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电子技术习题及答案

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05级电子班第一学期《电子技术基础》试题

出卷教师:王敬孝

一、填空题(每空1分共165分)

§1—1、 根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为导体、绝缘体和半导体三类常用的半导体材料是硅和锗。

§1—1、 半导体按导电类型分为N 型半导体和P 型半导体。

§1—1、P 型半导体的多数载流子是空穴,少数载流子是电子;N 型半导体的多数载流子是电子,少数载流子是空穴。

§1—1、PN 结具有单向导电性能,即加正向电压时PN 结导通,加反向电压时的PN 结截止。

§1—1、按二极管制造工艺的不同,二极管可分为点接触型、面接触型和平面型三种。 §1—1、二极管的主要特性是单向导电,硅二极管的死区电压约0.5V ,锗二极管的死

区电压约0.2V 。

§1—1、硅二极管导通时的正向压降约0.7V ,锗二极管导通时的正向压降约0.3V 。

§1—1、使用二极管时,应考虑的主要参数是FM I 、RM I 、RM U 。

§1—2、晶体三极管有两个PN 结,即发射结和集电结;有三个电极,即发射极、集电极和基极。

§1—2、晶体三极管有NPN 型和PNP 型。

§1—2、晶体三极管的输出特性可分三个区域,即饱和区、放大区和截止区。

§1—2、当晶体三极管的发射结正偏,集电结反偏时,工作在放大区,电流分配关系是

I E =I C +I B ;

§1—2、在数字电路中,晶体三极管通常被用作开关元件,工作在饱和区或截止区。

§1—2、用万用表测得处在放大状态的晶体三极管A 、B 、C 三个电极的对地电位是

A U =-10V ,

B U =-10.2V ,

C U =-14V ,该晶体三极管的管型 PNP 锗材料A 脚是 发射 极,B 脚是 基 极,C 脚是 集电极 极

§1—2、晶体三极管的穿透电流CEO I 随温度的升高而增大,硅三极管的穿透电流比锗三极管小。

§2—1为了使放大电路不失真的放大信号,放大电路必须设计静态工作点,以保正三极管始终工作在放大区。

§2—1放大器中晶体三极管静态工作点是指CQ I 、BQ I 和CEQ U 。

§2—2画放大电路的直流通路时,把电容看成开路;画放大电路的交流通路时,把电容和电源看成短路。

§2—2对于一个放大电路来说,一般希望其输入电阻大些,以减轻信号源的负担,输出电阻小些,以增大带负载的能力。

放大电路的图解分析法,就是利用三极管特性曲线,通过图解方法来分析放大器的工作

情况。

§2—2分析放大器的性能,通常采用估算和图解法

§2—3(NPN )放大电路设计静态工作点过高,易产生饱和失真,减小饱和失真的方法

是使b R 增大,Q 点下移。

§2—3放大电路中,晶体三极管的静态工作点设计得大高,会使C i 的正半周和cc u 的负半周失真,称为饱和失真。

§2—3静态工作点设计太低时,会使C i 负半周和CC u 正半周失真,称为截止失真。

§2—3影响放大电路静态工作点的因素有电压的波动、元件参数因老化和环境温度变

化等。

§2—3温度升高时,放大电路的静态工作点上升使CEO I 增大、β增大,导致C I 增大可

能引起饱和失真,为使工作点稳定,通常采用分压式偏置电路。

§2—4放大电路按三极管组态可分为共发射极、共集电极和共基极,其中共集电极组

态输出电阻最低。

§2—4共集电极放大器又称射极输出器它的特点是:电压放大倍数略小于1,输出电压

与输入电压相位相同,输入电阻大输出电阻小。

§2—5在多级放大电路中,前级是后级的信号源,它的输出电阻是后级放大电路的信

号源内阻。后级放大电路的输入电阻是前级放大电路的负载。

§2—6、直接耦合放大电路,需要重点解决的问题是零漂和前后级静态工作点相互牵制

的问题,

§2—6、零漂是指,放大器的输入信号为零时,输出端出现不规则的输出量,产生零漂

的原因有温度变化、电源电压波动及元件参数变化。

§2—6、拟制零点漂移有效电路是差动放大电路,通常用共模拟制比作为衡量放大电路

的性能优劣的指标。

§2—6、两个大小相等且极性相同的输入信号称为共模信号,两个大小相等且相位相反

的输入信号称为差模信号。

§2—6、在差动放大器输入信号中,差模信号有用的信号,共模信号则是设法抑制的信

号。

§2—6、集成电路按其功能可分为模拟集成电路和数字集成电路。

§2—6、集成电路放大器一般由输入级、中间级、输出级和偏置电路组成

§3—1、按反馈信号从输出端的取样方式分,有电压反馈与电流反馈;按反馈信号与输

入信号连接方式分,有并联反馈和串联反馈四种基本形式。

§3—1、反馈放大电器是由基本放大电路和反馈电路组成,能否找到反馈元件是判断有

无反馈的依据。

§3-1按反馈信号分,有直流反馈和交流反馈。直流负反馈主要用于稳定放大器的静

态工作点,交流负反馈主要用于改善放大器的动态特性。

§3—2、放大器引入负反馈使得放大器的放大倍数下降,放大器的放大倍数稳定性好,

非线形失真小,通频带宽,改变了放大器的输入输出电阻。

§3—3负反馈有电压并联、电压串联、电流并联和电流串联四种基本形式。

二、判断题(正确的在括号内打“√”,错误的打“×”。每小题1分,共48分)

§1-1、P 型半导体的多数载流子是电子,少数载流子是空穴。 (×)

§1-1、晶体二极管有一个PN 结,所以具有单向导电性 (√)

§1-1、晶体二极管的正向特性也有稳压作用。(×)

§1-1、晶体二极管加的反向电压,一旦超过反向击穿电压,PN 结就会击穿。(×)

§1-2、晶体管三极管的放大作用具体表现在B c I I ?=?β (√ )

§1-2、晶体三极管具有能量放大作用。 (×)

§2-1晶体三极管是构成放大电路的核心,三极管具有电压放大作用 (√)

§2-1放大器具有能量放大作用。(×)

§2-2放大器的输入电阻与静态工作点有关。(×)

§2-2放大器的输出电阻与负载电阻有关。(×)

§2-2放大电路的电压放大倍数随负载L R 而变化,L R 越大,电压放大倍数越大。 (√)

§2-2计算放大器的电压放大倍数,必须是在不失真的情况下。(√)

§2-2交流信号输入放大器后,流过三极管的是交流电。(×)

§2-3放大电路的静态工作点一经设定后,不会受外界因素的影响。(×)

§2-3共射放大器产生截止失真的原因,是它的静态工作点设置的偏低。(√)

§2-3在分压式偏置电路中,如果不接发射电容E C ,就会使放大电路电压放大倍数下

降。 (√)

§2-3采用分压式偏置电路,主要目的它的输入阻抗大。 (×)

§2-4射极输出器电压放大倍数数略小于1,所以射极输出器不是放大器。 (×)

§2-5直流放大器的级间耦合,可采用变压器耦合。(×)

§2-6直接耦合的前后级放大电路的静态工作点互相牵制。 (√)

