常用的功率场效应管( 5V逻辑电平驱动)(贴片封装) 在由单片机、数字集成块等组成的电路中，当被控制电路部分也用5V电源
供电时，我们选用的功率场效应管就要求其阀值电压不超过3V，以便由5V的逻辑电平直接驱动它们。
型号生产公司封装沟道主要特性参数备注
沟道 20V/7A/24mΩ双管
N
AO8822 AOS TSSOP-8
APM4953 ANPEC茂达 SO-8 P 沟道 -30V/-4.9A/80mΩ双管
沟道 30V/52A/20mΩ
CEB6030L CET华瑞 TO-263 N
沟道 30V/60A/15mΩ
CEB6031L CET华瑞 TO-263 N
沟道 30V/25A/40mΩ
CEB603AL CET华瑞 TO-263 N
FDS4953 FAIRCHILD
沟道 -30V/-5A/95mΩ双管
SO-8 P
TO-252 N
沟道 30V/67A/10mΩ
FDD6644 FAIRCHILD
TO-252 N
沟道 30V/54A/14mΩ
FDD6692 FAIRCHILD
沟道 30V/51A/0.017Ω
FQB60N03L FAIRCHILD TO-263 N
沟道 -30V/-5A/80mΩ
SO-8 P
SI9435DY FAIRCHILD
沟道 30V/67A/10mΩ
TO-252 N
FDD6644 FAIRCHILD
TO-252 N
沟道 30V/54A/14mΩ
FDD6692 FAIRCHILD
沟道 -30V/-10A/0.02Ω
IRF7416 IR SO-8 P
沟道 30V/13A/9mΩ
IRF7823PbF IR SO-8 N
IRF7832ZPbF IR SO-8 N
沟道 30V/21A/4mΩ
沟道 60V/210A/300W/3mΩ
IRFS3206PbF IR TO-263 N
IRFS3306PbF IR TO-263 N
沟道 60V/160A/300W/4mΩ
沟道 25v/50A/12mΩ
IPD09N03LA Infineon TO-252 N
沟道 16V/6A/20mΩ双管
N
NK8810 NANKER
TSSOP-8
沟道 20V/10A/24mΩ双管PMWD20XN PHILIPS SOT530 N
沟道 55V/58A/20mΩ
PHB60N06LT PHILIPS SOT-404 N
PHB66NQ03LT PHILIPS SOT-404 N 沟道 25V/66A/16mΩ
PHD66NQ03LT PHILIPS SOT-428 N 沟道 25V/66A/16mΩ
沟道 -20V/-2.8A/120mΩ
SOT-23-3L P
ST2301 STANSON
沟道 20V/2.8A/80mΩ
SOT-23-3L N
ST2302 STANSON
沟道 -30V/-2.0A/180mΩ
SOT-23-3L P
ST2303 STANSON
SOT-23-3L N
沟道 30V/2.0A/105mΩST2304 STANSON
沟道 -10V/-3.5A/50mΩ
SOT-23-3L P
ST2305 STANSON
SOT-23-3L N
沟道 30V/2.8A/95mΩST2306 STANSON
SOT-23-3L P
沟道 -30V/-2.5A/115mΩST3403 STANSON
SUD30N03-30 VISHAY TO-252 N沟道 30V/30A/0.045ΩSTB60N03L-10 ST TO-263 N 沟道 30V/60A/10mΩ
沟道 30V/60A/9mΩSTD60NH03L ST TO-252 N
贴片元件封装说明 贴片封装 - 两脚表贴 现在常用的的电阻、电容、电感、二极管都有贴片封装。贴片封装用四位数字标识，表明了器件的长度和宽度。贴片电阻有百分五和百分一两种精度，购买时不特别说明的话就是指百分五。一般说的贴片电容是片式多层陶瓷电容（MLCC），也称独石电容。附表是贴片电阻的参数。 英制 (mil) 公制 (mm) 长(L) (mm) 宽(W) (mm) 高(t) (mm) a (mm) b (mm) 常规 功率W 提升 功率 W 最大 工作 电 压 V 0201 0603 0.60±0.05 0.30±0.05 0.23±0.05 0.10±0.05 0.15±0.05 1/20 25 0402 1005 1.00±0.10 0.50±0.10 0.30±0.10 0.20±0.10 0.25±0.10 1/16 50 0603 1608 1.60±0.15 0.80±0.15 0.40±0.10 0.30±0.20 0.30±0.20 1/16 1/10 50 0805 2012 2.00±0.20 1.25±0.15 0.50±0.10 0.40±0.20 0.40±0.20 1/10 1/8 150 **** **** 3.20±0.20 1.60±0.15 0.55±0.10 0.50±0.20 0.50±0.20 1/8 1/4 200 1210 3225 3.20±0.20 2.50±0.20 0.55±0.10 0.50±0.20 0.50±0.20 1/4 1/3 200 1812 4832 4.50±0.20 3.20±0.20 0.55±0.10 0.50±0.20 0.50±0.20 1/2 200 2010 5025 5.00±0.20 2.50±0.20 0.55±0.10 0.60±0.20 0.60±0.20 1/2 3/4 200 2512 6432 6.40±0.20 3.20±0.20 0.55±0.10 0.60±0.20 0.60±0.20 1 200 AXIAL - 两脚直插 AXIAL 就是普通直插电阻的封装，也用于电感之类的器件。后面的数字是指两个焊盘的间距。 AXIAL-0.3 小功率直插电阻(1/4W)；普通二极管（1N4148）；色环电感（10uH） AXIAL-0.4 1A 的二极管，用于整流（1N4007）；1A 肖特基二极管，用于开关电源（1N5819）；瞬态保护二极管 AXIAL-0.8 大功率直插电阻(1W 和2W) DIP - 双列直插 直插芯片常用的古老封装。 SOIC - 双列表贴 现在用的贴片max232就是soic-16，后面的数字显然是管脚数。 贴片485芯片有SOIC-8S，管脚排布更密了。
