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半导体行业英文术语English:Some common terms in the semiconductor industry include:1. Integrated Circuit (IC): A small electronic device made out of a semiconductor material that can perform an extensive range of functions.2. Semiconductor manufacturing: The process of creating integrated circuits and semiconductor devices, including design, fabrication, and packaging.3. Wafer: A thin slice of semiconductor material used as the substrate for the fabrication of integrated circuits.4. Photolithography: A process used to transfer circuit patterns onto the wafer surface using light and photoresist materials.5. Die: A single piece of an integrated circuit, typically cut from a wafer after fabrication and packaging.6. Yield: The percentage of functional and operational semiconductor devices produced during the manufacturing process.7. Moore's Law: The observation that the number of transistors in a dense integrated circuit doubles approximately every two years, leading to exponential growth in processing power.8. Quantum tunneling: A phenomenon in which electrons penetrate through a potential barrier they classically shouldn't be able to cross, crucial for the operation of semiconductor devices.中文翻译:半导体行业的一些常见术语包括：1. 集成电路（IC）：由半导体材料制成的小型电子器件，可执行广泛的功能。
1. acceptance testing （WAT：wafer acceptance testing）2。
acceptor: 受主，如B，掺入Si中需要接受电子3。
ACCESS：一个EDA（Engineering Data Analysis）系统4。
Acid：酸5. Active device:有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大）6。
Align mark(key)：对位标记7。
Alloy：合金8。
Aluminum：铝9. Ammonia:氨水10。
Ammonium fluoride：NH4F11。
Ammonium hydroxide：NH4OH12。
Amorphous silicon：α-Si，非晶硅(不是多晶硅）13。
Analog：模拟的14。
Angstrom：A（1E—10m）埃15. Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH)16。
AQL(Acceptance Quality Level）:接受质量标准，在一定采样下，可以95％置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）17。
ARC（Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）18. Antimony（Sb)锑19. Argon(Ar）氩20. Arsenic（As）砷21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷22。
Arsine（AsH3）23。
Asher:去胶机24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）25。
Autodoping:自搀杂（外延时SUB的浓度高,导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）26。
Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）27。
Baseline：标准流程28. Benchmark:基准29。
Bipolar:双极30. Boat：扩散用（石英）舟31. CD：（Critical Dimension）临界（关键）尺寸。
金属前介质层（PMD）金属间介质层（IMD）W塞（W PLUG）钝化层（Passivation）acceptor 受主，如B，掺入Si中需要接受电子Acid：酸actuator激励ADI After develop inspection显影后检视AEI After etching inspection蚀科后检查AFM atomic force microscopy 原子力显微ALD atomic layer deposition 原子层淀积Align mark(key)：对位标记Alignment 排成一直线，对平Alloy：合金Aluminum：铝Ammonia：氨水Ammonium fluoride：NHFAmmonium hydroxide：NHOHAmorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅） amplifier 放大器AMU 原子质量数Analog：模拟的analyzer magnet 磁分析器Angstrom：A（E-m）埃Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH）Antimony(Sb)锑arc chamber 