§2-6阻容耦合放大电路不存在零漂问题。(×)

§2-6在多级直流放大器中,拟制第一零漂最为重要。(√)

§3-1串联负反馈都是电流反馈,并联负反馈都是电压反馈(×)

§3-2放大器引入负反馈后,它的放大倍数的稳定性就得到了改善。(√)

§3-3射极输出器是电压串联负反馈放大器。(√)

三、选择题(将正确答案的序号填入括号中,每小题2分,共38分)

§1-1、当环境温度升高时,晶体极管的反向饱和电流将( A )

A 增大

B 减小

C 不变

§1-1、半导体中的空穴和自由电子数目相等,这样的半导体是(B )

A P 型半导体

B 本征半导体

C N 型半导体

§1-1、某晶体二极管反向击穿电压为140V ,则其最高反向工作电压是(C )。

A. 280V

B.140V

C.70V D 40V

§1-1、P 型半导体中多数载流子是(C )

A 正离子

B 自由电子

C 空穴

§1-1、N 型半导体中多数载流子是(B )

A 正离子

B 自由电子

C 空穴

§1-2、当晶体三极管的发射结正偏,集电结反偏时,该管工作在( A )。

A.放大状态

B.饱和状态

C.截止状态

§1-2、满足C I =B I 的关系时,晶体三极管工作在( B )。

A.饱和区

B.放大区

C.截止区

§1-2、晶体三极管处于饱和状态时,它的集电极电流将( C )。

A.随基极电流的增加而增加

B.随减小基极电流的增加而减小

C. 与基极电流变化无关,只取决于CC U 和C R

§1-2、三极管输出特性曲线中,当B I =0时,C I 等于( C )。

A.CM I

B.CBO I

C. CEO I

§1-3、绝缘栅型场效应管PN 结个数(B )

A 3

B 2

C 1

§2—1在晶体三极管共射极低频电压放大电路中,输出电压为( )。

A.o u =C i C R

B. o u =-C i C R

C.0u =C I C R

§2—1放大器输出的能量来源是(A )

A 电源

B 三极管

C 输入信号

§2—2某放大器的电压放大倍数u A =-100,其负号表示(B )

A 同相放大

B 反相放大

C 衰减

§2—5阻容耦合放大器(B )

A 只能传递直流信号

B 只能传递交流信号

C 交直流信号都能传递

§2—5直流耦合放大器(C )

A 只能传递直流信号

B 只能传递交流信号

C 交直流信号都能传递

§2—6差动放大器在信号输入和输出方式上有(C )

A 2

B 6

C 4

§2—6多级直流耦合放大器中,拟制零漂的电路应重点放在(A )

A 输入级

B 中间级

C 输出级

§3—1判断是串联反馈还是并联反馈的方法是(C )

A 输出短路法

B 瞬间极性法

C 输入短路法

§3—2串联反馈使放大器的输入电阻(A )

A 增大

B 减小

C 不变

四、问答题

§1-1试述PN 结的单向导电性。

答:PN 结的主要特性是单向导电性, PN 结加正向电压时电阻很小,PN 结导通;PN 结加反向电压电阻很大,PN 结截止。

§1-1从晶体二极管的电压、电流特性曲线上看硅管和锗管有什么区别?

答:硅管死区电压为0.5V,导通电压为0.7V,反向饱和电流小。锗管死区电压为0.2V,导通电压为0.3V,锗饱和电流较大。

§1-2、如何用万用表判别三极管的基极?

答:用万用表K R 1 挡分别测量任管脚间电阻,如果两管脚间正反向电阻都很大,则没测的那一个为基极。

§1-2、晶体管有哪三种工作状态?其外部条件是什么?

答:晶体三极管的输出特性可分三个区域,即饱和区、放大区和截止区。当晶体三极管的发射结正偏,集电结反偏时,工作在放大区;发射结正偏,集电结正偏时,工作在饱和区。发射结反偏(或B I =0),集电极反偏时,工作在截止区。

§2-1共发射极基本放大电路中,B R 和C R 的作用是什么?

答:B R 使三极管有合适的偏置电流,并给发射结提供必需的正向偏置电压, C R 将集电极电流的变化量转换成集电极电压的变化量。

§2-3共发射极基本放大电路中,B R 对静态工作点有何影响?

答:增大B R ,则BQ I 减小,静态工作点沿直流负载线下移;反之则上移,即:改变B R 的大小就可改变Q 点的位置。

§2-4射极输出器有什么特点?

答:(1).电压放大略小于1;(2).输出电压和输入电压同相;(3).输入电阻大;(4)输出电阻小。

§2-5多级放大器有几种耦合方式?

答:1阻容耦合 2变压器耦合 3直接耦合 4光电耦合。

§2-6直流放大器存在什么问题?如何解决?

答:零点漂移,采用差动放大器,在放大信号的同时有效的拟制零点漂移。 §2-6集成电路放大器一般由哪几部分组成?偏置电路的作用是什么?

答:输入级、中间级、输出级和偏置电路组成;偏置电路的作用是,为集成电路各级放大器提供稳定的偏置电流。

§3-1什么是正反馈和负反馈?

答:反馈信号使静输入信号增强的反馈是正反馈。反馈信号使静输入信号减弱的反馈是负反馈。

§3-2负反馈对放大器的性能有什么影响?

答:(1).使放大倍数降低,提高稳定性。(2)使非线性失真减小.。(3).展宽通频带。

(4).改变了放大器的输入电阻和输出电阻。

§3-3负反馈放大器有那些类型?

答:负反馈有电压并联负反馈、电压串联负反馈、电流并联负反馈和电流串联负反馈四种基本形式。

五、综合题计算题(每小题10分、共100分)

§1-2、已知晶体三极管的发射极电流E I =10mA, 基极电流B I =400A μ,求:(1)、集电极电流C I 的数值。(2)、电流的放大系数β。

解:(1)、C I =E I -B I =10mA -0.4mA =9.6mA 。 ( 2)、B C I I =β=mA o mA 4.6.9=24 §2-2、如图所示,若三极管的50=β,CC U =12V ,B R =300KΩ,C R =4KΩ,KΩ=1L R ,试求其静态工作点。

解:mA R U I B CC BQ 04.0300

12==≈ mA I I BQ CQ 04.050?==β V R I U U C CQ CC CEQ 44212=?-=-=。

§2-2、如图所示,在电路中,V U CC 15=,300=B R K Ω,=C R 3K Ω,

L R =6K Ω,晶体管的β=50。求:

(1) 放大电路的输入电阻、输出电阻;

(2) 放大电路空载和有载时的电压放大倍数。

解:(1)、mA R U I B

CC BQ 05.0=≈ 1(=EQ I +)β=BQ I 2.55mA 300=be r +(1+β)

82.082026=Ω=EQ I K Ω, 30=≈C R R K Ω (2)、1830-=-=be

C u r R A β, 2./=+=L C L C L R R R R R K Ω 122/-=-=be

L ul r R A β §2-3如图所示为NPN 型三极管的放大电路已知?=60, 1B R =7.6K Ω,2B R =2.4 K Ω,=C R 2K Ω, =CC U 12V, =E R 1K Ω。求:静态工作点Q 。

