一、作用原理
在显微镜下观察接触件的表面，尽管镀层十分光滑，则仍能观察到5-10微米的凸起部分。因此一对接触件的接触，并不是整个接触面（线）的接触，而是散布在接触面上一些点的接触，实际接触面必然小于理论接触面。根据表面光滑程度及接触压力大小，两者差距有的可达几千倍。实际接触面可分为两部分：一是真正金属与金属直接接触部分，即金属间无过渡电阻的接触微点，亦称接触斑点。它是由接触压力或热作用破坏界面膜后形成的，部分约占实际接触面积的5-10%；二是通过接触界面污染薄膜后相互接触的部分，因为任何金属都有返回原氧化物状态的倾向。实际上，在大气中不存在真正洁净的金属表面，即使很洁净的金属表面，一旦暴露在大气中，便会很快生成几微米的初期氧化膜层。例如铜只要2-3分钟，镍约30分钟，铝仅需2-3秒钟，其表面便可形成厚度约2微米的氧化膜层。即使特别稳定的贵金属金，由于其表面能较高，其表面也会形成一层有机气体吸附膜。此外，大气中的尘埃等也会在接触件表面形成沉积膜。因而，从微观分析任何接触面都是一个污染面。
综上所述，接触电阻（R c）由以下两部分组成：
1) 集中电阻
电流通过实际接触面时，由于电流线收缩（或称集中）形成的电阻，将其称为集中电阻或收缩电阻。
2) 膜层电阻
由于接触表面膜层及其他污染物所构成的膜层电阻。从接触表面状态分析，表面污染膜可分为较坚实的薄膜层和较松散的杂质污染层。所以确切地说，也可把膜层电阻称为界面电阻或表面电阻。
二、影响因素
接触电阻主要受接触件材料、接触压力、接触形式、表面状态、温度、使用电压和电流等因素影响。
1) 接触件材料
构成电接触的金属材料的性质直接影响接触电阻的大小，这些性质包括金属材料的电阻率ρ、布氏硬度H B、化学性能以及金属化合物的机械强
度和电阻率等。材料的电阻率或硬度越大，则接触电阻也越大。
2) 接触压力
接触件的接触压力是指施加于彼此接触的表面并垂直于接触表面的力。随着接触压力增加，接触微点数量及面积也逐渐增加，同时接触微点从弹性变形过渡到塑性变形。由于集中电阻逐渐减小，而使接触电阻降低。但当接触压力超过一定值（150N左右）后，接触电阻就基本保持不变。实验表明，在接触压力较小时，接触电阻上下限的差别高达10倍之多。而当压力增大后，接触电阻的分散度逐渐变小，接触电阻上下限的差别减少到1.5倍。
3) 接触形式
接触形式不同也会影响接触电阻的大小。接触形式主要分为三种：点接触、线接触和面接触，接触压力较小时；点接触的接触电阻较低；接触压力较大时，面接触的接触电阻较低；在更大接压力时，三种接触形式的接触电阻是差不多大小的。
4) 表面状态
接触件的表面膜层包括两部分：一是由于尘埃、松香、油污等在接触表面机械附着沉积形成的较松散的表膜。这层表膜由于带有微粒物质，极易嵌藏在接触表面的微观凹坑处，使接触面积缩小，接触电阻增大，且极不稳定；二是由于物理吸附及化学吸附所形成的污染膜。对金属表面主要是化学吸附，它是在物理吸附后伴随电子迁移而产生的。故对一些高可靠性要求的产品，如航天用电连接器必须要有洁净的装配生产环境条件，完善的清洗工艺及必要的结构密封措施，使用单位必须要有良好的贮存和使用操作环境条件。同时，接触表面的光洁度也会对接触电阻有影响。光洁度不易要求过高，试验表明，过于精细的表面加工对于降低接触电阻未必是有利的。对于大中负荷的电接触，一般接触处的表面光洁度能达到机加工的▽6就足够了。面接触时为保证更多的接触点，应提高接触面的平整度。
5) 温度
温度对接触电阻也有影响，主要有二个方面的原因：一是电阻率的改变，电阻率随温度升高而增加；二是材料硬度的改变，当材料温度上升到
电阻件检验规范 （IATF16949-2016/ISO9001-2015） 1.0目的： 1.1确保生产所需电阻材料均能正确检验，以确认其符合品质要求。 2.0范围： 2.1本公司电阻材料包括贴片电阻、炭膜电阻等各类电阻。 2.2 电阻材料入料检验和制程材料确认。 3.0职责： 3.1仓库：负责确认进料物料的相关资料、产品的相关核对及物料送检、保存动作。 3.2品管部：负责对进料进行检验判定、资料分发及品质资料存档。 3.3资材部：负责供应商异常情况联络，品管检验不良品跟进处理。 4.0名词定义： 4.1IQC：进料品质检验 4.2 SQE：供应商品质工程师 5.0步骤： 5.1 抽样方式依《检验抽样管理规范》进行抽样。 5.2 检验注意事项： 5.2.1 核对有无公司零件图或物料承认书及首件样品，若无则不予验收。 5.2.2 尺寸规格依据物料承认书或公司零件图中之数据；尺寸检验合格时，记录于报告中；若有尺寸检验不合格时，将重点检验不合格数据全部记录于检验
表单中。 5.2.3 检验项目为本公司设备，治具，能力所无法验证之部分的物料，则依供应商之出厂检验报告为保证依据。 5.2.4 一般检验依5.3之项目执行，若有特殊项目或标准则依特殊要求检验，检验的记录则填写于备注栏，或附件中。 5.3 常规的检验项目： 注： 1.每批检验须有记录，其它各项在有异常需要时备注或附上相关记录。 2.尺寸规格依据物料承认书或公司零件图中之数据保持二位小数取得，其公差不变；尺寸检验合格时，将实测的最大值与最小值记录于报告中，若有尺寸检验不合格时，将重点检验不合格数据全部记录于检验表单中。 3.对于外观：全部内容都需要检验到位，记录3～5个重要方面即可。 4.检验项目为本公司设备、治具，能力所无法验证之部分的物料，则依供应商之出厂检验报告为保证依据。 5.一般检验依5.3之项目执行，若有特殊项目或标准则依特殊要求检验，检验之记录则填写于备注栏或附件中。
