流放大电路的静态工作点Q 如 题22图所示,当温度升高时,工作点Q 将( B ) 。 A.不改变 B.向Q′移动 C.向Q″移动 D.时而向Q′移动,时而向Q″移动 题22图 题21图 题9图 题16图 题19图 题19图

电工学下册(电子技术)知识点总结

电子技术知识点总结 模拟电路处理模拟信号,数字电路处理数字信号 第14章半导体器件 1.本征半导体概念 2.N型和P型半导体的元素、多数载流子和少数载流子、“复合”运动 3.PN结的单向导电性,扩散运动,漂移运动 4.二极管的伏安特性、等效电阻(14.3.8) 5.稳压二极管的工作区 6.三极管的放大电流特性(非放大电压)、输出特性曲线(放大区、截止区、饱和区), 判断硅管和锗管、PNP型和NPN型(14.5.1,14.5.2,14.5.3) 第15章基本放大电路 1.共发射极放大电路的组成、静态分析、动态分析,计算电压放大倍数(远大于1,输 入输出电压反相)、输入电阻(高)、输出电阻(低) 2.静态工作点的稳定:分压式偏置放大电路的组成 3.非线性失真:饱和失真(静态工作点高)、截止失真(静态工作点低) 4.射极输出器的组成、静态分析(估算法、图解法)、动态分析(微变等效电路法、图解 法),计算电压放大倍数(接近1,但小于1,输入输出电压同相)、输入电阻(高)、输出电阻(低) 5.多级放大电路的放大倍数,耦合方式三种:变压器耦合、阻容耦合(静态工作点相对 独立)、直接耦合(静态工作点相互影响,零点漂移) 6.差分(差动)放大电路:针对缓慢变化的信号,采用直接耦合,共模信号,差模信号,抑 制零点漂移,电路对称性要好 7.功率放大电路状态:甲类、甲乙类、乙类,为避免交越失真,需工作在甲乙类状态下

第16章集成运算放大器 1.理想运算放大器的理想化条件:开环电压放大倍数∞,差模输入电阻∞,开环输出电 阻0,共模抑制比∞,工作区:线性区和饱和区 2.虚短、虚断 3.运算放大器的比例运算、加法运算和减法运算 4.电压比较器 第17章电子电路中的反馈 1.负反馈对放大电路工作性能的影响:降低放大倍数、提高放大倍数的稳定性、改善波 形失真 2.深度负反馈的条件(AF>>1) 第18章直流稳压电源 1.整流电路的作用 2.滤波器的作用 3.稳压环节的作用 第20章门电路和组合逻辑电路 1.二进制、十六进制和十进制的转化 2.基本逻辑门电路概念:与、或、非 3.逻辑代数运算:交换律、结合律、分配律、吸收律、反演律 4.常用的组合逻辑电路:加法器、编码器、译码器 5.例:判奇电路 第21章触发器和时序逻辑电路 1.触发器的触发条件、触发时间、功能 2.可控RS触发器可能会出现空翻现象 3.JK触发器如何转化为T触发器和D触发器 4.常用的时序逻辑电路:寄存器(数码和移位)、计数器

经典电工学电子技术试题库(含答案)

电工电子技术试题库 一、单项选择题 1.硅稳压管的工作状态是(D) A.正向导通 B.正向击穿 C.反向截止 D.反向击穿 2.要得到N型杂质半导体,应在本征半导体硅或锗中掺入少量的(C ) A.三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D.六价元素 3.下列关于P型半导体中载流子的描述,正确的是( C ) A.仅自由电子是载流子B.仅空穴是载流子 C.自由电子和空穴都是载流子D.三价杂质离子也是载流子 4.理想运算放大器的两个基本特点是( C ) A.虚地与虚断B.虚短与虚地 C.虚短与虚断D.断路与短路 5.在本征半导体中加入少量的五价元素后,可形成( B ) A.P型半导体,其少子为自由电子B.N型半导体,其多子为自由电子C.P型半导体,其少子为空穴D.N型半导体,其多子为空穴 6.理想二极管构成的电路如题2图所示,则输出电压U O为( B ) A.3V B.10V C.-3V D.-10V 7.关于三极管的结构特点,以下说法不正确的为( B ) A.基区很薄B.基区掺杂浓度最高 C.发射区掺杂浓度最高D.发射结的结面积小于集电结的结面积8.测得某放大电路中的三极管,各管脚电位如题4图所示,则可判定该管为( D ) A.锗管①为b极 B.硅管③为c极 C.锗管②为e极 D.硅管③为b极 9.放大电路如题7图所示,该电路引入了交直流( B ) A.电流并联负反馈