解:(1)、V U R R R U CC B B B BQ 88.26

.74.2124.2212

=+?=+≈ mA R U U I I E BEQ

BQ EQ CQ 18.2=-=≈, mA I I CQ BQ 036.0==β

V R R I U U C E CQ CC CEQ 46.5)(=+-=

§2-3如图Ω=K R B 4.22,Ω=K R B 6.71,mA I EQ 18.2=,Ω=K R C 2,?=60,求:(1)、输入电阻;(2)、输出电阻。(3)有负载时的电压放大倍数L u A 。

解:(1)、Ω=++=K I mV r EQ

be 03.126)1(300β, Ω=+=K R R R R R B B B B B 824.1.212

2

(2) 输入电阻Ω=+?=+=K r R r R R be B be B i 66.003

.1824.103.1824.1. (3)5.77/-=-=be

L u r R A L β

解:(1)、11603.12600-=?-=-=be C u r R A β。(2)载时,Ω=+=K R R R R R L

C L C L 33.1./ ,5.77/-=-=be

L u r R A L β

§2-4如图为射极输出器,,120Ω=K R B Ω=K R E 2,Ω=K R L 6.1,

V U CC 12=,?=60,求:静态工作点Q 。

解:mA R R U I E B CC BQ 05.0)1(=++=β mA I I BQ CQ 305.060=?==β V R I U U E EQ CC CEQ 61021031233=???-=-=-

C

电子技术习题集-答案

第2章习题 2.1.1如右下图所示电路中,E12V =, D为硅二极管,R10K =Ω,则二极管D和和电阻R上的电压各为多少?流过二极管的电流多大? 解:二极管正偏导通: D U0.7V ≈; R U120.711.3V =-= D R 11.3 I I 1.13mA 10 === 2.1.2 在下图中的各电路图中, i u12sin tω =V,二极管D的正向压降忽略不计。试分别画出输出电压 o u 的波形。 (a)(b)(c) 解: 2.1.3二极管电路如图所示,试分别判断图(a)和(b)中的二极管是导通还是截止,并求出AB两端电压 AB U。设二极管是理想的。 (a) (b) 解:(a) D导通, AB U6V =-; (b)D1导通,D2截止; AB U0V =;

2.2.1在下图中,所有稳压二极管均为硅管且稳压电压 Z U6V =,输入电压 i u12sin tω =V,画出输出 电压 o u波形图。 解: 2.2.2在下图所示的(a)和(b)分别为稳压管的并联和串联连接,哪种稳压管的用法不合理?试说明理由。解:(a)由于稳压管的击穿电压各不相 同,击穿电压低的管子工作,而另一个 不工作。 (b)可以串联连接,输出电压为两个稳压 管稳压电压之和。 2.2.2在如图所示的稳压管稳压电路中, I U14V =,波动范围10% ±;稳压管的稳定电压 Z U6V =,稳 定电流 Z I5mA =,最大耗散功率 ZM P180mW =;限流电阻R200Ω =;输出电流 o I20mA =。(1)求I U变化时稳压管的电流变化范围;(2)如果负载电阻开路,会发生什么现象? 解:输入电压波动范围: Imin I U0.9U(0.914)V12.6V ==?= Imax I U 1.1U(1.114)V15.4V ==?=

电子技术基础习题答案(优.选)

第1章检测题(共100分,120分钟) 一、填空题:(每空0.5分,共25分) 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子,少数载流子为空穴,不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴,少数载流子为自由电子,不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。 3、PN结正向偏置时,外电场的方向与内电场的方向相反,有利于多数载流子的 扩散运动而不利于少数载流子的漂移;PN结反向偏置时,外电场的方向与内电场的方向一致,有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散,这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散,N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区,其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立,对多数载流子的扩散起削弱作用,对少子的漂移起增强作用,当这两种运动达到动态平衡时,PN结形成。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管,正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 三、选择题:(每小题2分,共20分) 2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的(A)元素构成的。 A、三价; B、四价; C、五价; D、六价。 3、稳压二极管的正常工作状态是(C)。 A、导通状态; B、截止状态; C、反向击穿状态; D、任意状态。 5、PN结两端加正向电压时,其正向电流是(A)而成。 A、多子扩散; B、少子扩散; C、少子漂移; D、多子漂移。 6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E=2.1V,V B=2.8V,V C=4.4V,说明此三极管处在(A)。 A、放大区; B、饱和区; C、截止区; D、反向击穿区。 10、若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是(C) A、发射结正偏、集电结正偏; B、发射结反偏、集电结反偏; C、发射结正偏、集电结反偏; D、发射结反偏、集电结正偏。 四、简述题:(每小题4分,共28分) 2、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12V、管脚②3V、管脚③ 3.7V,试判断管子的类型以及各管脚所属电极。

模拟电子技术课后习题及答案

第一章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确,用“V”和“X”表示判断结果填入空内。 (1)在N型半导体中掺入足够量的三价元素,可将其改为P型半导体。() (2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( ) (3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( ) (4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。( ) (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其Rs大的特点。() (6)若耗尽型N沟道MOS管的U Gs大于零,则其输入电阻会明显变小。() 解:(1) V (2) X (3) V (4) X (5) V (6) X 二、选择正确答案填入空内。 (1) ____________________________________ PN结加正向电压时, 空间电荷区将______________________________ 。 A.变窄 B.基本不变 C.变 宽 (2) _______________________________________________ 设二极管 的端电压为U,则二极管的电流方程是______________________ 。 A. I s e U B. Is^^ C. I s(e UU T-1) (3)稳压管的稳压区是其工作在________ 。

A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (4)_____________________________________________________ 当晶 体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为_______________ 。