常用场效应管参数大全 型号材料管脚用途参数 3DJ6NJ 低频放大20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS 开关600V11A150W0.36 2SJ117 PMOS GDS 音频功放开关400V2A40W 2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122 PMOS GDS 高速功放开关60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136 PMOS GDS 高速功放开关60V12A40W 70/165nS0.3 2SJ143 PMOS GDS 功放开关60V16A35W90/180nS0.035 2SJ172 PMOS GDS 激励60V10A40W73/275nS0.18 2SJ175 PMOS GDS 激励60V10A25W73/275nS0.18 2SJ177 PMOS GDS 激励60V20A35W140/580nS0.085 2SJ201 PMOS n 2SJ306 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.12 2SJ312 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.12 2SK30 NJ SDG 低放音频50V0.5mA0.1W0.5dB 2SK30A NJ SDG 低放低噪音频50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB 2SK108 NJ SGD 音频激励开关50V1-12mA0.3W70 1DB 2SK118 NJ SGD 音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5dB 2SK168 NJ GSD 高频放大30V0.01A0.2W100MHz1.7dB 2SK192 NJ DSG 高频低噪放大18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193 NJ GSD 高频低噪放大20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB 2SK214 NMOS GSD 高频高速开关160V0.5A30W 2SK241 NMOS DSG 高频放大20V0.03A0.2W100MHz1.7dB 2SK304 NJ GSD 音频功放30V0.6-12mA0.15W 2SK385 NMOS GDS 高速开关400V10A120W100/140nS0.6 2SK386 NMOS GDS 高速开关450V10A120W100/140nS0.7 2SK413 NMOS GDS 高速功放开关140V8A100W0.5 (2SJ118) 2SK423 NMOS SDG 高速开关100V0.5A0.9W4.5 2SK428 NMOS GDS 高速开关60V10A50W45/65NS0.15 2SK447 NMOS SDG 高速低噪开关250V15A150W0.24可驱电机2SK511 NMOS SDG 高速功放开关250V0.3A8W5.0 2SK534 NMOS GDS 高速开关800V5A100W4.0 2SK539 NMOS GDS 开关900V5A150W2.5 2SK560 NMOS GDS 高速开关500V15A100W0.4 2SK623 NMOS GDS 高速开关250V20A120W0.15 2SK727 NMOS GDS 电源开关900V5A125W110/420nS2.5 2SK734 NMOS GDS 电源开关450V15A150W160/250nS0.52 2SK785 NMOS GDS 电源开关500V20A150W105/240nS0.4 2SK787 NMOS GDS 高速开关900V8A150W95/240nS1.6 2SK790 NMOS GDS 高速功放开关500V15A150W0.4 可驱电机
. 常用场效应管型号参数管脚识别及检测表 场效应管管脚识别 场效应管的检测和使用 场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进 行判别 （1）用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以 判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
1 / 19 . （2）用测电阻法判别场效应管的好坏 测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效 应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏 极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测 得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极 之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。 （3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力 具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ， 黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时 表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极Ｇ，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Iｂ都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针