起弧室ARC： anti-reflect coating 防反射层Argon(Ar)氩Arsenic trioxide(AsO)三氧化二砷Arsenic(As)砷Arsine(AsH)ASHER 一种干法刻蚀方式Asher：去胶机ASI 光阻去除后检查ASIC 特定用途集成电路Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比） ATE 自动检测设备Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前）Backside Etch 背面蚀刻Backside 晶片背面Baseline：标准流程Beam-Current 电子束电流Benchmark：基准BGA ball grid array 高脚封装Bipolar：双极Boat：扩散用（石英）舟Cassette 装晶片的晶舟CD：critical dimension 关键性尺寸，临界尺寸Chamber 反应室Chart 图表Child lot 子批chiller 制冷机Chip (die) 晶粒Chip：碎片或芯片。
太阳能产业行业术语光伏产业链PV industry chain多晶硅原料-----单晶硅棒----单晶硅片----晶体硅电池----电池封装----系统集成----工程安装polycrystalline silicon raw material ---mono-crystalline silicon ingot---mono-crystalline silicon wafer---crystalline silicon cell—cells encapsulation---system integration---construction installation单词：1.单晶硅片mono-crystalline silicon wafer多晶硅片polycrystalline silicon wafer晶向orientation少数载流子寿命lifetime导电类型conductivity type位错密度dislocation硅单晶片厚度thickness硅单晶片的弯曲度surface camber准方单晶硅片: quasi-square mono-crystalline silicon wafer2.太阳电池solar cell3.薄膜太阳电池film solar cell4.光电转换photo-electricity conversion5.太阳电池组件solar module多晶硅太阳电池组件polycrystalline solar module单晶硅太阳电池组件mono-crystalline solar module6.太阳能户用系统solar home system（分为：太阳能直流户用系统；太阳能交流户用系统；太阳能交直流户用系统）7.太阳能电站solar power station（分为：离网型太阳能电站off-grid solar power station ；并网型太阳能电站grid-connected solar power station ）8.太阳能热水器solar water heater9.太阳能热水系统：solar heating system10.太阳能直流式热水系统: solar direct heating system11.太阳能强迫循环热水系统solar compelling cycle heating system12.太阳能自然循环热水系统solar spontaneously cycle heating system13.真空管太阳能集热器vacuum tube solar centralized heating system14.平板型太阳能集热器flat type solar centralized heating system15.全玻璃真空太阳能集热器full-glass vacuum solar centralizedheating system16.热管式真空管太阳集热器heat-tube vacuum solar centralizedheating system17.采光面积: lighting area18.太阳能幅照度solar radiant intensity19.太阳能控制器：solar controller20.太阳能逆变器：solar inverter21.太阳能通讯基站solar telecommunication power systems22.石油和天然气管道太阳能阴极保护电站：solar power stations forcathode protection of the oil and gas feeding pipes23.太阳能电池方阵solar array24.太阳能通讯电源solar communication power station25.太阳能自动跟踪装置solar automatic tracker26.太阳能移动电源车（站）solar mobile electrical vehicle (station)27.光伏水泵solar pump28.太阳能杨水系统solar pumping system29.光—网---柴互补系统complementary system for solar –grid-dieseloil30.风---光互补系统complementary system for solar - wind31.太阳能交通信号灯solar traffic signal light32.太阳能交通警示标志solar traffic warning symbol33.太阳能道钉solar road mark34.太阳能庭院灯solar garden light35.太阳能路灯solar street light36.太阳能草坪灯solar lawn light37.太阳能广告牌solar billboard38.太阳能电话亭solar telephone booth短语：太阳能扬水和照明综合应用系统：the comprehensive utilization system of solar pumping and lighting变频调速交流异步电机：high-efficient frequency conversion alternating asynchronous motors（这个产品不是太阳能产品）送电到乡: Power Supply to Township丝绸之路光明工程：Silk Road Brightness Project太阳能亮化工程solar brightness project太阳能与建筑一体化integrate solar energy with building。