电工电子技术课后答案

《电工电子技术》(第二版)节后学习检测解答 第1章节后检验题解析 第8页检验题解答: 1、电路通常由电源、负载和中间环节组成。电力系统的电路功能是实现电能的传输、分配和转换;电子技术的电路功能是实现电信号的产生、处理与传递。 2、实体电路元器件的电特性多元而复杂,电路元件是理想的,电特性单一、确切。由理想元件构成的、与实体电路相对应的电路称为电路模型。 3、电路中虽然已经定义了电量的实际方向,但对某些复杂些的直流电路和交流电路来说,某时刻电路中电量的真实方向并不能直接判断出,因此在求解电路列写方程式时,各电量前面的正、负号无法确定。只有引入了参考方向,方程式中各电量前面的的正、负取值才有意义。列写方程式时,参考方向下某电量前面取正号,即假定该电量的实际方向与参考方向一致,若参考方向下某电量前面取负号,则假定该电量的实际方向与参考方向相反;求解结果某电量为正值,说明该电量的实际方向与参考方向相同,求解结果某电量得负值,说明其实际方向与参考方向相反。电量的实际方向是按照传统规定的客观存在,参考方向则是为了求解电路方程而任意假设的。 4、原题修改为:在图1-5中,五个二端元件 分别代表电源或负载。其中的三个元件上电流和电压的 参考方向已标出,在参考方向下通过测量得到:I 1=- 2A ,I 2=6A ,I 3=4A ,U 1=80V ,U 2=-120V ,U 3= 30V 。试判断哪些元件是电源?哪些是负载? 解析:I 1与U 1为非关联参考方向,因此P 1=-I 1×U 1=-(-2)×80=160W ,元件1获得正功率,说明元件1是负载;I 2与U 2为关联参考方向,因此P 2=I 2×U 2=6×(-120)=-720W ,元件2获得负功率,说明元件2是电源;I 3与U 3为关联参考方向,因此P 3= I 3×U 3=4×30=120W ,元件3获得正功率,说明元件3是负载。 根据并联电路端电压相同可知,元件1和4及3和5的端电压之代数和应等于元件2两端电压,因此可得:U 4=40V ,左高右低;U 5=90V ,左低右高。则元件4上电压电流非关联,P 4=-40×(-2)=80W ,元件4是负载;元件5上电压电流关联,P 5=90×4=360W ,元件5是负载。 验证:P += P 1+P 3+ P 4+ P 5= 160+120+80+360=720W P -= P 2 =720W 电路中电源发出的功率等于负载上吸收的总功率,符合功率平衡。 第16页检验题解答: 1、电感元件的储能过程就是它建立磁场储存磁能的过程,由2/2L LI W =可知,其储能仅取决于通过电感元件的电流和电感量L ,与端电压无关,所以电感元件两端电压为零时,储能不一定为零。电容元件的储能过程是它充电建立极间电场的过程,由2/2C CU W =可知,电容元件的储能只取决于加在电容元件两端的电压和电容量C ,与通过电容的电流无关,所以电容元件中通过的电流为零时,其储能不一定等于零。 2、此电感元件的直流等效电路模型是一个阻值等于12/3=4Ω的电阻元件。 3、根据dt di L u =L 可知,直流电路中通过电感元件中的电流恒定不变,因此电感元件两端无自感电压,有电流无电压类似于电路短路时的情况,由此得出电感元件在直流情况下相当于短路;根据 图1-5检验题4电路图 U 3

电工与电子技术a习题答案

第一章半导体器件与放大电路习题 一、填空题 1. PN结的特性是单向导电性。 2.射极输出器具有:①输入电阻高,②输出电阻低,③放大倍数为1的特点。 3.互补对称功率放大电路中晶体管工作在甲乙类工作状态,主要是为了克服交越失真。 4.稳压二极管工作在反向击穿区,当外加电压撤除后,管子还是正常的,这种性能称为可逆性击穿。 二、选择题 1.电路如图1-1所示,所有二极管均为理想元件,则二极管D1、D2的工作状态为(C)。 、D2均截止 B. D1、D2均导通 C. D1导通,D2截止 D. D1截止,D2导通 图1-1 图1-2 为( A )。 2.电路如图1-2所示,二极管为理想元件,则电压U AB A. 6V B. 3V C. 9V D. 不确定 3.某晶体管工作在放大状态,测得三极电位分别是①~,②~1V,③~,则对三个电极的判定,( B )是正确的。 A.①~E,②~B,③~C B.①~B,②~E,③~C C.①~C,②~B,③~E D.①~B,②~C,③~E 4.若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏,好的管子应为 ( C )。 A.正、反向电阻相等 B.正向电阻大,反向电阻小 C.反向电阻很大,正向电阻很小 D.正、反向电阻都等于无穷大 5.在N型半导体中参与导电的多数载流子是( A )。 A.自由电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子 ( A )。 6.当温度升高时,晶体管的穿透电流I CEO

A.增大 B.减小 C.不变 D.无法确定 7. 对于三极管放大作用的实质,下列说法正确的是( D )。 A.三极管可以把小能量放大成大能量 B.三极管可以把小电流放大成大电流 C.三极管可以把小电压放大成大电压 D.三极管用较小的电流控制较大的电流 8. 由共射极放大电路组成的两级阻容耦合放大电路,若将第二级换成射极输出器,则第一级的电压放大倍数将( A )。 A.增大 B.减小 C.不变 D.为零 9.电路如图1-3所示,设D Z1的稳定电压为6V ,D Z2的稳定电压为12V ,设稳压管的正向压降为,则输出电压U o 等于( B )。 图1- 3 三、计算题 1.在图1-4所示电路中,已知E=5V ,u i =10sin ωtV ,二极管的正向压降可忽略不计,试分别画出输出电压u o 的波形。 (a) (b) 图1-4 解:(a)u i > E =5V时,D 导通,u 0 = E =5V;u i < E 时,D 截止,u o = u i 。 (b ) u i > E =5V时,D 导通,u o = u i ;u i < E 时,D 截止,u 0 = E =5V。 u 0的波形分别如下图所示。 2.在图1-5所示稳压管电路中,已知稳压管的稳压值是6V ,稳定电流是10mA ,额定功耗为200mW ,限流电阻R=500Ω,试求: (1)当U i =18V ,R L =1KΩ时,U o=? I Z =? (2)当U i =18V ,R L =100Ω时,U o=? I Z =? 图1-5 解:(1)6Z U V =,18612R i Z U U U V =-=-=,126 24,60.51 R Z L L U U I mA I mA R R = =====,18Z L I I I mA =-=

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2 第1章 逻辑代数基础 1. 用真值表证明下列等式。 (1) (A B)C=A (B C)⊕⊕⊕⊕ (2) C B A C B A A +=++ A B C B A ⊕ C B ⊕ C B A ⊕⊕)( A )(C B A ⊕⊕ 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 1 1 0 1 0 1 1 1 1 0 1 1 1 0 0 0 1 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 0 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 0 1 1 A B C A C B + C B C B A A ++ C B A + 0 0 0 1 1 1 1 1 0 0 1 1 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 0 1 1 1 0 0 0 0 1 0 0 0 1 1 1 1 1 0 1 0 0 1 1 1 1 1 0 0 0 1 1 1 1 1 1 0 1 1 2. 用代数法化简下列各式。 (1) A+ABC+ABC+CB+CB ( C A B B C BC BC A +=++++=) ()1( 2) ABC+AB C+ABC+ABC A AB B A C C AB C C B A =+=+++=) ()( 3.将下列各函数化为最小项之和的形式。 (1) Y=ABC+BC+AB 7 543)()(m m m m C B A C B A BC A ABC BC A C C B A A A BC BC A +++=++++=++++= (2) )( AB Y D C B C ABD +++=