连接器接触电阻 不论是高频电连接器，还是低频电连接器，接触电阻、绝缘电阻和介质耐压（又称抗电强度）都是保证电连接器能正常可靠地工作的最基本的电气参数。通常在电连接器产品技术条件的质量一致性检验A、B组常规交收检验项目中都列有明确的技术指标要求和试验方法。这三个检验项目也是用户判别电连接器质量和可靠性优劣的重要依据。但根据多年来从事电连接器检验的实践发现；目前各生产厂之间以及生产厂和使用厂之间，在具体执行有关技术条件时尚存在许多不一致和差异，往往由于采用的仪器、测试工装、操作方法、样品处理和环境条件等因素的不同，直接影响到检验结果的准确性和一致性。为此，针对目前这三个常规电性能检验项目在实际操作中存在的问题进行一些专题研讨，对提高电连接器检验可靠性是十分有益的。 另外，随着电子信息技术的迅猛发展，新一代的多功能自动检测仪正在逐步替代原有的单参数测试仪。这些新型测试仪器的应用必将大大提高电性能的检测速度、效率和准确可靠性。 2.1 作用原理 在显微镜下观察连接器接触件的表面，尽管镀金层十分光滑，则仍能观察到5-10微米的凸起部分。会看到插合的一对接触件的接触，并不是整个接触面的接触，而是散布在接触面上一些点的接触。实际接触面必然小于理论接触面。根据表面光滑程度及接触压力大小，两者差距有的可达几千倍。实际接触面可分为两部分；一是真正金属与金属直接接触部分。即金属间无过渡电阻的接触微点，亦称接触斑点，它是由接触压力或热作用破坏界面膜后形成的。这部分约占实际接触面积的 5-10%。二是通过接触界面污染薄膜后相互接触的部分。因为任何金属都有返回原氧化物状态的倾向。实际上，在大气中不存在真正洁净的金属表面，即使很洁净的金属表面，一旦暴露在大气中，便会很快生成几微米的初期氧化膜层。例如铜只要2-3分钟，镍约30分钟，铝仅需2-3秒钟，其表面便可形成厚度约2微米的氧化膜层。即使特别稳定的贵金属金，由于它的表面能较高，其表面也会形成一层有机气体吸附膜。此外，大气中的尘埃等也会在接触件表面形成沉积膜。因而，从微观分析任何接触面都是一个污染面。 综上所述，真正接触电阻应由以下几部分组成； 1) 集中电阻 电流通过实际接触面时，由于电流线收缩（或称集中）显示出来的电阻。将其称为集中电阻或收缩电阻。 2) 膜层电阻 由于接触表面膜层及其他污染物所构成的膜层电阻。从接触表面状态分析；表面污染膜可分为较坚实的薄膜层和较松散的杂质污染层。故确切地说，也可把膜层电阻称为界面电阻。 3) 导体电阻
半导体的欧姆接触(2012-03-30 15:06:47)转载▼ 标签：杂谈分类：补充大脑 1、欧姆接触 欧姆接触是指这样的接触：一是它不产生明显的附加阻抗；二是不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变。 从理论上说，影响金属与半导体形成欧姆接触的主要因素有两个：金属、半导体的功函数和半导体的表面态密度。对于给定的半导体，从功函数对金属－半导体之间接触的影响来看，要形成欧姆接触，对于n型半导体，应该选择功函数小的金属，即满足Wm《Ws，使金属与半导体之间形成n型反阻挡层。而对于p型半导体，应该选择功函数大的金属与半导体形成接触，即满足Wm》Ws，使金属与半导体之间形成p型反阻挡层。但是由于表面态的影响，功函数对欧姆接触形成的影响减弱，对于n型半导体而言，即使Wm《Ws，金属与半导体之间还是不能形成性能良好的欧姆接触。 目前，在生产实际中，主要是利用隧道效应原理在半导体上制造欧姆接触。从功函数角度来考虑，金属与半导体要形成欧姆接触时，对于n型半导体，金属功函数要小于半导体的功函数，满足此条件的金属材料有Ti、In。对于p型半导体，金属功函数要大于半导体的功函数，满足此条件的金属材料有Cu、Ag、Pt、Ni。 2、一些常用物质的的功函数 物质Al Ti Pt In Ni Cu Ag Au 功函数4.3 3.95 5.35 3.7 4.5 4.4 4.4 5.20 3、举例 n型的GaN——先用磁控溅射在表面溅射上Ti/Al/Ti三层金属，然后在卤灯/硅片组成的快速退火装置上进行快速退火：先600摄氏度—后900摄氏度——形成欧姆接触； p型的CdZnTe——磁控溅射仪上用Cu－3％Ag合金靶材在材料表面溅射一层CuAg合金。 欧姆接触[编辑] 欧姆接触是半导体设备上具有线性并且对称的 果电流- 这些金属片通过光刻制程布局。低电阻，稳定接触的欧姆接触是影响集成电路性能和稳定性的关键因素。它们的制备和描绘是电路制造的主要工作。 目录 [隐藏] ? 1 理论 ? 2 实验特性 ? 3 欧姆接触的制备 ? 4 技术角度上重要的接触类型 ? 5 重要性 ? 6 参考资料
接触电阻 ----“接触对”导体件呈现的电阻成为接触电阻。 一般要求接触电阻在10-20 mohm以下。有的开关则要求在100-500uohm以下。有些电路对接触电阻的变化很敏感。应该指出，开关的接触电阻是在开关在若干次的接触中的所允许的接触电阻的最大值。 Contact Area 接触电阻 在电路板上是专指金手指与连接器之接触点，当电流通过时所呈现的电阻之谓。为了减少金属表面氧化物的生成，通常阳性的金手指部份，及连接器的阴性卡夹子皆需镀以金属，以抑抵其“接载电阻”的发生。其他电器品的插头挤入插座中，或导针与其接座间也都有接触电阻存在。 作用原理 在显微镜下观察连接器接触件的表面，尽管镀金层十分光滑，则仍能观察到 5-10微米的凸起部分。会看到插合的一对接触件的接触，并不整个接触面的接触，而是散布在接触面上一些点的接触。实际接触面必然小于理论接触面。根据表面光滑程度及接触压力大小，两者差距有的可达几千倍。实际接触面可分为两部分；一是真正金属与金属直接接触部分。即金属间无过渡电阻的接触微点，亦称接触斑点，它是由接触压力或热作用破坏界面膜后形成的。部分约占实际接触面积的5-10%。二是通过接触界面污染薄膜后相互接触的部分。因为任何金属都有返回原氧化物状态的倾向。实际上，在大气中不存在真正洁净的金属表面，即使很洁净的金属表面，一旦暴露在大气中，便会很快生成几微米的初期氧化膜层。例如铜只要2-3分钟，镍约30分钟，铝仅需2-3秒钟，其表面便可形成厚度约2微米的氧化膜层。即使特别稳定的贵金属金，由于它的表面能较高，其表面也会形成一层有机气体吸附膜。此外，大气中的尘埃等也会在接触件表面形成沉积膜。因而，从微观分析任何接触面都是一个污染面。 综上所述，真正接触电阻应由以下几部分组成； 1) 集中电阻 电流通过实际接触面时，由于电流线收缩（或称集中）显示出来的电阻。将其称为集中电阻或收缩电阻。 2) 膜层电阻 由于接触表面膜层及其他污染物所构成的膜层电阻。从接触表面状态分析；表面污染膜可分为较坚实的薄膜层和较松散的杂质污染层。故确切地说，也可把膜层电阻称为界面电阻。 3) 导体电阻 实际测量电连接器接触件的接触电阻时，都是在接点引出端进行的，故实际测得的接触电阻还包含接触表面以外接触件和引出导线本身的导体电阻。导体电阻主