公制长(L) 宽(W) 高(t) a
0402 1/16W 0603 1/10W 0805 1/8W 1206 1/4W 电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是: 0402=1.0x0.5 0603=1.6x0.8 0805=2.0x1.2 1206=3.2x1.6 1210=3.2x2.5 1812=4.5x3.2 2225=5.6x6.5 常规贴片电阻(部分) 常规的贴片电阻的标准封装及额定功率如下表：英制(mil) 公制(mm) 额定功率(W)@ 70°C 0201 0603 1/20 0402 1005 1/16 0603 1608 1/10 0805 2012 1/8 1206 3216 1/4 1210 3225 1/3 1812 4832 1/2 2010 5025 3/4 2512 6432 1 国内贴片电阻的命名方法：
2、1％精度的命名：RS-05K1002FT R －表示电阻 S －表示功率0402是1/16W、0603是1/10W、0805是1/8W、1206是1/4W、1210是1/3W、1812是1/2W、2010是3/4W、2512是1W。 05 －表示尺寸(英寸)：02表示0402、03表示0603、05表示0805、06表示1206、1210表示1210、1812表示1812、10表示1210、12表示2512。 K －表示温度系数为100PPM, 102－5％精度阻值表示法：前两位表示有效数字，第三位表示有多少个零，基本单位是Ω，102＝10000Ω＝1KΩ。1002是1％阻值表示法：前三位表示有效数字，第四位表示有多少个零，基本单位是Ω，1002＝100000Ω＝10KΩ。 J －表示精度为5％、F－表示精度为1％。 T －表示编带包装 1：0402(1/16W) 2:0603(1/10W) 3:0805(1/8W) 4:1206(1/4W) 5:1210(1/3W) 6:2010(1/2W) 7:2512(1W) 1206 20欧1/4 *4 5欧1w 120 贴片电阻各参数说明 国内贴片电阻的命名方法： 1、5%精度的命名：RS-05K102JT
场效应管分类DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET 型号简介封装2N7000 2N7002 IRF510A IRF520A IRF530A IRF540A IRF610A IRF620A IRF630A IRF634A IRF640A IRF644A IRF650A IRF654A IRF720A 60V,0.115A 60V,0.2A 100V,5.6A 100V,9.2A 100V,14A 100V,28A 200V,3.3A 200V,5A 200V,9A 250V,8.1A 200V,18A 250V,14A 200V,28A 250V,21A 400V,3.3A TO-92 SOT-23 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF9520 DISCRETE MOS FET IRF9540 DISCRETE MOS FET IRF9610 DISCRETE MOS FET IRF9620 DISCRETE MOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK DISCRETE MOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
型号材料管脚用途参数 IRFP9140 PMOS GDS 开关 100V19A150W100/70nS0.2 IRFP9150 PMOS GDS 开关 100V25A150W160/70nS0.2 IRFP9240 PMOS GDS 开关 200V12A150W68/57nS0.5 IRFPF40 NMOS GDS 开关 900V4.7A150W2.5 IRFPG42 NMOS GDS 开关 1000V3.9A150W4.2 IRFPZ44 NMOS GDS 开关 1000V3.9A150W4.2 ******* IRFU020 NMOS GDS 开关 50V15A42W83/39nS0.1 IXGH20N60ANMOS GDS 600V20A150W IXGFH26N50NMOS GDS 500V26A300W0.3 IXGH30N60ANMOS GDS 600V30A200W IXGH60N60ANMOS GDS 600V60A250W IXTP2P50 PMOS GDS 开关 500V2A75W5.5 代J117 J177 PMOS SDG 开关 M75N06 NMOS GDS 音频开关 60V75A120W MTH8N100 NMOS GDS 开关 1000V8A180W175/180nS1.8 MTH10N80 NMOS GDS 开关 800V10A150W MTM30N50 NMOS 开关 (铁)500V30A250W MTM55N10 NMOS GDS 开关 (铁)100V55A250W350/400nS0.04 MTP27N10 NMOS GDS 开关 100V27A125W0.05 MTP2955 PMOS GDS 开关 60V12A75W75/50nS0.3 MTP3055 NMOS GDS 开关 60V12A75W75/50nS0.3