MFG 常用英文单字Semiconductor半导体导体、绝缘体和半导体主要依据导电系数的大小，决定了电子的移动速度。
导体：金、银、铜、铁、人、水……导电系数大，传导容易绝缘体：塑料、木头、皮革、纸……导电系数小、传导不容易半导体:硅中加锗、砷、镓、磷……平时不导电加特定电压后导电Wafer 芯片或晶圆：原意为法国的松饼，饼干上有格子状的饰纹,与FAB内生产的芯片图形类似.Lot 批；一批芯片中最多可以有25片，最少可以只有一片。
ID Identification的缩写.用以辨识各个独立的个体，就像公司内每一个人有自己的识别证。
Wafer ID 每一片芯片有自己的芯片刻号，叫Wafer ID.Lot ID 每一批芯片有自己的批号，叫Lot ID。
Part ID 各个独立的批号可以共享一个型号，叫Part ID。
WIP Work In Process，在制品。
从芯片投入到芯片产品，FAB内各站积存了相当数量的芯片，统称为FAB内的WIP .一整个制程又可细分为数百个Stage和Step，每一个Stage所堆积的芯片，称为Stage WIP。
Lot Priority 每一批产品在加工的过程中在WIP中被选择进机台的优先级。
Super Hot Run的优先级为1,视为等级最高，必要时，当Lot在上一站加工时，本站便要空着机台等待Super Hot Run。
Hot Run的优先级为2,紧急程度比Super Hot Run次一级.Normal的优先级为3，视为正常的等级，按正常的派货原则,或视常班向生产指令而定.Cycle time 生产周期，FAB Cycle Time 定义为：从芯片投入到芯片产生的这一段时间。
Stage Cycle Time：Lot从进站等候开始到当站加工后出货时间点截止。
Spec。
规格Specification的缩写.产品在机台加工过程中,每一站均设定规格。
机台加工后，产品或控片经由量测机台量测，该产品加工后,是否在规格内。
太阳电池 solar cell通常是指将太阳光能直接转换成电能的一种器件。
硅太阳电池silicon solar cell硅太阳电池是以硅为基体材料的太阳电池。
单晶硅太阳电池single crystalline silicon solar cell单晶硅太阳电池是以单晶硅为基体材料的太阳电池。
非晶硅太阳电池（a—si太阳电池）amorphous silicon solar cell用非晶硅材料及其合金制造的太阳电池称为非晶硅太阳电池，亦称无定形硅太阳电池，简称a—si太阳电池。
多晶硅太阳电池polycrystalline silicon solar cell多晶硅太阳电池是以多晶硅为基体材料的太阳电池。
聚光太阳电池组件photovoltaic concentrator module系指组成聚光太阳电池，方阵的中间组合体，由聚光器、太阳电池、散热器、互连引线和壳体等组成。
电池温度cell temperature系指太阳电池中P-n结的温度。
太阳电池组件表面温度solar cell module surface temperature系指太阳电池组件背表面的温度。
大气质量（AM）Air Mass (AM)直射阳光光束透过大气层所通过的路程，以直射太阳光束从天顶到达海平面所通过的路程的倍数来表示。
太阳高度角 solar 太阳高度角 solar elevation angle太阳光线与观测点处水平面的夹角，称为该观测点的太阳高度角。
辐照度 irradiance系指照射到单位表面积上的辐射功率（W/m2）。
总辐照（总的太阳辐照）total irradiation (total insolation)在一段规定的时间内，（根据具体情况而定为每小时，每天、每周、每月、每年）照射到某个倾斜表面的单位面积上的太阳辐照。
直射辐照度direct irradiance照射到单位面积上的，来自太阳圆盘及其周围对照射点所张的圆锥半顶角为8o的天空辐射功率。
硅片行业术语大全(中英文对照 I-Z)Ingot - A cylindrical solid made of polycrystalline or single crystal silicon from which wafer s are cut.晶锭 - 由多晶或单晶形成的圆柱体，晶圆片由此切割而成。
Laser Light-Scattering Event - A signal pulse that locates surface imperfections on a wafer.激光散射 - 由晶圆片表面缺陷引起的脉冲信号。
Lay - The main direction of surface texture on a wafer.层 - 晶圆片表面结构的主要方向。
Light Point Defect (LPD) (Not preferred; see localized light-scatterer) 光点缺陷(LPD) （不推荐使用，参见“局部光散射”）Lithography - The process used to transfer patterns onto wafer s.光刻 - 从掩膜到圆片转移的过程。
Localized Light-Scatterer - One feature on the surface of a wafer, such as a pit or a scratch that scatters light. It is also called a light point defect.局部光散射 - 晶圆片表面特征，例如小坑或擦伤导致光线散射，也称为光点缺陷。
Lot - Wafer s of similar sizes and characteristics placed together in a shipment.批次 - 具有相似尺寸和特性的晶圆片一并放置在一个载片器内。
太阳电池 solar cell通常是指将太阳光能直接转换成电能的一种器件。
硅太阳电池silicon solar cell硅太阳电池是以硅为基体材料的太阳电池。
单晶硅太阳电池single crystalline silicon solar cell单晶硅太阳电池是以单晶硅为基体材料的太阳电池。
非晶硅太阳电池（a—si太阳电池）amorphous silicon solar cell用非晶硅材料及其合金制造的太阳电池称为非晶硅太阳电池，亦称无定形硅太阳电池，简称a—si太阳电池。
多晶硅太阳电池polycrystalline silicon solar cell多晶硅太阳电池是以多晶硅为基体材料的太阳电池。
聚光太阳电池组件photovoltaic concentrator module系指组成聚光太阳电池，方阵的中间组合体，由聚光器、太阳电池、散热器、互连引线和壳体等组成。
电池温度cell temperature系指太阳电池中P-n结的温度。