导体的接触面积和接触电阻 作者：林勇发布日期：2009-4-17 10:06:41 (阅577次) 关键词: 工业插头插座驳克码 MARECHAL （摘要：在电流的传输过程中两个表面宏观接触表面应该等于导线的截面面积，两个导体真正相接触的部分只是 一定数量的点，由于材料表面的不平整性，真正的接触面积要比宏观上看到的接触表面要小。关键词：接触电阻，驳克码） 在我们给客户讲解产品的过程当中有一个经常被问到的问题，“你们这种触点连接的插头插座，导体截面积够吗？”，“触点连接比插针套筒连接的接触面积小，能保证连接可靠吗？”电气工程师都知道，电流越大，必须使用越粗大的电缆。有些人自然认为接触的面积应该等于导线的截面面积，因而对电气连接器的可靠性提出怀疑。实际上，两个表面宏观接触表面应该等于导线的截面面积，两个导体真正相接触的部分只是一定数量的点，由于材料表面的不平整性，真正的接触面积要比宏观上看到的接触表面要小。（图2） 优质的开关设备产品大都采用用银合金的接触点，通常触点是半球形的，而且把重点放在施加的力上而不是放在假定的接触面积上。种概念在接触器或者断路器制造业中得到广泛采用。从这个意义上讲，插头和插座是一个例外。 1．接触电阻的物理概念 无论使用哪一种接触，导体接触的不连续性会产生一个附加的电阻——称为“接触电阻”）。这个电阻比接 触器自身的电阻（在没有接触面存在时）要大。这个电阻值将决定连接的质量，因为：接触电阻阻值越高，则接触电阻上的压降越大，因而接触点释放的热量将越多。如果温度上升到一定的极限，接触点就会损坏。温度越高，损坏就越快，这种现象会迅速蔓延。 接触点接触电阻主要由以下两个参数决定： 接触表面的状态λ 所施加力的作用（图4）λ 1．1 接触表面的状态 三个主要参数决定了接触表面的状态：（图1） 物理化学结构λ 从微观角度来看，一个表面的物理化学结构是非常复杂的，周围环境中的外来元素与材料发生反应形成一个表面层，通常称为“侵蚀层”。 表面的粗糙度λ 一个表面的粗糙度是复杂的，表面的粗糙度由所采用的生产技术所决定，而且通常具有随机性和不可重复。它引入了材料挤压压力及塑性变形的概念。 表面的几何形状λ 从宏观角度来看，一个接触表面的几何形状是比较容易确定的。这个形状将决定在两个表面之间宏观的接触面积。 1．2 接触电阻的值 由于材料钢性及粗糙度的影响，实际的机械接触不是发
HES E 001-05 电 阻 焊 检 查 标 准
1.概述 此项标准明确了强度等级260～980MPa且厚度不大于4.0mm(*1)的钢板点焊(包括连续缝焊和滚动焊)的外观检查方法及标准，也适用于强度等级在260～270MPa(*2)的普碳钢板的凸焊和缝焊。 备注： (*1)汽车用热轧钢板及带钢参照HES C 051，汽车用冷扎钢板及带钢参照HES C 052，汽车用热浸镀锌钢板及带钢参照HES C 071。 (*2)该标准适用于含碳量<0.15%的普碳钢，包括表面处理钢板，例如镀锌钢板和防锈钢板。 说明： 此标准中采用的单位和数值的表示方法参照的是国际单位体系（SI），用{}特殊标注的数值是指经验值。 2.分类及标注方法 每个组成部件和分总称分为A、B、C三个强度等级和a、b、c三个外观等级，该标准应该在接收标准，量产检查标准、以及作业标准中明确。 2.1强度等级分类 完成车以及零部件根据结构强度分为A、B、C三个等级。 2.2外观等级分类 完成车中对外观有要求的部分分成如表1所示的三个等级。 2.3标准方法 当对强度和外观都有等级要求时，分类及标注方法如表2所示。如果不要求标注外观等级，则应该仅对强度进行标注。但是，在这种情况下对外部缺陷的要求应参照4.3部分。 表2 3.试片 3.1点焊试片 点焊试片参照标注JIS Z 3136。
3.2凸焊试片 用于断面检查的试片应该使用产品的形状，用于剪切应力检查的试片应该采用图1所示的形状，凸焊的各个尺寸要求参照HES A 1018。 表3 备注： 1．上图是一个环形焊缝的例子。检测时必须在试片上固定一个支撑(图中阴影部分所使用的材料及厚度需要可以抵抗所施加的拉力)。固定时需要注意固定的位置及方法（如果采用点焊固定，就要注意由于焊接热应力产生的扭曲）。 2．当不同板厚和材质的板材结合时，试片的尺寸标准应该以（材料强度）×（板厚）值较小的板材为参照。如果为三层板或者是多层板结合，试片的尺寸标准应参照两个承载的板材。 3.3缝焊试片 试片的形状如图1所示，沿着标记线进行切割。对密闭性有要求的试片形状如图2所示。 图1
绝缘电阻的正确测量方法 一、测试内容施工现场主要测试电气设备、设施和动力、照明线路的绝缘电阻。 二、测试仪器 测试设备或线路的绝缘电阻必须使用兆欧表（摇表），不能用万用表来测试。兆欧表是一种具有高电压而且使用方便的测试大电阻的指示仪表。它的刻度尺的单位是兆欧，用ΜΩ表示。在实际工作中，需根据被测对象来选择不同电压等级和阻值测量范围的仪表。而兆欧表测量范围的选用原则是：测量范围不能过多超出被测绝缘电阻值，避免产生较大误差。施工现场上一般是测量500V以下的电气设备或线路的绝缘电阻。因此大多选用500V，阻值测量范围0----250ΜΩ的兆欧表。兆欧表有三个接线柱：即L（线路）、E（接地）、G（屏蔽），这三个接线柱按测量对象不同来选用。 三、测试方法 1、照明、动力线路绝缘电阻测试方法线路绝缘电阻在测试中可以得到相对相、相对地六组数据。首先切断电源，分次接好线路，按顺时针方向转动兆欧表的发电机摇把，使发电机转子发出的电压供测量使用。摇把的转速应由慢至快，待调速器发生滑动时，要保证转速均匀稳定，不要时快时慢，以免测量不准确。一般兆欧表转速达每分钟120转左右时，发电机就达到额定输出电压。当发电机转速稳定后，表盘上的指针也稳定下来，这时指针读数即为所测得的绝缘电阻值。测量电缆的绝缘电阻时，为了消除线芯绝缘层表面漏电所引起的测量误差，其接线方法除了使用“L”和“E”接线柱外，还需用屏蔽接线柱“G”。将“G”接线柱接至电缆绝