2009-11-16 14:24 IRF系列POWER MOSFET 功率场效应管型号参数查询及代换 带有"-"号的参数为P沟道场效应管,带有/的参数的为P沟道,N沟道双管封装在一起的场效应管,没注明的均为N沟道场效应管. 型号Drain-to-Source V oltage漏极到源极电压Static Drain-Source On-State Resistance静态漏源 通态电阻Continuous Drain Current漏极连续电流(TC=25℃) PD Total Power Dissipation 总功率耗散(TC=25℃）Package 封装Toshiba Replacement 替换东芝型号V ender 供应商 型号耐压（V）内阻（mΩ）电流（A）功率（W）封装厂商 IRF48 60 - 50 190 TO-220AB - IR IRF024 60 - 17 60 TO-204AA - IR IRF034 60 - 30 90 TO-204AE - IR IRF035 60 - 25 90 TO-204AE - IR IRF044 60 - 30 150 TO-204AE - IR IRF045 60 - 30 150 TO-204AE - IR IRF054 60 - 30 180 TO-204AA - IR IRF120 100 - 8.0 40 TO-3 - IR IRF121 60 - 8.0 40 TO-3 - IR IRF122 100 - 7.0 40 TO-3 - IR IRF123 60 - 7.0 40 TO-3 - IR IRF130 100 - 14 75 TO-3 - IR IRF131 60 - 14 75 TO-3 - IR IRF132 100 - 12 75 TO-3 - IR IRF133 60 - 12 75 TO-3 - IR IRF140 100 - 27 125 TO-204AE - IR IRF141 60 - 27 125 TO-204AE - IR IRF142 100 - 24 125 TO-204AE - IR IRF143 60 - 24 125 TO-204AE - IR IRF150 100 - 40 150 TO-204AE - IR IRF151 60 - 40 150 TO-204AE - IR IRF152 100 - 33 150 TO-204AE - IR IRF153 60 - 33 150 TO-204AE - IR IRF220 200 - 5.0 40 TO-3 - IR IRF221 150 - 5.0 40 TO-3 - IR IRF222 200 - 4.0 4.0 TO-3 - IR IRF223 150 - 4.0 40 TO-3 - IR IRF224 250 - 3.8 40 TO-204AA - IR IRF225 250 - 3.3 40 TO-204AA - IR IRF230 200 - 9.0 75 TO-3 - IR IRF231 150 - 9.0 75 TO-3 - IR IRF232 200 - 8.0 75 TO-3 - IR
一种大功率场效应管隔离驱动电路 余洋云南交通技术学院 摘要：本文介绍了一种高性能的的大功率场效应管隔离驱动电路，并就其技术原理、性能、特点以及运用做了详细的阐述。 关键词：场效应管,隔离,驱动电路 A high power MOSFET isolated driver circuit Yu Yang yunnan traffic institute of technology abstract：This article describes one model of china-made high-power MOSFET Isolation drive Circuit and detailed introduction of its performance,features and application. Keywords: MOSFET, Isolation, drive Circuit 1 概述 大功率场效应管因工作频率高，驱动损耗小等优点在高频大功率电子设备中成为不可替代的功率半导体器件，尤其是在高频大功率开关电源以及高频感应加热设备中，大功率场效应管几乎是了唯一可以选择的功率器件。由于主回路工作电压高，驱动功率大，且开关频率高，为了减少功率变换电路对控制电路（尤其是以DSP等数字处理器为核心的控制系统）干扰，实际运用中需要把功率电路和控制电路隔离，因此就需要具有隔离驱动功能的大功率场效应管驱动电路。目前市场上的场效应驱动器很多，但大多以IR公司的小功率的专用IC为主，这类IC 的缺点在于本能实现控制电路与功率电路的隔离驱动，且驱动能力小。本文向大家介绍的大功率场效应管隔离驱动电路具有驱动功率大、工作频率高、电路简单等特点，可应用于250A/1000V以内容量的大功率场效应管隔离驱动。 电路采用了变压器调制解调隔离驱动技术，信号延迟时间短，抗干扰能力强；采用了干扰脉冲抑制技术，脉冲宽度小于调制电路RS触发器1/2时钟周期宽度的干扰脉冲都将被忽略；内部集成隔离的DC/DC变换电路，只需外供15V电源即可稳定工作。
常用电子元件封装、尺寸、规格汇总 贴片电阻规格 贴片电阻常见封装有9种，用两种尺寸代码来表示。一种尺寸代码是由4位数字表示的EIA(美国电子工业协会)代码，前两位与后两位分别表示电阻的长与宽，以英寸为单位。我们常说的0603封装就是指英制代码。另一种是米制代码，也由4位数字表示，其单位为毫米。下表列出贴片电阻封装英制和公制的关系及详细的尺寸： 贴片元件的封装 一、零件规格: (a)、零件规格即零件的外形尺寸，SMT发展至今，业界为方便作业，已经形成了一个标准零件系列，各家零件供货商皆是按这一标准制造。 标准零件之尺寸规格有英制与公制两种表示方法，如下表 英制表示法1206 0805 0603 0402 公制表示法3216 2125 1608 1005 含义 L:1.2inch(3.2mm)W:0.6inch(1.6mm) L:0.8inch(2.0mm)W:0.5inch(1.25mm) L:0.6inch(1.6mm)W:0.3inch(0.8mm) L:0.4inch(1.0mm)W:0.2inch(0.5mm) 注： a、L（Length）：长度；W（Width）：宽度；inch：英寸 b、1inch=25.4mm