电工学电子技术课后答案第六版秦曾煌

第14章 晶体管起放大作用的外部条件,发射结必须正向偏置,集电结反向偏置。 晶体管放大作用的实质是利用晶体管工作在放大区的电流分配关系实现能量转换。 2.晶体管的电流分配关系 晶体管工作在放大区时,其各极电流关系如下: C B I I β≈ (1)E B C B I I I I β=+=+ C C B B I I I I ββ?= = ? 3.晶体管的特性曲线和三个工作区域 (1)晶体管的输入特性曲线: 晶体管的输入特性曲线反映了当UCE 等于某个电压时,B I 和BE U 之间的关系。晶体管的输入特性也存在一个死区电压。当发射结处于的正向偏压大于死区电压时,晶体管才会出现B I ,且B I 随BE U 线性变化。 (2)晶体管的输出特性曲线: 晶体管的输出特性曲线反映当B I 为某个值时,C I 随CE U 变化的关系曲线。在不同的B I 下, 输出特性曲线是一组曲线。B I =0以下区域为截止区,当CE U 比较小的区域为饱和区。输出特性曲线近于水平部分为放大区。 (3)晶体管的三个区域: 晶体管的发射结正偏,集电结反偏,晶体管工作在放大区。此时,C I =b I β,C I 与b I 成线性正比关系,对应于曲线簇平行等距的部分。 晶体管发射结正偏压小于开启电压,或者反偏压,集电结反偏压,晶体管处于截止工作状态,对应输出特性曲线的截止区。此时,B I =0,C I =CEO I 。 晶体管发射结和集电结都处于正向偏置,即CE U 很小时,晶体管工作在饱和区。此时,C I 虽然很大,但C I ≠b I β。即晶体管处于失控状态,集电极电流C I 不受输入基极电流B I 的控制。 14.3 典型例题 例14.1 二极管电路如例14.1图所示,试判断二极管是导通还是截止,并确定各电路的输出电压值。设二极管导通电压D U =0.7V 。

模拟电子技术教程习题答案

第6章习题答案 1. 概念题: (1)由运放组成的负反馈电路一般都引入深度负反馈,电路均可利用虚短路和虚断路的概念来求解其运算关系。 (2)反相比例运算电路的输入阻抗小,同相比例运算电路的输入阻抗大,但会引入了共模干扰。 (3)如果要用单个运放实现:A u=-10的放大电路,应选用 A 运算电路;将正弦波信号移相+90O,应选用 D 运算电路;对正弦波信号进行二倍频,应选用 F 运算电路;将某信号叠加上一个直流量,应选用 E 运算电路;将方波信号转换成三角波信号,应选用 C 运算电路;将方波电压转换成尖顶波信号,应选用 D 运算电路。 A. 反相比例 B. 同相比例 C. 积分 D. 微分 E. 加法 F. 乘方 (4)已知输入信号幅值为1mV,频率为10kHz~12kHz,信号中有较大的干扰,应设置前置放大电路及带通滤波电路进行预处理。 (5)在隔离放大器的输入端和输出端之间加100V的电压会击穿放大器吗?(不会)加1000V的交流电压呢?(不会) (6)有源滤波器适合于电源滤波吗?(不适用)这是因为有源滤波器不能通过太大的电流或太高的电压。 (7)正弦波发生电路中,输出端的晶体管一定工作在放大区吗?(一定)矩形波发生电路中,输出端的晶体管一定工作在放大区吗?(不一

定) (8)作为比较器应用的运放,运放一般都工作在非线性区,施密特比较器中引入了正反馈,和基本比较器相比,施密特比较器有速度快和抗干扰性强的特点。 (9)正弦波发生电路的平衡条件与放大器自激的平衡条件不同,是因为反馈耦合端的极性不同,RC正弦波振荡器频率不可能太高,其原因是在高频时晶体管元件的结电容会起作用。 (10)非正弦波发生器离不开比较器和延时两个环节。 (11)当信号频率等于石英晶体的串联谐振或并联谐振频率时,石英晶体呈阻性;当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时,石英晶体呈感性;其余情况下石英晶体呈容性。 (12)若需要1MHz以下的正弦波信号,一般可用 RC 振荡电路;若需要更高频率的正弦波,就要用 LC 振荡电路;若要求频率稳定度很高,则可用石英晶体振荡电路。 (13)设计一个输出功率为20W的扩音机电路,若用乙类互补对称功率放大,则应选至少为 4 瓦的功率管两个。 (14)对于甲类变压器音频功率放大电路,在没有输入信号时,扬声器不发声,这时管子的损耗最小。对吗?(不对,此时管子功耗最大)(15)线性电源的调整管工作在放大区,所以称为线性电源,

电子技术复习题及答案

一、填空题 1、右图中二极管为理想器件, V1工作在_导通__ 状态;V2工作在__截止___状态。 2、差分放大器对差模信号有较强的放大能力,对共模信号有较强的__抑制__能力。 3、三级管工作在放大区时,发射结__正向__偏置,集电结__反向__偏置, 工作在饱和区时,发射结__正向_偏置,集电结_正向__偏置。 4、根据反馈的分类方式,负反馈电路有4种组合形式,即_串联负反馈、_并联负反馈__、_电流负反馈_、电压负反馈。 5、理想集成运算放大器有两个重要特性对分析线性运用电路非常有用,他们分别是虚短、虚断。 6、逻辑函数的表示形式有四种:逻辑函数式、______真值表____、卡诺图和逻辑图。 7、将十六进制(0BF)转换成十进制= __191________。 8、计数器、寄存器、编码器、译码器中,属于组合逻辑电路的是___译码器编码器___,属于时序逻辑电路的是_____计数器、寄存器_________ 。 9、共阳接法的发光二极管数码显示器,应采用___低_______电平驱动的七段显示译码器。 1、数字信号只有 0 和 1 两种取值。 2、十进制123的二进制数是 1111011 ;八进制数是 173 ;十六进制数是 7B 。 3、一位十进制计数器至少需要 4 个触发器。 4、有一A/D转换器,其输入和输出有理想的线性关系。当分别输入0V和5V电压时,输出的数字量为00H 和FFH,可求得当输入2V电压时,电路输出的数字量为: 66H 。 5、设ROM容量为256字×8位,则它应设置地址线 8 条,输出线 8 条。 6、用256字×4位RAM,扩展容量为1024字×8位RAM,则需要 8 片 1、在常温下,锗二极管的门槛电压约为 0.1 V,导通后在较大电流下的正向压降约为 0.2 V。 2、三极管须使发射结正向偏置,集电结反向偏置才能工作在放大区。 3、一般直流稳压电源由电源变压器、整流电路、滤波电路 和稳压电路四个部分组成。 4、按移位方向,移位寄存器可分为单向移动寄存器和双向移动寄存器。 5、三态门的“三态”指输出高电平,输出低电平和输出高阻态。 6、(101111)(2)=47(10),(87)(10)=1010111(2) 7、用一个称为时钟的特殊定时控制信号去限制存储单元状态的改变时间,具有这种特点的存储单元电路称为触发器。 8、时序电路分为组合电路和存储电路两种。 二、选择题 1、离散的,不连续的信号,称为(B ) A、模拟信号 B、数字信号 2、在下列逻辑部件中,不属于组合逻辑部件的是( D )。 A.译码器B.编码器 C.全加器D.寄存器

电子技术习题册答案

第1章 逻辑代数基础 1. 用真值表证明下列等式。 (1) (A B )C =A (B C )⊕⊕⊕⊕ (2) C B A C B A A +=++ (1) A +A B C +A B C +C B +C B ( C A B B C BC BC A +=++++=)()1( 2) A B C +A BC +A B C +A B C A AB B A C C AB C C B A =+=+++=) ()( 3.将下列各函数化为最小项之和的形式。 (1) Y =A B C +B C +A B 7 543)()(m m m m C B A C B A BC A ABC BC A C C B A A A BC BC A +++=++++=++++=