缘纸上。 2、电气设备、设施绝缘电阻测试方法首先断开电源，对三相异步电动机定子绕组测三相绕组对外壳（即相对地）及三相绕组之间的绝缘电阻。摇测三相异步电动机转子绕组测相对相。测相对地时“E”测试线接电动机外壳，“L”测试线接三相绕组。即三相绕组对外壳一次摇成；若不合格时则拆开单相分别摇测；测相对相时，应将相间联片取下。 四、绝缘电阻值测试标准 绝缘阻值判断 (1)、所测绝缘电阻应等于或大于一般容许的数值，各种电器的具体规定不一样，最低限值： 低压设备0.5MΩ， 3-10KV 300MΩ、 20-35KV为400MΩ、 63-220KV为800MΩ、 500KV为3000MΩ。 1、现场新装的低压线路和大修后的用电设备绝缘电阻应不小于0.5ΜΩ。 2、运行中的线路，要求可降至不小于每伏1000Ω=0.001MΩ，每千伏1 MΩ。 3、三相鼠笼异步电动机绝缘电阻不得小于0.5ΜΩ。 4、三相绕线式异步电动机的定子绝缘电阻值热态应大于0.5ΜΩ、冷态应大于2ΜΩ，转子绝缘电阻值热态应大于0.15ΜΩ、冷态应大于0.8ΜΩ。
相关资料： 优先数及优先数系 由于各种产品的特征互不相同，不可能都按一个公比形成系列，客观上需要这样一种数列，即项数较少的数列包含在项数较多的数列中，并且按照十进的规律能向两端无限延伸，这就是优先数列。 优先数和优先数系是一种科学的数值制度，它是一种无量纲的分级数系，适用于各种量值的分级。它又是十进几何级数，它对于标准化对 E －24系列：常用于精度为5%的贴片电阻 （单位：Ω） E-24 1Ω～10Ω 10Ω～ 100Ω 100Ω～1k Ω 1k Ω～10k Ω 10k Ω～ 100k Ω 100k Ω～1M Ω 1M Ω～10M Ω 标准 实际 标准 实际 标准 实际 标准 实际 标准 实际 标准 实际 标准 实际 标准值 表示法 电阻值 表示法 电阻值 表示法 电阻值 表示法 电阻值 表示法 电阻值 表示法 电阻值 表示法 电阻值 1 1R0 1Ω 100 10Ω 101 100Ω 10 2 1k Ω 10 3 10k Ω 10 4 100k Ω 10 5 1M Ω 1.1 1R1 1.1Ω 110 11Ω 111 110Ω 112 1.1k Ω 113 11k Ω 114 110k Ω 115 1.1M Ω 1.2 1R2 1.2Ω 120 12Ω 121 120Ω 122 1.2k Ω 123 12k Ω 124 120k Ω 125 1.2M Ω 1.3 1R3 1.3Ω 130 13Ω 131 130Ω 132 1.3k Ω 133 13k Ω 134 130k Ω 135 1.3M Ω 1.5 1R5 1.5Ω 150 15Ω 151 150Ω 152 1.5k Ω 153 15k Ω 154 150k Ω 155 1.5M Ω 1. 6 1R6 1.6Ω 160 16Ω 161 160Ω 162 1.6k Ω 163 16k Ω 164 160k Ω 165 1.6M Ω 1.8 1R8 1.8Ω 180 18Ω 181 180Ω 182 1.8k Ω 183 18k Ω 184 180k Ω 185 1.8M Ω 2 2R0 2Ω 200 20Ω 201 200Ω 202 2k Ω 203 20k Ω 204 200k Ω 205 2M Ω 2.2 2R2 2.2Ω 220 22Ω 221 220Ω 222 2.2k Ω 223 22k Ω 224 220k Ω 225 2.2M Ω 2.4 2R4 2.4Ω 240 24Ω 241 240Ω 242 2.4k Ω 243 24k Ω 244 240k Ω 245 2.4M Ω 2.7 2R7 2.7Ω 270 27Ω 271 270Ω 272 2.7k Ω 273 27k Ω 274 270k Ω 275 2.7M Ω 3 3R0 3Ω 300 30Ω 301 300Ω 302 3k Ω 303 30k Ω 304 300k Ω 305 3M Ω 3.3 3R3 3.3Ω 330 33Ω 331 330Ω 332 3.3k Ω 333 33k Ω 334 330k Ω 335 3.3M Ω 3.6 3R6 3.6Ω 360 36Ω 361 360Ω 362 3.6k Ω 363 36k Ω 364 360k Ω 365 3.6M Ω 3.9 3R9 3.9Ω 390 39Ω 391 390Ω 392 3.9k Ω 393 39k Ω 394 390k Ω 395 3.9M Ω 4.3 4R3 4.3Ω 430 43Ω 431 430Ω 432 4.3k Ω 433 43k Ω 434 430k Ω 435 4.3M Ω 4.7 4R7 4.7Ω 470 47Ω 471 470Ω 472 4.7k Ω 473 47k Ω 474 470k Ω 475 4.7M Ω 5.1 5R1 5.1Ω 510 51Ω 511 510Ω 512 5.1k Ω 513 51k Ω 514 510k Ω 515 5.1M Ω 5.6 5R6 5.6Ω 560 56Ω 561 560Ω 562 5.6k Ω 563 56k Ω 564 560k Ω 565 5.6M Ω 6.2 6R2 6.2Ω 620 62Ω 621 620Ω 622 6.2k Ω 623 62k Ω 624 620k Ω 625 6.2M Ω 6.8 6R8 6.8Ω 680 68Ω 681 680Ω 682 6.8k Ω 683 68k Ω 684 680k Ω 685 6.8M Ω 7.5 7R5 7.5Ω 750 75Ω 751 750Ω 752 7.5k Ω 753 75k Ω 754 750k Ω 755 7.5M Ω 8.2 8R2 8.2Ω 820 82Ω 821 820Ω 822 8.2k Ω 823 82k Ω 824 820k Ω 825 8.2M Ω 9.1 9R1 9.1Ω 910 91Ω 911 910Ω 912 9.1k Ω 913 91k Ω 914 910k Ω 915 9.1M Ω