（b）、在(1)中未提及零件的厚度，在这一点上因零件不同而有所差异，在生产时应以实际量测为准。 （c）、以上所讲的主要是针对电子产品中用量最大的电阻（排阻）和电容（排容），其它如电感、二极管、晶体管等等因用量较小，且形状也多种多样，在此不作讨论。 （d）、SMT发展至今，随着电子产品集成度的不断提高，标准零件逐步向微型化发展，如今最小的标准零件已经到了0201。 二、常用元件封装 1）电阻： 最为常见的有0805、0603两类，不同的是，它可以以排阻的身份出现，四位、八位都有，具体封装样式可参照MD16仿真版，也可以到设计所内部PCB库查询。 注： ABCD四类型的封装形式则为其具体尺寸,标注形式为L X S X H 1210具体尺寸与电解电容B类3528类型相同 0805具体尺寸：2.0 X 1.25 X 0.5（公制表示法） 1206具体尺寸：3.0 X 1.5 0X 0.5（公制表示法） 2）电阻的命名方法 1、5%精度的命名：RS – 05 K 102 JT 2、1％精度的命名：RS – 05 K 1002 FT R －表示电阻 S －表示功率 0402是1/16W、 0603是1/10W、 0805是1/8W、 1206是1/4W、 1210是1/3W、 1812是1/2W、 2010是3/4W、 2512是1W。 05 －表示尺寸(英寸)： 02表示0402、 03表示0603、 05表示0805、 06表示1206、 1210表示1210、 1812表示1812、 10表示1210、 12表示2512。 K －表示温度系数为100PPM。 102 －5％精度阻值表示法： 前两位表示有效数字，第三位表示有多少个零，基本单位是Ω，102＝1000Ω＝1KΩ。1002 是1％阻值表示法：
型号材料管脚用途参数 3DJ6NJ 低频放大 20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS 开关 600V11A150W0.36 2SJ117 PMOS GDS 音频功放开关 400V2A40W 2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关 140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122 PMOS GDS 高速功放开关 60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136 PMOS GDS 高速功放开关 60V12A40W 70/165nS0.3 2SJ143 PMOS GDS 功放开关 60V16A35W90/180nS0.035 2SJ172 PMOS GDS 激励 60V10A40W73/275nS0.18 2SJ175 PMOS GDS 激励 60V10A25W73/275nS0.18 2SJ177 PMOS GDS 激励 60V20A35W140/580nS0.085 2SJ201 PMOS n 2SJ306 PMOS GDS 激励 60V14A40W30/120nS0.12 2SJ312 PMOS GDS 激励 60V14A40W30/120nS0.12 2SK30 NJ SDG 低放音频 50V0.5mA0.1W0.5dB 2SK30A NJ SDG 低放低噪音频 50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB 2SK108 NJ SGD 音频激励开关 50V1-12mA0.3W70 1DB 2SK118 NJ SGD 音频话筒放大 50V0.01A0.1W0.5dB 2SK168 NJ GSD 高频放大 30V0.01A0.2W100MHz1.7dB 2SK192 NJ DSG 高频低噪放大 18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193 NJ GSD 高频低噪放大 20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB
FEATURES APPLICATIONS 150 M T HOW TO ORDER DIMENSIONS PS-D PS-D SERIES SMD POWER INDUCTORS , Low profile Magnetic shielded SMT type,suitable for reflow soldering. Portable communication equipment Notebook Computer DC/DC DC/DC converters etc. PS 5D28 (Unit)mm
ELECTRICAL CHARACTERISTICS Isat:Isat 35% Isat:Saturation Current,the current when the inductance becomes 35%lower than its initial value. Unit mm PS2D11Series PS2D14Series PS-D SERIES SHIELDED SMD POWER INDUCTORS PS-D PS2D18Series
PS3D18Series PS4D18Series PS4D28Series Isat:Isat35% Isat:Saturation Current,the current when the inductance becomes35%lower than its initial value.