(2) )( AB Y D C B C ABD +++= D C AB D C B D C AB D C B C D B D A D C B C AD B BD A D C B C ABD B A =+=+++++=+++++=++++=)() () ()( 4.根据下列各逻辑式, 画出逻辑图。 ①Y=(A+B )C ; ②Y=AB+BC ; ③Y=(A+B )(A+C ); 5.试对应输入波形画出下图中 Y 1 ~ Y 4 的波形。

6.如果“与”门的两个输入端中, A为信号输入端, B为控制端。设当控制端B=1和B=0两种状态时,输入信号端A的波形如图所示,试画出输出端Y的波形。如果A和B分别是“与非”门、“或”门、“或非”门的两个输入端,则输出端Y的波形又如何?总结上述四种门电路的控制作用。

第2章 组合逻辑电路 1.分析图示电路的逻辑功能。要求写出逻辑式,列出真值表,然后说明逻辑功能。 AB Y B A B A Y =+=21 半加器 真值表略 2.已知逻辑式B A AB Y +=: ①列出逻辑真值表,说明其逻辑功能; ②画出用“与非”门实现其逻辑功能的逻辑图; ③画出用双2/4线译码器74LS139实现其逻辑功能的逻辑图; ④画出用4选1数据选择器74LS153实现其逻辑功能的逻辑图; ③双2/4线译码器74LS139 有两个2-4线译码器

电子技术基础习题带答案

【理论测验】 一、单项选择题: 1.不属于对助焊剂的要求的是(C ) A、常温下必须稳定,熔点应低于焊料 B、在焊接过程中具有较高的活化性,较低的表面张力,粘度和比重应小于焊料 C、绝缘差、无腐蚀性、残留物无副作用,焊接后的残留物难清洗 D、不产生有刺激性的气味和有害气体,熔化时不产生飞溅或飞沫 2.松香酒精溶液的松香和酒精的比例为(B ) A、1:3 B、3:1 C、任何比例均可 3.烙铁头按照材料分为合金头和纯铜头,使用寿命长的烙铁头是( A ) A、合金头 B、纯铜头 4.焊接一般电容器时,应选用的电烙铁是( A ) A、20W内热式 B、35W内热式 C、60W外热式 D、100W外热式5.150W外热式电烙铁采用的握法是( B ) A、正握法 B、反握法 C、握笔法 6.印刷电路板的装焊顺序正确的是(C ) A、二极管、三极管、电阻器、电容器、集成电路、大功率管,其它元器件是先小后大。 B、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管,其它元器件是先大后小。 C、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管,其它元器件是先小后大。 D、电阻器、二极管、三极管、电容器、集成电路、大功率管,其它元器件是先大后小。7.在更换元器件时就需要拆焊,属于拆焊用的工具的是(A ) A、电烙铁、铜纺织线、镊子 B、电烙铁、铜纺织线、螺丝刀 C、电烙铁、镊子、螺丝刀 D、铜纺织线、镊子、螺丝刀 二、多项选择题 1.焊点出现弯曲的尖角是由于(AB ) A、焊接时间过长,烙铁撤离方向不当 B、焊剂太多,烙铁撤离方向不当 C、电烙铁功率太大造成的 D、电烙铁功率太小造成的 2.焊接一只低频小功率三极管应选用的电烙铁是(A ) A、20W内热式 B、35W内热式 C、50W外热式 D、75W外热式 3.75W外热式电烙铁(B ) A、一般做成直头,使用时采用握笔法 B、一般做成弯头,使用时采用正握法 C、一般做成弯头,使用时采用反握法 D、一般做成直头,使用时采用正握法4.下列电烙铁适合用反握法的是( D ) A、20W B、35W C、60W D、150W 5.20W内热式电烙铁主要用于焊接( D ) A、8W以上电阻 B、大电解电容器 C、集成电路 D、以上答案都不对6.焊点表面粗糙不光滑( B ) A、电烙铁功率太大或焊接时间过长 B、电烙铁功率太小或焊丝撤离过早 C、焊剂太多造成的 D、焊剂太少造成的 7.电烙铁“烧死”是指( C ) A、烙铁头不再发热 B、烙铁头粘锡量很多,温度很高 C、烙铁头氧化发黑,烙铁不再粘锡 D、烙铁头内电热丝烧断,不再发热

电子技术基础习题答案

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第1章检测题(共100分,120分钟) 一、填空题:(每空分,共25分) 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子,少数载流子为空穴,不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴,少数载流子为自由电子,不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电 极。 3、PN结正向偏置时,外电场的方向与内电场的方向相反,有利于多数载流子的 扩散运动而不利于少数载流子的漂移;PN结反向偏置时,外电场的方向与内电场的方向一致,有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散,这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散,N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区,其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立,对多数载流子的扩散起削弱作用,对少子的漂移起增强作用,当这两种运动达到动态平衡时,PN结形成。 5、检测二极管极性时,需用万用表欧姆挡的R×1K档位,当检测时表针偏转度较大时,与红表棒相接触的电极是二极管的阴极;与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时,两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时,说明二极管已经被击穿;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经绝缘老化。 6、单极型晶体管又称为场效应(MOS)管。其导电沟道分有N沟道和P沟道。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管,正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空,务必将各电极短接。 二、判断正误:(每小题1分,共10分) 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。(错) 2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。 (对)

数字电子技术课后答案

数字电子技术基础答案 第1章 自测题 1.1填空题 1. 100011.11 00110101.01110101 11110.01 1E.4 2. 4 3. n 2 4. 逻辑代数 卡诺图 5.)(D C B A F += )(D C B A F +=' 6.))((C B D C B A F +++= 7. 代数法 卡诺图 8. 1 1.2判断题 1. √ 2.√ 3. × 1.3选择题 1.B 2.C 3.C 1.4 A F =1⊙B AB F =2 B A F +=3 1.5 1.6 C L = 1.7 AB C B A BC Y ++= 习题 1.1 当000012=A A A ,7A 到3A 有1个不为0时,就可以被十进制8整除 1.2 (a)AC BC AB F ++=1 (b )B A AB F +=2 (c)C B A S ⊕⊕= AC BC AB C ++=0 1.3略 1.4 (1) )(B A D C F ++=)(1 ))((1B A D C F ++=' (2) )(B A B A F ++=)(2 ))((2B A B A F ++=' (3) E D C B A F =3 DE C AB F =' 3