接触电阻 接触电阻产生的原因有两个：第一，由于接触面的凹凸不平，金属的实际接触面减小了，这样，当电流流过导体时，使电流线在接触面附近发生了严重的收缩现象，即在接触面附近导体有效的导电截面大大缩小，因而造成电阻的增加，这个电阻称为收缩电阻。第二，接触面在空气中可能迅速形成一层导电性能很差的氧化膜附着于表面，也使电阻增大了，这部分电阻称为膜电阻。因此，接触电阻是由收缩电阻和膜电阻组成。 导体的接触形式大体分为点接触，线接触和面接触，这几种接触形式对接触电阻的影响是不相同的。点接触时对接触电阻的影响主要是收缩电阻大，而面接触时对接触电阻的影响则是膜电阻，线电阻介于两者之间。因而，接触电阻的大小不仅取决于收缩电阻，还有膜电阻的影响。而接触压力对接触电阻的影响是十分重要的，没有足够的压力，只靠加大接触面，并不能使接触电阻有明显的下降。增加接触压力，可以增加接触点的有效接触面积，同时，当接触点的压强超过一定值时，可以使触点的材料产生塑性变形，表面膜被压碎出现裂缝，增大了金属的接触面，使接触电阻迅速下降，因此，加大接触压力，使收缩电阻和膜电阻都减小，总的接触电阻将减小。 除了以上影响接触电阻的因素以外，还有材料的性质，接触表面的加工情况，触点的密封情况等等都会对接触电阻产生影响。因此，我们在日常维护和排除线路故障的时候，也要充分考虑接触电阻的影响。 我们经常在排除线路故障时会发现由于插头的腐蚀，在插钉表面就会形成一层无机膜或插钉变形，导致插钉的接触电阻增大，发生故障。因此，我们在对插头进行施工或维护时，一定要严格按照维护手册的标准进行。在安装插头时，应该仔细检查插头与插座内的插钉，不能有破损，弯曲，腐蚀等情况，也不要人为的去破坏插头的封严部分，对于特殊区域的插头要采取特殊的防护，比如对插头进行封严等。对于某些工作环境比较恶劣的地方，如发动机本体上的插头，在安装时一定要注意，要对插头进行保险，一些特殊的插头一定要按照标准打好力矩，否则插头在发动机的高频振动下会松脱，有的会使插头内的插钉接触不良，造成跳火，灼伤插钉，使之工作不可靠和缩短使用期限。 接触电阻： 触点有四种工作状态，即：闭合状态、断开过程、断开状态、闭合过程。 在理想情况下，触点闭合时其接触电阻为零；触点断开时接触电阻为无穷大；在闭合过程中接触电阻瞬时由无穷大变为零；在断开过程中接触电阻瞬时由零变为无穷大。但实际上，在闭合状态时耦合触点间有接触电阻存在，若接触电阻太大，就可能导致被控电路压降过大或不通；在断开状态时要求触点间有一定的绝缘电阻，若绝缘电阻不足就可能导致击穿放电，致使被控电路导通；在闭合过程中有触点弹跳现象，可能破坏触点的可靠闭合；在断开过程中可能产生电弧破坏触点可靠断开。 无论使用哪一种接触，导体接触的不连续性会产生一个附加的电阻——称为“接触电阻”。这个电阻比接触器自身的电阻（在没有接触面存在时）要大。这个电阻值将决定连接的质量，因为：接触电阻阻值越高，则接触电阻上的压降越大，因而接触点释放的热量将越多。如果温度上升到一定的极限，接触点就会损坏。温度越高，损坏就越快，这种现象会迅速蔓延。
欧姆接触 欧姆接触是指金属与半导体的接触，而其接触面的电阻值远小于半导体本身的电阻，使得组件操作时，大部分的电压降在活动区(Active region)而不在接触面。欧姆接触在金属处理中应用广泛，实现的主要措施是在半导体表面层进行高掺杂或者引入大量复合中心。 欧姆接触指的是它不产生明显的附加阻抗，而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变。 条件 欲形成好的欧姆接触，有二个先决条件： （1）金属与半导体间有低的势垒高度(Barrier Height) （2）半导体有高浓度的杂质掺入(N ≧10EXP12 cm-3) 区别 前者可使界面电流中热激发部分(Thermionic Emission)增加;后者则使半导体耗尽区变窄，电子有更多的机会直接穿透(Tunneling)，而同时使Rc阻值降低。 若半导体不是硅晶，而是其它能量间隙(Energy Gap)较大的半导体(如GaAs)，则较难形成欧姆接触 (无适当的金属可用)，必须于半导体表面掺杂高浓度杂质，形成Metal-n+-n or Metal-p+-p等结构。 理论 任何两种相接触的固体的费米能级（Fermi level）（或者严格意义上，化学势）必须相等。费米能级和真空能级的差值称作工函数。接触金属和半导体具有不同的工函，分别记为φM和φS。当两种材料相接触时，电子将会从低工函一边流向另一边直到费米能级相平衡。从而，低工函的材料将带有少量正电荷而高工函材料则会变得具有少量电负性。最终得到的静电势称为内建场记为Vbi。这种接触电势将会在任何两种固体间出现并且是诸如二极管整流现象和温差电效应等的潜在原因。内建场是导致半导体连接处能带弯曲的原因。明显的能带弯曲在金属中不会出现因为他们很短的屏蔽长度意味着任何电场只在接触面间无限小距离内存在。 欧姆接触或肖特基势垒形成于金属与n型半导体相接触。 欧姆接触或肖特基势垒形成于金属与p型半导体相接触。在经典物理图像中，为了克服势垒，半导体载流子必须获得足够的能量才能从费米能
欧姆接触 是指金属与半导体的接触，而其接触面的电阻值远小于半导体本身的电阻，使得组件操作时，大部分的电压降在活动区(Active region)而不在接触面。 欲形成好的欧姆接触，有二个先决条件： （1）金属与半导体间有低的势垒高度(Barrier Height) （2）半导体有高浓度的杂质掺入(N ≧10EXP12 cm-3) 前者可使界面电流中热激发部分(Thermionic Emission)增加;后者则使半导体耗尽区变窄，电子有更多的机会直接穿透(Tunneling)，而同时使Rc阻值降低。 若半导体不是硅晶，而是其它能量间隙(Energy Cap)较大的半导体(如GaAs)，则较难形成欧姆接触(无适当的金属可用)，必须于半导体表面掺杂高浓度杂质，形成Metal-n＋-n or Met al-p+-p等结构。 理论 任何两种相接触的固体的费米能级（Fermi level）（或者严格意义上，化学势）必须相等。费米能级和真空能级的差值称作工函。接触金属和半导体具有不同的工函，分别记为φM和φS。当两种材料相接触时，电子将会从低工函一边流向另一边直到费米能级相平衡。从而，低工函的材料将带有少量正电荷而高工函材料则会变得具有少量电负性。最终得到的静电势称为内建场记为Vbi。这种接触电势将会在任何两种固体间出现并且是诸如二极管整流现象和温差电效应等的潜在原因。内建场是导致半导体连接处能带弯曲的原因。明显的能带弯曲在金属中不会出现因为他们很短的屏蔽长度意味着任何电场只在接触面间无限小距离内存在。 欧姆接触或肖特基势垒形成于金属与n型半导体相接触。 欧姆接触或肖特基势垒形成于金属与p型半导体相接触。