Isat:Isat 35% Isat:Saturation Current,the current when the inductance becomes 35%lower than its initial value. PS5D28Series PS6D28Series PS-D SERIES SHIELDED SMD POWER INDUCTORS PS-D PS6D38Series
常用贴片元件封装 1 电阻： 最为常见的有0201、0402、0805、0603、1206、1210、1812、2010、2512几类 1）贴片电阻的封装与尺寸如下表： 英制(mil) 公制(mm) 长(L)(mm) 宽(W)(mm) 高(t)(mm) 0201 0603 0.60±0.05 0.30±0.05 0.23±0.05 0402 1005 1.00±0.10 0.50±0.10 0.30±0.10 0603 1608 1.60±0.15 0.80±0.15 0.40±0.10 0805 2012 2.00±0.20 1.25±0.15 0.50±0.10 1206 3216 3.20±0.20 1.60±0.15 0.55±0.10 1210 3225 3.20±0.20 2.50±0.20 0.55±0.10 1812 4832 4.50±0.20 3.20±0.20 0.55±0.10 2010 5025 5.00±0.20 2.50±0.20 0.55±0.10 2512 6432 6.40±0.20 3.20±0.20 0.55±0.10 2）贴片电阻的封装、功率与电压关系如下表： 英制(mil)公制(mm)额定功率@ 70°C 最大工作电压(V) 0201 0603 1/20W 25 0402 1005 1/16W 50 0603 1608 1/10W 50 0805 2012 1/8W 150 1206 3216 1/4W 200
1210 3225 1/3W 200 1812 4832 1/2W 200 2010 5025 3/4W 200 2512 6432 1W 200 3）贴片电阻的精度与阻值 贴片电阻阻值误差精度有±1％、±2％、±5％、±10％精度， J －表示精度为5％、 F－表示精度为1％。 T －表示编带包装 阻值范围从0R-100M 2电容： 1）贴片电容可分为无极性和有极性两种，容值范围从0.22pF-100uF 无极性电容下述两类封装最为常见，即0805、0603； 英制尺寸公制尺寸长度宽度厚度 0402 1005 1.00±0.05 0.50±0.05 0.50±0.05 0603 1608 1.60±0.10 0.80±0.10 0.80±0.10 0805 2012 2.00±0.20 1.25±0.20 0.70±0.20 1206 3216 3.20±0.30 1.60±0.20 0.70±0.20 1210 3225 3.20±0.30 2.50±0.30 1.25±0.30 1808 4520 4.50±0.40 2.00±0.20 ≤2.00 1812 4532 4.50±0.40 3.20±0.30 ≤2.50 2225 5763 5.70±0.50 6.30±0.50 ≤2.50 3035 7690 7.60±0.50 9.00±0.05 ≤3.00
1、SMT表面封装元器件图示索引（完善）
2、SMT物料基础知识 一. 常用电阻、电容换算： 1.电阻（R）： 电阻：定义：导体对电流的阻碍作用就叫导体的电阻。 无方向,用字母R表示,单位是欧姆(Ω)，分：欧（Ω）、千欧（KΩ）、兆欧（MΩ）1MΩ=1000KΩ=1000000Ω 1).换算方法： ①.前面两位为有效数字(照写)，第三位表示倍数10n次方（即“0”的个数） 103=10*103=10000Ω=10KΩ 471=47*101=470Ω 100=10*100=10Ω 101=10×101=100Ω 120=12×100=12Ω ②.前面三位为有效数字(照写)，第四位表示倍数倍数10n次方（即“0”的个数）. 1001=100*101=1000Ω=1KΩ 1632=163*102=16300Ω=16.3KΩ 1470=147×100=147Ω 1203=120×103Ω=120KΩ 4702=470×102Ω=47KΩ
2.电容（C）： 电容的特性是可以隔直流电压，而通过交流电压。它分为极性和非极性，用C表示。 2.1三种类型：电解电容钽质电容有极性, 贴片电容无极性。 用字母C表示，单位是法（F），毫法（MF），微法（UF）,纳法（NF）皮法（PF） 1F=103MF=106UF=109NF=1012PF 2.2换算方法: 前面两位为有效数字(照写)，第三位倍数10n次方（即“0”的个数） 104=10*104=100000PF=0.1UF 100=10*100=10PF 473=47×103=47000pF=47nF=0.047uF 103=10×103=10000pF=10nF=0.01uF 104=10×104=100000pF=10nF=0.1uF 221=22×101=220pF 330=33×100=33pF 2.3钽电容： 它用金属钽或者铌做正极，用稀流酸等配液做负极，用钽或铌表面生成的氧化膜做成介质制成，其特点是体积小、容量大、性能稳定、寿命长、绝缘电阻大、温度特性好，用在要求较高的设备中。