太阳电池组件表面温度solar cell module surface temperature系指太阳电池组件背表面的温度。
大气质量（AM）Air Mass (AM)直射阳光光束透过大气层所通过的路程，以直射太阳光束从天顶到达海平面所通过的路程的倍数来表示。
太阳高度角 solar 太阳高度角 solar elevation angle太阳光线与观测点处水平面的夹角，称为该观测点的太阳高度角。
辐照度 irradiance系指照射到单位表面积上的辐射功率（W/m2）。
总辐照（总的太阳辐照）total irradiation (total insolation)在一段规定的时间内，（根据具体情况而定为每小时，每天、每周、每月、每年）照射到某个倾斜表面的单位面积上的太阳辐照。
直射辐照度direct irradiance照射到单位面积上的，来自太阳圆盘及其周围对照射点所张的圆锥半顶角为8o的天空辐射功率。
AA, Ampere的缩写, 安培a-Si:H, amorph silicon的缩写, 含氢的, 非结晶性硅.Absorption, 吸收.Absorption of the photons:光吸收;当能量大于禁带宽度的光子入射时，太阳电池内的电子能量从价带迁到导带，产生电子——空穴对的作用，称为光吸收。
Absorptionscoefficien t, 吸收系数, 吸收强度.AC, 交流电.Ah, 安培小时.Acceptor, 接收者, 在半导体中可以接收一个电子.Alternating current, 交流电，简称“交流. 一般指大小和方向随时间作周期性变化的电压或电流. 它的最基本的形式是正弦电流. 我国交流电供电的标准频率规定为50赫兹。
交流电随时间变化的形式可以是多种多样的。
不同变化形式的交流电其应用范围和产生的效果也是不同的。
以正弦交流电应用最为广泛，且其他非正弦交流电一般都可以经过数学处理后，化成为正弦交流电的迭加。
AM, air mass的缩写, 空气质量.直射阳光光束透过大气层所通过的路程，以直射太阳光束从天顶到达海平面所通过的路程的倍数来表示。
当大气压力P=1.013巴，天空无云时，海平面处的大气质量为1。
amorphous silicon solar cell:非晶硅太阳电池（a—si太阳电池）用非晶硅材料及其合金制造的太阳电池称为非晶硅太阳电池，亦称无定形硅太阳电池，简称a—si太阳电池。
Angle of inclination, 倾斜角，即电池板和水平方向的夹角，0-90度之间。
Anode, 阳极, 正极.BBack Surface Field, 缩写BSF, 在晶体太阳能电池板背部附加的电子层, 来提高电流值.Bandbreak, 在半导体中, 价带和导带之间的空隙,对于半导体的吸收特性有重要意义.Becquerel, Alexandre-Edmond, 法国物理学家, 在1839年发现了电池板效应.BSF, back surface field的缩写.Bypas-Diode, 与太阳能电池并联的二极管, 当一个太阳能电池被挡住, 其他太阳能电池产生的电流可以从它处通过.CCadmium-Tellurid, 缩写CdTe; 位于II/VI位的半导体, 带空隙值为1,45eV, 有很好的吸收性, 应用于超薄太阳能电池板, 或者是连接半导体.Cathode, 阴极，或负极，是在电池板电解液里的带负电的电极，是电池板电解液里带电粒子和导线里导电电子的过渡点。
硅片行业术语大全(中英文对照 A-H) Acceptor - An element, such as boron, indium, and gallium used to create a free hole in a semiconductor. The acceptor atoms are required to have one less valence electron than the semiconductor. 受主 - 一种用来在半导体中形成空穴的元素，比如硼、铟和镓。受主原子必须比半导体元素少一价电子 Alignment Precision - Displacement of patterns that occurs during the photolithography process. 套准精度 - 在光刻工艺中转移图形的精度。 Anisotropic - A process of etching that has very little or no undercutting 各向异性 - 在蚀刻过程中，只做少量或不做侧向凹刻。 Area Contamination - Any foreign particles or material that are found on the surface of a wafer. This is viewed as discolored or smudged, and it is the result of stains, fingerprints, water spots, etc. 沾污区域 - 任何在晶圆片表面的外来粒子或物质。由沾污、手印和水滴产生的污染。 Azimuth, in Ellipsometry - The angle measured between the plane of incidence and the major axis of the ellipse. 椭圆方位角 - 测量入射面和主晶轴之间的角度。 Backside - The bottom surface of a silicon wafer. (Note: This term is not preferred; instead, use ‘back surface’.) 背面 - 晶圆片的底部表面。（注：不推荐该术语，建议使用“背部表面”） Base Silicon Layer - The silicon wafer that is located underneath the insulator layer, which supports the silicon film on top of the wafer. 底部硅层 - 在绝缘层下部的晶圆片，是顶部硅层的基础。 Bipolar - Transistors that are able to use both holes and electrons as charge carriers. 双极晶体管 - 能够采用空穴和电子传导电荷的晶体管。 Bonded Wafers - Two silicon wafers that have been bonded together by silicon dioxide, which acts as an insulating layer. 