在经典物理图像中，为了克服势垒，半导体载流子必须获得足够的能量才能从费米能级跳到弯曲的导带顶。穿越势垒所需的能量φB是内建势及费米能级与导带间偏移的总和。同样对于n型半导体，φB = φM ? χS当中χS是半导体的电子亲合能（electron affinity），定义为真空能级和导带（CB）能级的差。对于p型半导体，φB = Eg ? (φM ? χS)其中Eg是禁带宽度。当穿越势垒的激发是热力学的，这一过程称为热发射。真实的接触中一个同等重要的过程既即为量子力学隧穿。WKB近似描述了最简单的包括势垒穿透几率与势垒高度和厚度的乘积指数相关的隧穿图像。对于电接触的情形，耗尽区宽度决定了厚度，其和内建场穿透入半导体内部长度同量级。耗尽层宽度W可以通过解泊松方程以及考虑半导体内存在的掺杂来计算: 在MKS单位制ρ 是净电荷密度而ε是介电常数。几何结构是一维的因为界面被假设为平面的。对方程作一次积分，我们得到 积分常数根据耗尽层定义为界面完全被屏蔽的长度。就有 其中V(0) = Vbi被用于调整剩下的积分常数。这一V(x)方程描述了插图右手边蓝色的断点曲线。耗尽宽度可以通过设置V(W) = 0来决定，结果为
连接器检验 不论是高频电连接器，还是低频电连接器，绝缘电阻、介质耐压（又称抗电强度）和接触电阻都是保证电连接器能正常可靠地工作的最基本的电气参数。通常在电连接器产品技术条件的质量一致性检验A、B组常规交收检验项目中都列有明确的技术指标要求和试验方法。这三个检验项目也是用户判别电连接器质量和可靠性优劣的重要依据。但根据笔者多年来从事电连接器检验的实践发现，目前各生产厂之间以及生产厂和使用厂之间，在具体执行有关技术条件时尚存在许多不一致和差异，往往由于采用的仪器、测试工装、操作方法、样品处理和环境条件等因素不同，直接影响到检验准确和一致。我们认为，针对目前这三个常规电性能检验项目和实际操作中存在的问题进行一些专题研讨，对提高电连接器检验可靠性是十分有益的。 另外，随着电子信息技术的迅猛发展，新一代的多功能自动检测仪正在逐步替代原有的单参数测试仪。这些新型测试仪器的应用必将大大提高电性能的检测速度、效率和准确可靠性。 1 绝缘电阻检验 1.1 作用原理 绝缘电阻是指在连接器的绝缘部分施加电压，从而使绝缘部分的表面或内部产生漏电流而呈现出的电阻值。即绝缘电阻 (MΩ)= 加在绝缘体上的电压（V）/泄漏电流（μA）。通过绝缘电阻检验，
确定连接器的绝缘性能能否符合电路设计的要求，或在经受高温、潮湿等环境应力时，其绝缘电阻是否符合有关技术条件的规定。 绝缘电阻是设计高阻抗电路的限制因素。绝缘电阻低，意味着漏电流大，这将破坏电路和正常工作。如形成反馈回路，过大的漏电流所产生的热和直流电解，将使绝缘破坏或使连接器的电性能变劣。 1.2影响因素 主要受绝缘材料、温度、湿度、污损、试验电压及连续施加测试电压的持续时间等因素影响。 1.2.1绝缘材料 设计电连接器时选用何种绝缘材料非常重要，它往往影响产品的绝缘电阻能否稳定合格。如某厂原使用酚醛玻纤塑料和增强尼龙等材料制作绝缘体，这些材料内含极性基因，吸湿性大，在常温下绝缘性能可满足产品要求，而在高温潮湿下则绝缘性能不合格。后采用特种工程塑料 PES （聚苯醚砜）材料，产品经200℃、1000h和240h 潮湿试验，绝缘电阻变化较小，仍在10[sup]5[/sup] MΩ以上，无异常变化。 1.2.2温度 高温会破坏绝缘材料，引起绝缘电阻和耐压性能降低。对金属壳体，高温可使接触件失去弹性、加速氧化和发生镀层变质。如按GJB598 生产的耐环境快速分离电连接器系列 II 产品，绝缘电
文档来源为:从网络收集整理.word 版本可编辑.欢迎下载支持. 标准阻值表 OHM CODE OHM CODE OHM CODE OHM CODE OHM CODE 10 10R0 100 1000 1.00K 1001 10.0K 1002 100K 1003 10.2 10R2 102 1020 1.02K 1021 10.2K 1022 102K 1023 10.5 10R5 105 1050 1.05K 1051 10.5K 1052 105K 1053 10.7 10R7 107 1070 1.07K 1071 10.7K 1072 107K 1073 11 11R0 110 1100 1.10K 1101 11.0K 1102 110K 1103 11.3 11R3 113 1130 1.13K 1131 11.3K 1132 113K 1133 11.5 11R5 115 1150 1.15K 1151 11.5K 1152 115K 1153 11.8 11R8 118 1180 1.18K 1181 11.8K 1182 118K 1183 12.1 12R1 121 1210 1.21K 1211 12.1K 1212 121K 1213 12.4 12R4 124 1240 1.24K 1241 12.4K 1242 124K 1243 12.7 12R7 127 1270 1.27K 1271 12.7K 1272 127K 1273 13 13R0 130 1300 1.30K 1301 13.0K 1302 130K 1303 13.3 13R3 133 1330 1.33K 1331 13.3K 1332 133K 1333 13.7 13R7 137 1370 1.37K 1371 13.7K 1372 137K 1373 14 14R0 140 1400 1.40K 1401 14.0K 1402 140K 1403 14.3 14R3 143 1430 1.43K 1431 14.3K 1432 143K 1433 14.7 14R7 147 1470 1.47K 1471 14.7K 1472 147K 1473 15 15R0 150 1500 1.50K 1501 15.0K 1502 150K 1503 15.4 15R4 154 1540 1.54K 1541 15.4K 1542 154K 1543 15.8 15R8 158 1580 1.58K 1581 15.8K 1582 158K 1583 16.2 16R2 162 1620 1.62K 1621 16.2K 1622 