钽电容表面有字迹表明其方向、容值，通常有一条横线的那边标志钽电容的正极。钽电容规格通常有：A型、B型、C型、P型。 2.4 电容的误差表示 2.4.1常用钽电容代换参照表. 1UF：105、A6、CA6 2.2UF：225 3.3UF：335、AN6、CN6、JN6、CN69 4.7UF：475、JS6 10UF：106、JA7、AA7、GA7 22UF：226、GJ7、AJ7、JJ7 47UF：476 3. 电感（L） 电感的单位：亨(H)、毫享(MH)、微享(μH)、纳享(NH),其中：1H=103MH=106μH=109NH 片状电感 电感量：10NH～1MH 材料：铁氧体绕线型陶瓷叠层
贴片功率电感的封装 作品来源：新晨阳电容电感 风华高科贴片功率电感器系列众多，相对于铁氧体叠层产品而言，外形尺寸较大，形状更复杂。为了方便标准化命名，各种产品的封装尺寸未必如铁氧体叠层贴片电感那样具有完全统一一致的封装代号如0402、0603、0805等。与插件式一样，贴片功率电感器也包括开放式和屏蔽式两种: 屏蔽贴片功率电感的封装: 功率电感封装以骨架的尺寸做封装表示的依据，如果外形为椭圆型或椭柱型如图表示方法如下： 5.8（5.2）×4就表示长径为5.8mm短径为5.2mm高为4mm的电感，插件用圆柱型表示方法如φ6×8就表示直径为6mm高为8mm的电感。只是它们的骨架一般要通用，除非是定制外形封装。 以下将风华高科主要功率电感规格与封装尺寸制作成表格加以对比说明，希望能对您的产品选型工作有所帮助。如有疑问可点击下载对应产品的规格书查看详细说明或咨询新晨阳在线客服。 屏蔽贴片功率电感封装尺寸对照表 安装方式是否屏蔽所属类别规格型号示例封装代号主要规格尺寸（单位：mm） 备注长宽高（max） SMD 表面贴装屏蔽电感 HA超薄贴片功 率电感 HA63R33MT HA637.0 6.5 3.0 1、尺寸误差详见对应产品系列 格书； 2、本表仅列出长度、宽度和高 三个主要的规格尺寸，其他细 尺寸详见规格书； HA657.0 6.5 5.0 HA12513.512.6 5.0 HC超薄贴片功 率电感 HC125-1R5MT HC63 6.85 6.5 3.0 HC65 6.85 6.5 5.0
HC12513.212.6 6.5 LBS超薄屏蔽贴片功率电感LBS6028-4R7MT 6028 6.0 6.0 2.8 70307.0 7.0 3.0 70457.0 7.0 4.5 1014510.110.1 4.5 1257512.512.57.5 MS大电流功率电感MS74-101MT MS62 5.9 6.2 2.7 MS737.37.3 3.4 MS747.37.3 4.2 MS12412.212.2 4.5 MS12512.212.2 5.7 Ms12712.212.27.5 MS104R110 4.0 PBS大电流贴片功率电感PBS1608-102MT PBS1608 6.4 4.1 2.8 PBS331612.79.2 4.9 PBS502218.114.1 6.8 PIS超薄小尺寸大电流PIS74-680MT PIS63 5.80 6.20 3.20 PIS747.007.80 4.50 PIS1059.0010.0 5.0 PS-D超薄屏蔽电感PS3D18-1R5NT PS2D11 3.0 长 宽 相 等 1.1 PS2D14 3.0 1.55 PS2D18 3.0 1.8 PS3D18 3.8 1.8 PS3D28 3.8 2.8 PS4D18 4.7 1.8 PS4D28 4.7 2.8 PS5D18 5.7 1.8 PS5D28 5.7 2.8 PS6D28 6.7 2.8 PS6D38 6.7 3.8 8D288.0 2.8 8D388.0 3.8 8D438.0 4.3 PSS超薄型贴片式功率电感PSS6025-8R2NT PSS4018 3.8 3.8 1.7 PSS5020 5.0 3.8 2.0 PSS5030 5.0 3.8 2.8 PSS6025 6.0 5.6 2.5
2009-11-16 14:24 IRF 系列POWER MOSFET 功率场效应管型号参数查询及代换 带有"-"号的参数为P 沟道场效应管,带有/的参数的为P沟道,N沟道双管封装在一起的场效应管, 没注明的均为N 沟道场效应管. 型号Drain-to-Source V oltage 漏极到源极电压Static Drain-Source On-State Resistance 静态漏源 通态电阻Continuous Drain Current 漏极连续电流（TC=25 ℃ ） PD Total Power Dissipation 总功率耗散（TC=25 ℃）Package 封装Toshiba Replacement 替换东芝型号Vender 供应商 型号耐压（V ）内阻电流功率封装厂商 IRF48 60 - 50 190 TO-220AB - IR IRF024 60 - 17 60 TO-204AA - IR IRF034 60 - 30 90 TO-204AE - IR IRF035 60 - 25 90 