绑定晶圆片 - 两个晶圆片通过二氧化硅层结合到一起，作为绝缘层。 Bonding Interface - The area where the bonding of two wafers occurs. 绑定面 - 两个晶圆片结合的接触区。 Buried Layer - A path of low resistance for a current moving in a device. Many of these dopants are antimony and arsenic. 埋层 - 为了电路电流流动而形成的低电阻路径，搀杂剂是锑和砷。 Buried Oxide Layer (BOX) - The layer that insulates between the two wafers. 氧化埋层(BOX) - 在两个晶圆片间的绝缘层。 Carrier - Valence holes and conduction electrons that are capable of carrying a charge through a solid surface in a silicon wafer. 载流子 - 晶圆片中用来传导电流的空穴或电子。 Chemical-Mechanical Polish (CMP) - A process of flattening and polishing wafers that utilizes both chemical removal and mechanical buffing. It is used during the fabrication process. 化学-机械抛光(CMP) - 平整和抛光晶圆片的工艺，采用化学移除和机械抛光两种方式。此工艺在前道工艺中使用。 Chuck Mark - A mark found on either surface of a wafer, caused by either a robotic end effector, a chuck, or a wand. 卡盘痕迹 - 在晶圆片任意表面发现的由机械手、卡盘或托盘造成的痕迹。 Cleavage Plane - A fracture plane that is preferred. 解理面 - 破裂面 Crack - A mark found on a wafer that is greater than 0.25 mm in length. 裂纹 - 长度大于0.25毫米的晶圆片表面微痕。 Crater - Visible under diffused illumination, a surface imperfection on a wafer that can be distinguished individually. 微坑 - 在扩散照明下可见的，晶圆片表面可区分的缺陷。 Conductivity (electrical) - A measurement of how easily charge carriers can flow throughout a material. 传导性（电学方面） - 一种关于载流子通过物质难易度的测量指标 。 Conductivity Type - The type of charge carriers in a wafer, such as “N-type” and “P-type”. 导电类型 - 晶圆片中载流子的类型，N型和P型。 Contaminant, Particulate (see light point defect) 污染微粒 （参见光点缺陷） Contamination Area - An area that contains particles that can negatively affect the characteristics of a silicon wafer. 沾污区域 - 部分晶圆片区域被颗粒沾污，造成不利特性影响。 Contamination Particulate - Particles found on the surface of a silicon wafer. 沾污颗粒 - 晶圆片表面上的颗粒。 Crystal Defect - Parts of the crystal that contain vacancies and dislocations that can have an impact on a circuit’s electrical performance. 晶体缺陷 - 部分晶体包含的、会影响电路性能的空隙和层错。 Crystal Indices (see Miller indices) 晶体指数 （参见米勒指数） Depletion Layer - A region on a wafer that contains an electrical field that sweeps out charge carriers. 耗尽层 - 晶圆片上的电场区域，此区域排除载流子。 Dimple - A concave depression found on the surface of a wafer that is visible to the eye under the correct lighting conditions. 表面起伏 - 在合适的光线下通过肉眼可以发现的晶圆片表面凹陷。 Donor - A contaminate that has donated extra “free” electrons, thus making a wafer “N-Type”. 施主 - 可提供“自由”电子的搀杂物，使晶圆片呈现为N型。 Dopant - An element that contributes an electron or a hole to the conduction process, thus altering the conductivity. Dopants for silicon wafers are found in Groups III and V of the Periodic Table of the Elements. 搀杂剂 - 可以为传导过程提供电子或空穴的元素，此元素可以改变传导特性。晶圆片搀杂 剂可以在元素周期表的III 和 V族元素中发现。 Doping - The process of the donation of an electron or hole to the conduction process by a dopant. 掺杂 - 把搀杂剂掺入半导体，通常通过扩散或离子注入工艺实现。 Edge Chip and Indent - An edge imperfection that is greater than 0.25 mm.