162K 1623 16.5 16R5 165 1650 1.65K 1651 16.5K 1652 165K 1653 16.9 16R9 169 1690 1.69K 1691 16.9K 1692 169K 1693 17.4 17R4 174 1740 1.74K 1741 17.4K 1742 174K 1743 17.8 17R8 178 1780 1.78K 1781 17.8K 1782 178K 1783 18.2 18R2 182 1820 1.82K 1821 18.2K 1822 182K 1823 18.7 18R7 187 1870 1.87K 1871 18.7K 1872 187K 1873 19.1 19R1 191 1910 1.91K 1911 19.1K 1912 191K 1913 19.6 19R6 196 1960 1.96K 1961 19.6K 1962 196K 1963 20 20R0 200 2000 2.00K 2001 20.0K 2002 200K 2003 20.5 20R5 205 2050 2.05K 2051 20.5K 2052 205K 2053 21 21R0 210 2100 2.10K 2101 21.0K 2102 210K 2103 21.5 21R5 215 2150 2.15K 2151 21.5K 2152 215K 2153 22.1 22R1 221 2210 2.21K 2211 22.1K 2212 221K 2213 22.6 22R6 226 2260 2.26K 2261 22.6K 2262 226K 2263 23.2 23R2 232 2320 2.32K 2321 23.2K 2322 232K 2323 23.7 23R7 237 2370 2.37K 2371 23.7K 2372 237K 2373 24.3 24R3 243 2430 2.43K 2431 24.3K 2432 243K 2433 24.9 24R9 249 2490 2.49K 2491 24.9K 2492 249K 2493 25.5 25R5 255 2550 2.55K 2551 25.5K 2552 255K 2553 26.1 26R1 261 2610 2.61K 2611 26.1K 2612 261K 2613 26.7 26R7 267 2670 2.67K 2671 26.7K 2672 267K 2673 27.4 27R4 274 2740 2.74K 2741 27.4K 2742 274K 2743 28 28R0 280 2800 2.80K 2801 28.0K 2802 280K 2803 28.7 28R7 287 2870 2.87K 2871 28.7K 2872 287K 2873 29.4 29R4 294 2940 2.94K 2941 29.4K 2942 294K 2943 30.1 30R1 301 3010 3.01K 3011 30.1K 3012 301K 3013
欧姆接触是半导体设备上具有线性并且对称的电流-电压特性曲线（I-V curve）的区域。如果电流-电压特性曲线不是线性的，这种接触便叫做肖特基接触。 理论：任何相接触的固体的费米能级（化学势）必须相等，费米能级和真空能级的差值称为功函数，因而，接触的金属和半导体具有不同的功函数。当两种材料相接触的时候电子会从低功函数的的一端流向另一端直到费米能级平衡；从而低功函数的材料带有少量正电荷，高功涵的材料带有少量负电荷，最终得到的静电势称为内建场。内建场是导致半导体连接处能带弯曲的原因。 欧姆接触是指金属与半导体的接触，而其接触面的电阻值远小于半导体本身的电阻，使得组件操作时，大部分的电压降在活动区(Active region)而不在接触面。 欲形成好的欧姆接触，有二个先决条件： （1）金属与半导体间有低的势垒高度(Barrier Height)使界面电流中热激发部分(Thermionic Emission)增加 （2）半导体有高浓度的杂质掺入(N ≧10EXP12 cm-3) 使半导体耗尽区变窄，电子有更多的机会直接穿透(Tunneling)，而同时使Rc阻值降低。 若半导体不是硅晶，而是其它能量间隙(Energy Cap)较大的半导体(如GaAs)，则较难形成欧姆接触(无适当的金属可用)，必须于半导体表面掺杂高浓度杂质，形成Metal-n＋-n or Metal-p+-p等结构。 肖特基接触是指金属和半导体材料相接触的时候，在界面处半导体的能带弯曲，形成肖特基势垒。势垒的存在才导致了大的界面电阻。与之对应的是欧姆接触，界面处势垒非常小或者是没有接触势垒。 理论：当半导体与金属接触的时候由于半导体的电子逸出功一般比金属小，电子就从半导体流入了金属，在半导体的表面层形成一个带正电不可移动的杂质离子组成的空间电荷区域。电场方向由半导体指向金属，阻止电子继续向金属中扩散。界面处半导体能带发生了弯曲，想成一个高势能区，这就是肖特基势垒。 肖特基势垒的高度是金属和半导体的逸出功的差值。
1.1 金属-半导体接触的基本原理 金属-半导体接触（金半接触）是制作半导体器件中十分重要的问题，接触情况直接影响到器件的性能。从性质上可以将金属-半导体接触分为肖特基接触和欧姆接触。肖特基接触的特点是接触区的电流-电压特性是非线性的，呈现出二极管的特性，因而具有整流效应，所以肖特基接触又叫整流接触。欧姆接触的特点是不产生明显的附加阻抗，而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度产生明显的改变。理想的欧姆接触的接触电阻与半导体器件相比应当很小，当有电流通过时，欧姆接触上的电压降应当远小于半导体器件本身的电压降，因而这种接触不会影响器件的电流-电压特性[1]。下面将从理论上对金属-半导体接触进行简要的分析。 1.2欧姆接触 本章1.1节中提到，当金属-半导体接触的接触区的I-V曲线是线性的，并且接触电阻相对于半导体体电阻可以忽略不计时，则可被定义为欧姆接触（ohmic contact）[1]。良好的欧姆接触并不会降低器件的性能，并且当有电流通过时产生的电压降比器件上的电压降还要小。 1.2.1欧姆接触的评价标准 良好的欧姆接触的评价标准是[4]： 1)接触电阻很低，以至于不会影响器件的欧姆特性，即不会影响器件I-V的线 性关系。对于器件电阻较高的情况下（例如LED器件等），可以允许有较大的接触电阻。但是目前随着器件小型化的发展，要求的接触电阻要更小。2)热稳定性要高，包括在器件加工过程和使用过程中的热稳定性。在热循环的 作用下，欧姆接触应该保持一个比较稳定的状态，即接触电阻的变化要小，尽可能地保持一个稳定的数值。 3)欧姆接触的表面质量要好，且金属电极的黏附强度要高。金属在半导体中的 水平扩散和垂直扩散的深度要尽可能浅，金属表面电阻也要足够低。