B.电流串联负反馈 C.电压并联负反馈 D.电压串联负反馈 10.理想二极管构成的电路如题2图所示,则输出电压U0为( B ) R A.-10V B.-4V C.+6V D.+10V 11.NPN型三极管处在放大状态时,各电极的电位关系是( D ) A.E极电位最高,C极电位最低 B.E极电位最高,B极电位最低 C.C极电位最高,B极电位最低 D.C极电位最高,E极电位最低 12.若要求放大电路输入电阻高,且稳定输出电压,在放大电路中应引入的负反馈组态为( C ) A.电流串联 B.电流并联 C.电压串联 D.电压并联 13.要降低放大电路输入电阻,可引入(D) A.电压负反馈 B.电流负反馈 C.串联负反馈 D.并联负反馈 14.共射极放大电路直流负载线由(C) A.电流放大系数β确定 B.基极电阻Rb与电源Ucc确定 C.集电极电阻Rc与电源Ucc确定 D.负载电阻RL确定 =++等价于(B) 15.函数Y A B C A.Y=ABC B. C = ? B A Y? =++ C.Y=AB+C D. Y A B C 16.下列与F=A+B+C相等的逻辑函数为( C ) A.F=ABC B.F=A+B+C C.F=ABC D.F=A+B+C 17.下列逻辑式中,正确的逻辑公式是( D ) A.AA A AA= =B.1 C.AA A AA= =D.0

电工学跟电子技术B复习题答案

电工学与电子技术B复习题参考答案 一、选择题 1、一含源二端网络,测得其开路电压为100V,短路电流为10A,当外接10Ω负载电阻时,负载电流是(B) A.10A;B.5A;C.15A;D.20A. 2、电动势为10V、内阻为2Ω的电压源变换成电流源时,电流源的电流和内阻是(C) A.10A,2Ω;B.10A,2Ω;C.5A,2Ω;D.2A,5Ω. 3、正弦交流电压u=100sin(628t+60o)V,它的频率为(A) A.100Hz;B.50Hz;C.60Hz;D.628Hz. 4、一阻值为3Ω、感抗为4Ω的电感线圈接在交流电路中,其功率因数为(B) A.0.3;B.0.6;C.0.5;D.0.4 5、电力系统负载大部分是感性负载,要提高电力系统的功率因数常采用(B) A.串联电容补偿;B.并联电容补偿;C.串联电感补偿;D.并联电感补偿。 6、欲使放大器净输入信号削弱,应采取的反馈类型是(D) A.串联反馈;B并联反馈;C.正反馈;D.负反馈。 7、由一个三极管组成的基本门电路是(B) A.与门;B.非门;C.或门;D.异或门。 8、在脉冲门电路中,应选择(B)的三极管。 A.放大能力强;B.开关速度快;C.价格便宜;D.集电极最大耗散功率高。 9、数字集成门电路中,目前生产最多且应用最普遍的门电路是(D) A.与门;B.非门;C.或门;D.与非门。 10、在Y形联接的三相对称电路中,相电流与线电流的相位关系是(C) A.相电流超前线电流30o;B.线电流超前相电流30o;C.相电流与线电流同相;D.相电流超前线电流60o。 11、在三相四线制中性点接地供电系统中,线电压指的(A)的电压。 A.相线之间;B.零线对地间;C.相线对零线间;D.相线对地间。 12、三相四线制供电的相电压为220V,则线电压为(D) A.220V;B.250V;C.311V;D.380V. 13、纯电感电路中,(C) A.电流与电压同相位;B.电流与电压反相位;C.电压超前电流90o;D.电压滞后电流90o。 14、阻值为4Ω的电阻和容抗为3Ω的电容串联,总复数阻抗为(D)Ω A.Z=3+j4;B.Z=3-j4;C.Z=4+j3;D.Z=4-j3。 15、额定电压都为220V的40W、60W和100W三只灯泡串联在220V的电源中,它们的发热量由大到小排列为(B) A.100W、60W、40W;B.40W、60W、100W;C.100W、40W、60W;D.60W、100W、40W。 16、应用戴维南定理求含源二端网络的输入等效电阻的方法是将网络内的电动势(D) A.串联;B.并联;C.开路;D.短接。 17、用一只额定值为110V/100W的白炽灯和一只额定值为110V/40W的白炽灯串联后接到220V的电源上,当开关闭合时,(C) A.能正常工作;B.100W的灯丝烧毁;C.40W的灯丝烧毁;D.两只灯丝全烧毁。 18、有一220V/1000W的电炉,今欲接在380V的电源上使用,可串联的变阻器是(B) A.100Ω/3A;B.50Ω/5A;C.30Ω/10A;D.50Ω/3A。 19、应用叠加定理计算线性电路时,(B)