TO-204AE - IR IRF044 60 - 30 150 TO-204AE - IR IRF045 60 - 30 150 TO-204AE - IR IRF054 60 - 30 180 TO-204AA - IR IRF120 100 - 8.0 40 TO-3 - IR IRF121 60 - 8.0 40 TO-3 - IR IRF122 100 - 7.0 40 TO-3 - IR IRF123 60 - 7.0 40 TO-3 - IR IRF130 100 - 14 75 TO-3 - IR IRF131 60 - 14 75 TO-3 - IR IRF132 100 - 12 75 TO-3 - IR IRF133 60 - 12 75 TO-3 - IR IRF140 100 - 27 125 TO-204AE - IR IRF141 60 - 27 125 TO-204AE - IR IRF142 100 - 24 125 TO-204AE - IR IRF143 60 - 24 125 TO-204AE - IR IRF150 100 - 40 150 TO-204AE - IR IRF151 60 - 40 150 TO-204AE - IR IRF152 100 - 33 150 TO-204AE - IR IRF153 60 - 33 150 TO-204AE - IR IRF220 200 - 5.0 40 TO-3 - IR IRF221 150 - 5.0 40 TO-3 - IR IRF222 200 - 4.0 4.0 TO-3 - IR IRF223 150 - 4.0 40 TO-3 - IR IRF224 250 - 3.8 40 TO-204AA - IR IRF225 250 - 3.3 40 TO-204AA - IR IRF230 200 - 9.0 75 TO-3 - IR IRF231 150 - 9.0 75 TO-3 - IR IRF232 200 - 8.0 75 TO-3 - IR IRF233 150 - 8.0 75 TO-3 - IR IRF234 250 - 8.1 75 TO-204AA - IR IRF235 250 - 6.5 75 TO-204AA - IR IRF240 200 - 18 125 TO-204AE - IR
常用场效应管（25N120等）参数及代换 FGA25N120AND （IGBT） 1200V/25A//TO3P （电磁炉用） FQA27N25 （MOSFET） 250V/27A/TO3P IRFP254 FQA40N25 （MOSFET） 250V/40A/280W/0.051Ω/TO3P IRFP264 FQA55N25 （MOSFET） 250V/55A/310W/0.03Ω/TO3P FQA18N50V2 （MOSFET） 500V/20A/277W/0.225Ω IRFP460A FQA24N50 （MOSFET） 500V/24A/290W/0.2Ω/TO3P FQA28N50 （MOSFET） 500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P MTY30N50E FQL40N50 （MOSFET） 500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 IRFPS37N50 FQA24N60 （MOSFET） 600V/24A/TO3P FQA10N80 （MOSFET） 800V/9.8A/240W/0.81Ω/TO3P FQA13N80 （MOSFET） 800V/13A/300W/0. Ω/TO3P FQA5N90 （MOSFET） 900V/5.8A/185W/2.3Ω/TO3P FQA9N90C （MOSFET） 900V/8.6A/240W/1.3Ω/TO3P FQA11N90C （MOSFET） 900V/11.4A/300W/0.75Ω/TO3P FFA30U20DN （快恢复二极管） 200V/2×30A/40ns/TO3P DSEK60-02A FFPF30U60S （快恢复二极管） 600V/30A/90ns/TO220F MUR1560 FFA30U60DN （快恢复二极管） 600V/2×30A/90ns/TO3P DSEK60-06A MBRP3010NTU （肖特基） 100V/30A/TO-220 MBRA3045NTU （肖特基） 45V/30A/TO-3P ISL9R3060G2 （快恢复二极管） 600V/30A/35ns/200W/TO247 APT30D60B RHRG3060 （快恢复二极管） 600V/30A/35nS/TO247 FQP44N10 （MOSFET） 100V/44A/146W/0.0396Ω/TO220 IRF3710/IRF540N FQP70N10 （MOSFET） 100V/57A/160W/0.025Ω/TO220 IRFP450B （MOSFET） 500V/14A/0.4Ω/205W/TO3P IRFP460C （MOSFET） 500V/20A/0.2~0.24Ω/235W IRFP460