标准阻值表 E-96 F(+1%) Standard Resistance Table OHM CODE OHM CODE OHM CODE OHM CODE OHM CODE 10 10R0 100 1000 1.00K 1001 10.0K 1002 100K 1003 10.2 10R2 102 1020 1.02K 1021 10.2K 1022 102K 1023 10.5 10R5 105 1050 1.05K 1051 10.5K 1052 105K 1053 10.7 10R7 107 1070 1.07K 1071 10.7K 1072 107K 1073 11 11R0 110 1100 1.10K 1101 11.0K 1102 110K 1103 11.3 11R3 113 1130 1.13K 1131 11.3K 1132 113K 1133 11.5 11R5 115 1150 1.15K 1151 11.5K 1152 115K 1153 11.8 11R8 118 1180 1.18K 1181 11.8K 1182 118K 1183 12.1 12R1 121 1210 1.21K 1211 12.1K 1212 121K 1213 12.4 12R4 124 1240 1.24K 1241 12.4K 1242 124K 1243 12.7 12R7 127 1270 1.27K 1271 12.7K 1272 127K 1273 13 13R0 130 1300 1.30K 1301 13.0K 1302 130K 1303 13.3 13R3 133 1330 1.33K 1331 13.3K 1332 133K 1333 13.7 13R7 137 1370 1.37K 1371 13.7K 1372 137K 1373 14 14R0 140 1400 1.40K 1401 14.0K 1402 140K 1403 14.3 14R3 143 1430 1.43K 1431 14.3K 1432 143K 1433 14.7 14R7 147 1470 1.47K 1471 14.7K 1472 147K 1473 15 15R0 150 1500 1.50K 1501 15.0K 1502 150K 1503 15.4 15R4 154 1540 1.54K 1541 15.4K 1542 154K 1543 15.8 15R8 158 1580 1.58K 1581 15.8K 1582 158K 1583 16.2 16R2 162 1620 1.62K 1621 16.2K 1622 162K 1623 16.5 16R5 165 1650 1.65K 1651 16.5K 1652 165K 1653 16.9 16R9 169 1690 1.69K 1691 16.9K 1692 169K 1693 17.4 17R4 174 1740 1.74K 1741 17.4K 1742 174K 1743 17.8 17R8 178 1780 1.78K 1781 17.8K 1782 178K 1783 18.2 18R2 182 1820 1.82K 1821 18.2K 1822 182K 1823 18.7 18R7 187 1870 1.87K 1871 18.7K 1872 187K 1873 19.1 19R1 191 1910 1.91K 1911 19.1K 1912 191K 1913 19.6 19R6 196 1960 1.96K 1961 19.6K 1962 196K 1963 20 20R0 200 2000 2.00K 2001 20.0K 2002 200K 2003 20.5 20R5 205 2050 2.05K 2051 20.5K 2052 205K 2053 21 21R0 210 2100 2.10K 2101 21.0K 2102 210K 2103 21.5 21R5 215 2150 2.15K 2151 21.5K 2152 215K 2153 22.1 22R1 221 2210 2.21K 2211 22.1K 2212 221K 2213 22.6 22R6 226 2260 2.26K 2261 22.6K 2262 226K 2263 23.2 23R2 232 2320 2.32K 2321 23.2K 2322 232K 2323 23.7 23R7 237 2370 2.37K 2371 23.7K 2372 237K 2373 24.3 24R3 243 2430 2.43K 2431 24.3K 2432 243K 2433 24.9 24R9 249 2490 2.49K 2491 24.9K 2492 249K 2493 25.5 25R5 255 2550 2.55K 2551 25.5K 2552 255K 2553 26.1 26R1 261 2610 2.61K 2611 26.1K 2612 261K 2613 26.7 26R7 267 2670 2.67K 2671 26.7K 2672 267K 2673 27.4 27R4 274 2740 2.74K 2741 27.4K 2742 274K 2743 28 28R0 280 2800 2.80K 2801 28.0K 2802 280K 2803 28.7 28R7 287 2870 2.87K 2871 28.7K 2872 287K 2873