(4) )()(4D A B A C E A F +++=)( ))()((4D A C AB E A F +++=' 1.5 C B A F ⊕⊕= 1.6 (1) B A C B C A L ++= (2) D B C B D C A L +++= (3) AD L = (4) E ABCD L = (5) 0=L 1.7 C B A BC A C AB ABC C B A L +++=),,( 1.8(1) ABD D A C F ++=1 (2) BC AB AC F ++=2 (3) C A B A B A F ++=3 (有多个答案) (4) C B D C AB C A CD F +++=4 (5) C B A ABD C B A D B A F +++=5 (6) 16=F 1.9 (1) AD D C B B A F ++=1 (2) B A AC F +=2 (3) D A D B C B F ++=3 (4) B C F +=4 1.10 (1) C A B F +=1 (2) B C F +=2 (3) D A B C F ++=3 (4) C B A D B D C F ++=4 1.11 C A B A D F ++= 1.12 (1) D B A D C A D C B F ++=1(多种答案) (2) C B BCD D C D B F +++=2 (3) C B C A D C F ++=3 (4) A B F +=4 (5) BD D B F +=5 (6) C B D A D C A F ++=6(多种答案) (7) C A D B F +=7(多种答案) (8) BC D B F +=8(多种答案) (9) B D C F +=9 1.13 略 第2章 自测题 2.1 判断题 1. √ 2. √ 3. × 4. √ 5. √ 6. √ 7. × 8. √ 9. × 10√ 2.2 选择题 1.A B 2.C D 3.A 4.B 5.B 6.A B D 7.C 8.A C D 9.A C D 10.B 习题 2.1解:ABC Y =1

湖南大学电子技术 数字部分 习题答案

第一章 数字逻辑习题 1.1数字电路与数字信号 1.1.2 图形代表的二进制数 010110100 1.1.4一周期性数字波形如图题所示,试计算: (1)周期;(2)频率;(3)占空比例 MSB LSB 0 1 2 11 12 (ms ) 解:因为图题所示为周期性数字波,所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期,T=10ms 频率为周期的倒数,f=1/T=1/0.01s=100HZ 占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比,q=1ms/10ms*100%=10% 1.2数制 1.2.2将下列十进制数转换为二进制数,八进制数和十六进制数(要求转换误差不大于 4 2?(2)127 (4)2.718 解:(2) (127)D=-1=(10000000)B-1=(1111111)B =(177)O=(7F )H 7 2(4)(2.718)D=(10.1011)B=(2.54)O=(2.B)H 1.4二进制代码 1.4.1将下列十进制数转换为8421BCD 码: (1)43 (3)254.25 解:(43)D=(01000011)BCD 1.4.3试用十六进制写书下列字符繁荣ASC Ⅱ码的表示:P28 (1)+ (2)@ (3)you (4)43 解:首先查出每个字符所对应的二进制表示的ASC Ⅱ码,然后将二进制码转换为十六进制数表示。 (1)“+”的ASC Ⅱ码为0101011,则(00101011)B=(2B )H (2)@的ASC Ⅱ码为1000000,(01000000)B=(40)H (3)you 的ASC Ⅱ码为本1111001,1101111,1110101,对应的十六进制数分别为79,6F,75 (4)43的ASC Ⅱ码为0110100,0110011,对应的十六紧张数分别为34,33 1.6逻辑函数及其表示方法 1.6.1在图题1. 6.1中,已知输入信号A ,B`的波形,画出各门电路输出L 的波形。

电子技术基础(模拟部分)习题答案

一、填空 1.杂质半导体分为N型和P型两种类型。 2.在下述电路中,能使二极管导通的电路是a。 3.在电路 管 、 Ve=0.6V、Vc=5V,则该三极管处于放大工作状态。 4.衡量双极型三极管放大能力的参数是β,衡量其温度稳定性的参数是__I CBO ___。 5.N沟道J型FET工作在恒流区的条件是_u ds>U GS(OFF)__,它的截止条件为__ u Gs≤U GS(OFF)__。 6.在基本OCL功放电路中,设电源电压为±15V,负载电阻R L=8Ω,则理想情况最大输出功率为_ 14.06 _ W,理想效率为78.5%_。 7.在集成电路中广泛采用的恒流源电路,在实际电路中,经常作为偏置电路和有源负载广泛使用。 8.通用型集成运放的输入级一般采用_差分放大电路_电路,其主要目的是抑制0点漂移。 9.为了稳定放大电路的静态工作点,可以引入直流负反馈_,为了稳定放大倍数应引人__交流负反馈_。 10.正弦波振荡电路就是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大电路。要使正弦波振荡电路产生持续振荡,必须满足的振幅平衡条件是_∣AF∣=1_,相位平衡条件是_ΦA+ΦF =0_。 11.在放大电路的设计中,主要引入_负__反馈以改善放大电路的性能。此外,利用这种反馈,还可增加增益的恒定性,减少非线性失真,抑制噪声,扩展频带以及控制输入和输出阻抗,所有这些性能的改善是以牺牲_放大倍数__为代价的。

11.N型半导体是在单晶硅中掺入五价的微量元素而形成的,多数载流子是自由电子,少数载流子是空穴。 12.半导体PN结具有单相导电性特性。 13.在常温下,硅二极管的开启电压约为0.5 V,锗二极管的开启电压约为0.1 V, 14.晶体三极管基本放大电路有共射极、共集电极和共基极三种组态。 15.在差动式放大电路中,差模输入信号等于两个输人端信号的_之差_;共模输入信号等于两个输入信号的__和的一半_。 16.设计一个负反馈放大电路,若要稳定输出电压,应引入电压负反馈;若要稳定输出电流,应引入电流负反馈;若要增加输入电阻,应引入串联负反馈。 17.设某开环放大电路中,在输入信号电压为1mv时,输出电压为1v;当引入负反馈后达到同样的输出电压时,需加输入信号为10mv。由此可知所加的反馈深度为10,反馈系数为0.009。 18.直流稳压电源由电源变压器、整流电路、滤波电路和稳压电路四部分组成。 19、BJT属于电流控制电流型器件,对应的FET是属于电压控制电流型器件。 20、在差动式放大电路中,差模输入信号等于两个输人端信号的__ 差__;共模输入信号等于两个输入信号的_算术平均值。 选择 1.半导体中的少数载流子产生的原因是[ C ] A.外电场 B.内电场 C.热激发 D.掺杂 2.PN结加正向电压时,耗尽层[ B ] A.变宽 B.变窄 C. 不变 D.以上三种情况均有可能 3.温度升高后,二极管的反向电流将[ B ]

