T = 25°C V = 20V V GE = 12V V = 10V V GE = 8V
5
6
7
8
910
11
12
13
T = 25°C 050100150
200250300350400
E , T = 125°C
E , T = 125°C off vj Z thJC : IGBT
i: r i [K/kW]: τi [s]: 1 25,65 0,03 2 14,25 0,1 3 3,42 0,3 4 13,68 1
500
1000
150020002500
3000
3500
I , Modul I C , Chip
0,00,51,01,5
2,02,53,03,54,0
T = 25°C
E , T = 125°C
E , T = 125°C
0,0010,01
0,1110Z thJC : Diode
i: r i [K/kW]: τi [s]: 1 48,6 0,03 2 27 0,1 3 6,48 0,3 4 25,92 1
05001000
15002000
250030003500
I , Modul