电工学(下册)电子技术基础 第7章 习题解答

第7章 触发器和时序逻辑电路 7.1 如图所示的基本RS 触发器的电路图以及D R 和D S 的工作波形如图7.1所示,试画出Q 端的输出波形。 (b) D R D S 图7.1 习题 7.1的图 解: D R D S Q 7.2 同步RS 触发器电路中,CP ,R,S 的波形如图7.2所示,试画出Q 端对应的波形,设触发器的初始状态为0。 Q Q CP (a)(b) CP S R 图7.2 习题7.2的图 解:

CP S R Q 7.3 图7.3所示的主从结构的RS 触发器各输入端的波形如图(b )所示。D S =1,试画出Q 、Q 端对应的波形,设触发器的初始状态为 (a)(b) CP D R S R 图7.3 习题7.3的图 解: CP D R S R Q 7.4 试分析如图所示电路的逻辑功能。 图 7. 4习题7. 4的图 解:

11n J Q K Q JQ KQ Q +===+= 所以构成T ’触发器,具有计数功能。 7. 5 设JK 触发器的初始状态为0,画出输出端Q 在时钟脉冲作用下的波形图。 Q Q CP 1CP 图7.5习题7. 5的图 解: JK 触发器J 、K 端均接1时,计数。 CP Q 7.6 在图7.6所示的信号激励下,画出主从型边沿JK 触发器的Q 端波形,设触发器的初始态为0。 CP J K (a)(b) 图7.6 习题7.6的图 解: CP K J Q 7.7 一种特殊的同步RS 触发器如图7.7所示,试分析其逻辑功能。

Q Q CP 图7.7 习题7.7的图 解:CP 为0时,保持;CP 为1时,R=S=0,则保持,R=S=1时置0,当R=0,S=1时,置1,当R=1,S=0时,置0。 7.8如图所示的 D 触发器的逻辑电路和波形图如图所示,试画出输出端Q 的波形图,设触发器的初始态为0。 (a )(b ) D CP 图7. 8习题7. 8的图 解: D CP Q 7.9 图7.9所示的边沿T 触发器,T 和CP 的输入波形如图7.9所示,画出触发器输出端Q 和Q 的波形,设触发器的初始状态为0。

电工学-下册(电子技术)第六版-秦曾煌——期末考试试题

电工学期考试卷01-电子技术B 一、填空题:(每空2分,共30分) 1.晶体三极管工作在放大状态时,其发射结处于 正向 偏置,集电结处于 反向 偏置。 2.放大电路中,若想要减小输入电阻,应引入 并联 负反馈;若想要增加输出电阻,应引入 电流 负反馈。 3.理想运算放大电路工作在线性区时,有 虚断 和 虚短 两个重要概念。 4.已知变压器二次侧电压U =10V ,采用单相半波整流电路,二极管承受的最高反向压降RM U = 14.1 V ;若采用单相桥式整流电路,则二极管承受的最高反向压降RM U = 14.1 V 。 5.(57.5)10=( 111001.1 )2=( 39.8 )16。 6.三变量的逻辑函数共有 8 个最小项。其全部最小项之和为 1 。 7.TTL 三态门的输出包括 高电平 、低电平和 高阻态 等三种工作状态。 二、选择题: (每题2分,共12分) 1.某硅三极管三个电极的电位Ve 、Vb 和Vc 分别为3V 、3.7V 和6V ,则该管工作在( A )状态。 A 、饱和 B 、截止 C 、放大 D 、损坏 2.工作在甲乙类状态的互补对称功率放大电路,通常提供一个偏置电路以克服( D )失真。 A 、截止 B 、饱和 C 、截止和饱和 D 、交越 3.电路如图1所示,引入的反馈为( C )负反馈。 A 、电压并联 B 、电流并联 C 、电压串联 D 、电流串联 4.下列电路中属于时序逻辑电路的是( D )电路。 A 、加法器 B 、编码器 C 、译码器 D 、计数器 5.构成一个十二进制的计数器,需要( B )个触发器。 A 、2 B 、4 C 、6 D 、12 6.摩根定律的正确表达式是:( B ) A 、 B A B A +=? B 、B A B A +=? C 、B A B A ?=? D 、B A B A ?=? 三、用代数法化简如下逻辑函数为最简与或式。(6分) =Y A B +A C D +C D +AB C +B C D 解:=Y )()(BD AD D C C A A B ++++ =)()(B A D C C A B ++++ =C A D C C B B A +++ =C A D C B A ++ 图1

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