数电电子技术基础习题答案册

习题答案 第一章数制和码制 1. 数字信号和模拟信号各有什么特点? 答:模拟信号一一量值的大小随时间变化是连续的。 数字信号一一量值的大小随时间变化是离散的、突变的(存在一个最小数量单位△)。 2. 在数字系统中为什么要采用二进制?它有何优点? 答:简单、状态数少,可以用二极管、三极管的开关状态来对应二进制的两个数。 3. 二进制:0、1;四进制:0、1、2、3;八进制:0、1、2、3、4、5、6、7;十六进制:0、1、2、 3、4、5、6、7、8、9、A、B、C、D、E、F。 4. (30.25)10=( 11110.01)2=( 1E.4)16。(3AB6) 16=( 0011101010110110)2=(35266)8。 (136.27)10=( 10001000.0100) 2=( 88.4) 16。 5. B E 6. ABCD 7. (432.B7) 16=( 010*********. 10110111) 2=(2062. 556) 8。 8. 二进制数的1和0代表一个事物的两种不同逻辑状态。 9. 在二进制数的前面增加一位符号位。符号位为0表示正数;符号位为1表示负数。这种 表示法称为原码。 10. 正数的反码与原码相同,负数的反码即为它的正数原码连同符号位按位取反。 11. 正数的补码与原码相同,负数的补码即为它的反码在最低位加1形成。 12. 在二进制数的前面增加一位符号位。符号位为0表示正数;符号位为1表示负数。正数的反码、 补码与原码相同,负数的反码即为它的正数原码连同符号位按位取反。负数的 补码即为它的反码在最低位加1形成。补码再补是原码。 13. A:(+1011)2的反码、补码与原码均相同:01011; B: (-1101)2的原码为11101,反码为10010, 补码 为10011. 14. A: (111011)2的符号位为1,该数为负数,反码为100100,补码为100101. B: (001010)2 的符号位为0,该数为正,故反码、补码与原码均相同:001010. 15. 两个用补码表示的二进制数相加时,和的符号位是将两个加数的符号位和来自最高有效 数字位的进位相加,舍弃产生的进位得到的结果就是和的符号。+3的补码000011, +15的补码001111,和为010010; +9 的补码01001, -12 的补码10100,和11101. 16. (100001000) BCD= (108) D= (6C) H= (01101100) Bo 17. A 18. A 19. 常见的十进制代码有8421码,2421码,5211码,余3码,余3循环码;前3种码从左到右每 一位的1分别用码的权值表示;余3码的权值为8、4、2、1;余3循环码相邻的两个代码之间仅有一位的状态不同。 20. 计算机键盘上的按键是ASCII 码。1000100 1011000 1011000 1011001. (参见教材P15表 1.5.3) 习题答案 第二章逻辑代数基础 1. 二值逻辑是指只有两种对立逻辑状态的逻辑关系。如门的开、关等。二值逻辑中的正逻 辑指有1表示高电平,开关闭合等有信号的状态,0表示低电平,开关断开等无信号状态;负逻辑则正好与正逻辑相反。 2. 见教材P22-23。 3. 正逻辑与、或、非运算的真值表:

最新电子技术习题答案

第6章第1次 专业 班 学号 2009 姓名 一、填空题 1.变压器的主要功能有 电压 变换、 电流 变换和 阻抗 变换。 2.稳压二极管稳压工作时,是工作在其特性曲线的 反向击穿 区。 3.稳压管是利用反向击穿 特性来稳压的,正向 也可以 稳压。 4.在电子线路和自动控制系统中,常需要稳定的直流电压,直流稳压电源主要由 变压 、 整流 、 滤波 和 稳压 四部分电路组成。 5.电路如图1所示,二极管为理想元件,已知交流电压表V 1的读数为100V ,负载电阻R L =1 k Ω,开关S 断开时直流电压表V 2 = 45V ,电流表A= 45mA ;开关S 闭合时直流电压表V 2 = 90V ,电流表A= 90mA 。 图1 二、选择题 1.要得到P 型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中,应掺入少量的( A )。 A .三价元素 B .四价元素 C .五价元素 D .六价元素 2.稳压管电路如图2所示,稳压管Z1D 的稳定电压112V Z U =,Z2D 的稳定电压为 26V Z U =,则电压0U 等于( C )。 A .12 V B .20 V C .6 V D .0 V 图2 图3 3.理想二极管构成的电路如图3所示,则输出电压0U 等于( A ) A .8 V B .- 6 V C .2 V D .14 V

4.在整流电路中,设整流电路的输出电流平均值为o I ,如果流过每只二极管的电流平均值D o /2I I =,每只二极管的最高反压为2U ,则这种电路是( A ) A .单相桥式整流电路 B .单相全波整流电路 C .单相半波整流电路 D .单相半波整流电容滤波电路 5.稳压管电路如图4所示,稳压管Z1D 的稳定电压112V Z U =,Z2D 的稳定电压为 26V Z U =,则电压0U 等于( C ) A .12 V B .20 V C .6 V D .0 V 图4 图5 6.整流电路如图5所示,输出电压平均值0U 是18V ,若因故一只二极管损坏而断开, 则输出电压平均值0U 是( A ) A .9 V B .20 V C .40 V D .10 V 三、计算题 1.电路如图6所示,设S V U =6,i sin V u t ω=12,分别画出输出电压01U 和02U 的波形。二极管正向压降忽略不计。 图6 解:

电工与电子技术课后答案

习题4 4-1 在题4-1图所示的电路中,电容元件原未储能。① 求开关S 闭合后瞬间各元件上的电压、电流的初始值;② 求开关S 闭合后电路达到稳定状态各元件上的电压、电流的值。 解:①由于开关闭合前,电容元件未储能,故由换路定律可知,0)0()0(==- +C C u u 。开关 闭合后,电容元件相当短路,其等效电路如题4-1图(a )所示,则在+ =0t 时各电压、电流为 ② 开关 4-2 解: 4= ② 求稳态值: 4-3 在题4-3图所示电路中,已知Ω=101R ,Ω=202R ,Ω=103R ,F C μ25.0=。开关S 在1t 时刻接通,而在2t 时刻又断开。试分别求两次换路后的时间常数1τ和2τ。 解:① 当开关S 在1t 时刻接通时,其时间常数为 其中1O R 为从电容元件C 两端看进去的等效电源的内阻。由题4-3图(a )的电路可得 故 s 66 1101410 25.0--?=??=τ ② 当开关S 在2t 时刻由接通到断开后,其时间常数为 其中2O R 为由题4-3图(b )所求的等效电源的内阻,即 题4-1图 +题4-2图 题4-2图(a) - =02 3 题4-3图(b)

4-4 如题4-4图所示电路,开关S 闭合前电路已处于稳态。在0=t 时,将开关闭合。试求0≥t 时电压C u 和电流C i 、1i 及2i 。 解:解一:三要素法 在开关闭合前,电路已处于稳态,电容相当于断路,等效电路如题4-4图(a )所示。 则 V 3)0(=- C u 在开关闭合后,由换路定律得V 3)0()0(==-+C C u u 。在+ =0t 时,电容相当于恒压源,等 效电路如题4-4(b)所示。则 当开关闭合后达到稳定状态时,电容相当于断路,其等效电路如题4-4(c)所示。则 0)(=∞C u ,0)(=∞C i ,0)(1=∞i ,0)(2=∞i 电路的时间常数为 其中O R 为从电容元件两端看进去的无源二端网络的等效电阻。由题4-4图(d )的电路可得 那么所求的各量为 解二:根据三要素法求得V e 35 1067.1?-=C u 。在开关闭合后,用恒压源代替电容,如题4-4图(e ),其电压为C u 。则 (负号说明所设的正方向和实际方向相反) 4-5 如题4-5图所示的RC 电路,电容元件无初始储能。① 0=t 时闭合开关S ,试求0≥t 后的C u 和电流C i ;② 求C u 增加到V 3时所需的时间t ;③ 当开关S 闭合后电路达到稳定状态,又将S 断开,试求S 断开后的电容电压C u 和电流C i 。 解:① 在- =0t 时,电容元件无初始储能,即0)0(=-C u ,则根据换路定律 在开关S 闭合后电路达到稳定状态,电容C 相当于断路,等效电路如题4-5图(a )所示,则 时间常数τ 其中O R 为题4-5图(b )中等效电阻。 Ω K 3 O R

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